DE2163250B2 - Verfahren zur Vermeidung von Buckelbildungen beim Niederschlagen von dünnschichtigen Belegungsschichten auf die Substratplatte einer Dünnschichtanordnung und Vielschichtenvorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Vermeidung von Buckelbildungen beim Niederschlagen von dünnschichtigen Belegungsschichten auf die Substratplatte einer Dünnschichtanordnung und Vielschichtenvorrichtung

Info

Publication number
DE2163250B2
DE2163250B2 DE2163250A DE2163250A DE2163250B2 DE 2163250 B2 DE2163250 B2 DE 2163250B2 DE 2163250 A DE2163250 A DE 2163250A DE 2163250 A DE2163250 A DE 2163250A DE 2163250 B2 DE2163250 B2 DE 2163250B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
film
metallic
formation
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE2163250A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2163250A1 (de
Inventor
Praveen Ossining Chaudhari
Siegfried Reinhard Crocton-On-Hudson Mader
John Wauchope Ossining Matthews
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2163250A1 publication Critical patent/DE2163250A1/de
Publication of DE2163250B2 publication Critical patent/DE2163250B2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/06—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the coupling or physical contact with connecting or interacting conductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C23C14/025—Metallic sublayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00—Superconducting devices
    • H10N60/10—Junction-based devices
    • H10N60/12—Josephson-effect devices

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
DE2163250A 1970-12-31 1971-12-20 Verfahren zur Vermeidung von Buckelbildungen beim Niederschlagen von dünnschichtigen Belegungsschichten auf die Substratplatte einer Dünnschichtanordnung und Vielschichtenvorrichtung Withdrawn DE2163250B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10324270A 1970-12-31 1970-12-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2163250A1 DE2163250A1 (de) 1972-07-13
DE2163250B2 true DE2163250B2 (de) 1979-08-23

Family

ID=22294128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2163250A Withdrawn DE2163250B2 (de) 1970-12-31 1971-12-20 Verfahren zur Vermeidung von Buckelbildungen beim Niederschlagen von dünnschichtigen Belegungsschichten auf die Substratplatte einer Dünnschichtanordnung und Vielschichtenvorrichtung

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE2163250B2 (Direct)
FR (1) FR2120782A5 (Direct)
GB (1) GB1365930A (Direct)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3128982A1 (de) * 1981-07-22 1983-02-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München "verfahren zur herstellung mindestens eines josephson-tunnelelementes"
DE3129000A1 (de) * 1981-07-22 1983-02-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München "verfahren zur herstellung einer josephson-schaltung unter verwendung von josephson-tunnelelementen"

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2213838A (en) * 1987-12-23 1989-08-23 Plessey Co Plc Environmental protection of superconducting thin films
GB2213839B (en) * 1987-12-23 1992-06-17 Plessey Co Plc Semiconducting thin films

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3128982A1 (de) * 1981-07-22 1983-02-10 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München "verfahren zur herstellung mindestens eines josephson-tunnelelementes"
DE3129000A1 (de) * 1981-07-22 1983-02-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München "verfahren zur herstellung einer josephson-schaltung unter verwendung von josephson-tunnelelementen"

Also Published As

Publication number Publication date
DE2163250A1 (de) 1972-07-13
FR2120782A5 (Direct) 1972-08-18
GB1365930A (en) 1974-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3876473T2 (de) Verfahren zur herstellung von supraleitenden quanteninterferometern aus hochtemperatur-supraleitern.
DE1483246C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer amorphen Legierungsschicht
DE69119022T2 (de) Supraleitende Einrichtung mit ultradünnem Kanal aus oxydisch supraleitendem Material und Verfahren zu deren Herstellung
DE4443800A1 (de) Supraleitende Feldeffekteinrichtung mit Korngrenzenkanal und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69032845T2 (de) Josephsoneffektbauelement des Typs mit Tunnelverbindung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE69115209T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Supraleitungsbauelements mit reduzierter Dicke der supraleitenden Oxidschicht und dadurch hergestelltes Supraleitungsbauelement.
EP0002703A1 (de) Verfahren zum Herstellen von dünnen metallisch leitenden Streifen auf Halbleitersubstraten und damit hergestellte metallisch leitende Streifen
DE69119190T2 (de) Supraleitende Einrichtung mit extrem dünnen supraleitenden Kanal aus oxydischem supraleitendem Material und Methode zu deren Herstellung
DE1640200B1 (de) Supraleitendes material und verfahren zu dessen herstellung
DE3003285A1 (de) Verfahren zum herstellen niederohmiger, einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf substraten
DE2457488A1 (de) Duennschichtwiderstaende und kontaktanschluesse fuer schaltkreise
DE2361804C2 (de) Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Kontakten in Tieftemperatur-Schaltkreisen und Anwendung des Verfahrens bei der Herstellung von Tieftemperatur-Schaltkreisen mit Josephson-Elementen
DE3850632T2 (de) Supraleiterelement und Verfahren zu seiner Herstellung.
DE69015721T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer supraleitenden Schaltung.
DE3444769C2 (Direct)
DE2163250B2 (de) Verfahren zur Vermeidung von Buckelbildungen beim Niederschlagen von dünnschichtigen Belegungsschichten auf die Substratplatte einer Dünnschichtanordnung und Vielschichtenvorrichtung
DE3886286T2 (de) Verbindungsverfahren für Halbleiteranordnung.
DE2055606A1 (de) Dünnschicht Einkristall Bauelement mit Tunneleffekt
DE69223371T2 (de) Supraleitende Dünnschicht aus oxidisch supraleitendem Material, supraleitender Strompfad und supraleitende Einrichtung mit der supraleitenden Dünnschicht
DE10225935C5 (de) Vorrichtung zum Leiten von Strom
DE3018510C2 (de) Josephson-Übergangselement
DE69010445T2 (de) Supraleitende Einrichtung.
DE3822905C2 (Direct)
DE69113010T2 (de) Artikel mit supraleiter/isolator Lagenstruktur und Verfahren zur Herstellung des Artikels.
DE69220387T2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Tunnelüberganges von der Art einer Josephson-Einrichtung aufgebaut aus supraleitendem oxydischem Verbundmaterial

Legal Events

Date Code Title Description
8239 Disposal/non-payment of the annual fee