DE2241917A1

DE2241917A1 - Schieberegister

Info

Publication number: DE2241917A1
Application number: DE2241917A
Authority: DE
Inventors: Frederik Leonard Joha Sangster
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1971-09-16
Filing date: 1972-08-25
Publication date: 1973-03-22
Also published as: NL165870C; IT967414B; FR2153078B1; NL7112720A; JPS4838948A; US3764824A; CA970439A; NL165870B; DE2241917B2; FR2153078A1; GB1400784A

Description

PHN. 5859

I'nientanwsU

Anmelder: N.V. Philips* GioeiSarnpenfabrieken
Akte No.; pm- 5859

Anmeldung voms 23· AUg. 1972

"Schieberegister"

Die Erfindung bezieht sich auf ein Schieberegister, das mindestens einen ersten und einen zweiten Verzögerungskreis enthält, die je eine Reihe von Speicherelementen mit je mindestens einer Kapazität und einer Steuerelektrode enthalten, wobei Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe Taktimpulse den Steuerelektroden des ersten und des zweiten Verzögerungskreises zugeführt werden. Aus der niederländischen Patentanmeldung 6.711.^63 ist ein Schieberegister der erwähnten Art bekannt, in dem ein erster, ein zweiter und ein dritter Verzögerungskreis parallel geschaltet sind , und das sich zur Verarbeitung z.B. analoger Signale eignet. Die Signaleingänge dieser Verzögerungskreise sind zusammen mit einer Taktimpulsquelle verbunden, während die Ausgänge

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dieser Verzögerungskreise über Dioden mit einem gemeinsamen Punkt verbunden sind, dem das verzögerte Ausgangssignal entnommen werden kann. Die Steuerelektroden der Speicherelemente aus jedem der Verzögerungskreise sind in drei Gruppen unterteilt. Jede Gruppe ist zusammen mit einer anderen Gruppe aus den beiden anderen Verzögerungskreisen mit einer Taktimpulsquelle verbunden. Die drei Taktimpulsquellen geben derartige Taktimpulse ab, dass in zyklischer Reihenordnung die Information abwechselnd den drei Verzögerungskreisen zugeführt, während ausserdem gemäss demselben Zyklus das Ausgangssignal abwechselnd aus einem der Verzögerungskreise erhalten wird. Die Tatsache, dass die drei Verzögerungskreise parallel geschaltet sind, hat zur FoLge, dass die Laufzeitverzögerung für jedes Speicherelement grosser als die Laufzeitverzögerung ist, die für jedes Speicherelement erhalten wird, wenn als Schieberegister ein einziger Verzögerüngskreis der erwähnten Art verwendet wird. Wenn die Impulswiederholungszeit der Taktimpulse für das letztere Schieberegister gleich T Sekunden ist, ist die Verzögerungszeit für jedes Speicherelement gleich |- T Sekunden. Die Gesamfcverzögerungszeit wird dann gleich 0 Tm sein, wobei m die Anzahl Speicherelemente des erwähnten Schieberegisters darstellt. Die dem obenbeschriebenen Schieberegister mit drei kongruenten, parallelen Verzögerungskreisen beträgt die Laufzeitverzögerung für jedes Speicherelement 2/3 T Sekunden. Die Gesamtlaufzeitverzögerung i3t hier gleich 2/3 T.m, wobei m die Anzahl Speicherelemente in jedem der Verzögerungskreise darstellt. Die bedeutet, dass, wenn in den

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beiden Fällen die gleiche Gesamtlaufzeitverzögerung -verlangt wird, die Anzahl Speicherelemente m eines Verzögerungskreises aus dem Schieberegister mit drei paralllen Verzögerungskreisen um einen Faktor 3/h kleiner als die Anzahl m benötigter Speicherelemente aus dem anderen Schieberegister ist. Dies ergibt den Vorteil, dass der störende Einfluss von Ladungsverlusten, die beim Uebertragen von einer Speicherkapazität auf eine andere Speicherkapazität auftreten, geringer ist. In dem obenbeschriebenen Schieberegister wurden drei Verzögerungskreise parallel geschaltet. Es ist aber auch möglich^ ρ Verzögerungskreise parallel zu schalten und ρ Taktimpulsquellen zu verwenden. Die Verzögerungszeit pro Speicherelement beträgt dann **-— . T Sekunden. In Abhängigkeit von der gewünschten Bandbreite und der Gesamtverzögerungszeit, die verlangt wird, wird für ρ ein Wert gewählt, bei dem die Gesamtanzahl benötigter Speicherelemente möglichst klein ist.

Wenn in dem obenbeschriebenen Schieberegister

die Anzahl paralleler Verzögerungskreisen gross gewählt wird, kann dies Schwierigkeiten veranlassen. Wenn z.B. 30 Verzögerungskreise parallel geschaltet werden, werden 30 Taktimpulsquellen benötigt. Dies bedeutet auch, dass 30 Taktimpulsleiter und 30 Anschlusspunkte zum Anschliessen der Taktimpulsquellen benötigt werden. Insbesondere, wenn ein solches Schieberegister integriert werden soll, ist dies besonders ungünstig. Einerseits beanspruchen die 30 Taktimpulsleiter auf einer Scheibe viel Raum, während andererseits die 30 Anschlusspunktes leicht ein kapazitives Uebersprechen zu dem Ausgang

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des Schieberegisters veranlassen. Ee sollen also Massnahmen getroffen werden, um diese kapazitive Uebersprechen zu verhindern, was bei einer derart grossen Anzahl von Anschlusspunkte grosse Schwierigkeiten ergibt. Ausserdera ergibt sich das Problem, dass bei Anwendung einer'Vielzahl paralleler Kreise in dem bekannten Schieberegister Störsignale (switching noise) in dem Ausgangssignale vorhanden sind. Diese Störsignale fallen innerhalb der Nyquist-Bandbreite und lassen sich nicht ausfiltern. t)ies lässt sich dadurch erklären, dass die in jedem der Verzögerungskreise vorhandenen Daten nie gleichzeitig um eine Stelle fortgeschoben werden. Zunächst werden die Daten in dem ersten Verzögerungskreis um eine Stelle fortgeschoben, dann werden die in dem zweiten Verzögerungskreis vorhandenen Daten um eine Stelle fortgeschoben, usw. Dieses Fortschieben von Daten in jedem der parallelen Kreise erfordert also einen gesonderten Taktimpuls. Wenn nun die Amplituden dieser Taktimpulse einander nicht genau gleich sind, werden Störsignale im Ausgangssignal auftreten, weil der Bezugspegel, der der Amplitude des betreffenden Impulses gerade proportional ist, von Impuls zu Impuls verschieden sein wird. Um diese Art Verzerrung zu verringern, müssen also Massnahmen getroffen werden, durch die die Amplituden der Taktimpulse innerhalb sehr enger Grenzen einander gleichgemacht werden. Es ist einleuchtend, dass dies umso schwieriger wird, je nachdem die Anzahl paralleler Kreise grosser ist. Ausserdem hat sich herausgestellt, dass, wenn die Neigungen der verschiedenen Impulse

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voneinander verschieden sind, dies auch zu StorSignalen (switching noise) Anlass gibt.

Die Erfindung bezweckt, eine Lösung die

obenerwähnten Schwierigkeiten zu schaffen und ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teil der Speicherelemente aus dem ersten Verzögerungskreis über einen Hilfs verzöge rungskreis mit einem Speicherelement aus dem zweiten .Verzögerungskreis verbunden ist, wobei die Hilfsverzögerungskreise je eine Reihe von Speicherelementen enthalten, die mit je einer Kapazität und einer Steuerelektrode versehen sind, wobei Mittel vorgesehen sind, durch die derartige Taktimpulse den Steuerelektroden dieser Speicherelemente zugeführt werden, dass die Schiebegeschwindigkeit der Hilfsverzögerungskreise niedriger als die Schiebegeschwindigkeit des ersten und des zweiten Verzögerungskreises ist.

Die Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel eines Schieberegisters nach der Erfindung,

Fig. 2 ein Spannungsdiagramm zur Erläuterung der Wirkungsweise des Schieberegisters nach Fig. 1, und

Fig.3 ein Speicherelement zur Anwendung in dem Schieberegister nach Fig. 1.

In dem Schieberegister nach Fig. 1 bezeichnet I den ersten Verzögerungskreis, II den zweiten Verzögerungskreis und bezeichnen a_, b_ und c_ die Hilfsverzögerungskreise. Die Speicherelemente.O₈ 1, 2, 3 und k des ersten

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Verzögerungskreises enthalten je eine Kapazität und einen Feldeffekttransistor. Die Kapazitäten der Speicherelemente sind zwischen der Senke und der Torelektrode Jedes der zu den Speicherelementen gehörigen Transistoren angebracht. Die Torelektroden der erwähnten Transistoren bilden zugleich die Steuerelektroden der Speicherelemente. Die Hauptstrombahnen der Transistoren T, (i == 0, 5) sind miteinander

in Reihe geschaltet. Die Quelle des Transistors. T₀ ist über die Reihenschaltung eines Widerstandes R_ und einer Signalspannungsquelle V mit dem Taktimpulsleiter Y verbunden. Die Senke des Transistors Tr ist über die Hauptstrombahn des Feldeffekttransistors T₁- mit dem Taktimpulsleiter Y verbunden, mit dem auch die Torelektrode des letzteren Transistors verbunden ist. Die Torelektroden der Transistoren T1, Tq und T_ sind ebenfalls mit dem Taktimpulsleiter Y verbunden. Die Torelektroden der Transistoren T₀, T„ und Tr sind mit dem Taktimpulsleiter B verbunden. Die Speicherelemente 11, 12, 13t 1^ und 15 des zweiten Verzögerungskreises II enthalten je eine Kapazität und einen Feldeffekttransistor* Die Kapazitäten der Speicherelementen sind zwischen der Senke und der Torelektrode jedes der zu den Speicherelementen gehörigen Transistoren angebracht. Die Torelektroden der Transistoren bilden zugleich die Steuerelektroden der Speicherelemente.

Die Hauptstrombahnen der Transistoren T. (i = 11 15)

sind miteinander in Reihe geschaltet. Die Quelle des Transistors T₁₁ ist über die Kapazität C . mit dem Taktimpulsleiter A verbunden. Der Senke 0 des Transistors T₁- kann das verzögerte Ausgangssignal entnommen werden. Die Torelektroden

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der Transistoren T₁₁, T₁ und T₁- sind mit dem Taktimpulsleiter B verbunden, während die Torelektroden der Transistoren T₁₂ und T₁I, mit dem Taktimpulsleiter A verbunden sind. Der Hilfsverzögerungskreis a enthält die Transistoren Τ_._γ

(Υ = 0, k), deren Hauptstrombahnen miteinander in Reihe

geschaltet sind. Zwischen der Senke und der Torelektrode des

Transistors T Y= 1 3) ist eine Kapazität C_qy(Y=1,....3)

mit derselben Ordnungsnummer angebracht. Die Quelle des Transistors T₁ ist einerseits über die Kapazität C_0n mit dem Taktimpulsleiter C und andererseits über die Hauptstrombahn des Transistors T mit der Senke des Transistors T_ verbunden. Die Senke des Transistors Tq ist über die Hauptstrombahn des Transistors T_n^ mit der Quelle des Transistors T₁₁ verbunden. Der Hilfsverzogerungskrexs b enthält die Transistoren T₂ (Y = O₅......k), deren Hauptstrombahnen miteinander in Reihe geschaltet sind. Zwischen der Senke und der Torelektrode des Transistors T₂ (Y = 1,....3.) ist eine Kapazität C_ (Y = 1,«...3) mit derselben Ordnungsnummer angebracht. Die Quelle des Transistors T_?1 ist einerseits über die Kapazität C_? mit dem Taktimpulsleiter C und andererseits über die Hauptstrombahn des Transistors T„ mit der Senke des Transistors T„ verbunden. Die Senke des Transistors T_„ ist über die Hauptstrombahn des Transistors Tp. mit der Quelle des Transistors T₁^ verbunden. Der Hilfsverzögerungskreis c_ enthält die Transistoren Tl (Υ = O₉....4) deren Hauptstrombahnen miteinander in Reihe geschaltet sind. Zwischen der Senke und der Torelektrode des Transistors T.

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(Y = 1 3) ist eine Kapazität C^_y (Y = 1 ...... 3) mit

derselben Ordnungsnummer angebracht. Die Quelle des Transistors T■ ₁ ist einerseits über die Kapazität C^_n mit dem Taktimpulsleiter C und andererseits über die Hauptstrombahn des Transistors T. mit der Senke des Transistors Tr verbunden. Die Senke des Transistors Tl„ ist über die Hauptetrombahn des Transistors T. r mit der Quelle des Transistors T₁ ^. verbunden. Die Torelektroden der Transistoren T (X = 0,2,4) und T (X = 0,2,A) sind mit dem Taktimpulsleiter X verbunden. Die Torelektroden der Transistoren T_w (X = 0,2,4 und Y = 1,3) sind mit dem Taktimpulsleiter D verbunden, während die Tor·* ■ elektroden der Transistoren T_vo (X = 0,2,4) mit dem Taktimpulsleiter Cverbunden sind. Die Taktimpulsleiter A, B, C, D, X und Y sind mit der Taktimpulsquelle S verbunden, die Taktimpulse abgibt (siehe Fig. 2). Die Wirkungsweise des Schieberegisters nach Fig. 1 ist folgende.

In dem Zeitintervall (t -t..) (Siehe Fig.

2d) ist die Amplitude des Taktimpulses V am Taktimpulsleiter gleich -E Volt. Dadurch werden die Transistoren T_nn, T und T. leitend sein, wodurch Ladungsübertragung zwischen den Kapazitäten C und C„_, C_ und C„_, Cl und C^_n stattfinden wird. Ferner sind im erwähnten Intervall die Transistoren T ., T„. und T. ^ leitend, wodurch Ladungsübertragung zwischen den Kapazitäten C „ und C . » C„r ^unc* C _, C. „ und C₁. stattfinden wird. In anderen Worten: im erwähnten Intervall wird die in den Kapazitäten C_n, C„ und Cr des ersten Verzögerungskreises I in Form eines Ladungsmangels vorhandene Information auf die ersten Speicherkapazitäten C₀₀, C₀, und C^_n der Hilfsverzogerungskreise

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a_, b bzw. £ übertragen. Ausserdem wird in diesem Intervall die in den Kapazitäten C_o„, Cp„ und C^„ der Hilfsverzögerungskreise a_, b_ bzw. c_ in Form eines Ladungsmangels vorhandene Information auf die Kapazitäten C . , C₁ ρ und C^j, des zweiten Verzögerungskreises II übertragen. Am Ende des erwähnten Intervalls wird die Ladung in jeder der Kapazitäten des ersten Verzögerungskreises gleich (E-V,).C Coulombs sein, was dem Bezugspegel entspricht. Dabei ist V, die Schwellwertspannung der verwendeten Feldeffekttransistoren und ist C = der Kapazitätswert der verwendeten Kapazitäten.

In dem Intervall (t₁-t^) wird einerseits ·

dem ersten Verzögerungskreis I neue Information zugeführt, während andererseits die in dem Verzögerungskreis II vorhandene Information zu dem Ausgang 0 des Schieberegisters fortgeschoben wird. In demselben Zeitintervall wird die in den Hilf sverzögerungskreisen a_, b und c_ vorhandene Information einmal fortgeschoben. Aus den Figuren 2a und 2b ist ersichtlich, dass die Wiederholungsfrequenz der Taktimpulse für den ersten und den zweiten Verzögerungskreis gleich T Sekunden ist. Aus Figuren 2c und 2d ist ersichtlich, dass die Wiederholungsfrequenz der Taktimpulse für die Hilfsverzögerungskreise gleich 3T Sekunden ist. Dies bedeutet also, dass die Schiebegeschwindigkeit der Hilfsverzögerungskreise niedriger als die Schiebegeschwindigkeit des ersten und des zweiten Verzögerungskreises ist. In dem Schieberegister nach Fig. 1 ist die Schiebegeschwindigke.it der Hilf sverzögerungskreise um einen Faktor 3, gleich der Anzahl Hilfsverzögerungskreise, niedriger

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als die Schiebegeschwindigkeit des ersten und des zweiten Verzögerungskreises. Im Zeitintervall (t.-t.) ist die Spannung V_R an dem Taktimpulsleiter B gleich -E Volt (siehe Fig. 2b). Dadurch wird der Transistor T leitend werden, wodurch die in der Kapazität C_n vorhandene Ladung um einen Betrag C. Δ V₁ abnehmen wird, wobei A V₁. der Amplitude des Eingangssignals V, proportional ist. Die Transistoren T. (i = 1,.....5) sind in demselben Intervall nichtleitend. Ferner sind in diesem Intervall die Transistoren T₁₁, T₁O und T₁- leitend, wodurch die in den Kapazitäten C„r, C₁P und C₁I vorhandenen Ladungsmängel ergänzt werden, bis die Ladung in diesen Kapazitäten gleich der Bezugsladung C(E-V.) Coulombs geworden ist. Dadurch sind die in den Kapazitäten C_n- , C₁₂ und C. κ vorhandenen Ladungsmängel auf die Kapazitäten C₁₁, C₁^ bzw. C₁ _ übertragen.

In dem Zeitintervall (t„-t„) ist die

Spannung an den Taktimpulsleitern A und Y gleich -E volt (siehe Figuren 2a und 2c). In dem ersten Verzögerungskreis I wird infolgedessen der Transistor T₁ leitend sein, wodurch der in der Kapazität C_n vorhandene Ladungsmangel C. Δ V₁ auf die Kapazität C₁ übertragen wird. In dem zweiten Verzögerungskreis II sind die Transistoren T₁₂ und T₁^ leitend, wodurch der in der Kapazität C₁₁ vorhandene Ladungsmangel auf die Kapazität C₁„ und der in der Kapazität C₁^ vorhandene Ladungsmangel auf die Kapazität C₁^ übertragen wird.

In dem Zeitintervall (^„-ίκ) ist die

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Spannung an den Taktimpulsleitern D und B gleich -E Volt (siehe Fig. 2b und 2f ) . Dadurch werüen in dem ersten Verzögerungskreis I die Transistoren T_ und T„ leitend sein« Die in der Kapazität C vorhandene Bezugsladung wird infolgedessen um einen Betrag C. jß. V₂ abnehmen, wobei Δ Υ' der Amplitude des Eingangssignals V- in dem betrachteten Zeitintervall proportional ist. Infolge des leitenden Zustande s des Transistors T„ wird der in der Kapazität C. vorhandene Ladungsmangel C. 4 V- auf die Kapazität C„ übertragen werden. In dem zweiten Verzögerungskreis II sind die Transistoren T₁„ und T₁„ leitend, wodurch die in den respektiven Kapazitäten C₁,, und C₁. vorhandenen Ladungsmängel auf die Kapazität C. _ übertragen werden» In demselben Intervall sind die Transistoren T₅ T , Tpi^{5 T}?V T^₁ und Tr„ der Hilfsverzögerungskreise leitend. Die mit den Quellen der genannten Transistoren verbundenen Kapazitäten werden auf die Bezugsladung aufgeladen, während die mit den Senken der genannten Transistoren verbundenen Kapazitäten den Ladungsmangel von der jeweils vorangehenden Kapazität übernehmen«, In den Kapazitäten C₉ C_ und Cr ist also wieder die Bezugsladung vorhanden, wodurch dieses Kapazitäten wieder für den Empfang neuer Information von dem ersten Verzögerungskreis I geeignet sind. Ausserdem ist nun in jeder der Kapazitäten C , C und Cr wieder Information in Form eines Ladungsmangels vorhanden.

In dem Zeitintervall (tr-t,-) ist die Spannung an den Taktimpulsleitern A und Y gleich -E Volt

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(siehe Figuren 2a und 2c). Dadurch werden in dem ersten Verzögerungskreis I die Transistoren T₁ und T„ leitend sein. Der in der Kapazität C„ vorhandene Ladungsmangel C. /\ V₁ wird auf die Kapazität C, und der in der Kapazität C vorhandene Ladungsmangel wird auf die Kapazität C₁ übertragen werden. In dem zweiten Verzögerungskreis II wird der Transistor T₁. leitend sein, wodurch der in der Kapazität C_ir. vorhandene Ladungsmangel auf die Kapazität C₁^ übertragen wird.

In dem Zeitintervall (t^-tg) ist die

Spannung an dem Taktimpulsleiter B gleich -E Volt (siehe Fig. 2b). Dadurch sind in dem ersten Verzögerungskreis I die Transistoren T , T„ und T^ leitend. Infolgedessen wird die in der Kapazität vorhandene Bezugsladung um einen Betrag C. A V„ abnehmen, wobei Δ V„ der Amplitude des Eingangssignals V. in dem betrachteten Zeitintervall proportional ist. Ausserdem wird in dem betrachteten Zeitintervall der in der Kapazität C, vorhandene Ladungsmangel C« Δ V., auf die Kapazität C₀ und wird der in der Kapazität C- vorhandene Ladungsmangel C. /S. V₁ auf die Kapazität Cl übertragen. In dem Verzögerungskreis II ist nur der Transistor T₁- leitend, wodurch der in der Kapazität C₁^, vorhandene Ladungsmangel auf die Kapazität C₁- übertragen wird. Am Ende des betrachteten Intervalls enthalten die Kapazitäten C . » ^ ι ι » ^io» C.„ und C₁^ alle die Bezugsladung, so dass der zweite Verzögerungskreis wieder für den Empfang von Information aus den Hilfsverzögerungskreisen geeignet ist.

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In dem Zeitintervall (tg—t_) ist die

Spannung an dem Taktimpulsleiter X gleich -E Volt (siehe Fig. 2d). Dadurch werden der erste und der letzte Transistor jedes der Hilfsverzögerungskreise leitend sein, wodurch einerseits die in dem ersten Verzögerungskreis I vorhandene Information (C.h V₁₉ C. 4 V„, C. A V„) an die erwähnten Hilfsverzögerungskreise weitergeleitet wird und wodurch die in dem letzten Speicherelement jedes der Hilfsverzögerungskreise vorhandene Information an den zweiten Verzögerungskreis II weitergeleitet wird»

Aus der obenstehenden Beschreibung der

Wirkungsweise des Schieberegisters nach Fig. 1 geht deutlich hervor, dass, nachdem die Information in dem ersten Verzögerungskreis I eingelesen und die im zweiten Verzögerungskreis II befindliche Information ausgelesen worden ist, alle in dem ersten Verzögerungskreis befindliche Information gleichzeitig mit Hilfe eines einzigen Impulses V auf die Hilfsverzögerungskreise übertragen wird, während die sich in den letzten Speicherelementen befindende Information gleichzeitig mit Hilfe desselben Impulses auf den zweiten Uebertragungskreis übertragen wird. Dies bedeutet, dass der Bezugspegel für alle Information gleich ist und durch die Amplitude dieses einzigen Impulses V^. bestimmt wird. Wenn diese Amplitude von der der Impulse V„, V^ und V. verschieden ist, wird keine zusätzliche Verzerrung auftreten.

In dem in Fig. 1 gezeigten Beispiel eines

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Schieberegisters nach der Erfindung werden drei Hilfsverzögerungskreise und sechs Taktimpulsleiter verwendet. Es dürfte einleuchten, dass, wenn die Länge des ersten und des zweiten Verzögerungskreises vergrössert wird, eine grössere Anzahl Hilfsverzögerungskreise bei derselben Anzahl Taktimpulsleiter verwendet werden kann. Die Anzahl Taktimpulsleiter ist also von der Anzahl verwendeter Hilfsverzögerungskreise unabhängig·.

In dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel eines Schieberegisters nach der Erfindung werden Speicherelemente verwendet, die je einen Feldeffekttransistor und eine zwischen der Senke und der Torelektrode dieses Transistors angebrachte Kapazität enthalten. Es können jedoch auch Speicherelemente der in Fig. 3 dargestellten Art verwendet werden. Diese enthalten zwei Transistoren M₁ und Mp und eine zwischen der Senke und der Torelektrode des Transistors M₁ angebrachte Speicherkapazität. Die Torelektrode G des Transistors M₁ bildet zugleich die Steuerelektrode des Speicherelements. Wenn ein Verzögerungskreis mit diesen Speicherelementen aufgebaut wird, wird der Ausgang C eines Elements mit dem Eingang E eines darauffolgenden Elements verbunden, usw. Die Torelektroden F der Speicherelemente können z.B. mit einem Punkt konstanten Potentials verbunden werden. Ferner kann die Torelektrode F jedes Speicherelements auch mit der Steuerelektrode G des betreffenden Speicherelements verbunden werden, wobei für die Kanäle der Transistoren M₁ und M_ verschiedene Oxyde gewählt werden.

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Ausserdem ist es möglich, die Torelektrode

F über eine Gleichspannungsquelle mit der Steuerelektrode zu verbinden. Weiter ist das Schieberegister sehr gut geeignet um wenigstens teilweise in einem Halbleiterkörper integriert zu werden.

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Claims

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PATENTANSPRUECHE:

(j J Schieberegister, das einen ersten und

einen zweiten Verzögerungskreis enthält, die je eine Reihe von Speicherelementen mit je mindestens einer Kapazität und einer Steuerelektrode enthalten, wobei Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe Taktimpulse den Steuerelektrcden des ersten und des zweiten Verzögerungskreises zugeführt werden, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens eine Anzahl Speicherelemente aus dem ersten Verzögerungskreis über einen Hilfsverzögerungskreis mit einem Speicherelement aus dem zweiten Verzögerungskreis verbunden ist, wobei die Hilfsverzogerungskrexse je eine Reihe von Speicherelementen mit je mindestens einer Kapazität und einer Steuerelektrode enthalten, wobei Mittel vorgesehen sind, mit deren Hilfe den Steuerelektroden dieser Soeicherelemente derartige Taktimpulse zugeführt werden, dass die Schiebe— geschwindigkeit der Hilfsverzogerungskreises niedriger als die Schiabegeschwindigkeit des ersten und des zweiten Verzögerungskreises ist.

2. Schieberegister nach Anspruch 1, dadurch

gekennzeichnet, dass die Schiebegeschwindigkeiten des ersten und des zweiten Verzögerungskreises einander gleich sind, wobei die Schiebegeschwindigkeit der Hilfsverzogerungskrexse um einen Faktor, gleich der Anzahl Hilfsverzogerungskrexse, niedriger als die Schiebegeschwindigkeit des ersten und des zweiten Verzögerungskreises ist.

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3. Schieberegister nach Anspruch 1 oder 2₉

dadurch gekennzeichnet, dass jedes der Speicherelemente aus den Hilfsverzögerungskreisen mindestens einen Transistor enthält, der eine Eingangselektrode, eine Steuerelektrode und eine Ausgangselektrode aufweist, wobei die Steuerelektroden der Transistoren jedes ersten und jedes letzten Speicherelemente der Hilfsverzogerungskreise zusammen mit einem ersten Taktimpulsleiter verbunden sind, und wobei die Kapazitäten der ersten und der letzten Speicherelemente der Hilfsverzogerungskreise zwischen der Ausgangselektrode des zugehörigen Transistors und einem zweiten Taktimpuls™ leiter angebracht sind, während die Kapazitäten der übrigen Speicherelemente der Hilfsverzogerungskreise zwischen der Ausgangselektrode und der Steuerelektrode des zugehörigen Transistors angebracht sind, wobei die Steuerleketorden der Transistoren der übrigen Speicherelemente jedes der Hilfsverzögerungskreise in zwei Gruppen unterteilt sind, von denen eine mit dem zweiten Taktimpulsleiter und die zweite mit einem dritten Taktimpulsleiter verbunden ist. h. Schieberegister nach Anspruch 3, dadurch

gekennzeichnet, dass die Transistoren Bipolartransistoren sind, wobei die Eingangselektrode den Emitter, die Steuerelektrode die Basis und die Ausgangselektrode den Kollektor bildet.

5· Schieberegister nach Anspruch 3> dadurch

gekennzeichnet, dass die Transistoren Feldeffekttransistoren mit isolierter Torelektrode sind, wobei die Eingangselektrode durch die Quelle, die Ausgangselektrode durch die Senke und die Steuerelektrode durch die Torelektrode des genannten

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Transistors gebildet wird.

6. Schieberegister nach Anspruch 5» dadurch

gekennzeichnet, dass jedes Speicherelement einen ersten und einen zweiten Feldeffekttransistor und eine Kapazität enthält, wobei die Kapazität zwischen der Senke und der Torelektrode des ersten Transistors angebracht ist, und wobei die Torelektrode des ersten Transistors die Steuerelektrode des Speicherelements ist, während die Senke des ersten Transistors über die Hauptstrombahn des zweiten Transistors mit dem Eingang des Speicherelements verbunden ist. 7· Schieberegister nach Anspruch 6, dadurch

gekennzeichnet, dass die Torelektroden der zweiten Transistoren der Speicherelemente mit Punkten konstanten Potentials ve rbunden s ind.

8. Schieberegister nach Anspruch 6, dadurch

gekennzeichnet, dass die Torelektroden der zweiten Transistoren der Speicherelemente mit den Steuerelektroden der betreffenden Speicherelemente verbunden sind.

9« Schieberegister nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es wenigstens teilweise in einem Halbleiterkörper integriert ist.

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