DE2215526C3 - Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-leitende Halbleiterkörper

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Es sind bereits Kontakte bekannt, die Titan, Palladium, Silber und Gold enthalten. Dieses Kontaktsystem hat den Nachteil, daß Silber beim Lötvorgang .gelöst wird und später zur Versprödung des Lots führt Ein anderes bekanntes Kontaktsystem besteht aus der Schichtenfolge Nickel-Gold. Dieser Kontakt hat den Nachteil, daß er bei relativ hohen Substrattemperaturen hergestellt werden muß, so daß u. U. die elektrischen Kennwerte des Bauelementes verändert werden oder aus anderen, bereits am Halbleiterkörper angeordneten Kontakten Störstellen in unerwünschter Weise in den Halbleiterkörper eindringen.
Ferner ist aus der US-PS 34 09 809 und aus der DE-OS 16 39 262 ein Kontakt aus Chrom + - Nickel - *° Gold bekannt. Hierbei ist jedoch der Übergang vom Chrom zum Nickel abrupt, was die Haftung verschlechtert Zwar ist aus der DE-AS 12 96 265 eine Schichtenfolge aus Chrom—Chromnickel —Nickel bekannt, doch ist diese auf einer Oxydschicht angeordnet.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen eines Metallkontaktes anzugeben, bei dem niedere Substrattemperaturen möglich sind und optimale Haftungsverhältnisse erzielt werden.
Diese Aufgabe wird gemäß den kennzeichnenden Merkmalen des Patentanspruches gelöst.
Bei dem angegebenen Verfahren herrschen günstige
45
50 Aufdampftemperaturen. Bei 2500C ist die Halbleiterunterlage frei von Wasserdampf aber wiederum nicht so heiß, daß die Haftung verschlechtert wird. Bei der Verdampfung einer Chromnickel-Legierung verdampft zunächst aufgrund der Verdampfungstemperaturen überwiegend Chrom, dem im Laufe des Prozesses zunehmend Nickel beigefügt wird, bis zuletzt fast nur Nickel aufgedampft wird. Hierdurch erhält man einen die Haftung und Korrosionsbeständigkeit erhöhenden gleichmäßigen Obergang zwischen der Chrom- und der Nickelschicht
In der Figur ist ein NF-Mesa-Leistungstransistor im Schnitt dargestellt Der Halbleiterkörper bildet im wesentlichen die Kollektorzone 1, die beispielsweise n+-leitend ist Dann ist die Basiszone 2 p-Leitend, in die von einer Oberflächenseite aus die η+-leitende Emitterzone 3 eingelassen ist Die der Basis- und der Emitterzone gemeinsame Oberflächenseite ist mit einer Oxydschicht 4 bedeckt in die über der Basis- und der Emitterzone öffnungen für die Anschlußkontakte eingebracht sind. Diese Anschlußkontakte S und 6 bestehen beispielsweise aus Aluminium. Die diesen Kontakten gegenüberliegende Oberflächenseite des Halbleiterkörpers ist mit einem Chrom—Chromnikkei—Nickel—Goldkontakt 7 versehen, durch den die Kollektorzone des Transistors sperrschichtfrci angeschlossen wird. Die Chromschicht 8, die unmittelbar auf den Halbleiterkörper aufgedampft wird, ist mehrere Hundertstel μιη dick. Die Dicke betrug bei einem Ausführungsbeispiel 0,05 μιη. Die Chromnickelschicht 9 ist ca. 0,2 μπι, die Nickelschicht 10 ca. 0,4 μπι und die Goldschicht 11 wiederum mehrere Hundertstel μιη dick. Dieser vorteilhafte Schichtaufbau gilt für alle Arten sowohl für die Dioden als auch für Transistoren und bei diesen Bauelementen sowohl für n- als auch für p-leitende Halbleiterzonen.
Die Substrattemperatur des Halbleiterkörpers bei der Aufdampfung der ersten Chromschicht beträgt ca. 2500C Bei der Aufdampfung der nächsten Schicht aus Chrom-Nickel kann diese Temperatur bereits auf ca. 2000C reduziert werden. Auch bei der Aufdampfung der übrigen Schichten kann die Substrattemperatur unter 200° C liegen.
Die Chromnickelschicht wird vorzugsweise so hergestellt werden, daß während der Aufdampfung der Chromgehalt laufend abnimmt Es würdsn dann zunächst 100% Chrom aufgedampft und derChromanteil bei gleichzeitiger Erhöhung des Nickelanteils so lange reduziert, bis 100% Nickel aufgedampft werden.
Die Chromnickelschicht kann aber auch durch Verdampfung einer Chromnickellegierung hergestellt werden. Bei einer Ausführungsform wurde eine Legierung aus 20% Chrom und 80% Nickel verwendet.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zum Herstellen eines sperrfreien Metallanschlußkontaktes an p- oder n-Ieitende Halbleiterzonen eines einkristallinen Silizium-Halbleiterkörpers aus einer vom Halbleiterkörper ausgehenden Schichtenfolge aus Chrom—Nickel—Gold, dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung des Anschlußkontaktes auf die gesamte, eine Diodenzone oder die Kollektorzone eines Transi- 1(> stors bildende Rückseite des Halbleiterkörpers bei ca. 2500C zunächst eine mehrere Hundertstel Mikrometer dicke Chromschicht aufgedampft wird, daß danach auf die Chromschicht durch Verdampfen einer Chrom-Nickel-Legierung eine ca. 0,2 μΐη dicke Chromnickelschicht, auf diese Schicht eine ca. 0,4 \μη dicke Nickelschicht und schließlich eine mehrere Hundertstel μπι dicke Goldschicht aufgedampft wird, wobei die Aufdampftemperatur nach der Chrombeschichtung weiter reduziert wird. M
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Publications (3)

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Country Status (1)

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DE (1) DE2215526C3 (de)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7803281B2 (en) 2004-03-05 2010-09-28 Microstaq, Inc. Selective bonding for forming a microvalve
US8011388B2 (en) 2003-11-24 2011-09-06 Microstaq, INC Thermally actuated microvalve with multiple fluid ports
US8113482B2 (en) 2008-08-12 2012-02-14 DunAn Microstaq Microvalve device with improved fluid routing
US8156962B2 (en) 2006-12-15 2012-04-17 Dunan Microstaq, Inc. Microvalve device
US8387659B2 (en) 2007-03-31 2013-03-05 Dunan Microstaq, Inc. Pilot operated spool valve
US8393344B2 (en) 2007-03-30 2013-03-12 Dunan Microstaq, Inc. Microvalve device with pilot operated spool valve and pilot microvalve
US8540207B2 (en) 2008-12-06 2013-09-24 Dunan Microstaq, Inc. Fluid flow control assembly
US8593811B2 (en) 2009-04-05 2013-11-26 Dunan Microstaq, Inc. Method and structure for optimizing heat exchanger performance
US8662468B2 (en) 2008-08-09 2014-03-04 Dunan Microstaq, Inc. Microvalve device
US8925793B2 (en) 2012-01-05 2015-01-06 Dunan Microstaq, Inc. Method for making a solder joint
US8956884B2 (en) 2010-01-28 2015-02-17 Dunan Microstaq, Inc. Process for reconditioning semiconductor surface to facilitate bonding
US8996141B1 (en) 2010-08-26 2015-03-31 Dunan Microstaq, Inc. Adaptive predictive functional controller
US9006844B2 (en) 2010-01-28 2015-04-14 Dunan Microstaq, Inc. Process and structure for high temperature selective fusion bonding
US9140613B2 (en) 2012-03-16 2015-09-22 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Superheat sensor
US9188375B2 (en) 2013-12-04 2015-11-17 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Control element and check valve assembly

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3011952C2 (de) * 1980-03-27 1982-06-09 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Sperrfreier niederohmiger Kontakt auf III-V-Halbleitermaterial
DE4107660C2 (de) * 1991-03-09 1995-05-04 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Montage von Silizium-Plättchen auf metallischen Montageflächen
US6523560B1 (en) 1998-09-03 2003-02-25 General Electric Corporation Microvalve with pressure equalization
US7011378B2 (en) 1998-09-03 2006-03-14 Ge Novasensor, Inc. Proportional micromechanical valve
AU5905499A (en) 1998-09-03 2000-03-27 Lucas Novasensor Proportional micromechanical device
US6505811B1 (en) 2000-06-27 2003-01-14 Kelsey-Hayes Company High-pressure fluid control valve assembly having a microvalve device attached to fluid distributing substrate
DE10329364B4 (de) * 2003-06-30 2007-10-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektrischer Kontakt für ein optoelekronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20120145252A1 (en) 2009-08-17 2012-06-14 Dunan Microstaq, Inc. Micromachined Device and Control Method

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8011388B2 (en) 2003-11-24 2011-09-06 Microstaq, INC Thermally actuated microvalve with multiple fluid ports
US7803281B2 (en) 2004-03-05 2010-09-28 Microstaq, Inc. Selective bonding for forming a microvalve
US8156962B2 (en) 2006-12-15 2012-04-17 Dunan Microstaq, Inc. Microvalve device
US8393344B2 (en) 2007-03-30 2013-03-12 Dunan Microstaq, Inc. Microvalve device with pilot operated spool valve and pilot microvalve
US8387659B2 (en) 2007-03-31 2013-03-05 Dunan Microstaq, Inc. Pilot operated spool valve
US8662468B2 (en) 2008-08-09 2014-03-04 Dunan Microstaq, Inc. Microvalve device
US8113482B2 (en) 2008-08-12 2012-02-14 DunAn Microstaq Microvalve device with improved fluid routing
US8540207B2 (en) 2008-12-06 2013-09-24 Dunan Microstaq, Inc. Fluid flow control assembly
US8593811B2 (en) 2009-04-05 2013-11-26 Dunan Microstaq, Inc. Method and structure for optimizing heat exchanger performance
US8956884B2 (en) 2010-01-28 2015-02-17 Dunan Microstaq, Inc. Process for reconditioning semiconductor surface to facilitate bonding
US9006844B2 (en) 2010-01-28 2015-04-14 Dunan Microstaq, Inc. Process and structure for high temperature selective fusion bonding
US8996141B1 (en) 2010-08-26 2015-03-31 Dunan Microstaq, Inc. Adaptive predictive functional controller
US8925793B2 (en) 2012-01-05 2015-01-06 Dunan Microstaq, Inc. Method for making a solder joint
US9140613B2 (en) 2012-03-16 2015-09-22 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Superheat sensor
US9404815B2 (en) 2012-03-16 2016-08-02 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Superheat sensor having external temperature sensor
US9188375B2 (en) 2013-12-04 2015-11-17 Zhejiang Dunan Hetian Metal Co., Ltd. Control element and check valve assembly

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