DE2133863B2 - Vorrichtung zum abscheiden von halbleitermaterial aus der gasphase an der oberflaeche eines erhitzten halbleiterstabes - Google Patents
Vorrichtung zum abscheiden von halbleitermaterial aus der gasphase an der oberflaeche eines erhitzten halbleiterstabesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial aus der Gasphase an der
Oberfläche eines erhitzten Halbleiterstabes, der in Serie mit einer eine periodische Wechselspannung U(t)
liefernden Heizspannungsquelle und einem durch eine Hilfsspannung V(t) zu steuernden und bei iedem
HJulldurchgang der von der Heizspannungsquelle
gelieferten Wechselspannung U(t) in den Sperrzustand fcergehenden elektronischen Schalter zu einem Heizitromkreis zusammengefaßt ist.
Bei der Projektierung einer Vorrichtung zum elektrischen Beheizen eines sich gleichzeitig infolge
eines Abscheidungsprozesses aus der Gasphase verdikkenden Halbleiterstabes, insbesondere Siliziumstabes,
ist vor allem zu berücksichtigen, daß der Halbleitersiab
eine fallende Temperatur-Widerstandscharakteristik und eine fallende Strom-Spannungscharakteristik aufweist und sich außerdem der Gesamtwiderstand des
Stabes infolge seines Dickenwachstums sukzessive verkleinert. Thermisch gesehen steht während des
Abscheidevorgangs der Halbieiterstab mit seiner Umgebung in stationärem Gleichgewicht. Im Stab wird
genau so viel Wärme entwickelt als von ihm an die Umgebung abgegeben wird. Dieses stationäre Gleichgewicht ändert sich nun mit wachsendem 3tabdurchmesser derart, daß auch die zur Erzielung des
Stationären Wärmehaushalts erforderliche Leistung allmählich gesteigert werden muß. Infoige der fallenden
Strom-Spannungscharakteristik des Halbleiterstabs ist jedoch dabei darauf zu achten, daß die Wärmeentwick
lung im Stab nicht der Wärmeableitung davonläuft. Bekanntlich geschieht dies durch eine Stabilisierung des
Heizstromkreises, z. B. durch Anwendung einer sogenannten eingeprägten Heizsiromquelle.
Zur Erzielung einer konstanten Temperatur des sich
verdickenden Halbleiterstabs muß man also Jie
Leistungsentwicklung und die Abkühlung so miteinan der ins Gleichgewicht bringen, daß sich genau die
gewünschte Stabtemperatur ergibt. Da nun bei festgehaltenem die Wärmeabgabe an die Umgebung nur noch
von der Oberfläche des Siliziumstabes bestimmt wird, muß die Leistungszufuhr dem jeweiligen Ist-Durchmesser
d des Stabes angepaßt werden. Da sich aber die Abscheidung verhältnismäßig langsam vollzieht und
dementsprechend der Halbleiterstab nur langsam dicker wird, ist es wünschenswert, eine auf den augenblickli chen Stabdurchmesser ansprechende Regelung der
Temperatur des Stabes zur Verfugung zu haben. Es muß also die Leistungszufuhr auf einen Leistungswcrl
geregelt werden, der im Laufe des Verfahrens eine allmähliche Erhöhung erfährt.
Bekannte Lösungen sind in den beiden deutschen Auslegeschriften 12 21 612 und 11 84 733 beschrieben.
Bei einer Vorrichtung zum Konstanthalten der Temperatur eines Trägers, auf dessen Oberfläche reinstes
Halbleitermaterial durch thermische Zersetzung einer s° chemischen Verbindung des Halbleiters abgeschieden
wird, wobei der Träger, der vorzugsweise aus dem abzuscheidenden Material besteht, durch direkten
Stromdurchgang beheizt und in Abhängigkeit von der Temperatur des Trägers geregelt wird, ist vorgesehen,
daß ein Pyrometer die Temperatur des Trägers als Istwert erfaßt und ein Regelkreis so geschaltet ist, daß
die Regelung des Stromes durch einen aus dem Vergleich des Istwertes mit einem Sollwert erhaltenen
Wert erfolgt. Vorzugsweise ist dabei vorgesehen, daß <« der Regelkreis den jeweils eingestellten Speisestrom
unabhängig von äußeren Störeinflüssen auf einem konstanten Wert hält.
Die in der DT-AS 11 84 733 beschriebene Anordnung
zur Stromversorgung eines zu beheizenden Trägers (>_s einer Anlage zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials durch Abscheidung aus der Gasphase entspricht
Her eineranes gegebenen Definition, ohne daß nähere Einzelheiten über die Regelung des Heizstroms beschrieben sind.
Eine aus der US-PS 34 96 339 bekannte Vorrichtung zum Beheizen eines Körpers mi· temperaturabhängigem elektrischem Widerstand sieht neben dem in Reihe
mit der Heizwechselspannung und dem von dieser unmittelbar zu beaufschlagenden Körper einen durch
eine Hilfsspannung zu steuernden elektronischen Schalter vor, bei der der Körper i:ur Erzeugung der
Hilfsspannung parallel zu einer ersten Induktionsspule und in Serie zu einer zweiten Induktionsspule gelegt ist.
die die Primärseite eines Transformators bilden, und dessen Sekundärseite über einen Trmperaturkontroll-
verstärker die zur Beaufschlagung der elektronischen Schalter erforderliche Hilfsspannung liefert. Das hier
verwendete Verfahren sieht die Erzeugung eines Phasenwinkels zwischen den in den beiden Induktionsspulen der Primärseite fließenden Strömen vor,
dergestalt, daß sich der Einfluß der beiden Primärspulen
auf die Sekundärseite gerade no'üralisien. wenn der
Heizstrom seinen Sollwert hat.
Die aus der US-PS 34 96 339 bekannte Anordnung
gehört zu den sogenannten Phasenanschniusieuerungcn,
da sie während jeder Halbwelle des Heizstroms über die elektronischen Schalter den Heizstrom neu
einschalten. Weitere Vorrichtungen dieser Art sind für "ieleuchtungszwecke aus der Literaturstelle »Silicon
Controlled Rectifier Manual«. 4. Auflage (1%7). S. 198. 199,205 - 207, sowie aus der US- I1S 35 25 01 5 bekannt.
Die fallende Strom-Spannungscharaktcrisiik eines
Halbleiterstabes, der sich zudem infolge des Abschei- dungsvorganges laufend verdickt und außerdem auf
eine Temperatur gehalten ist, bei der ein Nachlassen der Kontrolle mit einer momentanen Steigerung der
Temperatur bis zum Durchschmelzen des Halbleitersia- bes beantwortet wird, sind jedoch die bekannten
Vorrichtungen nicht mehr ausreichend.
Es ist deshalb die Aufgabe der Erfindung, eine äußerst
rasch und sicher wirkende Regelung des den /u beheizenden Halbleiterstab, insbesondere Siliziumslab.
durchfließenden elektrischen Stroms sicherzustellen.
Die Erfindung sieht deshalb vor daß zur Erzeugung der den elektronischen Schalter steuernden Hilfsspannung
V(t) der Heizstromkreis mit einem - Gleichrichiereigenschaften
aufweisenden und seinerseits ein glättendes Vicrpolglied beaufschlagenden - /weilen
Stromkreis gekoppelt ist. daß ferner die von dem glättenden Vierpolglied gelieferte Gleichspannung mit
der von einem Sollwertgeber gelieferten Vergleichs- Gleichspannung im Sinne einer Differenzbildung
überlagert ist, daß außerdem die aus dieser Differenzbildung resultierende Spannungsdifferenz zur Steuerung
eines die zu erzeugende Hilfsspannung V(i) liefernden
Generators verwendet und dieser Generator derart beschaffen ist, daß der elektronische Sehalter zwischen
je zwei Nulldurchgängen der Wechselspannung U(t) nach Maßgabe der den Generator steuernden Span
nungsdifferenz wieder eingeschaltet wird, und daß
schließlich das als Tiefpaß ausgebildete glättende V-"rpolglied mindestens die C]rundwelle der Heizwechsclspannung
IJ(t) sowie mindestens die erste und die zweite Oberwelle dieser Spannung sperrt.
Die Regelung selbst erfolgt über eine Hilfs-Gleich-
spannung G. Dieser Weg wird deshalb bei der Anordnung beschriften, weil diese Gleichspannung als
eine Wertung der dem Siliziumstab zugeführten Heizleistung betrachtet werden kann. Dabei ergibt sich.
daß diese Gleichspannung C proportional dem
Heizstrom ist. Es kommt also darauf an, zu erreichen, daß die Spannung G möglichst rasch den Änderungen
des Heizstroms folgt.
Andererseits soll die Gleichspannung G möglichst keine Welligkeit aufweisen, da sonst eine Differenzbildung
mit dem Sollwert Go zu einer flukturierenden, den Impulsgenerator steuernden Differenzspannung Δ führen
würde. Dann wäre aber auch ein exakter Einsatzpunkt der den elektronischen Schalter im
Heizstromkreis steuernden Impulse nicht erzielbar.
Die Gleichspannung G wird direkt vom Heizstromkreis abgeleitet. Die Laufzeit auf ihrem Weg soll
möglichst klein, also das Übertragungsmaß auf diesem Weg möglichst groß werden. Man erkennt an Hand der
in F i g. 1 dargestellten und noch zu beschreibenden Vorrichtung, daß der gleichrichtende Kreis II sowie die
Kreise 111 und IV kaum eine Verzögerung hervorrufen,
sondern daß eine der Forderung auf ein momentanes Ansprechen des Regelkreises auf eine Heizstromänderung
entgegenwirkende Verzögerung ausschließlich durch das glättende Glied 7 vermittelt wird. Aus diesem
Grund und im Interesse der Vermeidung einer merklichen Welligkeit von G empfiehlt sich statt eines
oder mehrerer /?C-Gliedcr als glättende Vierpole, die bei der Besprechung von F i g. 2 beschriebene versteilerte
Siebschaltung zu verwenden.
Auch der Impulsgenerator IV. also die Teile 10 und 11, sollen möglichst rasch auf Änderungen von G
ansprechen. Die Zeitkonstante solcher Generatoren ist jedoch im Gegensatz zu den notwendig aus Vierpolketten
aufgebauten Glättungsgliedern stets vernachlässigbar klein. Unter den genannten Voraussetzungen wird
eine so schnelle Regelung des Heizstroms erzielt, daß ein Zusammenwirken zwischen der Zeitkonstanten des
Regelkreises und der fallenden UI-Charakteristik des
Siliziumstabs und damit ein Abgleiten in den instabilen Zustand vermieden wird.
Die im folgenden beschriebene Anordnung führt jedoch dazu, daß das erhaltene G dem Mittelwert des
Stroms über die halbe Periode der Spannungsquelle 2, aber nicht dem effektiven Wert des Heizstroms
proportional wird. Wie man an der zuständigen Definition
Tl
für den Mittelwert und
für den Effektivwert und dem daraus resultierendem Verhältnis
erkennt wächst Im bei steigendem Ibt und damit bei
steigender Heizleistung an. Es ist also eine Regelung nach Im durchaus erfolgreich. Die Tatsache, daß die
Spannung G bei der an Hand von F i g. 2 beschriebenen Vorrichtung proportional zu Im und nicht zu Im wird,
folgt auf Grund der Fourier-Darstellung der gleichgerichteten Spannung im Stromkreis II.
Es ist deshalb bei der eingangs definierten Vorrichtung vorgesehen, daß der Heizstrom l(t) über einen
insbesondere induktiv an den Heizstromkreis gekoppelten zweiten Stromkreis mit Gleichrichtereigenschaften
.s auf ein glättendes Vierpolglied arbeitet und daß die
Differenz Δ = Go-G der am Ausgang des Vierpols
erhaltenen Gleichspannung G mit ihrem Sollwert Go zur Steuerung eines Generators für die Hilfsspannung V(t)
derart dient, daß die Hilfsspannung V(t) um so früher ι ο eingeschaltet wird, je größer die Differenz Δ ist.
Ein Beispiel für eine Vorrichtung gemäß der Erfindung wird an Hand der Fig. 1 bis 4 näher
beschrieben.
Die in F i g. 1 als Schaltschema dargestellte Vorrich-
is tung besteht aus dem Heizstromkreis I, den zur Erzeugung der Gleichspannungsdifferenz Δ dienenden
Stromkreisen Il und III sowie dem zur Erzeugung der Hilfsspannung Verdienenden Kreis IV.
Der Heizstromkreis I setzt sich zusammen aus einer Wechse'spannungsquelle 2, dem elektronischen Schalter
3, der Primärwicklung eines Stromwandlers 4 und dem zu erhitzenden Halbleiterstab 1 einschließlich der
erforderlichen leitenden Verbindungen. Die Wechselspannungsquelle 2 wird bevorzugt von der Sekundärwicklung
eines an Netzspannung (f — 50 Hz) liegenden Transformators gebildet; sie liefert unmittelbar den
Heizstrom fürd^n Siliziumstab 1.
Der elektronische Schalter 3 besitzt neben den den Heizstrom führenden Zuleitungen eine Steuer- oder
Zündelektrode und wird beispielsweise durch eine Thyratronröhre oder durch einen elektronischen Halbleiterschalter,
insbesondere Thyristor, Triac oder Schalttransistor realisiert. Es ist so bemessen, daß der
Heizstrom bei Abwesenheit einer Steuerspannung V(t) gesperrt wird Wird der Schalter 3 gezündet, so
blockiert er bei dem folgenden Nulldurchgang der Betriebsspannung automatisch den von der Stromquelle
2 gelieferten Heizstrom. Er muß also, um wieder durchlässig zu werden, erneut gezündet werden. Diese
Aufgabe hat die Hilfsspannung V(t).
Die Verbindung zwischen dem Heizstromkreis I und dem zur Erzeugung der Gleichspannung G dienenden
Stromkreis II wird bevorzugt durch einen Stromwandler 4 gebildet, dessen - nur wenige Windungen
aufweisende — Primärwicklung im Heizkreis I liegt. während die Sekundärseite mit hoher Windungszahl
Bestandteil des Stromkreises 11 ist.
Mit Hilfe des Gleichrichters 5 und des Widerstands 6 wird aus der an der Sekundärseite des Wandlers A
induzierten Wechselspannung eine pulsierende Gleich spannung erzeugt, die mittels eines Vierpols 7 geglättei
wird. Am Ausgang des Vierpols erscheint die Gleichspannung G.
Unter der Voraussetzung, daß der Heizstrom in derr Kreis I seinen Sollwert hat, erhält die Gleichspannung C einen Wert, welcher mit der Sollspannung Go die Differenzspannung Δ bildet durch welche der elektroni sehe Schalter 3 über den Impulsgenerator 11 in Sollzeitpunkt in Durchlaßrichtung geschaltet wird. De; Wert Go wird aber für die Regelung konstant in einen weiteren Stromkreis 111 produziert (Sollwert). Diese Stromkreis IH besteht beispielsweise aus einen Potentiometer 8 und einer Spannungsquelle 9. Beidi Spannungen G und Go werden an den Eingang eine Gleichstromverstärkers 10 derart gelegt daß diese Verstärker von der Differenz Δ = Go— G bzw. einer z Δ proportionalen Gleichspannung Φ betrieben wire Eine entsprechende Spannung erscheint dann ar
Unter der Voraussetzung, daß der Heizstrom in derr Kreis I seinen Sollwert hat, erhält die Gleichspannung C einen Wert, welcher mit der Sollspannung Go die Differenzspannung Δ bildet durch welche der elektroni sehe Schalter 3 über den Impulsgenerator 11 in Sollzeitpunkt in Durchlaßrichtung geschaltet wird. De; Wert Go wird aber für die Regelung konstant in einen weiteren Stromkreis 111 produziert (Sollwert). Diese Stromkreis IH besteht beispielsweise aus einen Potentiometer 8 und einer Spannungsquelle 9. Beidi Spannungen G und Go werden an den Eingang eine Gleichstromverstärkers 10 derart gelegt daß diese Verstärker von der Differenz Δ = Go— G bzw. einer z Δ proportionalen Gleichspannung Φ betrieben wire Eine entsprechende Spannung erscheint dann ar
Ausgang des Gleichstromverstärker!» 10 und steuert den
Generator 11 für die Steucrspunnung V(i), die ihrerseits
an den elektronischen Schalter 3 des Heizkreises 1 gelegt ist. Die Elemente 10 und 11 bilden den Stromkreis
IV.
Statt eines Stromwandler;. 4 kann die Verbindung
zwischen den Kreisen I und Il auch über andere bekannte Koppelelemente, z. B. einen niederohmigcn
Kopplungswiderstand, vorgenommen werden.
Der Stromkreis 11 dient, wie bereits festgestellt, der
Aufgabe, eine dem Effektivwert des Heizstroms möglichst proportionale Gleichspannung G zu erzeugen,
der die Änderung dieses Effektivwerts möglichst rasch folgt. Zu diesem Zweck wird die Spannung G
durch den tatsächlichen Heizstrom bestimmt. Am günstigsten wäre es, wenn G proportional dem
Effektivwert der tatsächlichen Stärke des Heizstroms im Heizkreis I würde. Vielfach genügt es jedoch, wenn
die Spannung G proportional der über die Halbperiode des Heizwechselstroms gemittelten Stromstärke gemacht
wird. Dieses Ziel läßt sich rrii Hilfe der im Stromkreis II dargestellten Schaltmittel erreichen.
Der Gleichrichter 5 kann im einfachsten Fall ein Einweggleichrichter sein. Günstiger ist ein Vollweggleichrichter,
der im Beispielsfall durch eine Gleichrichterbrücke gegeben ist. Der Gleichrichter arbeitel
auf einen Widerstand 6, z. B. 10 Ohm, an dem dann eine pulsierende Gleichspannung auftritt. Der Vollweggleichrichler
ist immer dann am Platz, wenn der elektronisciie Schalter 5 sowohl bei positiver als auch
bei negativer Polarität des Stroms im Heizkreis 1 geöffnet werden soll.
Die im Widerstand 6 auftretende pulsierende Gleichspannung wird nun durch einen Vierpol 7
geglättet. Hierbei werden bevorzugt die Wechselspannungsanteile der am Widerstand 6 auftretenden
pulsierenden Gleichspannung unterdrückt. Der zu verwendende Vierpol ist also dementsprechend als
VieUpaßgrundkcttc ausgebildet, wobei die einzelnen aus
Längsinduktivitäten und Querkapazitäten bestehenden Vierpole als T- oder .τ-Gliedcr aufgefaßt werden
können. Mindestens ein Teil der vorgesehenen Längsinduktivitäten wird mit Kapazitäten überbrückt, d. h. zu
in- oder Zobelschen Gliedern erweitert, um eine
Versteilerung der Dämpfung im Bereich der Wechselspannungsanteile zu erreichen. Es empfiehlt sich ferner,
die Vierpolkette mit einem Eingangs- und Endglied nach Zobel auszustatten.
Die einfachste Lösung für die Vierpolkette würde in einer Kettenschaltung von T- und .τ-Gliedern bestehen.
die aus Ohmsehen Reihenwiderständen und Querkapazitäten aufgebaut sind. Eine solche Kette hat jedoch ein
kleines Übertragungsmaß, so daß die an ihrem Ausgang erzeugte Spannung G nur langsam den Änderungen des
Heizstroms folgen kann. Außerdem wäre bei Verwendung
dieser Glieder in wirtschaftlich vertretbarem Umfang die verbleibende Restwelligkeit sehr groß.
Deshalb ist es wesentlich günstiger, wenn die Vierpolkette als versteuerte Siebkette mit möglichst verlustfreien
Vierpolen aufgebaut wird, indem eine Anzahl von Tiefpaßfiltern gleichen Wellenwiderstands in Kettenschaltung
hintereinandergeschaltet werden. Durch diese
Vierpolkette sollen die Grundwelle und die erste, zweite und dritte Oberwelle der Betriebsspannung U(t)
unterdrückt werden.
Dieser Konzeption liegt folgender Gedanke zugrunde: Die am Widerstand 6 auftretende pulsierende
Gleichspannung läßt sich als gerade Funktion durch eine Fouriersche Kosinusreihe mit konstantem Anfangsglied
darstellen. Es tritt also — mit anderen Worten — eine Gleichspannungskomponente auf. Diese
wird durch die Tiefpaßfilterkettc durchgelassen. Für die Grundwelle und die erste und zweite oder erste, zweite
und dritte Oberwelle des im Heizkreis 1 fließenden Wechselstroms sind geeignete Tiefpaßfilter vorgesehen
welche zwar die Gleichstromkomponente durchlassen die betreffenden Wellen aber aussieben. Bei der im
ίο folgenden näher zu beschreibenden Siebkette reagiert
also die Ausgangsgleichspannung G auf Änderungen des Heizstroms l(t), die sich in einem Zeitraum von
höchstens zwei bis drei Perioden vorher eingestellt haben. Man hat aiso — mit anderen Worten — eine
ι s praktisch augenblicklich wirkende Regelung.
Eine diesem Grundsatz entsprechende Ausführungsform ist in F i g. 2 dargestellt. Dabei wird die wohl in den
meisten Fällen zutreffende Voraussetzung zugrundegelegt, daß die Spannung der Wechselspannungsquelle 2
sinusförmig ist. Der Ausgangswiderstand 6 der Gleichrichterschalti
ng im Stromkreis II beträgt beispielsweise 10 Ohm, während der Wellenwiderstand Z der
Vierpolkette beispielsweise auf 1 kOhm eingestellt ist. Zur Anpassung ist das Eingangsglied der Vierpolkette
;.s als Halbglied nach Zobel mit einem Ohmschen Eingangswiderstand T, von 0,8 · Z (Z= Wellenwiderstand
der Glieder der Vierpolkette), einer unmittelbar darauffolgenden Längsinduktivität L1- mit Parallelkapazität
Cc sowie einer darauffolgenden Querkapazität G
ausgestattet. Der Eingangskreis ist auf eine Grenzfrequenz unterhalb der Netzspannung eingestellt, unterhalb
der die Frequenzen, also die Gleichspannung nach Fourier, durchgelassen werden und hat sein«
Dämpfungsspitze bei der Netzfrequenz. Dieses Gliec dient somit der Anpassung und der Versteilerung dei
Sperrdämpfung bei Netzfrequenz.
Der darauffolgende Vierpol der Kette ist eir normaler Tiefpaß und besieht aus einer Längsindukiivi·
tat L\ und einer Querkapazität C:. Er dieni /in
Dämpfung der höheren Frequenzen. Der dritte Vierpo ist aus einer Längsinduktivität Ly einer diese übcrbrük·
kenden Längskapazität Gj und einer Querkapazität G so aufgebaut, daß beispielsweise die erste Harmonische
z.B. 100Hz, unterdrückt wird. Das nächstfolgende Glied der Vierpolkette mit einer Längsinduktivität l.s
einer diese Induktivität parallel geschalteten Kapa/itä: G und einer Querkapazität G, ist so ausgebildet, daß dit
nächste Oberwelle. z.B. 150Hz. gesperrt wird. Dn<
letzte Glied, gebildet aus der Parallelschaltung dei
Induktivität U. der Längskapazität G5 und den
Abschlußquerwiderstand RA = 0S ■ Z. entspricht ir
seiner Dimensionierung dem Zobelschen Eingangsglied Die ganze Anordnung ist als Tiefpaßfilterkette mit
ausgeprägten Polen so aufgebaut, daß Ströme mit einei
Frequenz unterhalb von 40 Hz. also nach Fouriei
auftretender Gleichstrom, praktisch dämpfungslos dit Kette passiert, während die Netzfrequenz und all«
höheren Frequenzen, insbesondere die erste, zweite usw. Oberwelle, ausgesiebt werden.
Zu bemerken ist noch, daß die Filterkeite 7 auch aul
andere Weise ausgebildet werden kann. Beispielsweise kann man auch die Grundwelle heraussieben und übei
ein entsprechend dimensioniertes /?C-Glied am Aus gang glätten.
Die Steilheit der Vierpolkette ist im Interesse einet
hohen Übertragungsgeschwindigkeit beschränkt, wie auch das obige Beispiel klar zu erkennen gibt. Im
allgemeinen genügt es. Pole nur für die erste, zweite
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dritte oder noch zusätzlich vierte Oberwelle und die Grundwelle vorzusehen. Im Beispiel nach F i g. 2 ist die
Vierpolkette so ausgebildet, daß lediglich die vorhandene Gleichstromkomponente zur Verfügung steht. Diese
ist, wie man leicht erkennt, propotional dem Mittelwert des Heizwechselstroms, gemessen über eine Halbperiode
der Spannung der Wechselspannungsquelle 2 im Heizkreis.
Am Ausgang des Vierpols 7 erscheint, wie bereits öfter erwähnt, die Gleichspannung G. Diese wird mit
der gleichzeitig erzeugten Gleichspannung Go an den Eingang eines Differenzverstärkers oder Regelverstärkers
10 gelegt. Man kann aber auch die Differenz der beiden Gleichspannungen G und Go über eine Brücke
erzeugen und diese dann an einen Gleichspannungsverstärker 10 anlegen. Schließlich besteht die Möglichkeit,
die Gleichspannung A ohne Verstärkung zur Erzeugung der Impulse heranzuziehen. Der Differenz- oder
Regelverstärker 10 ist ein Gleichspannungsverstärker üblicher Bauart, wie er beispielsweise in Regelsystemen
verwendet wird. Am Ausgang erscheint die Spannung Φ = ιχ ■ Δ, wobei α normalerweise größer als 1 ist.
Der Impulsgenerator 11 wird entweder durch die Spannung Δ oder durch die verstärkte Spannung Φ
gesteuert oder betrieben. Die von ihm abgegebenen Spannungsimpulse V(t) liegen zwischen der Steueroder
Zündelektrode des elektronischen Schalters und dessen Ein- bzw. Ausgang.
Dabei ist Sorge zu tragen, daß der die Spannung V(t) führende Stromkreis den Schalter 3 bei gesperrtem
Zustand dieses Schalters nicht kurzschließen kann bzw. dessen Übergang in den Sperrzustand beim Nulldurchgang
der Heizspannung LJ(t)verhindert.
Eine einfache Anordnung ist in Fig. 3 und 4 dargestellt. Die Gleichspannung Δ bzw. Φ lädt über
einen Widerstand 21 den Kondensator 22 auf. Überschreitet die Spannung dieses Kondensators einen
bestimmten Wert, so folgt eine Entladung über eine Glimmentlad'jngsstrecke 23. Im Entladestromkreis
befindet sich die Primärwicklung eines Übertragers 24 mit zwei Sekundärwicklungen. Die eine Sekundärwicklung
24a arbeitet auf den elektronischen Schaller 3. Dieser wird gezündet, sobald der Kondensator 22
entladen wird. Die andere Sekundärwicklung 24b arbeitet auf die eine Steuerelektrode des im folgenden
Absatz erwähnten Schalters S. derart, daß der den Kreis schließende Schaller S bei der Entladung von 22
unterbrochen wird.
Zum Anlegen der Spannung J bzw. Φ an den Kondensator 22 dient ein Schalter S. Dieser besteht aus
einem mit zwei getrennten Steuerelektroden versehenen Thyristor, also einer pnpn-Schaltdiode, deren beide
mittlere Zonen mit je einer Steuerelektrode versehen sind. Das Einschalten des Schalters 5 erfolgt über
Impulse, die synchron zu den Nulldurchgängen der Wechselspannung U(t) im Heizkreis auftreten. Zu
diesem Zweck ist eine zur Betriebswechselspannungsquelle 2 im Heizkreis I synchrone Wechselspannungsquelle
2' vorgesehen, die über einen Zweiwegegleichrichter 26 und einen Ohmschen Widerstand 27 eine
pulsierende Wechselspannung erzeugt, die durch ein Differenzierelement, z. B. einen Kondensator 28, differenziert
und auf einen Übertrager 29 arbeitet. Die Sekundärwicklung des Übertragers 29 ist an eine der
beiden Sieuerelektroden des Schalters S derart angeschlossen, daß die dort auftretenden Spannungsimpulse
den Schalter 5 für den Ladestrom durchlässig machen. Die gleichgerichtete Spannung am Widerstand
27 hat nämlich eine Unstetigkeitsstelle ihrer ersten Ableitung, nach der Zeit / in Zeitpunkten, die mit dem
Nulldurchgang der Spannung U(t) im Heizkreis I zusammenfallen. Diese Unstetigkeitsstellen bedingen
das Auftreten steiler Spannungsimpulse an der Sekundärseite des Übertragers 29. Diese Impulse werden auf
die zweite Steuerelektrode des Schalters 5 übertragen. Sie werden so gepolt, daß sie den Schalter S für den
Ladestrom undurchlässig machen. Infolgedessen wird der Schalter S für den Ladestrom bei jedem
Nulldurchgang der Heizspannung U(t) eingeschaltet und bei jeder Entladung des Kondensators 22
ausgeschaltet.
Die in F i g. 1 dargestelltt Vorrichtung ist zunächst für den Betrieb mit einphasigem Wechselstrom gedacht.
Das in dieser Anordnung verkörperte Prinzip läßt aber ohne weiteres die Anwendung auf mehrphasigen Strom
zu. Dies wird an Hand der Fig.5 skizziert. Eine dreiphasige Wechselspannung wird über einen Dreiphasentransfo
mator30zur Verfügung gestellt. Jeder Phase ist an de,· Sekundärseite dieses Transformators ein
Stromkreis zugeordnet. Diese sind den Phasen entsprechend mit Va, Vb. Vc bezeichnet. Jedem dieser
Stromkreise ist ein elektronischer Schalter entsprechend dem elektronischen Schalter 3 der Anordnung
gemäß F i g. 1 zugeordnet. Diese Schalter sind mit 3a. 3b 3c bezeichnet. Ihre Steuerelektroden werden von
individuellen Spannungen Va(t) V1Jt) und VJt) betrieben.
Diese werden über individuelle Stromkreise IIa IHa, IVa. 116. \\\b, Wb. Wc. IHc, IVc erzeugt, die
entsprechend den Ausführungen zu F i g. 1 -4 ausgebildet sind. Zu diesem Zweck werden die in den Kreiser
Va. Vb. Vc pulsierenden Ströme für sich abgetastet wozu entsprechende, in der Figur nicht dargestellte
Stromwandler dienen können. Die Kreise Va. Vb. Vc sind durch die Primärspulen dreier Übertrager 31a, 31Zi
31c abgeschlossen. Die auf der Sekundärseite diesel Übertrager aultretenden Spannungen werden iibei
Zweiweggleichrichter 32a. 326. 32c gleichgerichtet unc addiert. Sie dienen zur Beaufschlagung des Sili/iumstabes.
Eine weitere Ausführung des Impulsgenerator 11
zeigt Fig. 6. Eine mit der Heizspannung synchrone Wechselspannung wird durch den Transformator 61 au
einen geeigneten Wert transformiert und anschließenc in der Gleichrichterbrückenschaltung 62 gleichgerichtet.
Als Vcrsorungsspannung steht somit eine 100-Hz-Halbwellenspannung
zur Verfügung. Diese Spannuni liegt an einem tfC-Glied, das durch den Kondensator 63
den Stabilisierungs- und Begrenzungswiderstand 64 unc dem Transistor 65 gebildet wird. Je nach der Höhe dei
der Basis des Transistors zugeführten Steuerspannung die ja die Differenzspannung Δ bei Φ ist, ändert sich dei
Aussteuerungszustand des Transistors 65 und damit die
Zeitkonstante des flC-Gliedes. Die Durchschaltspan
nung des nachgeschalteten Triggerelementes 67. ζ. Β Glimmentladungsstrecke, Transistortrigger od. dgl.
kann dadurch zu einem Zeitpunkt innerhalb einei Halbwelle erreicht werden, der der Größe dei
Steuerspannung proportional ist. Der in Reihe mit den Übertrager 68 an die Versorgungsspannung angelegte
Hilfsthynstor 67 wird zum gleichen Zeitpunkt durchge
schaItct wodurch die Versorgungsspannung V(t) übei
den Übertrager 68 auf die Zündelektrode des elektroni sehen Schalters 3 im Heizstromkreis 1 geschaltet wird
Am Ende einer jeden Halbwelle wird der Hilfsthyristoi
67 gesperrt, so daß mit jeder Halbwelle der Heizwech selspannung der elektronische Schalter 3 zum zu.
Stabilisierung des Heizslromkrcises erforderlichen Zeitpunkt durchgcschaltet wird.
Besteht die Heizeinrichtung aus einer mehrphasigen Wechselspannung, kann diese Anordnung in jede Phase
der mehrphasigen Wechselspannung geschaltet werden.
Es genügt aber auch eine Anordnung in eine Phase zu schalten, wobei die für die einzelnen Phasen erforderlichen,
zeitlich gegeneinander verschobenen Zündimpulse über entsprechend ausgelegte Verstärker erzeugt
werden.
Hierzu 2 Wall Zeichnungen
Claims (12)
1. Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial aus der Gasphase an der Oberfläche eines
erhitzten Halbleiterstabes, der in Serie mit einer eine periodische Wechselspannung liefernden Heizspannungsquelle und einem durch eine Hilfsspannung zu
steuernden und bei jedem Nulldurchgang der von der Heizspannungsquelle gelieferten Wechselspan- ι ο
nung in den Sperrzustand übergehenden elektronischen Schalter zu einem Heizstromkreis zusammengefaßt ist, dadurch gekennzeichnet, daß
zur Erzeugung der den elektronischen Schalter (3) steuernden Hilfsspannung V(t) der Heizstromkreis
(I) mit einem — Gleichrichterelgenschaften aufweisenden und seinerseits ein glättendes Vierpolglied
beaufschlagenden - zweiten Stromkreis (II) gekop pelt ist, daß ferner die von dem glättenden
Vierpolglied (7) gelieferte Gleichspannung mit der von einem Sollwertgeber (III) gelieferten Vergleichs-Gleichspannung
im Sinne einer Differenzbildung überlagert ist, daß außerdem die aus dieser Differenzbildung resultierende Spannungsdifferenz
zur Steuerung eines die zu erzeugende Hilfsgleichspannung V(t)liefernden Generators (11) verwendet
und dieser Generator (11) derart beschaffen ist, daß
der elektronische Schalter zwischen je zwei Nulldurchgängen der Wechselspannung U(t) nach
Maßgabe der den Generator (11) steuernden Spannungsdifferenz wieder eingeschaltet wird, und
daß schließlich das als Tiefpaß ausgebildete glättende Vierpolglied (7) mindestens die Grundwelle der
Heizwechselspannung U(t) sowie mindestens die erste und die zweite Oberwelle dieser Spannung
sperrt.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronische Schalte)· aus einem
Thyristor oder einem Triac oder einem Transistorschalter oder einer Thyratron röhre besieht.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Heizstromkreis 1 mit dem
gleichrichtenden Kreis II über einen Stromwandler (4) gekoppelt ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der im Stromkreis Il
fließende Strom über einen Vollweggleichrichter (5) geführt ist und dieser Vollweggleichrichter durch
einen Widerstand (6), z. B. von 10 Ohm, ausgangsseitig abgeschlossen ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anpassung des Vierpolfilters an
den Ausgang des Stromkreises II mit gleichrichtenden Eigenschaften über ein sogenanntes Zobelsches
Halbglied erfolgt, das auf eine Folge von Tiefpaßfiltern in Kettenschaltung arbeitet, deren Resonanzfrequenz
sukzessive der auszusiebenden Grundwelle, der auszusiebenden ersten Oberwelle, der
auszusiebenden zweiten Oberwelle usw. entspricht.
6. Vorrichtung nach Anspruch I oder 5, dadurch (>o
gekennzeichnet, daß am Ausgang des Vierpolfilters (7) ebenfalls ein Halbglied nach Zobel vorgesehen
ist.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die am Ausgang des ('5
Vierpolfilters (7) erscheinende Gleichspannung G mit der in einem Hilfsstromkreis erzeugten Gleichspannung
G0 unter Entstehung ihrer Differenz Δ an einen Gleichstromverstärker, insbesondere Regel
verstärker (10), gelegt ist an dessen Ausgang eine verstärkte, der Differenz Δ proportionale Gleichspannung Φ erscheint
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichspannungsdifferenz Δ bzw. ihr durch Verstärkung erhaltener
Wert Δ zur Aufladung eines Kondensators (22) über einen Ladewiderstand (21) dient und daß zur
Erzeugung der Impulse der Steuerspannung V(t) dieser Kondensator (22) über eine auf eine definierte
Spannung ansprechende Entladestrecke (23), insbesondere eine Glimmstrecke oder Transistortrigger,
entladen wird.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die Ladespannung Δ bzw. Φ über einen
Schalter 5 zugeführt wird, daß dieser Schalter S so gesteuert ist, daß gleichzeitig mit dem Nulldurchgang
der Heizwechselspannung U(t)d\e Ladespannung
an den Ladekondensator (22) gelegt ist und daß andererseits diese Ladespannung mit dem Eintritt
der Entladung des Kondensators (22) über die Entladestrecke (23) wieder abgeschaltet wird.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schalter SaIs pnpn-Halbleiterdiode
mit je einer Steuerelektrode an je eine der beiden mittleren Zonen ausgebildet ist und daß
impulserzeugende Mittel vorgesehen sind, welche an die eine dieser Steuerelektroden Impulse legen, die
mit dem Nulldurchgang der Heizwechselspannung U(t) zeitlich verbunden sind, während die andere
Steuerelektrode mit Impulsen beaufschlagt wird, die synchron zu den Impulsen der Spannung V^ an den
elektronischen Schalter (3) im Heizkreis I sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß im Entladekreis des Ladekondensators
(22) ein Übertrager (24) mit getrennten Ausgängen (24.7, 24b) vorgesehen ist, wobei der eine
dieser beiden Ausgänge zur Steuerung des elektronischen Schalters (3) im Heizstromkreis, der andere
(24b) zur Steuerung des Potentials der einen mittleren Zone der pnpn-Diode im Ladestromkreis
des Kondensators (22) vorgesehen ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11,
dadurch gekennzeichnet, daß eine mit der Heizwechselspannung U(I) synchrone Hilfswechselspannung
über einen Vollweggleichrichter (26) auf einen Abschlußwiderstand (27) und eine diesem Abschlußwiderstand
(27) parallele Primärwicklung eines Übertragers (29) arbeitet und daß zwischen dem
Ohmschen Ausgangswiderstand (27) und der Primärwicklung des Übertragers (29) ein Differenzierglied
(28a, 280,), insbesondere ein Kondensator,
eingeschaltet ist, und daß schließlich die an der Sekundärseite des Übertragers (29) auftretende
Spannung zur Beeinflussung des Potentials der zweiten mittleren Zone der pnpn-Diode im Ladestromkreis
des Kondensators (22) dient.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19712133863 DE2133863C3 (de) | 1971-07-07 | Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial aus der Gasphase an der Oberfläche eines erhitzten Halbleiterstabes | |
DE2153566A DE2153566C3 (de) | 1971-07-07 | 1971-10-27 | Vorrichtung zum elektrischen Beheizen eines sich infolge eines Abscheidungsprozesses aus der Gasphase verdickenden Halbleiterstabes |
NL7207136A NL7207136A (de) | 1971-07-07 | 1972-05-26 | |
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IT26617/72A IT962432B (it) | 1971-07-07 | 1972-07-05 | Dispositivo per riscaldare elettri camente una bacchetta di materiale semiconduttore che si ispessisce contemporaneamente in conseguen za di un processo di deposizione dalla fase gassosa |
US00269154A US3832626A (en) | 1971-07-07 | 1972-07-05 | Device for electrically heating a semiconductor rod which is simultaneously growing due to a depositing process from the gas phase |
GB3190972A GB1400762A (en) | 1971-07-07 | 1972-07-07 | Semiconductor rod electrical heating systems for use in semi conductor rod manufacturing processes |
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Applications Claiming Priority (2)
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DE19712133863 DE2133863C3 (de) | 1971-07-07 | Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleitermaterial aus der Gasphase an der Oberfläche eines erhitzten Halbleiterstabes | |
DE2153566A DE2153566C3 (de) | 1971-07-07 | 1971-10-27 | Vorrichtung zum elektrischen Beheizen eines sich infolge eines Abscheidungsprozesses aus der Gasphase verdickenden Halbleiterstabes |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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DE2133863A1 DE2133863A1 (de) | 1973-01-18 |
DE2133863B2 true DE2133863B2 (de) | 1976-11-18 |
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ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2153566C3 (de) | 1982-01-14 |
DE2153566B2 (de) | 1981-05-21 |
DE2133863A1 (de) | 1973-01-18 |
DE2153566A1 (de) | 1973-05-03 |
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