DE2128205A1 - Verfahren zum Herstellen von Halb leiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Halb leiterbauelementen

Info

Publication number
DE2128205A1
DE2128205A1 DE19712128205 DE2128205A DE2128205A1 DE 2128205 A1 DE2128205 A1 DE 2128205A1 DE 19712128205 DE19712128205 DE 19712128205 DE 2128205 A DE2128205 A DE 2128205A DE 2128205 A1 DE2128205 A1 DE 2128205A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
doped
diffusion
silicon dioxide
doped silicon
dioxide layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19712128205
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Kurt Prof Dr χ 8019 Dres den Garte Dieter Dr χ 8010 Dresden Drescher
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MOLEKULARELEKTRONIK
Original Assignee
MOLEKULARELEKTRONIK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MOLEKULARELEKTRONIK filed Critical MOLEKULARELEKTRONIK
Publication of DE2128205A1 publication Critical patent/DE2128205A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/83—FETs having PN junction gate electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/14—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase
    • H10P32/1408—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers
    • H10P32/141—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers within a single semiconductor body or layer in a solid phase; between different semiconductor bodies or layers, both in a solid phase from or through or into an external applied layer, e.g. photoresist or nitride layers the applied layer comprising oxides only
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P32/10—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers
    • H10P32/17—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material
    • H10P32/171—Diffusion of dopants within, into or out of semiconductor bodies or layers characterised by the semiconductor material being group IV material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
DE19712128205 1970-07-27 1971-06-07 Verfahren zum Herstellen von Halb leiterbauelementen Pending DE2128205A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DD14926870 1970-07-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2128205A1 true DE2128205A1 (de) 1972-02-10

Family

ID=5482806

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19712128205 Pending DE2128205A1 (de) 1970-07-27 1971-06-07 Verfahren zum Herstellen von Halb leiterbauelementen

Country Status (4)

Country Link
CS (1) CS171344B1 (enExample)
DE (1) DE2128205A1 (enExample)
FR (1) FR2099607B1 (enExample)
HU (1) HU164648B (enExample)

Also Published As

Publication number Publication date
HU164648B (enExample) 1974-03-28
CS171344B1 (enExample) 1976-10-29
FR2099607B1 (enExample) 1973-10-19
FR2099607A1 (enExample) 1972-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2214935C2 (de) Integrierte MOS-Schaltung
EP0123182B1 (de) Verfahren zum Herstellen von hochintegrierten komplementären MOS-Feldeffekttransistorschaltungen
DE3105118C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung mit komplementären bipolaren Transistoren und komplementären Isolierschicht-Gate-Feldeffekttransistoren auf einem gemeinsamen Substrat
DE3856545T2 (de) Halbleiterbauelement mit isoliertem Gatter
DE2317577C2 (de) Verfahren zur Herstellung dielektrisch isolierter Halbleiteranordnungen
DE69031488T2 (de) Halbleitervorrichtung mit einem lateralen Bipolartransistor und entsprechende Herstellungsverfahren
DE2728167A1 (de) Verfahren zur vorbereitung eines siliziumsubstrats fuer die herstellung von mos-bauelementen
DE3110477A1 (de) Verfahren zur herstellung von cmos-bauelementen
DE2455730B2 (de) Feldeffekt-Transistor
DE3002051A1 (de) Verfahren zur herstellung von komplementaeren mos-transistoren hoher integration fuer hohe spannungen
EP0006510B1 (de) Verfahren zum Erzeugen aneinander grenzender, unterschiedlich dotierter Siliciumbereiche
DE1926884A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2441432B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines VMOS-Transistors
DE4444776A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bipolartransistors
DE2807138A1 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleiterbauelements
DE2449012A1 (de) Verfahren zur herstellung von dielektrisch isolierten halbleiterbereichen
DE2655917A1 (de) Integrierte schaltung
DE2447354A1 (de) Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors
DE1614852B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem NPN-Transistor, einem PNP-Transistor und weiteren Schaltungselementen
DE69113673T2 (de) Halbleiterbauelement mit MOS-Transistoren und Verfahren zu dessen Herstellung.
DE3124283A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu dessen herstellung
DE3688711T2 (de) Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung.
DE2211709A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen
DE69131390T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Drain- oder Kollektorzone für monolythische Halbleiteranordnungen
DE2814695A1 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten schaltung