DE2233541C3 - Halbleiterdiode, die in Sperrichtung einen Bereich mit negativem differentiellen Widerstand aufweist und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiterdiode, die in Sperrichtung einen Bereich mit negativem differentiellen Widerstand aufweist und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE3206421A1 (de) * 1982-02-23 1983-09-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von schichten aus hochschmelzenden metallen bzw. metallverbindungen durch abscheidung aus der dampfphase

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