DE2215526C3 - Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende HalbleiterkörperInfo
- Publication number
- DE2215526C3 DE2215526C3 DE2215526A DE2215526A DE2215526C3 DE 2215526 C3 DE2215526 C3 DE 2215526C3 DE 2215526 A DE2215526 A DE 2215526A DE 2215526 A DE2215526 A DE 2215526A DE 2215526 C3 DE2215526 C3 DE 2215526C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chromium
- layer
- nickel
- connection contact
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PQLZZALLLYUAKL-UHFFFAOYSA-N [Au].[Cr].[Ni] Chemical compound [Au].[Cr].[Ni] PQLZZALLLYUAKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/4827—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10157—Shape being other than a cuboid at the active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Es sind bereits Kontakte bekannt, die Titan, Palladium, Silber und Gold enthalten. Dieses Kontaktsystem
hat den Nachteil, daß Silber beim Lötvorgang .gelöst wird und später zur Versprödung des Lots führt
Ein anderes bekanntes Kontaktsystem besteht aus der Schichtenfolge Nickel-Gold. Dieser Kontakt hat den
Nachteil, daß er bei relativ hohen Substrattemperaturen hergestellt werden muß, so daß u. U. die elektrischen
Kennwerte des Bauelementes verändert werden oder aus anderen, bereits am Halbleiterkörper angeordneten
Kontakten Störstellen in unerwünschter Weise in den Halbleiterkörper eindringen.
Ferner ist aus der US-PS 34 09 809 und aus der DE-OS 16 39 262 ein Kontakt aus Chrom + - Nickel - *°
Gold bekannt. Hierbei ist jedoch der Übergang vom Chrom zum Nickel abrupt, was die Haftung verschlechtert
Zwar ist aus der DE-AS 12 96 265 eine Schichtenfolge
aus Chrom—Chromnickel —Nickel bekannt, doch
ist diese auf einer Oxydschicht angeordnet.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines Metallkontaktes
anzugeben, bei dem niedere Substrattemperaturen möglich sind und optimale Haftungsverhältnisse
erzielt werden.
Diese Aufgabe wird gemäß den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruches gelöst.
Bei dem angegebenen Verfahren herrschen günstige
45
50 Aufdampftemperaturen. Bei 2500C ist die Halbleiterunterlage
frei von Wasserdampf aber wiederum nicht so heiß, daß die Haftung verschlechtert wird. Bei der
Verdampfung einer Chromnickel-Legierung verdampft zunächst aufgrund der Verdampfungstemperaturen
überwiegend Chrom, dem im Laufe des Prozesses zunehmend Nickel beigefügt wird, bis zuletzt fast nur
Nickel aufgedampft wird. Hierdurch erhält man einen die Haftung und Korrosionsbeständigkeit erhöhenden
gleichmäßigen Obergang zwischen der Chrom- und der Nickelschicht
In der Figur ist ein NF-Mesa-Leistungstransistor im Schnitt dargestellt Der Halbleiterkörper bildet im
wesentlichen die Kollektorzone 1, die beispielsweise n+-leitend ist Dann ist die Basiszone 2 p-Leitend, in die
von einer Oberflächenseite aus die η+-leitende Emitterzone 3 eingelassen ist Die der Basis- und der
Emitterzone gemeinsame Oberflächenseite ist mit einer Oxydschicht 4 bedeckt in die über der Basis- und der
Emitterzone öffnungen für die Anschlußkontakte eingebracht sind. Diese Anschlußkontakte S und 6
bestehen beispielsweise aus Aluminium. Die diesen Kontakten gegenüberliegende Oberflächenseite des
Halbleiterkörpers ist mit einem Chrom—Chromnikkei—Nickel—Goldkontakt
7 versehen, durch den die Kollektorzone des Transistors sperrschichtfrci angeschlossen
wird. Die Chromschicht 8, die unmittelbar auf den Halbleiterkörper aufgedampft wird, ist mehrere
Hundertstel μιη dick. Die Dicke betrug bei einem
Ausführungsbeispiel 0,05 μιη. Die Chromnickelschicht 9
ist ca. 0,2 μπι, die Nickelschicht 10 ca. 0,4 μπι und die
Goldschicht 11 wiederum mehrere Hundertstel μιη dick.
Dieser vorteilhafte Schichtaufbau gilt für alle Arten sowohl für die Dioden als auch für Transistoren und bei
diesen Bauelementen sowohl für n- als auch für p-leitende Halbleiterzonen.
Die Substrattemperatur des Halbleiterkörpers bei der Aufdampfung der ersten Chromschicht beträgt ca.
2500C Bei der Aufdampfung der nächsten Schicht aus Chrom-Nickel kann diese Temperatur bereits auf ca.
2000C reduziert werden. Auch bei der Aufdampfung der
übrigen Schichten kann die Substrattemperatur unter 200° C liegen.
Die Chromnickelschicht wird vorzugsweise so hergestellt werden, daß während der Aufdampfung der
Chromgehalt laufend abnimmt Es würdsn dann zunächst 100% Chrom aufgedampft und derChromanteil
bei gleichzeitiger Erhöhung des Nickelanteils so lange reduziert, bis 100% Nickel aufgedampft werden.
Die Chromnickelschicht kann aber auch durch Verdampfung einer Chromnickellegierung hergestellt
werden. Bei einer Ausführungsform wurde eine Legierung aus 20% Chrom und 80% Nickel verwendet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-Ieitende Halbleiterzonen eines einkristallinen Silizium-Halbleiterkörpers aus einer vom Halbleiterkörper ausgehenden Schichtenfolge aus Chrom—Nickel—Gold, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung des Anschlußkontaktes auf die gesamte, eine Diodenzone oder die Kollektorzone eines Transi- 1(> stors bildende Rückseite des Halbleiterkörpers bei ca. 2500C zunächst eine mehrere Hundertstel Mikrometer dicke Chromschicht aufgedampft wird, daß danach auf die Chromschicht durch Verdampfen einer Chrom-Nickel-Legierung eine ca. 0,2 μΐη dicke Chromnickelschicht, auf diese Schicht eine ca. 0,4 \μη dicke Nickelschicht und schließlich eine mehrere Hundertstel μπι dicke Goldschicht aufgedampft wird, wobei die Aufdampftemperatur nach der Chrombeschichtung weiter reduziert wird. M
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2215526A DE2215526C3 (de) | 1972-03-30 | 1972-03-30 | Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2215526A DE2215526C3 (de) | 1972-03-30 | 1972-03-30 | Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2215526A1 DE2215526A1 (de) | 1973-10-04 |
DE2215526B2 DE2215526B2 (de) | 1978-06-08 |
DE2215526C3 true DE2215526C3 (de) | 1979-02-08 |
Family
ID=5840613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2215526A Expired DE2215526C3 (de) | 1972-03-30 | 1972-03-30 | Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2215526C3 (de) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7803281B2 (en) | 2004-03-05 | 2010-09-28 | Microstaq, Inc. | Selective bonding for forming a microvalve |
US8011388B2 (en) | 2003-11-24 | 2011-09-06 | Microstaq, INC | Thermally actuated microvalve with multiple fluid ports |
US8113482B2 (en) | 2008-08-12 | 2012-02-14 | DunAn Microstaq | Microvalve device with improved fluid routing |
US8156962B2 (en) | 2006-12-15 | 2012-04-17 | Dunan Microstaq, Inc. | Microvalve device |
US8387659B2 (en) | 2007-03-31 | 2013-03-05 | Dunan Microstaq, Inc. | Pilot operated spool valve |
US8393344B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-03-12 | Dunan Microstaq, Inc. | Microvalve device with pilot operated spool valve and pilot microvalve |
US8540207B2 (en) | 2008-12-06 | 2013-09-24 | Dunan Microstaq, Inc. | Fluid flow control assembly |
US8593811B2 (en) | 2009-04-05 | 2013-11-26 | Dunan Microstaq, Inc. | Method and structure for optimizing heat exchanger performance |
US8662468B2 (en) | 2008-08-09 | 2014-03-04 | Dunan Microstaq, Inc. | Microvalve device |
US8925793B2 (en) | 2012-01-05 | 2015-01-06 | Dunan Microstaq, Inc. | Method for making a solder joint |
US8956884B2 (en) | 2010-01-28 | 2015-02-17 | Dunan Microstaq, Inc. | Process for reconditioning semiconductor surface to facilitate bonding |
US8996141B1 (en) | 2010-08-26 | 2015-03-31 | Dunan Microstaq, Inc. | Adaptive predictive functional controller |
US9006844B2 (en) | 2010-01-28 | 2015-04-14 | Dunan Microstaq, Inc. | Process and structure for high temperature selective fusion bonding |
US9140613B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-09-22 | Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. | Superheat sensor |
US9188375B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-11-17 | Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. | Control element and check valve assembly |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3011952C2 (de) * | 1980-03-27 | 1982-06-09 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial |
DE4107660C2 (de) * | 1991-03-09 | 1995-05-04 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Montage von Silizium-Plättchen auf metallischen Montageflächen |
US6523560B1 (en) | 1998-09-03 | 2003-02-25 | General Electric Corporation | Microvalve with pressure equalization |
US7011378B2 (en) | 1998-09-03 | 2006-03-14 | Ge Novasensor, Inc. | Proportional micromechanical valve |
AU5905499A (en) | 1998-09-03 | 2000-03-27 | Lucas Novasensor | Proportional micromechanical device |
US6505811B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-01-14 | Kelsey-Hayes Company | High-pressure fluid control valve assembly having a microvalve device attached to fluid distributing substrate |
DE10329364B4 (de) * | 2003-06-30 | 2007-10-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20120145252A1 (en) | 2009-08-17 | 2012-06-14 | Dunan Microstaq, Inc. | Micromachined Device and Control Method |
-
1972
- 1972-03-30 DE DE2215526A patent/DE2215526C3/de not_active Expired
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8011388B2 (en) | 2003-11-24 | 2011-09-06 | Microstaq, INC | Thermally actuated microvalve with multiple fluid ports |
US7803281B2 (en) | 2004-03-05 | 2010-09-28 | Microstaq, Inc. | Selective bonding for forming a microvalve |
US8156962B2 (en) | 2006-12-15 | 2012-04-17 | Dunan Microstaq, Inc. | Microvalve device |
US8393344B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-03-12 | Dunan Microstaq, Inc. | Microvalve device with pilot operated spool valve and pilot microvalve |
US8387659B2 (en) | 2007-03-31 | 2013-03-05 | Dunan Microstaq, Inc. | Pilot operated spool valve |
US8662468B2 (en) | 2008-08-09 | 2014-03-04 | Dunan Microstaq, Inc. | Microvalve device |
US8113482B2 (en) | 2008-08-12 | 2012-02-14 | DunAn Microstaq | Microvalve device with improved fluid routing |
US8540207B2 (en) | 2008-12-06 | 2013-09-24 | Dunan Microstaq, Inc. | Fluid flow control assembly |
US8593811B2 (en) | 2009-04-05 | 2013-11-26 | Dunan Microstaq, Inc. | Method and structure for optimizing heat exchanger performance |
US8956884B2 (en) | 2010-01-28 | 2015-02-17 | Dunan Microstaq, Inc. | Process for reconditioning semiconductor surface to facilitate bonding |
US9006844B2 (en) | 2010-01-28 | 2015-04-14 | Dunan Microstaq, Inc. | Process and structure for high temperature selective fusion bonding |
US8996141B1 (en) | 2010-08-26 | 2015-03-31 | Dunan Microstaq, Inc. | Adaptive predictive functional controller |
US8925793B2 (en) | 2012-01-05 | 2015-01-06 | Dunan Microstaq, Inc. | Method for making a solder joint |
US9140613B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-09-22 | Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. | Superheat sensor |
US9404815B2 (en) | 2012-03-16 | 2016-08-02 | Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. | Superheat sensor having external temperature sensor |
US9188375B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-11-17 | Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. | Control element and check valve assembly |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2215526B2 (de) | 1978-06-08 |
DE2215526A1 (de) | 1973-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2215526C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper | |
DE1614283B2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung | |
DE2142146A1 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung | |
DE1283970B (de) | Metallischer Kontakt an einem Halbleiterbauelement | |
DE2215357A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines intermetallischen Kontakts an einem Halbleiterbauteil | |
DE1806835C3 (de) | Solarzelle und Verfahren zur Herstellung ihrer Kontakte | |
DE2313219B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer auf mehreren Niveaus liegenden Metallisierung | |
DE1192749B (de) | Verfahren zum Aufzeichnen eines ringfoermigen Musters auf der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers | |
DE2252832A1 (de) | Halbleiterelement mit elektroden sowie verfahren zu seiner herstellung | |
DE3304255A1 (de) | Halbleitersubstrat und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung unter verwendung dieses substrats | |
DE2517252A1 (de) | Halbleiterelement | |
DE1816748C3 (de) | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2112114C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenz-Planar-Siliziumtran sistors | |
DE2244062A1 (de) | Ohmscher anschlusskontakt fuer ein silizium-halbleiterbauelement | |
DE1813130A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung | |
DE2142342A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
DE1170082B (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
DE2134291A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102007029829A1 (de) | Halbleiterbauelement mit einem ohmschen Kontakt | |
DE1769271C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Festkörperschaltung | |
DE1621342A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Aufdampfkontakten mit Kontakthoehen groesser 10 mum,insbesondere fuer Planarbauelemente | |
DE2250989A1 (de) | Verfahren zur bildung einer anordnung monolithisch integrierter halbleiterbauelemente | |
DE2008397C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kontaktes auf einem n-leitenden Galliumarsenidsubstrat | |
AT247918B (de) | Halbleiteranordnung mit einem durch Einlegieren einer Metallpille erzeugten pn-Übergang | |
DE1101625B (de) | Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH, 7100 HEILBRONN, DE |