DE2141188B2 - Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen - Google Patents
Vorrichtung für das tiegellose ZonenschmelzenInfo
- Publication number
- DE2141188B2 DE2141188B2 DE2141188A DE2141188A DE2141188B2 DE 2141188 B2 DE2141188 B2 DE 2141188B2 DE 2141188 A DE2141188 A DE 2141188A DE 2141188 A DE2141188 A DE 2141188A DE 2141188 B2 DE2141188 B2 DE 2141188B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- coaxial line
- capacitor
- rigid
- line
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 17
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 3
- 101000892301 Phomopsis amygdali Geranylgeranyl diphosphate synthase Proteins 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 18
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- -1 Polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/28—Tubular capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/02—Induction heating
- H05B6/22—Furnaces without an endless core
- H05B6/30—Arrangements for remelting or zone melting
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen eines Stabes aus Halbleitermaterial
entsprechend dem Oberbegriff des Patentanspruchs I.
Solche Vorrichtungen sind beispielsweise aus der DE-AS 1188 043 bzw. aus der DE-OS 14 44 530
bekannt. Sie v/eisen eine außerhalb des den Halbleiterstab und die ihn koaxial umgebende Induktionsheizspule
aufnehmenden Behandlungsgefäßes befindliche Hochfrequenzquelle auf, die entweder ortsfest oder — was
günstiger ist — parallel zur Achse des (dann ruhenden) Halbleiterstabes verschiebbar ist. Für die elektrische
Verbindung zwischen dem Hochfrequenzgenerator und der Induktionsheizspule ist dann nicht nur ein
Verbindungskabel, sondern auch eine elektrische Durchführung durch die Wand des Behandlungsgefäßes
notwendig, die vorteilhaft als koaxiale Durchführung, y>
ζ. B. nach der FR-PS 20 35 990, ausgebildet sein kann.
Die zwischen dem Hochfrequenzgenerator und dem Halbleiterstab wirksamen Schaltungsteile, nämlich das
Verbindungskabel und die Durchführungen sowie die Induktior.sheizspule, bedingen aufgrund ihres nicht wi
ausschließlich reellen Wechselstromwiderstandes, daß der durch die Wirkung des Feldes der Induktionsheizspule
in dem Halbleiterstab induzierte elektrische Strom sowohl eine Wirkkomponente als auch eine Blindkomponente
erhält. Durch das Vorhandensein der Blindkomponente wird aber der Wirkungsgrad der Heizung
vermindert, so daß man bestrebt ist. die Blindkomponente möglichst klein zu machen. Hierzu schaltet man
der Heizspule einen Kondensator parallel, so daß ein elektrischer Schwingkreis entsteht. Da nämlich die
Blindkomponenten in erster Linie vom Induktionsbelag der den Generator und die Heizspule verbindenden
Leitungen bedingt sind, wird durch eine solche Parallelkapazität der Blindwiderstand des Stromkreises
und damit auch der Blindanteil des in dem Halbleiterstab induzierten Heizstromes vermindert Die Ergänzung
der Heizspule zu einem Schwingkreis durch einen parallelgeschalteten Kondensator ist beispielsweise in
der GB-PS 11 44 907 beschrieben.
Nun ist aber im Interesse einer optimalen Leistungsübertragung
vom Hochfrequenzgenerator zur Induktionsheizspule vorteilhaft, wenn das Übertragungssystem
möglichst wenig Stoßstellen aufweist und der Schwingkreiskondensator an der Heizspule liegt
Aus diesen Gründen wird gemäß der Erfindung die im Patentanspruch 1 dargestellte Vorrichtung für das
tiegellose Zonenschmelzen eines Stabes aus Halbleitermaterial vorgeschlagen.
Weiterhin wird vorgeschlagen, daß sowohl die Induktionsheizspule als auch der Schwingkreiskondensator
parallel zur Achse des Halbleiterstabes und des Schwingkreiskondensators ausgebildet ist.
Eine der Erfindung entsprechende Apparatur ist in F i g. 1 und 2 dargestellt.
In einem beispielsweise aus Quarz bestehenden zylindrischen Behvndlungsgefäß 1 ist mittels Halterungen
2 und 3 der zonenzuschmelzende Halbleiterstab 4 vertikal angeordnet. Die Halterungen des z. B. aus
Silicium bestehenden Halbleiterstabes 4 sind in bekannter Weise ausgestaltet und axial gegeneinander
verschiebbar. Durch den Boden oder durch den Deckel des Behandlungsgefäßes ragt die zylindrische Halterung
5 für die Induktionsheizspule 6 in das Innere des Behandlungsgefäßes. Die Achse der zylindrischen
Halterung 5 ist parallel zur Achse des Halbleiterstabes 4 orientiert. Gemäß der Erfindung ist nun diese Halterung
5 entweder selbst als starrer Koaxialkondensator ausgebildet oder dieser ist im Inrjrn der Halterung 5,
sich koaxial und parallel zu dieser erstreckend, angeordnet. Die Halterung 5 wird in beiden Fällen an
der Durchführungsstelle 17 durch den Boden (oder den Deckel) des Behandlungsgefäßes 1 durch entsprechend
abgedichtete Führungen derart gehalten, daß eine reproduzierbare axiale Verschiebung der Halterung 5
an der Durchführungsstelle 17 möglich ist, ohne daß Außenluft in das Behandlungsgefäß gelangt.
Im einfachsten Falle ist also die Halterung 5 mit dem Schwingkreiskonc/ensator identisch und besteht dann
lediglich aus einem Innenleiter 7, einem rohrförmigen, massiven Kondensatordielektrikum 13 und einem
Außenleiter 8. Die beiden Leiter 7 und 8 können an ihren oberen (oder unteren) Enden direkt mit den Enden der
vorzugsweise einwindigen Induktionsheizspule 6 verbunden sein. Außerhalb des Behandlungsgefäßes 1
befindet sich die Anschlußstelle für die äußere Verbindungsleitung 9 zum Hochfrequenzgenerator 10,
die vorteilhafterweise als Koaxialkabel ausgestaltet ist. Im Gegensatz zu dem Schwingkreiskondensator 5 ist
jedoch die Zuleitung 9 biegsam und weist ein für die Kabelherstellung übliches Dielektrikum, insbesondere
Polyäthylen oder Polytetrafluorethylen, auf. Die bezogene Kapazität je Meier eines solchen handelsüblichen
Kabels liegt bei etwa 30 bis 100 pF.
Beim Zonenschmelzen von Halbleiterstäben, insbesondere von Siliciumstäbcn, wird im Interesse einer
optimalen Heizwirkung die Frequenz des von dem
Hochfrequenzgenerator 10 gelieferten Wechselstromes auf etwa 3 bis 4 MHz eingestellt Aufgrund der bei
üblichen Hochfrequenzleitungen 9 gegebenen Induktivität brauchte man zu einer wirksamen Unterdrückung
der Blindkomponenten der in dem zonenzuschmelzenden Halbleiterstab induzierten Ströme eine Schwingkreiskapazität
von mindestens 2OnF, insbesondere sogar von 30 bis 40 nF. Diese Kapazität soll realisiert
werden, ohne daß gleichzeitig die Induktivität eine weitere Erhöhung erfährt.
Wollte man zur Lösung dieser Aufgabe ein übliches koaxiales Kabel als Schwingkreiskapazität benutzen, so
brauchte man große Längen von diesem KabeL Dies würde aber zu gleicher Zeit eine beträchtliche Erhöhung
der Induktivität des Gesamtkreises und damit wiederum eine Vergrößerung der zu kompensierenden Blindkomponenten
des Heizstromes in dem Halbleiterstab bringen.
Hingegen kann man bei Verwendung eines massiven Kondensatordielektrikums mit einer relativen DK von
mindestens 10, insbesondere von mindestens 100 erreichen, daß die bezogene Kapazität einer solchen
Koaxialleitung um den gleichen Faktor ansteigt, während die bezogene Induktivität durch diese Maßnahme
nicht beeinflußt wird. Geeignet sind als Kondensatordielektrikum zum Beispiel Keramiken auf
der Basis von Titandioxid oder Magnesiumtitanat. Damit läßt sich ohne Schwierigkeiten die erforderliche
Schwingkreiskapazität mit einem induktionsarmen Koaxialkondensator 5 realisieren, dessen Länge nicht
oder nur wenig größer ist als die Mindestlänge der Stäbe, die für das Zonenschmelzen notwendig ist.
Der Koaxialkondensator 5 kann innerhalb mindestens eines weiteren Metallrohres 14 koaxial angeordnet
sein. Dieses Rohr kann dann den mechanischen Schutz des Kondensators übernehmen, da dann dieses
äußere Rohr gleitend in der Dichtung 7 bewegbar ist, während der eigentliche Kondensator in diesem Rohr
fest angeordnet ist. Eine weitere Ausgestaltung dieser Art kann entsprechend den Ausführungen der DE-OS
19 16 318 .rfolgen. Dort ist eine Vorrichtung zum induktiven tiegellosen Zonenschmelzen von Stäben mit
einer in einem abgeschlossenen Behandlungsgefäß angeordneten, zur Erzeugung und Beheizung der
Schmelzzone in den zu behandelnden Stäben dienenden Induktionsspule beschrieben, die über eine elektrische
Zuleitung mit einer außerhalb des Behandlungsgefäßes anzuordnenden Energiequelle verbunden ist und bei der
der durch die Wand des Behandlungsgefäßes geführte Teil der elektrischen Zuleitung aus mehreren koaxial
zueinander angeordne.en, rohrförmigen Einzelleitern besteht und bei der schließlich die rohrförmigen
Einzelleiter in zwei Gruppen derart aufgeteilt sind, daß jede Gruppe aus zueinander parallelgeschaheten
Einzelleitern besteht und daß jeder Einzelleiter nur zu Einzelleitern der anderen Gruppe benachbart ist.
Vorzugsweise der äußerste dieser rohrförmigen Leiter bildet dann mit dem ihm zunächst liegenden Leiter den
Schwingkreiskondensator, der innerhalb der anderen rohrförmigen Leiter koaxial durch entsprechende
Mittel, zum Beispiel auch mittels eines massiven Dielektrikums mit hoher DK, befestigt ist. Durch eine
solche Parallelschaltung der Kapazitäten und damit auch der Induktivitäten wird die Induktivität des
Gesamtkreises weiter vermindert und die Kapazität weiter erhöht, so daO eine weitere Ausgestaltung im
Sinne der Lösung der von der Erfindung behandelten Aufgabe erreicht ist.
Bei der in Fig.2 dargestellten, besonders günstigen
Ausführungsform der Halterung 5 für die Heizspule 6 ist der eigentliche Schwingkreiskondensator im Innern
eines weiteren zylindrischen Metallrohres 14 — und zwar konzentrisch zu diesem — befestigt. Der
Schwingkreiskondensator ist dabei durch ein keramisches Rohr 13 mit einer großen Dielektrizitätskonstante,
sowie einer Metallisierung 7 an der Innenwand dieses Rohres als Kondensator-Innenleiter und einer hiervon
ίο isolierten Metallisierung 8 an der Außenwand des Keramikrohres 13 als Kondensator-Außenleiter gebildet
Das diesen Kondensator umgebende Metallrohr 14 ist zugleich als Behälter für ein strömendes Kühlmittel
15, zum Beispiel Kühlwasser, ausgebildet. Zu diesem Zweck ist das Rohr 14 an seinem oberen und unteren
Ende mit Ausnahme von Zuführungen und Abführungen für das Kühlmittel abgeschlossen. Dieser Behälter wird,
wie aus der F i g. 2 ersichtlich, in seiner gesamten Länge von dem Körper des eigentlichen Schwingkreiskondensators
derart durchsetzt daß der Innenraum dieses Behälters aus zwei konzentrischen, durch den Kondensator
voneinander getrennten kjmmern besteht Die eine dieser Kammern befindet sicn im Innern des
rohrförmigen Kondensatorkörpers, während die andere Kammer außen von dem Rohr 14 und innen -'on dem
rohrförmigen Kondensatorkörper begrenzt wird. Beide Kammern sind mit je zwei Anschlußstutzen für das
Kühlmittel 15 versehen. Beispielsweise gelangt das Kühlmittel über den unteren Endverschluß 12 der
Halterung 5 für die Induktionsheizspule 6 in die innere Kammer, strömt von dort über den oberen, die
Induktionsspule 6 tragenden Endverschluß 11 in die als
gewundenes Metallrohr ausgestaltete Induktionsspule 6 und fließt dann nach dem Durchströmen der Induktionsspule
6 über die äußere Kammer der Anordnung 5 ab.
Die Anordnung ist außerdem so getroffen, daß das Keramikrohr 13 des Kondensatorkörpers die beiden
Teile der metallischen Endverschlüsse 11 und 12 ebenso wie die Innen- und Außenleiter 7 und 8 des
Kondensators elektrisch gegeneinander isoliert. Die Kontaktierung der Beläge 7 und 8 des Kondensatorkörr?rs
erfolgt, wie bereits festgestellt, über das Kabel 9, das elektrisch über den äußeren Teil des unteren
Endverschlusses 12 den Außenleiter und über den •»j inneren Teil des Endverschlusses 12 den Innenleiter des
Kondensators kontaktiert. Der Innenieiter 7 stellt dann die elektrische Verbindung zum inneren Teil des
Endverschlusses 11 und damit zu der einen Anschlußstelle der Induktionsspule 6 dar, während die elektrische
in Verbindung der anderen Anschlußstelle der Induktionsspule
6 über den Außenleiter 8 des Kondensators und gegebenenfalls dem metallischen Außenleiter 14 sowie
dem äußeren Teil des oberen Endvcrschlusses 11 geleitet wird.
Die Bestandteile der Endverschlüsse 11 und 12
können sowohl mit dem Kondensatorkbrper als auch mit dem Rohr 14, der Induktionsspule 6 und den Enden
des Anschlußkabels 9 durch Weichlöten verbunden sein. Außerdem können die Endverschlüsse, insbesondere
ι·" der Endversch!i_3 11, zusätzlich mit einer Schutzschicht
aus hitzebeständigem Material, zum Beispiel Siliconkautschuk oder Polytetrafluorethylen, versiegelt sein.
Die Schutzschicht ist in der Figur nich: dargestellt. Der Kondensator-Innenleiter 7 und der Kondensator-Außenleiter
8 können beispielsweise aus in die Oberfläche des Kcramikrohres 13 eingebranntem Silber
bestehen.
Einzelheiten über die Dichtung 17. durch die der
Träger 5 der Induktionsspule hindurchgefülirl und in
welcher er axial verschiebbar ist, sind in der Zeichnung nicht dargestellt. Der Vollständigkeit halber soll
erwähnt werden, daß diese Dichtung beispielsweise aus mehreren, in einem Stapel angeordneten und mit der
Wand des BehandlungsgefäBes 1 dichtverbundenen ringförmigen Dichtungslippen bestehen kann, wobei die
/wischenräume benachbarter Dichtungslippen mit einem geeigneten, möglichst wenig flüchtigen und
thermisch beständigem, flüssigen Dichtungsmittel gefüllt sein können.
Es besteht ohne weiteres die Möglichkeit, zwei oder mehrere parallelgeschaltcte Schwingkreiskondensatoren
innerhalb des Rohres 14 unterzubringen. In diesem Falle ist dann eine konzentrische oder eine exzentrische
Anordnung beider Kondensatoren möglich. Die Erfahrung hat jedoch gezeigt, daß die mit einem Koaxialkondensator
von 20 bis 30 cm Länge erzielbare Kapazität durchaus ausreicht, um die Blindkomponenten des in
dem Halbleiterstab 4 induzierten Heizstromes wirksam auszugleichen und die effektive Heizwirkung beträchtlich
zu erhöhen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen eines Stabes aus Halbleitermaterial mit einer koaxial
zum Halbleiterstab angeordneten, einwindigen Induktjonsheizspule,
die an eine abgedichtet durch die Wand des Behandlungsgefäßes geführte, starre, koaxiale Leitung befestigt ist, und wobei die eine der
beiden elektrischen Anschlußstellen mit dem Innenleiter, die andere mit dem Außenleiter der starren
koaxialen Leitung verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß die auf die Längeneinheit
bezogene Kapazität der starren koaxialen Leitung (5) mindestens 20-mal so groß ist, wie die auf
dieselbe Längeneinheit bezogene Kapazität der die weitere Verbindung zum Hochfrequenzgenerator
(10) bildenden Hochfrequenzleitung (9).
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Dielektrizitätskonstante (DK) des massiven Dielektrikums des durch die starre
koaxiale Leitung (5) gegebenen Schwingkreiskondensators mindestens 10-mal größer als die DK der
Isolation der Hochfrequenzleitung (9) ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum der starren
koaxialen Leitung (5) aus Keramik mit hoher DK besteht
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dß die starre koaxiale Leitung (5)
aus einem Rohr (13) aus einem Isoliermaterial mit hoher DK besteht, an dessen Innenwand und dessen
Außenwand die beiden Leiter (7, 8) der Koaxialleitung in Form zweier gegeneinander isolierter
Metallisierungen (7, &)aufgebracht sind.
35
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2141188A DE2141188C3 (de) | 1971-08-17 | 1971-08-17 | Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen |
NL7208496A NL7208496A (de) | 1971-08-17 | 1972-06-21 | |
GB3247372A GB1349106A (en) | 1971-08-17 | 1972-07-12 | Apparatus for the non-crucible zone melting of semiconductor rods |
JP7824672A JPS5522439B2 (de) | 1971-08-17 | 1972-08-04 | |
IT28016/72A IT963844B (it) | 1971-08-17 | 1972-08-09 | Dispositivo per la fusione a zone senza crogiuolo |
US00279482A US3769484A (en) | 1971-08-17 | 1972-08-10 | Apparatus and method for floating-zone melting of a semiconductor rod |
FR7229313A FR2149483B1 (de) | 1971-08-17 | 1972-08-16 | |
BE787668A BE787668A (fr) | 1971-08-17 | 1972-08-17 | Dispositif de fusion par zones sans creuset |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2141188A DE2141188C3 (de) | 1971-08-17 | 1971-08-17 | Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2141188A1 DE2141188A1 (de) | 1973-02-22 |
DE2141188B2 true DE2141188B2 (de) | 1979-01-11 |
DE2141188C3 DE2141188C3 (de) | 1979-09-13 |
Family
ID=5816983
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2141188A Expired DE2141188C3 (de) | 1971-08-17 | 1971-08-17 | Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3769484A (de) |
JP (1) | JPS5522439B2 (de) |
BE (1) | BE787668A (de) |
DE (1) | DE2141188C3 (de) |
FR (1) | FR2149483B1 (de) |
GB (1) | GB1349106A (de) |
IT (1) | IT963844B (de) |
NL (1) | NL7208496A (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2425468C3 (de) * | 1974-05-27 | 1979-01-04 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen eines kristallisierbaren Stabes |
DE2538812A1 (de) * | 1975-09-01 | 1977-03-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum dotieren von halbleiterstaeben |
JPS5290543A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-29 | Iwao Hishida | Granular compositions of waxes |
DE2700856A1 (de) * | 1977-01-11 | 1978-07-13 | Raphael Dr Leonhardt | Vorrichtung zum zuechten von kristallen oder fuer dgl. verfahren |
JPS6114114U (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-27 | マツダ株式会社 | モ−ル取付用クリツプ |
JP2503077B2 (ja) * | 1989-07-05 | 1996-06-05 | 日本碍子株式会社 | 電気ヒ―タ及びそれを用いた加熱方法 |
US20130112134A1 (en) * | 2009-02-23 | 2013-05-09 | Giga Industries, Inc. | Method and Systems for Characterization and Production of High Quality Silicon |
EP3057184B1 (de) * | 2015-02-11 | 2017-01-25 | MD Elektronik GmbH | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Kabels sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes Kabel |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1076623B (de) * | 1957-11-15 | 1960-03-03 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabfoermigem Halbleitermaterial |
US3339130A (en) * | 1964-07-02 | 1967-08-29 | Gen Motors Corp | Capacitor means |
US3484679A (en) * | 1966-10-03 | 1969-12-16 | North American Rockwell | Electrical apparatus for changing the effective capacitance of a cable |
DE1916317C3 (de) * | 1969-03-29 | 1975-07-24 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Stromzuführung für eine Induktionsspule beim tiegelfreien Zonenschmelzen |
-
1971
- 1971-08-17 DE DE2141188A patent/DE2141188C3/de not_active Expired
-
1972
- 1972-06-21 NL NL7208496A patent/NL7208496A/xx unknown
- 1972-07-12 GB GB3247372A patent/GB1349106A/en not_active Expired
- 1972-08-04 JP JP7824672A patent/JPS5522439B2/ja not_active Expired
- 1972-08-09 IT IT28016/72A patent/IT963844B/it active
- 1972-08-10 US US00279482A patent/US3769484A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-08-16 FR FR7229313A patent/FR2149483B1/fr not_active Expired
- 1972-08-17 BE BE787668A patent/BE787668A/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL7208496A (de) | 1973-02-20 |
DE2141188A1 (de) | 1973-02-22 |
FR2149483B1 (de) | 1976-01-23 |
DE2141188C3 (de) | 1979-09-13 |
JPS4829607A (de) | 1973-04-19 |
FR2149483A1 (de) | 1973-03-30 |
US3769484A (en) | 1973-10-30 |
IT963844B (it) | 1974-01-21 |
GB1349106A (en) | 1974-03-27 |
BE787668A (fr) | 1972-12-18 |
JPS5522439B2 (de) | 1980-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2200489C3 (de) | Induktorvorrichtung für die Hochfrequenz-Induktionserhitzung von Werkstücken | |
DE2127193A1 (de) | Ankopplungseinheit zum Ankoppeln von Tragerfrequenzhochspannungsleitungen an Nachrichtengeraten oder Kabel | |
DE2157125C3 (de) | Stromzuführung für elektrische Einrichtungen mit auf Tieftemperatur gekühlten Leitern | |
DE2021066A1 (de) | Gekapselte gasisolierte Hochspannungsleitung | |
DE2141188C3 (de) | Vorrichtung für das tiegellose Zonenschmelzen | |
EP2620958B1 (de) | Abschirmvorrichtung für ein elektrisch leitfähiges Verbindungselement | |
DE2331004C3 (de) | Induktionsheizspule zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE2425468C3 (de) | Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen eines kristallisierbaren Stabes | |
DE1916318C3 (de) | Stromdurchführung für eine Vorrichtung zum Zonenschmelzen | |
DE3143146A1 (de) | Als flachspule ausgebildete induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen | |
DE1913881B2 (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE3133999C2 (de) | Gasisolierte Kondensator-Durchführung mit Leiterkühlung | |
DE3229461A1 (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines, insbesondere aus silicium bestehenden halbleiterstabes | |
DE1916317C3 (de) | Stromzuführung für eine Induktionsspule beim tiegelfreien Zonenschmelzen | |
DE19607217B4 (de) | Drehbare Stromverbindung | |
DE962904C (de) | Durchfuehrung fuer grosse Stromstaerken, insbesondere fuer Elektrooefen | |
DE621466C (de) | Verfahren zum Erwaermen von elektrisch leitenden Draehten im Durchzugsverfahren mittels Wechselstrom oder Hochfrequenzstrom | |
DE2257087C3 (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterstabes | |
DE738408C (de) | Abstimmbarer Schwingungskreis fuer sehr hohe Frequenzen | |
DE19843087A1 (de) | Induktor zur Erzeugung eines elektromagnetischen Wechselfeldes | |
DE3143207A1 (de) | Als flachspule ausgebildete induktionsspule zum tiegelfreien zonenschmelzen | |
DE758361C (de) | Schirmgitterroehre fuer ultrahohe Frequenzen und hohe Leistungen | |
DE462369C (de) | Einrichtung zum Betriebe von Roentgenroehren mit Hochfrequenztransformator | |
DE2329217C3 (de) | End Verschluß für ein elektrisches Hochspannungskabel | |
DE380192C (de) | Stromwandler fuer Hochspannung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |