DE2155026B2 - Schaltungsanordnung zur Schaltung eines Niederfrequenzkondensatormikrofons - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Schaltung eines NiederfrequenzkondensatormikrofonsInfo
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Description
dete Zeitkonstante gleich oder größer ist als die der gleich sein. Die Membran 7 liegt an Masse bzw. am
unteren Grenzfiequenz des Übertngungsbereiches Bezugspotential der Schaltung. Die Schallwelle ist
entsprechende Zeitkonstante. Bei Erfüllung dieser wieder mit 14 symbolisiert. Wenn diese entsprechend
Voraussetzung wird die Wandlerschaltung nach dem der Beschreibung zu F i g. 1 die Membranen 7 und 8
Prinzip der konstanten Ladung betrieben. 5 nach rechts auslenkt, wird die Kapazität 7.1 größer
Der Gegenstand der Erfindung wird an Hand von und die Kapazität 8.1 kleiner. Die mittlere Elek-Zeichnungen
erläutert. In den Zeichnungen zeigt trode 9 ist wieder über einen sehr hochohmigen
Fig.] die Zusammenschaltung eines symmetri- Widerstand 4 an die Gleichspannungsquelle gelegt,
sehen Wandlers mit einem unsymmetrischen Verstär- deren anderer Pol an Masse oder an einen anderen
kereingang, io zweckentsprechenden Punkt der Schaltung gelegt ist.
F i g. 2 eine Schaltungsanordnung mit einem abge- Die Bezeichnungen 5, 6, 6.1 entsprechen der Beänderten
symmetrischen Wandler, Schreibung zu Fig. 1. Durch Verkleinern der Kap a-Fig.
3 Schaltungsanordnung mit einem symmetri- zität des Mikrofons erhält der Feldeffekttransistor 6
sehen Wandler mit Elektretmembranen. auch in dieser Anordnung eine verdoppelte Steuerin
F i g. 1 wird das Grundprinzip der Schaltungs- 15 spannung, wodurch ebenfalls die Ersatzlautstärke des
anordnung dargestellt. In diesem Beispiel besteht der Mikrofons wesentlich verbessert wird. Die an Masse
Doppelwandler aus der Membran 1 als mittlere Elek- liegende Membran 7 bringt wieder die erforderliche
trode und zwei schalldurchlässigen Gegenelektro- statische Abschirmung des Wandlers,
den 2 und 3. Deren Schalldurchlaßöffnungen sind Die F i g. 3 zeigt eine Abwandlung des Schaltungsmit 2.1 und 3.1 bezeichnet. Die Kapazitäten 1.1 und so beispiels entsprechend der Fig.2 und der zugehöri-1.2 zwischen der Membran 1 und den Gegenelektro- gen Beschreibung. Die Membranen 7 und 8 sind den 2 und 3 sollen bei Schalldruck Null gleich oder Elektretmembranen, die in Richtung zur mittleren angenähert gleich sein. Eine mit dem Pfeil 14 symbo- Elektrode 9 jeweils die gleiche Polung der Elektretilisierte Schallwelle drückt z. B. die Membran 1 nach sierung aufweisen. Diese Elektretisierung 7.2 und 8.2 rechts. Die Kapazität 1.1 wird dabei verkleinert und 25 ersetzt die in dem Beispiel der Fig.2 genannte die Kapazität 1.2 vergrößert. Die Membran 1 liegt Gleichspannungsquelle zur Polarisierung der Memdabei über dem sehr hochohmigen Widerstand 4 an bran. Die mittlere Elektrode 9 ist in diesem Beispiel einer Gleichspannungsquelle, deren anderer Pol an völlig isoliert dargestellt. Sie kann ebenfalls über Masse oder an einen anderen zweckentsprechenden einen sehr hochohmigen Widerstand (gestrichelt einPunkt geschaltet ist. Durch die Vergrößerung der 30 gezeichnet) an das Bezugspotential gelegt werden; es Kapazität 1.2 wird dem Verstärkereingang, beispiels- genügt aber der Isolationswiderstand der mechaniweise dem Gate 6.1 des Feldeffekttransistors 6, eine sehen Halterung.
den 2 und 3. Deren Schalldurchlaßöffnungen sind Die F i g. 3 zeigt eine Abwandlung des Schaltungsmit 2.1 und 3.1 bezeichnet. Die Kapazitäten 1.1 und so beispiels entsprechend der Fig.2 und der zugehöri-1.2 zwischen der Membran 1 und den Gegenelektro- gen Beschreibung. Die Membranen 7 und 8 sind den 2 und 3 sollen bei Schalldruck Null gleich oder Elektretmembranen, die in Richtung zur mittleren angenähert gleich sein. Eine mit dem Pfeil 14 symbo- Elektrode 9 jeweils die gleiche Polung der Elektretilisierte Schallwelle drückt z. B. die Membran 1 nach sierung aufweisen. Diese Elektretisierung 7.2 und 8.2 rechts. Die Kapazität 1.1 wird dabei verkleinert und 25 ersetzt die in dem Beispiel der Fig.2 genannte die Kapazität 1.2 vergrößert. Die Membran 1 liegt Gleichspannungsquelle zur Polarisierung der Memdabei über dem sehr hochohmigen Widerstand 4 an bran. Die mittlere Elektrode 9 ist in diesem Beispiel einer Gleichspannungsquelle, deren anderer Pol an völlig isoliert dargestellt. Sie kann ebenfalls über Masse oder an einen anderen zweckentsprechenden einen sehr hochohmigen Widerstand (gestrichelt einPunkt geschaltet ist. Durch die Vergrößerung der 30 gezeichnet) an das Bezugspotential gelegt werden; es Kapazität 1.2 wird dem Verstärkereingang, beispiels- genügt aber der Isolationswiderstand der mechaniweise dem Gate 6.1 des Feldeffekttransistors 6, eine sehen Halterung.
gegenüber den bisher bekannten Schaltungsanord- Vorteilhafterweise kann auch die mittlere Eleknungen
doppelt so hohe Steuerspannung zugeführt, trode 9 mit einer zusätzlichen Elektretisierung verseda
die Kapazitäten des Doppelwandlers in Serie ge- 35 hen werden, deren Polung entgegengesetzt der nach
schaltet sind. In der deutschen Patentschrift 856 615 innen weisenden Pole der Elektretmembranen ist.
sind die Wandlerkapazitäten dagegen wechselstrom- Durch den Linsatz eines derart ausgebildeten Dopmäßig
parallel geschaltet. Durch die Serienschaltung pelwandlers in der erfindungsgemäßen Schaltungsander
Kapazitäten wird die Ersatzlautstärke des Mikro- Ordnung wird eine besonders hohe ErsatzlautstärVe
fons wesentlich verbessert. Zweckmäßig kann das 40 erzielt.
Gate 6.1 über einen sehr hochohmigen Widerstand S, Die Schaltungsanordnung gemäß der Erfindung
beispielsweise an Masse oder an einen anderen zweck- weist unter Beibehaltung der Vorteile des hochlineaentsprechenden
Punkt der Verstärkerschaltung ge- ren Doppelwandlers eine wesentlich verbesserte Erlegt
werden. Wird das Mikrofon z. B. so aufgebaut, satzlautstärke auf, da durch die Serienschaltung der
daß in der an Masse hegenden Gegenelektrode 2 die 45 Wandlerkapazitäten gegenüber den bekannten Schal-Schalleinlaßöffnungen
des Mikrofons angeordnet tungsanordnungen eine doppelt so hohe Steuerspansind.
so bildet diese Gegenelektrode die statische Ab- nung 111 dem nachgeschalteten Verstärkereingang
schirmung des Wandlers. auftritt. Ein weiterer Vorteil liegt im Einsatz eiufa-Die
F i g. 2 zeigt das Prinzip eines äquivalenten eher Verstärker mit unsymmetrischem Eingang und
Beispiels. In diesem Beispiel besteht der Doppel- 50 der Ableitung der Polarisationsvorspannung von
wandler aus einer sehr gut schalldurchlässigen mittle- einer mit einem Pol auf dem Bezugspotential liegenren
Elektrode 9 mit den Öffnungen 9.1. Die Kapazi- den Gleichspannungsquelle. Da die vordere Elektäten
7.1 und 8.1 zwischen den Membranen 7 bzw. 8, trode mit dem Bezugspotential (Masse) verbunden
den Gegenelektroden, und der mittleren Elektrode 9 ist, können in der Schaltungsanordnung einfach konsollen
bei Schalldruck Null gleich oder angenähert 55 struiertc Doppelwandler eingesetzt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung zur Schaltung eines frequenzverstärkereingang zu schalten.
Niederfrequenzkondensatonnikrofons hoher Li- 5 Die deutsche Patentschrift 856 615 sieht eine nearität mit einem aus einer mittleren Elektrode Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art und zwei beiderseits derselben angeordneten Ge- vor, bei der (vgl. zum Beispiel A b b. 3 und 5 dieser genelektroden gebildeten elektroakustischen Patentschrift) ein zwischen zwei Gegenelektroden Doppelwandler in den Eingangskreis eines dem von einer Gleichspannungsquelle erzeugtes elektri-Mikrofon nachgeschalteten Verstärkers mit auf io sches Feld von der schwingenden Membran, die bei ein Bezugspotential bezogenem unsymmetrischem kleinem Schalldruck in der Mitte des Feldes steht, Eingang, dadurch gekennzeichnet, »abgetastet« wird. Das elektrische Feld bildet dabei daß die eine Gegenelektrode des Wandlers an gewissermaßen zwei Zweige einer Brückenanordden Eingang des Verstärkers, die andere Gegen- nung. Die beiden anderen Zweige werden durch zwei elektrode an das Bezugspotential und die mittlere 15 gleiche Widerstände gebildet. Die Brücke wird von Elektrode über einen sehr hochohmigen Wider- der das elektrische Feld aufbauenden Spannung gestand auf ein Gleichspannungspotential gelegt ist, speist. Zwischen dem Symmetrierpunkt der Widerdessen Höhe durch die Art des Doppelwandlers stände und der Membran steht das Nutzsignal, wenn bestimmt ist. die Membran aus ihrer Mittelstellung ausgelenkt
Niederfrequenzkondensatonnikrofons hoher Li- 5 Die deutsche Patentschrift 856 615 sieht eine nearität mit einem aus einer mittleren Elektrode Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art und zwei beiderseits derselben angeordneten Ge- vor, bei der (vgl. zum Beispiel A b b. 3 und 5 dieser genelektroden gebildeten elektroakustischen Patentschrift) ein zwischen zwei Gegenelektroden Doppelwandler in den Eingangskreis eines dem von einer Gleichspannungsquelle erzeugtes elektri-Mikrofon nachgeschalteten Verstärkers mit auf io sches Feld von der schwingenden Membran, die bei ein Bezugspotential bezogenem unsymmetrischem kleinem Schalldruck in der Mitte des Feldes steht, Eingang, dadurch gekennzeichnet, »abgetastet« wird. Das elektrische Feld bildet dabei daß die eine Gegenelektrode des Wandlers an gewissermaßen zwei Zweige einer Brückenanordden Eingang des Verstärkers, die andere Gegen- nung. Die beiden anderen Zweige werden durch zwei elektrode an das Bezugspotential und die mittlere 15 gleiche Widerstände gebildet. Die Brücke wird von Elektrode über einen sehr hochohmigen Wider- der das elektrische Feld aufbauenden Spannung gestand auf ein Gleichspannungspotential gelegt ist, speist. Zwischen dem Symmetrierpunkt der Widerdessen Höhe durch die Art des Doppelwandlers stände und der Membran steht das Nutzsignal, wenn bestimmt ist. die Membran aus ihrer Mittelstellung ausgelenkt
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit 20 wird und damit die Symmetrie der Brücke gestört
einem Mikrofon mit einer Membran als mittlere wird. Der Nachteil dieser vorbekannten Schaltungs-Elektrode,
die zwischen zwei schalldurchlässigen anordnung besteht darin, daß die Batterie zur Spei-Gegenelektroden
angeordnet ist, dadurch gekenn- sung der Brücke ihren Bezugspunkt nicht in dem der
zeichnet, daß die Membran (1) an einen Pol einer sonstigen Schaltung hat. Die Brückenspeisespannung
Gleichspannungsquelle gelegt ist, deren anderer 25 kann somit nicht ohne weiteres aus der Betriebs-Pol
am Bezugspotential der Schaltung liegt spannung der Schaltung abgeleitet werden.
(Fig. 1). In der deutschen Offenlegungsschrift 1 937 857 ist
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit ein symmetrischer Wandler in einfacher Bauweise für
einem Mikrofon mit einer schalldurchlässigen den Einsatz in Hochfrequenzkondensator-Mikrofomittleren
Elektrode, die von zwei Membranen als 30 nen beschrieben. In dieser Schrift wird jedoch keine
Gegenelektroden eingeschlossen ist, dadurch ge- Anweisung gegeben, wie ein solcher Wandler in einer
kennzeichnet, daß -die schalldurchlässige mittlere Niederfrequenzschaltung eingesetzt werden könnte.
Elektrode (9) an einen Pol einer Gleichspan- In einer weiteren deutschen Offenlegungsschrift, nungsquelle gelegt ist, deren anderer Pol am Be- der deutschen Offenlegungsschrift 1 930 676, werden zugspotential der Schaltung liegt (F i g. 2). 35 Einzelheiten eines einem Schallempfänger nachge-
Elektrode (9) an einen Pol einer Gleichspan- In einer weiteren deutschen Offenlegungsschrift, nungsquelle gelegt ist, deren anderer Pol am Be- der deutschen Offenlegungsschrift 1 930 676, werden zugspotential der Schaltung liegt (F i g. 2). 35 Einzelheiten eines einem Schallempfänger nachge-
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 mit schalteten Verstärkers beschrieben. Diese Vereinem
Mikrofon mit einer schalldurchlässigen stärkerschaitung läßt jedoch nicht erkennen, wie ein
mittleren Elektrode, die von zwei Elektretmem- symmetrischer Wandler unter Beibehaltung des hobranen
als Gegenelektroden eingeschlossen ist, hen Linearitätsverhalten an einen solchen Verstärker
dadurch gekennzeichnet, daß die Elektretmem- 40 mit unsymmetrischem Eingang angekoppelt-werden
branen(7,8) auf ihren Innenseiten gleiche Po- kann. Auch der deutschen Auslegeschrift 1252 258,
lung der Elektretisierung aufweisen, und daß die ist keine Anweisung zu entnehmen, wie ein symmeschalldurchlässige
mittlere Elektrode (9) an das trischer Wandler beschaltet wird. Hier ist lediglich
Bezugspotential gelegt oder aber überhaupt nicht die Kombination eines kapazitiven Wandlers mit
an ein Potential angeschlossen ist (F i g. 3). 45 einem Halbleiterbauelement beschrieben, wobei
5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, da- dieses in integrierter Bauweise Bestandteil des kapazidurch
gekennzeichnet, daß die schalldurchlässige tiven Wandlers ist.
mittlere Elektrode (9) eine Elektretisierung auf- Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schaltungsan-
weist, deren Polung entgegengesetzt der Polung Ordnung für einen symmetrischen Wandler mit hoher
der Elektretmcmbranen ist. 50 Linearität anzugeben, wobei bei Anwendung eines
unsymmetrischen Verstärkers eine hohe Störfreiheit und eine Verbesserung der Ersatzlautstärke gegen-
über bekannten Schaltungsanordnungen erzielt werden. Die aus der deutschen Patentschrift 856 615 be-55
kannten und oben angeführten Nachteile sollen be-Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung seitigt werden.
zur Schaltung eines Niederfrequenzkondensatormi- Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch ge-
krofons hoher Linearität mit einem aus einer mittle- löst, daß die eine Gegenelektrode des Wandlers an
ren Elektrode und zwei beiderseits derselben an- den Eingang des Verstärkers, die andere Gegenelek-
geordneten Gegenelektroden gebildeten elektroaku- 60 trode an das Bezugspotential und die mittlere Elek-
stischen Doppelwandler in den Eingangskreis eines trode über einen sehr hochohmigen Widerstand auf
dem Mikrofon nachgeschalteten Verstärkers mit auf ein Gleichspannungspotential gelegt ist, dessen Höhe
ein Bezugspotential bezogenem unsymmetrischem durch die Art des Doppelwandlers bestimmt ist.
Eingang. Zweckmäßige Ausgestaltungen dieser Erfindung sind
Wandler symmetrischer Bauart habi.ii, bedingt 65 den Unteransprüchen zu entnehmen,
durch ihre Konstruktion, sehr geringe nichtlineare Der Widerstand muß bezüglich seines WiderVerzerrungen (Ar2). Sie sind z. B. durch die deutsche standswertes so hochohmig bemessen sein, daß die Patentschrift 856 615 bekanntgeworden. Trotz dieser aus der Wandlerkapazität und dem Widerstand gebil-
durch ihre Konstruktion, sehr geringe nichtlineare Der Widerstand muß bezüglich seines WiderVerzerrungen (Ar2). Sie sind z. B. durch die deutsche standswertes so hochohmig bemessen sein, daß die Patentschrift 856 615 bekanntgeworden. Trotz dieser aus der Wandlerkapazität und dem Widerstand gebil-
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712155026 DE2155026C3 (de) | 1971-11-05 | 1971-11-05 | Schaltungsanordnung zur Schaltung eines Niederfrequenzkondensatormikrofons |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE19712155026 DE2155026C3 (de) | 1971-11-05 | 1971-11-05 | Schaltungsanordnung zur Schaltung eines Niederfrequenzkondensatormikrofons |
Publications (3)
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---|---|
DE2155026A1 DE2155026A1 (de) | 1973-05-17 |
DE2155026B2 true DE2155026B2 (de) | 1973-11-08 |
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Family
ID=5824298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19712155026 Expired DE2155026C3 (de) | 1971-11-05 | 1971-11-05 | Schaltungsanordnung zur Schaltung eines Niederfrequenzkondensatormikrofons |
Country Status (1)
Country | Link |
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Families Citing this family (7)
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JPS55120300A (en) * | 1979-03-08 | 1980-09-16 | Sony Corp | Two-way electrostatic microphone |
AT366862B (de) * | 1980-07-28 | 1982-05-10 | Akg Akustische Kino Geraete | Elektroakustischer wandler nach dem zweiwegprinzip |
JPS57193198A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-27 | Toshiba Corp | Electrostatic microphone |
CH642504A5 (en) * | 1981-06-01 | 1984-04-13 | Asulab Sa | Hybrid electroacoustic transducer |
DE102009000053A1 (de) * | 2009-01-07 | 2010-07-08 | Robert Bosch Gmbh | Bauelement mit einer mikromechanischen Mikrofonstruktur |
EP2432249A1 (de) * | 2010-07-02 | 2012-03-21 | Knowles Electronics Asia PTE. Ltd. | Mikrofon |
US9516415B2 (en) | 2011-12-09 | 2016-12-06 | Epcos Ag | Double backplate MEMS microphone with a single-ended amplifier input port |
-
1971
- 1971-11-05 DE DE19712155026 patent/DE2155026C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2155026A1 (de) | 1973-05-17 |
DE2155026C3 (de) | 1974-05-30 |
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Legal Events
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |