DE2162889C3 - Schaltung zur Erzeugung steil ansteigender Spannungs- bzw. Stromimpulse - Google Patents
Schaltung zur Erzeugung steil ansteigender Spannungs- bzw. StromimpulseInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/335—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of semiconductor devices with more than two electrodes and exhibiting avalanche effect
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/12—Modifications for increasing the maximum permissible switched current
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Schaltung zur Erzeugung steil ansteigender Spannungs- bzw. Stromimpulse unter
Verwendung von zumindest zwei in Serie zu einem Lastwiderstand parallelgeschalteten Zweigen aus Avalanchetransistoren.
Für viele technische Fälle, z. B. zur Ansteuerung von Lasern werden hochenergetische Einzelimpulse mit
einem Impulsabstand von wenigen Nanosekunden benötigt, wobei Spannungsanstiegsgeschwindigkeiten
von mehr als 100 Volt/Nanosekunde und Stromanstiegsgeschwindigkeiten
von mehr als 50 A/Nanosekunden erwünscht sind. Für solche Zwecke sind Impulsformerschaltungen
bekannt, mit denen kurze Impulse herstellbar sind, wobei es jedoch erforderlich ist, daß die
Last, an der sich der Impuls ausbildet rein ohmisch ist. Wenn der Lastwiderstand mit einem Blindanteil
behaftet ist, läßt sich mit derartigen Schaltungen der gewünschte hohe Impuls nicht erzeugen.
Für die Ansteuerung von Lasern ist es auch bekannt, Avalanchetransistoren zu benutzen, um unter Ausnutzung
des Avalancheeffektes möglichst hohe Spannungsanstiegsgeschwindigkeiten
zu erzielen (DE-AS 65 202).
Dabei sind in Serie zu einer Laserdindc zwei
Avalanchetransistoren unter galvanischer Verbindung der Basen parallel geschaltet, die somit gleichzeitig rrit
dem Steuerimpuls beaufschlagt werden. Dieses gleichzeitige Zünden der parallelgeschalteten Avalanchetran-
ί sistoren soll Schwierigkeiten vermeiden, die durch
zeitlich unterschiedliches Zünden ausgelöst sein sollen. Zur Erhöhung der Stromstärke des über die Laserdiode
fließenden Impulsstromes erfolgt die Ansteuerung über eine Ansteuerstufe, die ihrerseits mit einem Avalanche-ίο
transistor aufgebaut und in Emitterfolgeschaitung vorgeschaltet ist. Zur Festlegung der Dauer des
Impulsstromes sind an die Kollektoren der Avalanchetransistoren widerstandsmäßig abgestimmte Entladungsleitungen
angeschlossen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine In:pulsformerschaltung zu schaffen, mit der ein Spannungsimpuls
erzeugt werden kann, der in möglichst kurzer Zeit einen hohen Strom durch einen niederohmigen
Widerstand fließen lassen kann, auch wenn dieser Widerstand mit einem Blindanteil behaftet ist. Dabei soll
die Impulsformerschaltung für eine spezielle Anwendung zur Ansteuerung von Gaslascrn dazu in der Lage
sein. Impulse mit einer Spannungsanstiegsgeschwindigkeit von mehr als 100 V/Nanosekunde und einer
Stromanstiegsgeschwindigkeit von mehr als 50 A/Nanosekunde zu erzeugen, wobei die Impulsform bezüglich
des Amplitudenverlaufs durch den Aufbau der Schaltung einstellbar ist.
Ausgehend von der eingangs erwähnten Schaltung
«ι wird diese Aufgabe erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß im ersten Zweig der Parallelschaltung eine Vielzahl von Avalanchetransistoren (Tu bis T\„) in Serie
geschaltet ist, und daß der jeweils erste Avalanchetransistor (Tj\ bis T„\) des zweiten Zweigs und der folgenden
J5 Zweige der Parallelschaltung mit einer Ansteuerspannung verzögert ansteuerbar sind.
Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung ist vorgesehen, daß die Ansteuerspannungen der Avalanchetransistoren
(Ti\ bis T„i) der zweiten und folgenden Zweige
■in der Parallelschaltung nacheinander vor. Serienabgriffen
eines Basiswiderstandes (Rbi\ bis Rbn\) des vom
Steuerimpuls beaufschlagten ersten Avalanchetransistors (Τι τ) abgreifbar sind.
Mit einer nach der Erfindung aufgebauten Schaltung
•r> lassen sich hochenergetische Einzelimpulse mit einem
Impulsabstand von wenigen Nanosekunden erzeugen, wobei diese Impulse durch sehr steile Anstiegsflanken
gekennzeichnet sind. Durch die Anzahl von Avalanchetransistoren in den einzelnen Parallelzweigen läßt sich
ίο die Stromanstiegsgeschwindigkeit auch bei induktiven
oder kapazitiven Lastanteilen einstellen, wogegen die Anzahl der Parallelzweige für die Einstellung der
maximal erzielbaren Impulsbreite ausschlaggebend ist. Damit ist es möglich, durch die Auswahl der
v> entsprechenden Anzahl von Avalanchetransistoren,
sowohl in den einzelnen Zweigen, als auch durch die Auswahl der Anzahl der Zweige, die Impulsform in
gewünschter Weise einzustellen. Durch die Auswahl der Abgriffe läßt sich der zeitliche Ansatzpunkt für den
ho Avalancheeffekt der einzelnen Parallelzweige festlegen,
wodurch sich die Welligkeit des Impulsdaches einerseits und die Basisimpulsbreite andererseits einstellen läßt.
Eine besondere Ausgestaltung der Erfindung besteht darin, daß im zweiten und in den folgenden Zweigen der
h"< Parallelschaltung jeweils eine Vielzahl von Avalanche-Ininsistoren
in Serie geschaltet ist.
Es ist auch vorgesehen, daß der zweite Zweig und clic
folgenden Zweige der Parallelschaltung eine abnehmen·
de Anzahl von in Serie geschalteter Avalanchetransistoren
umfassen. Bei diesem Schaltungsaufbau ergibt sich ein Impuls mit einem sehr steilen Anstieg und einem
verhältnismäßig breiten abfallenden Impulsdach.
Schließlich sieht die Erfindung als weitere Ausgestaltung vor, daß der zweite Parallelzweig und die
folgenden Parallelzweige ans jeweils nur einem Avalanchetransistor bestehen. Mit einem solchen
Schaltungsaufbau läßt sich ein hochenergetischer Impuls mit einen ausreichend steilen Flankenanstieg
zur Aussteuerung von Gaslasern erzielen.
Die Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung eines
Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigt
Fi g. 1 eine Impulsformerschaltung gemäß der Erfindung
zur Erzeugung kurzer und steil ansteigender Impulse;
Fig.2, 3 und 4 Pulsdiagramme anhand deren
Ausgestaltungen der Erfindung und Schaltungsparameter erläutert werden.
In Fig.! ist eine Impulsformerschaltung dargestellt,
die aus 4 Zweigen einer Parallelschaltung besteht, welche in Serie zu einem Lastwiderstand Wi liegen. Der
erste Zweig umfaßt eine Anzahl von in Serie geschalteten Avalanchetransistoren Ti1, Tm, ... Tin,
wogegen der zweite, dritte und n-te Zweig nur einen Avalanchetransistor 7Ji bzw. Tn bzw. T„\ umfaßt. Die
Avalanchetransistoren sind über Kollektorwiderstände an Versorgungsspannungen Uu U2, U) ... U-, angeschlossen.
Die Kollektorwiderständc des ersten Zweiges bilden Teilwiderstände eines Spannungsteilers aus
den Widerständen Wio, Wn ... Rin-U R\n- Dabei wirkt
jeweils die Summe der Teilwiderstände zwischen der Spannungsversorgung Ui und dem Kollektor des
entsprechenden Avalanchetransistors als Kollektorwiderstand. Zwischen den einzelnen Kollektoren der
Avalanchetransistoren und Masse liegen jeweils Speicherkondensatoren Cn, Cu ... Qn, C21, Cn ... Cn].
An diesen Speicherkondensatoren bildet sich im Ruhezustand der Schaltung ein Potential aus, das von
den Versorgungsspannungen bzw. den Kollektorwiderständen in den Zweigen mit mehreren Avalanchetransistoren
entsprechend dem Teilverhältnis bestimmt ist. Die Versorgungsspannungen U\, Ui ... Un bestimmen
sich aus der Anzahl der Avalanchetransistoren in dem jeweiligen Zweig sowie den charakteristischen Werten
der entsprechenden Avalanchetransistoren. Die Versorgungsspannungen können zwischen Werten von etwa
20 Volt bis 200 Volt und darüber liegen. Entscheidend für die Werte der Vvirsorgungsspannung ist die
Kollektor-Emitterspannung der Avalanchelransistoren, bei welcher der Avalanchceffekt nach einer entsprechenden
Ansteuerung der Basis ausgelöst wird. Für die Auslösung des Avalancheeffektes ist ferner ein, eine
Rückkopplung darstellender Widerstand parallel zur BasisEmitterstrecke der Avalanchetransistoren erforderlich.
Dieser Widerstand setzt sich bei den jeweils ersten Avalanchetransistoren der einzelnen Zweige aus
Teilwiderständen des Pasis-Ableilwiderstandes des ersten Avalanchetransistor« Tn im ersten Zweig der
Parallelschaltung zusammen. Danach bildet die Summe der Teilwiderstände R„\\. Rm\, Rb» ... Wm den
Rückkopplungswiderstanil für den ersten Avalanchetransistor Tu, wogegen die Summe der Teilwiderstände
RhH. Wh1I ... Whni diesen Rückkopplungswiderstand für
den Avalanchetransistor T2i im zweiten Zweig, und die
Stimme der Teilwiderstä'k'e Wmi .. ■ Wj1n 1 entsprechend
den Rückkopplungswiderstand für den Avalanchetransistor 7"i| im dritten Zweig bildet. Für den Avalanchetransistor
Tni im letzten Zweig wirkt nur der Teilwiderstand Rbn\ als Rückkopplungswiderstand. Die
7. Ansteuerung der Impulsformerschaltung erfolgt über eine Klemme K, über welche ein Steuerimpuls an den
aus den Teilwiderständen aufgebauten Basis-Ableitwiderstand und damit an den ersten Avalanchetransistor
des jeweiligen Zweiges angelegt wird.
m Zur Erklärung der Funktionsweise isi davon auszugehen,
daß bei den Avalanchetransistoren der Avalancheeffekt ausgelöst wird, wenn eine an die Klemme K
angelegte impulsförmige Ansteuerungsspannung einen bestimmten Amplitudenwert erreicht hat. Wenn man
r< davon ausgeht, daß für die Schaltung gleiche Avalanchetransistoren
Verwendung finden, so muß an der Basis eines jeden der Transistoren Tn, T21 ... Tn\ dieser
bestimmte Spannungswert erreicht sein, bevor der Avalanchetransistor durchbricht. Da sich die an die
.'(ι Klemme K angelegte Anstcuerspannung an den aus den
Teilwiderstär.den Rbi\. Rat ■■■ Rbn\ H-?s Basis-Ableitwiderstandes
des ersten Avalanchetransistor aufbaut,
und da diese in;pulsförmige Ansteuerspannung eine endliche Anstiegszeit aufweist, wird der bestimmte, den
-»·"> Avalancheeffekt auslösende Amplitudenwert an der
Basis der Avalanchetransistoren Tn, T21... T„\ mit einer
fortschreitenden Ze:tverzögerung erreicht, die dem
Teilungsverhältnis der Teilwiderstände Rbu, Wwi ...Rbn\
proportional ist. Durch eine Änderung dieses Teilungs-
ii> Verhältnisses kann der Einsatzzeitpunkt des Avalancheeffektes
der einzelnen Zweige der Parallelschaltung eingestellt werden.
Mit dem Durchbruch des ersten Avalanchetransistors eines Zweiges ändern sich die Spannungsverhältnisse
iri am jeweils nächsten Avalanchetransistor der Serienschaltung
derart, daß auch dieser in den Durchbruch gesteuert wird. Somit bildet sich an dem Lastwiderstand
Wi ein Strom aus, der aufgrund des sich in extrem kurzer
Zeitfolge einstellende Seriendurchbruchs eines Zweiges
■»<> eine extrem steile Anstiegsflanke hat. Der sich
kurzzeitig später einstellende Seriendurchbrucli des zweiten bzw. des dritten und η-ten Zweiges gewährleistet,
daß der Strom durch den Lastwiderstand Wi über eine längere Zeit aufrecht erhalten werden kann, wobei
■ir>
die Anzahl der in den Zweigen in Serie geschalteten Avalanchetransistoren für die Größe des Amplitudenwertes
verantwortlich ist.
Die in den Fig.2 bis 4 dargestellten Diagramme
zeigen den Einfluß von Parameteränderungen bei der
'''i erfindungsgemäßen Impulsformerschaltung. In Fig. 2
ist ein Impuls dargestellt, wie er sich an dem Lastwiderstand W-, als Überlagerung aufgrund des
Stromes durch die verschiedenen Zweige der Parallelschaltung ausbildet. Für die schematische Darstellung in
r'r>
F i g. 2 wird davon ausgegangen, daß die Impulsformer· Schaltung 4 Zweige umfaßt, wobei der erste Zweig vier
Avalanchelransistoren und die zweiten, dritten und vierten Zweige jeweils nur einen Avalanchetransistor
umfassen. Die erste Amplitudenspitze des Impulsdaches
wi wird durch die Ariahl der Avalanchetransistoren im
ersten Zweiß bestimmt, wogegen die zweite, dritte und vierte Ämpiitudenspitze von dem jeweils einen Avalanchetransistor
des zweiten, dritten und vicr'.en Zweiges ausgelöst wird.
h"> In F i g. 3 ist eine Impulsform schematisch dargestellt,
wie sie sich bei eine/ Impulsformerschaltung mit vier Zweigen bei jeweils gleicher Anzahl von Avalanchetransistoren
in jedem Zweig ergibt. Mit dieser
Schallungsanordnung lassen sich extrem sieile Impulse
schaffen, die einen verhältnismäßig hohen mittleren Spannung*- bzw. Stroniwerl aufweisen. Die Wclligkcit
des Daches kann durch die Anzahl der Zweige einerseits, und durch eine geeignete Dimensionicrung
der Teilwiderstände Rm\, Rbit. #mi ··■ Rhn\ eingestellt
werden, wobei die Welligkeit umso kleiner wird, ic größer die Anzahl der Parallelzweige und je kleiner die
Verhältniswerte der Teilwiderstände des Basis-Ableitwiderstandes des ersten Avalanchetransistor Tw sind.
Durch ein Vergrößern der Verhältniswertc der Teilwiderständc
werden die Kinsalzpunkte für den Durehbruch
der einzelnen Zweige auseinandergeschoben. was sich in einer entsprechenden Verschiebung der Amplitudcnspitzen
bemerkbar macht, Kine solche Verschiebung ist in f·'i g. 3 dargestellt. Diese zeigt gleichzeitig, daß
damit auch die Welligkcit des Impulsdaches erhöhl wird. Unter Ausnutzung des Avalancheeffckts lassen sich
mil der Impulsformerschaltung gemäß der hrfindung .Spannungsanstiegsgeschwindigkeiten von mehr als 100
Volt/Nanosekundc erzielen, wobei bei einem geeigneten
mechanischen Aufbau Stromapstiegsgeschwindigkeiten
von mehr als 50 A/Nanosekunde für die Anwendung bei Glaslasern möglich sind. Bei geeigneter
Dimcnsionicrung der Schaltung lassen sich hothcncrpc
tische fünzclimpulsc mit einem Impulsabstand von wenigen NanoseHinden erzeugen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Schaltung zur Erzeugung steil ansteigender Spannungs- bzw. Stromimpulse unter Verwendung
von zumindest zwei in Serie zu einem Lastwiderstand parallelgeschalteten Zweigen aus Avalanchetransistoren,
dadurch gekennzeichnet,
— daß im ersten Zweig der Parallelschaltung eine Vielzahl von Avalanchetransistoren (Tw bis T]n)
in Serie geschaltet ist,
— und daß der jeweils erste Avalanchetransistor (Tu bis Tn]) des zweiten Zweigs und der
folgenden Zweige der Parallelschaltung mit einer Ansteuerspannung verzögert ansteuerbar sind.
2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
— daß die Ansteuerspannungen der Avalanchetransistoren (T2] bis Tn]) der zweiten und folgenden
Zweige der Parallelschaltung nacheinander von Serienabgriffen eines Basiswiderstandes (Ru\ bis
Rbn]) des vom Steuerimpuls beaufschiagien
ersten Avalanchetransistors fTii) abgreifbar sind.
3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
— daß im zweiten und in den folgenden Zweigen der Parallelschaltung jeweils eine Vielzahl von
Avalanchetransistoren in Serie geschaltet ist.
4. Schaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
— daß der zweite Zweig und die folgenden Zweige der Parallelschaltung eine abnehmende Anzahl
von in Serie geschalteter Av.n'anchetransistoren
umfassen.
5. Schaltung nach den Ansprachen 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet,
— daß der zweite Parallelzweig und die folgenden ParaJIelzweige aus jeweils nur einem Avalanchetransistor
bestehen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712162889 DE2162889C3 (de) | 1971-12-17 | 1971-12-17 | Schaltung zur Erzeugung steil ansteigender Spannungs- bzw. Stromimpulse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712162889 DE2162889C3 (de) | 1971-12-17 | 1971-12-17 | Schaltung zur Erzeugung steil ansteigender Spannungs- bzw. Stromimpulse |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2162889A1 DE2162889A1 (de) | 1973-06-20 |
DE2162889B2 DE2162889B2 (de) | 1980-11-20 |
DE2162889C3 true DE2162889C3 (de) | 1981-09-17 |
Family
ID=5828407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19712162889 Expired DE2162889C3 (de) | 1971-12-17 | 1971-12-17 | Schaltung zur Erzeugung steil ansteigender Spannungs- bzw. Stromimpulse |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2162889C3 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2213007B (en) * | 1978-11-25 | 1989-10-25 | Emi Ltd | Improvements in or relating to emission of pulsed energy |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1265202B (de) * | 1966-06-20 | 1968-04-04 | Siemens Ag | Schaltung mit einem Avalanche-Transistor zur Erzeugung von extrem kurzzeitigen Hochstromimpulsen |
-
1971
- 1971-12-17 DE DE19712162889 patent/DE2162889C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2162889B2 (de) | 1980-11-20 |
DE2162889A1 (de) | 1973-06-20 |
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Legal Events
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