DE2214773C3 - Verfahren zur Einlagerung feinverteilter Stoffe in eine Metallschicht - Google Patents
Verfahren zur Einlagerung feinverteilter Stoffe in eine MetallschichtInfo
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Einlagerung feinverteilter Stoffe in kathodisch oder stromlos chemisch
niedergeschlagene Metallschichten.
Zur Verbesserung chemischer, mechanischer, optischer und anderer physikalischer Eigenschaften metallischer
Werkstoffe, die als Schichten stromlos oder galvanisch auf eine Unterlage abgeschieden werden,
oder zur Verbesserung der Haftfestigkeit der Schichten auf ihrer Unterlage werden vielfach feinverteilte,
nichtmetallische Stoffe in der Metallschicht dispergiert. Beispiele solcher Werkstoffe sind Nickelschichten mit
dispergierten Metalloxiden zur Erhöhung des spezifischen elektrischen Widerstandes oder Kupferschichten
mit Oxideinlagerungen zur Verbesserung der Abriebfestigkeit.
Solche Schichten werden nach dem derzeitigen Stand der Technik mit Hilfe der sogenannten Dispersionsabscheidung
erzeugt. Dabei sind die einzulagernden Teilchen im stromlos arbeitenden oder galvanischen
Bad feindispers oder kolloidal verteilt, jedoch nicht im chemischen Sinne in Wasser gelöst. Die Nachteile dieses
Abscheidungsverfahrens sind bekannt und liegen hauptsächlich in der Schwierigkeit der Badüberwachung
und Erzeugung und Beständigkeit der Suspension.
Das erfindungsgemäße Verfahren verwendet keine Dispersion, sondern eine echte wäßrige Lösung, die
neben den abzuscheidenden Metallionen die einzulagernde Substanz in Form einer löslichen chemischen
Verbindung oder in Form von Ionen, gleichermaßen als Vorstufe, enthält. Aus dieser gelösten Vorstufe entsteht
während der Metallabscheidung die einzulagernde Substanz nach den im folgenden beschriebenen
Reaktionen:
Bei der elektrolytischen oder stromlosen, reduktiven Metallabscheidung ändert sich in der Diffusionsschicht,
also unmittelbar in der Nähe der zu beschichtenden Oberfläche, der pH-Wert der wäßrigen Lösung durch
Änderung der Wasserstoffionenkonzentration. Bei der galvanischen Metallabscheidung ist dies die Folge einer
zusätzlichen kathodischen Wasserstoffentwicklung. Im kathodischen Diffusionsfilm steigt daher der pH-Wert,
während er im anodischen Diffusionsfilm sinkt. Analoge Prozesse laufen bei der reduktiven Metallabscheidung
im substratnahen Diffusionsfilm ab, wobei sowohl bei der stromlosen Verkupferung als auch bei der
stromlosen Vernickelung infolge des OH--Verbrauchs
bzw. infolge der H+ -Bildung der pH-Wert sinkt, wie die
Bruttogleichungcn dieser Reaktionen /eigen:
Cu2+ -I- HCHO + 3OH- ► Cu" + HCOO" + 2HjO
Ni2+ + H3PO2 + H2O >
Ni" + H3PO3 + 2H+
Sind nun in der Lösung Ionen oder Moleküle vorhanden, die bei Änderung des pH-Wertes über einen
bestimmten Betrag hinaus ihre Zusammensetzung derart ändern, daß die entstehende Substanz unlöslich
wird und im Diffusionsfilm ausfällt, so werden die sehr feinkörnigen Teilchen in die wachsende Metallschicht
eingebaut. Die Konzentration, Größe und Zusammensetzung dieser Teilchen ist dabei von der
Konzentration ihrer Vorstufe im Elektrolyten oder in der Lösung, von der Temperatur, von Bad- und
Substratbewegung, von Abscheidungsgeschwindigkeit des Metalls und in starkem Maße vom pH-Wert
der Lösung abhängig. Teilweise beeinflussen sich diese Größen untereinander. Beispielsweise
ist die pH-Wert-Differenz zwischen Lösung und Diffusionsfilm, die letztlich die Ausfällung des gewünschten
Stoffes verursacht, temperaturabhängig. Darüber hinaus spielt auch die Ladung des Ions (in der
2j Vorstufe) eine Rolle, da die Konzentration eines Anions
im Kathodenfilm geringer ist als die eines Kations und umgekehrt. Dadurch lassen sich in der entstehenden
Metallschicht auch Konzenlrationsgradienten der einzulagernden Substanz erzeugen, indem diese nur
anfänglich mit hoher Konzentration in die abgeschiedene Metallschicht eingelagert wird. Liegt die einzulagernde
Substanz beispielsweise als Anion in der Lösung vor, erniedrigt sich die Konzentration der Substanz im
Kathodenfilm im Verlauf der weiteren Metallabscheidung.
In der Praxis wird das erfindungsgemäße Verfahren so durchgeführt, daß vor allem der pH-Wert des
stromlosen oder galvanischen Bades so eingestellt wird, daß während der Metallabscheidung der pH-Wert über-
oder unterschritten wird, bei dem die einzulagernde Substanz ausfällt. Oftmals fällt die Substanz primär als
Hydroxid, Oxydhydrat oder in anderer wasserhaltiger Form an.
Ist es aber erforderlich, daß die Substanz wasserfrei in die Metallschicht eingelagert wird, so sieht das
erfindungsgemäße Verfahren eine nachträgliche Wärmebehandlung vor, die der Entwässerung dient.
Die folgende Tabelle 1 gibt einige Beispiele wieder, und zwar für die in die Badlösung einzubringenden
Ionen, für den pH-Wert, bei dessen Über- oder Unterschreiten die betreffende Substanz ausfällt und für
die chemische Natur dieser Substanz vor und nach der Wärmebehandlung. Da manche Hydroxide bekanntlich
amphoteres Verhalten zeigen, wie beispielsweise Zn(0H)2 und A1(OH)3, können diese Substanzen bei
Über- bzw. Unterschreiten des angeführten pH-Wertes über einen zu großen Bereich hinweg wieder in Lösung
gehen bzw. nicht ausfallen. Dies erfolgt jedoch in der Regel erst beim Über- bzw. Unterschreiten um mehrere
6ο pH-Wert-Einheiten, welches das erfindungsgemäße
Verfahren praktisch nicht vorsieht. Vielmehr liegt die günstigste Differenz zwischen dem pH-Wert der
Lösung und dem pH-Wert des Diffuüionsfilms bei etwa I bis 2 pH-Wert-Einheiten. Die angegebenen pH-Werte
können sich außerdem bekanntlich verschieben, da die Grenz-pH-Werte für die Fällung durch die Anwesenheit
von anderen Ionen, Puffern oder gar von Komplexbildnern in der Lösung stark abhängen. Dies hat zur Folge,
daß für das jeweils anzuwendende Bad der geeignete pH-Wcn-Bercieh für die einzubauende Substanz
experimentell ermittelt und das Bad nötigenfalls modifiziert werden muß. Beispielsweise fällt Kieselsäure
SiO: ■ vH.O aus einem silikathaltigen. stromlosen
Kupferbad bereits bei einem pH-Wert < 11,7 aus und nicht erst bei einem pH-Wert
< 10.7, wie es theoretisch bei einer rein wäßrigen Alkalisilikailösung beim
Ansäuren zu erwarten wäre.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht auf die Ausfällung und Einlagerung von Hydroxiden und
Oxiden beschränkt, sondern umfaßt auch die Ausfällung und Einlagerung aller anderen Substanzen, die nach der
geschilderten Reaktion aus der Lösung gebildet werden. Dabei können auch zwei oder mehr Ionen oder
Tabelle 1
Verbindungen zusammenwirken, wie es beispielsweise bei der Bildung von Heteropolysäuren. Phosphaten,
Carbonaten, Chromaten. Molybdaten. Wolfram;<ten der Fall ist. Denn auch die Löslichkeit solcher Verbindungen
ist stark pH-Wert-abhängig. Beispielsweise bilden sich bei gleichzeitiger Anwesenheit von Molybdatanionen
und Alkaloidcn. organischen Aminen oder kationischen Koordinationskomplexen — mit den in Tabelle
aufgeführten Kationen Xi+ — in der Lösung, in
Abhängigkeit vom pH-Wert, der ebenfalls in dieser Tabelle aufgeführt ist. schwerlösliche Heteropolysäuren
mit dem Anion
[X
pH-Wert
Beim genannten pH-Wert in Lösung vorliegende Ionen
pH-Wert Beim genannten pH-Wert ausfallende und primär eingebaute
Substanz
Substanz
Nach der Wärmebehandlung vorliegende Substanz
>0,9
<2
>2
>2
<3
<4
<5
<6
<7
<8
<8
<9
> 10,7
> 10,7
MOO42 und Isopolyanionen
<0,9
WO«2 "und Isopoly- | <1,5 |
anionen | |
TiO2+ | >2 |
VO43~und Isopoly- | |
anionen | |
Fe 3+ | >3 |
Sn (IV) | 3-9 |
Zr (IV) | >3 |
Ti (IV) Th*+ |
>4 |
AI3- | 5-9 |
UO22- | 5-9 |
Zn2+ | 6-11 |
Cr2+ | 6-12 |
Be3+ | >6 |
Cu2+ | > |
Fe2+ | >7 |
Pb2+ | 7-9 |
Co2+ | >8 |
Ni2+ | |
Cd2+ | |
Y3+ | |
Ag + | >9 |
Mn2+ | |
Hg2+ | |
La3+ | |
SiO3 2" | < 10,7 |
Mg2+ | >11 |
Ca 2+ | >12 |
Zentralatom X
pH-Wert-Stabilitäts bereich
Al'+ | 2-5 |
Cr'+ | <5,5 |
Fe'+ | 2-4,5 |
Co'+ | <5 |
Ga3+ | <5 |
Weitere Beispiele sind in Tabelle 3 aufgeführt, in der die Fällungsbereiche einiger schwerlöslicher Sulfide,
Oxalate, Phosphate und Oxychinolate enthalten sind.
MoOj · H2O
WO3 · H2O
WO3 · H2O
T1O2 · H2O
ViOs · XH2O
Fe(OH)3
SnO2 · H2O
ZrO2 ■ H2O
T1O2 ■ H2O
Th(OHVi
AI(OH)3
UO(OH)2
Zn(OH)2
Cr(OH)3
Be(OH)2
Cu(OH)2
Fe(OH)2, Fe(OH)3
Pb(0H)2
Co(OH)2
Ni(OH)2
Cd(OH)2
Y(OH)3
Ag2O, AgOH
Mn(OH)2
HgO, Hg(OH)2
La(OH)3
S1O2 · XH2O
Mg(OH)2
Ca(OH)2
Schwerlösliche Verbindung
ZnS
HgS
AI2S3
CaC2Ot
ZnNH4PO4
Zn-Oxychinolat
Mg-Oxychinolat
MoO3 WO3
T1Ü2 V2O5
Fe2O3
SnO2
ZrO2
TiO2
ThO2
AI2O3
UO2, U3Oe
ZnO
CnO3
BeO
CuO
FeO, Fe2O3
PbO
CoO
NiO
CdO
Y2O3
Ag2O, Ag
MnO
HgO, Hg
La2Os
S1O2
MgO
CaO
pH-Wert-Bereich
>2,5
<8,5
>7
>4
5-7,5
4,5-13
9,5-52,7
Auch die Abhängigkeit der Hydrolyse von Metallorganischen Verbindungen (beispielsweise Titanacetyl-
acetonal. Silane und Siloxane), Metallsäureestern (beispielsweise Kieselsäureester, Titansäureester. Vanadium-
und Zirkonsäureester). Metallalkoholaten (beispielsweise Magnesiumäthylat), Metallhalogeniden (beispielsweise
Aluminiumtrichlorid oder Titantetrachlorid)
kann nach dem erfindungsgemä^en Verfahren dazu benutzt werden, die schwerlöslichen Hydrolyseprodukte
in die wachsende Metallschicht einzulagern.
Claims (2)
1. Verfahren zur Einlagerung feinverteilter Stoffe in
kathodisch oder stromlos chemisch erzeugte Metallschichten, dadurch gekennzeichnet, daß
die einzulagernden Substanzen oder Vorstufen dieser Substanzen sich in gelöster Form im Bad
befinden und durch Erzeugen eines unterschiedlichen pH-Wertes zwischen Diffusionsfilm und Bad
auf der Oberfläche der Metallschicht niedergeschlagen werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach Einlagerung der Substanzen in die
Metallschicht eine Wärmebehandlung durchgeführt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722214773 DE2214773C3 (de) | 1972-03-25 | 1972-03-25 | Verfahren zur Einlagerung feinverteilter Stoffe in eine Metallschicht |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19722214773 DE2214773C3 (de) | 1972-03-25 | 1972-03-25 | Verfahren zur Einlagerung feinverteilter Stoffe in eine Metallschicht |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2214773A1 DE2214773A1 (de) | 1973-09-27 |
DE2214773B2 DE2214773B2 (de) | 1976-07-01 |
DE2214773C3 true DE2214773C3 (de) | 1981-05-21 |
Family
ID=5840244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19722214773 Expired DE2214773C3 (de) | 1972-03-25 | 1972-03-25 | Verfahren zur Einlagerung feinverteilter Stoffe in eine Metallschicht |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2214773C3 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1524327A1 (de) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Schicht mit intrakristallinen Einlagerungen |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3658662A (en) * | 1969-01-21 | 1972-04-25 | Durolith Corp | Corrosion resistant metallic plates particularly useful as support members for photo-lithographic plates and the like |
-
1972
- 1972-03-25 DE DE19722214773 patent/DE2214773C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2214773B2 (de) | 1976-07-01 |
DE2214773A1 (de) | 1973-09-27 |
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