DE220812C - - Google Patents

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DE220812C
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Description

KAISERLICHES
PATENTAMT.
Den Gegenstand vorliegender Erfindung bildet ein Mantelschornstein, dessen Futter in einzelne Trommeln unterteilt ist, und zwar besteht das Wesen der Erfindung darin, daß die einzelnen Trommeln lose auf dem auskragenden inneren Rande von Eisenbetonringplatten stehen, die auf Rippen des Schornsteinmantels liegen.
Die Hohlräume zwischen dem Futter und
ίο Mantel sind mit einer körnigen Füllmasse (Schlacke, Asche, Sand u. dgl.) ausgefüllt.
In der Zeichnung ist Fig. r ein Längsschnitt des Schornsteins, Fig. 2 und 3 sind Querschnitte nach Linie a-b und c-d der Fig. ι in größerem Maßstabe.
Wie ersichtlich, liegen auf den Rippen U1 des Schornsteinmantels a, deren Anzahl sich nach Höhe und Umfang des Schornsteins richtet, in Abständen von etwa 4 bis 7 m Eisenbetonringe b von etwa 6 bis 8 cm Stärke, wobei diese um die Stärke des Futters und einen etwa 3 cm großen Luftisolierungszwischenraum über die Rippen ausgekragt werden. Auf diesen auskragenden Rand kommt bündig mit ihm die entsprechende Trommel i des Futters zu stehen, und zwar so, daß zwischen ihrem Kopfende und dem darüberliegendeh Eisenbetonring b noch eine Fuge von etwa 2 cm verbleibt, welche mit Asbest oder einem anderen nichtverbrennbaren nachgiebigem Material gedichtet wird.
Bei größeren Querschnitten kann der Eisenbetonring δ in einzelnen Teilen hergestellt werden, die unter sich durch Klammern g verbunden werden (Fig. 3).
Die Trommeln des Futters bestehen aus Ringen aus Mauerwerk, Beton oder Eisenbeton. Der Füllstoff h wird lose in die Hohlräume zwischen Futter und Mantel geschüttet.

Claims (1)

  1. Patent-Anspruch :
    Mantelschornstein, dessen Futter in einzelne Trommeln unterteilt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Trommeln (i) lose auf dem auskragenden inneren Rande von auf Rippen des Schornsteinmantels (a) liegenden Ringplatten (b) aus Eisenbeton stehen, und daß die Hohlräume zwischen dem Futter und Mantel mit einer körnigen Füllmasse ausgefüllt sind.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE888610C (de) * 1951-10-04 1953-09-03 August Schell Mauerwerk fuer Schornsteine oder Silos
US5212101A (en) * 1989-04-14 1993-05-18 Secretary Of State For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Substitutional carbon in silicon
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US5387541A (en) * 1990-11-20 1995-02-07 The Secretary For Defence In Her Britannic Majesty's Government Of The United Kingdom Of Great Britain And Northern Ireland Method of making silicon-on-porous-silicon by ion implantation
US5441899A (en) * 1992-02-18 1995-08-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing substrate having semiconductor on insulator
US10651037B2 (en) 2004-09-22 2020-05-12 Infineon Technologies Ag Method for fabricating a doped zone in a semiconductor body

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