DE2223770A1 - Packung fuer einen Mikroschaltkreis - Google Patents

Packung fuer einen Mikroschaltkreis

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DE2223770A1
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microcircuit
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ductile
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Drennan George A
Smith James M
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HP Inc
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Hewlett Packard Co
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Description

Hewlett-Packard Comp.
1501 Page Mill Road
Palo Alto
California 94304
USA
Case 647
12. Mai 1972
PACKUNG FÜR EINEN MIKROSCHALTKREIS
Die Erfindung betrifft eine modulare Packung zur Anordnung eines Mikroschaltkreises in einer hermetisch abgedichteten Umgebung.
Da in der modernen Elektronik Hybrid-Mikroschaltkreise immer mehr an Bedeutung gewinnen, spielt die Verpackung derartiger Schaltkreise eine zunehmende Rolle. Eine derartige Verpackung weist in der Regel ein starkes Basisglied zur Aufnahme des oder der Substrate auf, auf denen die Hybrid-Mikroschaltung ausgebildet ist, und zur Verteilung der Wärme, di'e im Betrieb der Schaltung erzeugt werden kann. Weiterhin sind Einrichtungen zur Befestigung des Substrates auf dem Basisglied und elektrische Durchführungen zur Zufuhr und Entnahme von Spannungen der Packung sowie ein Deckel oder eine Hülle vorgesehen, die den Mxkroschaltkreis hermetisch gegenüber der Umgebung abdichtet und ihn gegen mechanische Beschädigungen schützt.
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Die Herstellungskosten von Hybrid-Mikroschaltungen werden immer geringer, da der Entwurf und die Herstellung derartiger Schaltungen verbessert werden, und es ist erforderlich, daß die Kosten der Verpackung ebenfalls in einem angemessenen Verhältnis fallen, um die Kostenersparnis der Schaltkreise voll auszunutzen, ohne die erstrebten Eigenschaften derartiger Packungen aufzugeben. Angesichts der verschiedenen Typen von Mikroschaltkreisen mit verschiedenen Größen und Formen geht die Entwicklung dahin, individuell auf die einzelne Mikroschaltung zugeschnittene Packungen zu verwenden, so daß die Verpackungselemente relativ teuer werden, da die Packungen wegen der vielen Typen nur in kleineren Stückzahlen hergestellt werden.
Der Erfindung liegt insbesondere die Aufgabe zugrunde, eine Verpackung für Hybrid-Mikroschaltkreise zu schaffen, welche für eine relativ große Anzahl verschiedener Formen von Hybrid-Mikroschaltkreisen bei einer kleinen Zahl genormter Bauteile verwendbar ist, wobei diese einfach aufgebaut sind und billig hergestellt werden können. Auch soll beim endgültigen Zusammenbau der Packung keine komplizierte Technik erforderlich sein, und es soll ein einfaches Öffnen der hermetisch abgedichteten Packung möglich sein, um Zugang zu dem Mikroschaltkreis zum Zwecke der Nachbehandlung zu erhalten.
Dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß bei einer modularen
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Packung zur Anordnung eines Mikroschaltkreises in einer hermetisch abgedichteten Umgebung gelöst durch eine Hülle mit einem Basisplattenabschnitt aus duktilem Material, eine Einrichtung zur Anordnung des Mikroschaltkreises auf der Basisplatte in der Hülle/ wenigstens eine elektrische, in der Hülle hermetisch abgedichtete Durchführung zur elektrischen Verbindung mit der Mikroschaltung und einen hermetisch abdichtenden Deckel. Die Basisplatte ist für verschiedene Größen und Anzahlen von Hybrid-Mikroschaltkreissubstraten vorgesehen und in einigen Fällen können die Substrate durch Löten auf der Basisplatte befestigt werden. In anderen Fällen werden genormte Zapfen zur Befestigung in der Baissplatte in verschiedenen Mustern vorgesehen, um verschiedene Formen von Substraten aufzunehmen. Einfache Niederhalter wie Federclips können in Verbindung mit den Zapfen verwendet werden, um die Substrate lösbar "an der Basisplatte zu befestigen. Die Federclips erfüllen eine doppelte Funktion, indem sie das Substrat auf die Basisplatte in thermisch gut leitender Anlage drücken und manchmal auch als Erdungsstreifen zwischen einer Schaltkreisklemme auf dem Substrat und der Basisplatte dienen.
Die Zapfen können auch dazu dienen, Isolationswände auf der Basisplatte zu positionieren und zu befestigen, wenn derartige Wände zur Hochfrequenzisolierung von
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Schaltkreisen in der Packung erforderlich sind.
Bei einer bevorzugten Ausfuhrungsform der Erfindung sind die Zapfen durch ein neues Diffusionsschweißverfahren an der duktilen Basisplatte befestigt. Die Durchführungen für Hochfrequenz und Gleichspannung sind derart ausgelegt, daß sie fest und hermetisch gegenüber der Basisplatte durch Diffusionsschweißung abgedichtet sind. Eine Diffusionsschweißung wird auch dazu verwendet, um den Deckel der Packung hermetisch gegenüber der Umgebung mit der Basisplatte derart abzudichten, daß der Deckel von der Basisplatte abgezogen werden kann, um Zugang zu den Mikroschaltkreisen zu erhalten, und danach einen anderen Deckel durch Diffusionsschweißung an der Basisplatte zwecks Ausbildung einer anderen dichten Hülle zu befestigen.
Bei einer Ausführungsform einer Packung für einen Mikroschaltkreis werden die' elättrischen Verbindungen durch die Basisplatte geführt, während die Verbindungen bei einer anderen Form durch eine Seitenplatte geführt werden.
Im folgenden werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnungen erläutert; es stellen dar:
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Fig. 1 eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer standardisierten Packung nach der Erfindung;
Fig. 2 eine perspektivische, teilweise ausgeblendete Ansicht der vervollständigten Packung nach Fig. 1;
Fig. 3 eine Querschnittsansicht einer Gleichspannungsdurchführung in einer Packung für einen Mikroschaltkreis;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht einer Hochfrequenzdurchführung, wie sie erfindungsgemäß verwendet werden kann;
Fig. 5 eine Querschnittsansicht eines Zapfens, der gerade durch Diffusionsschweißung in die Basisplatte der Packung eingefügt wird;
Fig. 6 eine vergrößerte perspektivische Ansicht einer der Erdungsfedern;
Fig. 7 eine perspektivische Ansicht einer Ausfuhrungsform einer Isolierwand, die in der Packung verwendet wird;
Fig. 8 eine Querschnittsansicht eines Abschnittes des Deckels und der Basisplatte während des Diffusionsschweißvorganges;
Fig. 9 eine perspektivische, teilweise ausgeblendete Ansicht einer anderen Packung für einen Mikroschaltkreis, wo die Verbindungen durch die Seitenplatte der Packung geführt sind;
Fig. 10, 11-und 12 perspektivische Ansichten anderer Formen der Verpackungshülle nach der Erfindung;
Fig. 13 und 14 Aufsichten bzw. Seitenansichten einer anderen
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Form einer Verpackung für Mikroschaltkreise.
Gemäß Fig. 1 und 2 weist die Packung nach der Erfindung eine rechteckförmige Basisplatte 11 auf, die auch quadratisch oder kreisförmig ausgebildet sein kann. Eine geeignete Platte besteht aus einer 3,17 mm dicken Aluminiumlegierung mit eingestanzten oder gebohrten Löchern 12, die in einem bestimmten Muster angeordnet sind, das den aufzunehmenden Mikroschaltkreisen entspricht. In diesem Beispiel sollen zwei rechteckförmige Substrate 13 und 14 für Mikroschaltkreise in der Packung befestigt werden.
Um eine gute Schweißung bei der nachfolgend beschriebenen Diffusionstechnik sicherzustellen, ist es erforderlich, daß die Platte 11 sauber und duktil ist, und es wird daher angestrebt, daß sie mit einem geeigneten Überzug oder einer Beschichtung versehen ist. Zu diesem Zweck wird die Aluminiumplatte zunächst verzinkt und dann im Tauchverfahren mit Nickel plattiert und schließlich elektrolytisch mit Gold plattiert. Dies ergibt eine Außenfläche, die leicht gereinigt und entfettet werden kann und auch eine minimale Aluminiumoxydschicht auf der Aluminiumplatte ergibt, um die Eigenschaften der Diffusionsschweißung zu optimieren. Es wird nur das normale Verfahren der Entfettung benötigt, um die Plattenfläche vor der Diffusionsschweißung zu reinigen.
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Die Zapfen 15 bestehen aus Berylliumkupfer, Phosphorbronze oder einer Stange aus nichtrostendem Stahl, die
beispielsweise einen Durchmesser von 1,27 mm und eine
Länge von 6,35 mm haben kann. Die Zapfen werden mit einer Kupferschicht mit 0,025 mm tiberzogen und mit Lagerflanschen 16 versehen.
Die Gleichspannungsdurchführungen 17 (Fig. 3) weisen ein
zylindrisches, mit Flanschen versehenes Durchgangsloch 18 in einem Mantel aus kaltgerolltem Stahl mit einer inneren Glasdichtung 19 und einem Stift 20 auf, der axial angeordnet ist und sich zur elektrischen Verbindung über das
Durchgangsloch hinaus erstreckt. Dieses ist mit einer Beschichtung aus Kupfer auf den Außenflächen versehen.
Die Durchführungen 21 für Hochfrequenz (Fig. 4) enthalten ein mit Kupfer beschichtetes Zylindergehäuse 22 mit U-förmigem Querschnitt auf, und der größere Durchmesserabschnitt des Gehäuses hat eine Fläche 23 mit Innengewinde zur Aufnahme des Gewindeendes eines Kopplungsstückes. Eine Glasdichtung 24 ist in dem Ende kleineren Durchmessers des
Gehäuses 22 angeordnet und hat einen mit Gold plattierten Stift 25, der axial darin abgedichtet ist. Eine Luftleitung 26 mit 50-Π- wird zwischen dem inneren Abschnitt des Stiftes 25 und der kleinen Öffnung in der Endwand 27 des Gehäuses 22 ausgebildet, um eine gute elektrische Anpassung an die
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Packung zu erhalten.
Die Zapfen 15 und die Durchführungen 17 und 21 sind hermetisch abgedichtet in den Löchern 12 der Basisplatte durch Diffusionsschweißung entsprechend der in Fig. 5 dargestellten Art angeordnet. Wenn der Zapfen 15 gerade in das Loch eintritt, übt der Niederhalter 28 eine Kraft auf die das Loch umgebende Oberfläche der Platte aus, und die Oberfläche des Loches beginnt auf den Zapfen zu drücken. Wenn die Kraft auf der Plattenfläche zunimmt, nimmt die Platte den Zapfen zu der selben Zeit auf wie der Zapfen in das Loch gedrückt wird, und es ergibt sich eine Reibewirkung zwischen dem Zink, dem Nickel und der mit Gold plattierten Aluminiumplatte und dem mit Kupfer plattierten Berylliumkupferzapfen. Die Metalle aus Aluminium und Kupfer werden freigelegt und die kombinierte radial gerichtete Kraft und die axial gerichtete Reibung führen zu einer Diffusionsschweißung zwischen dem Zapfen und der Platte, die den Normen für hermetische Abdichtung entspricht
Die kombinierten Reibe- und Radialkräfte werden auch dazu verwendet, um eine Diffusionsschweißung der Durchführungen für Hochfrequenz und Gleichspannung in der Platte zu erreichen. Dabei wird die Diffusionsschweißung zwischen dem Aluminium der Platte und der Kupferschicht des Durchgangsloches hergestellt, da der Reibevorgang reines Kupfer freilegt. Allge-
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mein gesprochen können einander nicht ähnliche duktile Materialien, beispielsweise Aluminium und weicher Stahl oder Aluminium und Kupfer verbunden werden. Ähnliche Materialien, wie Aluminium und Aluminium oder Kupfer und Kupfer können nicht verbunden werden.
Das Ende der Schweißverbindung 28, die die Oberfläche der · Platte 11 berührt, ist derart ausgebildet, daß zusätzlich zu der nach innen und radial gerichteten durch den Pfeil a dargestellten Kraftrichtung auch eine durch den Pfeil b dargestellte nach außen und radial nach unten gerichtete Kraft erzeugt wird. Diese Kraft b dient dazu, die durch den Pfeil 1 dargestellte Kraft auszugleichen, welche die Platte 11 zu biegen versucht. Für eine optimale Wärmeübertragung muß die Platte flach sein, um die Oberflächenberührung mit den Trägern maximal zu machen.
Wenn die Zapfen und Durchführungen durch Diffusionsschweißung in der Platte 11 befestigt sind, werden die Mikroschaltkreiseinheiten dann auf die Platte gesetzt und entsprechend gegenüber dem Zapfen 15 und Durchführungen 17 und 21 ausgerichtet. Bei einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Mikroschaltkreiseinheiten eine Trägerbasis 29 auf, auf welcher die Substrate 13 und 14 der Mikroschaltkreise befestigt, beispielsweise angelötet oder durch Federclips 30 mit Federfingern 31 gehalten werden. Die Träger 29 sind
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flache Stücke aus Kupfer, die durch Ätzen oder Stanzen hergestellt sind. Diese Träger dienen als Wärmeableiter für das Substrat, und die gelötete Verbindung zwischen dem Substrat und dem Träger ergibt eine gute Wärmeübertragung .
Die Träger 29 werden durch Muttern auf der Basisplatte gehalten, die auf den Zapfen aufgeschraubt sind, welche durch die Löcher 32 in den Träger ragen. Es können hierzu auch Spezialmuttern 33 oder selbsthemmende Federklemmen vorgesehen sein. Die Federklemmen 30, 31 können auch dazu dienen, die Klemmen der Mikroschaltung auf dem Substrat aufzunehmen und sie an der Basisplatte 11 zu erden. In einigen Fällen kann es wünschenswert sein, das Substrat 13, 14 direkt auf der Basisplatte 11 zu befestigen und den Träger 29 wegzulassen.
Die Federklemmen 30, 31 können auf den Zapfen selbsthemmend ausgebildet sein (Fig. 6). Beide Formen von Befestigungsgliedern 33, 34 sind lösbar, so daß die Träger 29 und Substrate 13, 14 von der Basisplatte 11 zur Nacharbeitung oder zum Ersatz entfernt werden können.
Manchmal wird angestrebt, daß eine Mikroschaltung auf der Basisplatte auf einem höheren Niveau als ein anderer Mikro- schaltkreis angeordnet wird. In diesem Fall kann der erst-
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genannte Mikroschaltkreis auf einem Träger 29 angeordnet werden und dieser Träger kann wiederum auf einem zweiten Träger befestigt werden, wobei die drei Elemente an der Basisplatte durch Muttern oder Federklemmen festgehalten werden. Das Mikroschaltkreissubstrat kann an dem ersten · Träger angelötet sein oder durch eine Federklemme befestigt sein. Bei manchen Packungen wird angestrebt, daß eine Mikroschaltung bezüglich der Hochfrequenz von einer anderen Schaltung isoliert ist und aus diesem Grund kann eine Isolationswand 35 auf der Basisplatte 11 durch die Zapfen und Befestigungsglieder zusammen mit einem Deckel 36 befestigt sein. Eine bevorzugte Ausfuhrungsform einer Isola- ' tionswand besteht aus extrudiertem Aluminium, wobei die Wand in der geeigneten Höhe ausgeschnitten ist. Wenn elektrische Verbindungen zwischen den Mikroschaltkreisen auf verschiedenen Seiten der Isolationswand hergestellt werden sollen, gibt eine gute Hochfrequenzdurchführung 37 mit einer zentralen Leiterstange und einem dielektrischem Ring, der die Stange trägt und in der Isolierwand angeordnet ist, eine gute Hochfrequenzisolation und übertragung zwischen benachbarten Bereichen.
Gemäß Fig. 7 kann die Isolationswand mit einer Ausnehmung 85 versehen sein, wobei die Durchführung derart in die Ausnehmung paßt, daß die Wand 35 entfernt werden kann, ohne das Verbindungsstück für die Durchführung zu entfernen.
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Das Dielektrikum kann aus einem Block 38 mit einer Nut bestehen und das Verbindungsglied kann aus einem Band bestehen, das an beiden Enden mit den Substraten verbunden werden kann, bevor der Block 38 über das Band gestreift und die Wand 35 auf die Zapfen 15 abgesenkt wird.
Nachdem die internen elektrischen Verbindungen zwischen den Mikroschaltungen hergestellt und die Durchführungen 17, 21 für Hochfrequenz und Gleichspannung, beispielsweise durch Leiter aus Goldband angebracht worden sind, kann die Anordnung den Deckel gemäß Fig. 2 aufnehmen. Bei einer bevorzugten Ausführungsform besteht der Deckel 31 aus dünnem Blech, beispielsweise aus Aluminium einer Stärke von 0,508 mm, das in der gewünschten Deckelform mit dem Flansch 42 ausgebildet ist und in der gleichen Weise wie die Basisplatte plattiert ist. Der Deckel 41 ist an der Basisplatte 11 um den Umfangsflansch 42 kalt verschweißt durch Ausübung von Druck auf den Flansch und die Platte mittels eines Stempels 43 (Fig. 8). Das Flanschmetall wird gestreckt, wenn es in die Platte eingedrückt wird und das Aluminium des Flansches und der Basisplatte diffundieren in eine Diffusionsschweißstelle ein, die stark ist und der Abdichtungsnorm 883 für hermetische Abdichtung entspricht.
Gegenüber den in herkömmlicher Weise verschweißten Anordnungen ist keine spezielle Bearbeitung oder Formung der Schweiß-
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flächen erforderlich. Die flache saubere Fläche des Flansches sowie die flache saubere Fläche der Basisplatte sind in ausreichender Weise und mit geeigneter Kraft zusammengefügt. Bei der Diffusionsschweißtechnik hat sich herausgestellt, daß der Deckel, obwohl er hermetisch abgedichtet mit der Platte verbunden ist, von der Platte abgezogen werden kann, um Zugang zu den Mikroschaltkreisen zu erlangen. Durch die gleiche Diffusionsschweißtechnik kann ein neuer Deckel auf die Basisplatte aufgebracht werden5. Die Diffusionsschweißung kann in derselben Dichtungsposition vorgenommen werden, oder es kann ein geringfügig vergrößerter oder verkleinerter Deckel, auf eine geringfügig vergrößerten oder verkleinerten Dichtfläche dichtend aufgebracht werden.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 10 hat die Basisplatte die Form eines Kastens mit vier Seiten und einem Boden 51 und die Löcher 52 für die Zapfen sind in der Bodenwand 51 angeordnet, auf welcher die Mikroschaltung befestigt ist. Die Durchführungen sind durch Diffusionsschweißung in den Löchern 53 der Seitenwände angeordnet. Nach dem Zusammenbau kann auf die offene Oberseite des Kastens ein Deckel durch Diffusionsschweißung aufgesetzt werden.
Bei der Ausfuhrungsform gemäß-Fig. 11 kann die Basisplatte 54 in einer Büchse 55 aus Aluminium oder Kupfer angeordnet
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und an deren Boden befestigt werden. Die Durchführungen werden durch Diffusionsschweißung mit den Löchern 56 in den Seiten der Büchse verbunden, und es wird ein Deckel auf die Oberseite der Büchse aufgebracht und durch Diffusionsschweißung mit dem Flansch 57 verbunden.
Gemäß Fig. 12 kann die Basisplatte 58 auf ein offenes Ende eines Rahmens 59 aus Aluminium oder Kupfer durch Diffusionsschweißung aufgesetzt werden, um die Bodenwand der Packung auszubilden. Die Durchführungen werden durch Diffusionsschweißung mit den öffnungen 61 in der Seitenwand verbunden. Mit dem.gleichen Verfahren wird ein Deckel auf die Oberseite des Rahmens aufgebracht.
Eine andere Ausfuhrungsform dieser Erfindung ist in Fig. und 14 dargestellt. Es ist ein rechteckförmiger Block 62 aus Aluminium vorgesehen, der eine axiale Bohrung 63 hat, die sich durch den Block in vertikaler Richtung erstreckt, und zwei Bohrungen 64 und 65 erstrecken sich durch gegenüberliegende Seiten 66 und 67 des Blockes 62 und rechtwinklig zur vertikalen Achse, und eine andere Bohrung 63 erstreckt sich durch eine dritte Seite 68 und rechtwinklig zur vertikalen Achse.
Eine kreisförmige, feste Basisplatte 69 mit einem Außen flansch 70 ist durch Diffusionsschweißung mit der axialen
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Bohrung in der Bodenwand 71 des Blocke's verbunden, und die Mikroschaltung 72 ist mit dem inneren Ende 73 der Platte 69 verlötet.
Ein Paar Durchführungen 74 und 75 für Hochfrequenz sind mit den beiden Bohrungen 64 bzw. 65 in den Seitenwänden durch Diffusxonsschweißung verbunden, und die inneren Anschlußglieder bzw. Stecker 76, 77 verbinden die Anschlüsse der Mikroschaltung durch das Goldband 82. Eine Durchführung 78 für Gleichspannung ist wiederum durch Diffusionsschweißung in der Bohrung 83 der anderen Seitenwand 68 eingebracht.
Ein kreisförmiger Deckel 79 mit einem Flanschabschnitt ist durch Diffusxonsschweißung in der Bohrung in der oberen Wand 81 des Blockes befestigt.
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Claims (1)

  1. Hewlett-Packard Comp.
    Palo Alto
    12. Mai 1972 Patentansprüche
    Modulare Packung zur Anordnung eines Mikroschaltkreises in einer hermetisch abgedichteten Umgebung, gekennzeichnet durch eine Hülle mit einem Basisplattenabschnitt (11) aus duktilem Material, eine Einrichtung zur Anordnung des Mikroschaltkreises auf der Basisplatte in der Hülle, wenigstens eine elektrische in der Hülle hermetisch abgedichtete Durchführung (17) zur elektrischen Verbindung mit der Mikroschaltung und einen hermetisch abdichtenden Deckel (41).
    2. Packung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Durchführung (17) hermetisch in der Basisplatte (11) abgedichtet und der Deckel (41) ebenfalls hermetisch in der Basisplatte über dem Mikroschaltkreis und der Durchführung abgedichtet ist. .
    3. Packung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisplatte einen zu dieser rechtwinkligen Seitenwand-Abschnitt aufweist, die Durchführung in dem
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    Seitenwandabschnitt (53) angeordnet ist und der Deckel an dem Seitenwandabschnitt befestigt ist und sich über den Abschnitt der Basisplatte erstreckt, der die Mikroschaltung trägt.
    4. Packung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Hülle einen Block aus duktilem Material mit einem Hohlraum aufweist, die Platte hermetisch in dem Block abgedichtet ist, die Mikroschaltung auf diesem angeordnet ist und sich in den Hohlraum des Blockes erstreckt, die elektrische Durchführung hermetisch in einer Wand des Blockes abgedichtet ist und auch der Deckel hermetisch in dem Block abgedichtet ist.
    5. Packung zur Befestigung einer Mikroschaltung in einer hermetisch abgedichteten Hülle, dadurch g e k e η η ζ e i ch η e t , daß eine Basisplatte aus duktilem Material vorgesehen ist, mehrere Zapfen an der Basisplatte befestigt sind und über deren Oberfläche hinausragen, eine Einrichtung zur Befestigung der Mikroschaltung auf der Basisplatte vorgesehen ist, die Befestigungseinrichtung eine Einrichtung zum Niederhalten der Mikroschaltung auf der Basisplatte aufweist, wenigstens eine elektrische Durchführung hermetisch in der Basisplatte zur elektrischen Verbindung mit der Mikroschaltung abgedichtet ist, und ein Deckel hermetisch mit der Basisplatte abgedichtet ist und die Mikroschaltung und
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    die Durchführung umgibt und eine hermetisch abgedichtete Hülle ausbildet.
    6. Packung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisplatte flach ist und der Deckel an der Basisplatte um die Mikroschaltung und die Durchführung herum befestigt ist.
    7. Packung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisplatte einen zu dieser rechtwinkligen Seitenwandabschnitt aufweist, die Durchführung in dem Seitenwandabschnitt befestigt ist und der Deckel an dem Seitenwandabschnitt befestigt ist und sich über den Abschnitt der Basisplatte erstreckt, der die Mikroschaltung trägt.
    8. Packung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zapfen hermetisch in der Basisplatte durch Diffusionsschweißung zwischen dem Zapfen und der Basisplatte abgedichtet sind.
    9. Packung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeich net, daß die Befestigungseinrichtung Federglieder aufweist, die auf den Zapfen angeordnet sind und die Mikroschaltung auf die Basisplatte drücken.
    10. Packung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeich-
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    net, daß die Befestigungseinrichtung zum Niederhalten der Federglieder auf dem Träger eine auf die Zapfen aufgepaßte Federklemme aufweist.
    11. Packung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Mikroschaltung eine Trägerbasis aufweist, auf welcher die Mikroschaltung befestigt ist und die Trägerbasis auf der Basisplatte durch die Befestigungseinrichtung gehalten ist.
    12. Packung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisplatte flach ist und der Deckel an der Basisplatte um die Mikroschaltung, die Trägerbasis um die Durchführung herum angeordnet ist.
    13. Packung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Basisplatte einen zu dieser senkrechten Seitenwandabschnitt aufweist, die Durchführung auf dem Seitenwandabschnitt befestigt ist und der Deckel an dem Seitenwandabschnitt befestigt ist und sich über den Abschnitt der Basisplatte erstreckt, der die Mikroschaltung, den Träger und die Durchführung trägt.
    14. Packung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Zapfen hermetisch in der Basisplatte durch eine Diffusionsschweißung zwischen dem Zapfen und der
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    Basisplatte abgedichtet sind.
    15. Packung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet', daß die Befestigungseinrichtung auf den Zapfen zum Niederhalten der Mikroschaltung auf dem Träger Federglieder aufweist, die auf die Zapfen aufgesetzt sind.
    16. Verfahren zur hermetischen Abdichtung und Befestigung eines ersten zylindrischen metallischen Gliedes mit einer duktilen Außenfläche in einer zylindrischen öffnung in einem zweiten metallischen Glied, bei dem die öffnung eine duktile Oberfläche und einen geringfügig größeren Innendurchmesser als den Außendurchmesser des zylindrischen Gliedes hat, dadurch gekennzeichnet , daß das zylindrische Glied gleichzeitig in die Öffnung gedrückt und Kraft auf die Fläche des zweiten Gliedes um die öffnung ausgeübt wird, um die innere duktile Fläche der öffnung gegen die äußere duktile Fläche des zylindrischen Gliedes zu drücken, die beiden Flächen gegeneinander reiben und die Kraft der Öffnungsfläche im Reibeeingriff mit dem zylindrischen Glied eine Diffusionsschweißung zwischen den Flächen ergibt.
    17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Glieder mit duktilem Metall plattiert sind.
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    18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet , daß das duktile Metall Kupfer ist.
    19. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet , · daß das zweite metallische Glied Aluminium ist und die Öffnung eine duktile innere Oberfläche aus Kupfer hat. ■ -
    20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet , daß die duktile Metallfläche des zylindrischen Gliedes Kupfer ist.
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DE19722223770 1971-05-20 1972-05-16 Packung fuer einen Mikroschaltkreis Pending DE2223770A1 (de)

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