DE2118285B2 - Magnetische Schaltung - Google Patents
Magnetische SchaltungInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine magnetische Schaltung mit einem F"rper aus einem Material, das
einachsig magnetische Anisotropie und lokale, eingeschlossene Bereiche mit einer derjenigen des Umgebungsmaterials
entgegengesetzten Polarisation aufweist, ferner mit einer die Lage der entgegengesetzt
polarisierten, lokalen eingeschlossenen Bereiche beeinflussenden, aus diesen eimvsndigen Domänen bildenden
Einrichtung und einer Übertragungseinrichtung, welche die Domänen durch wenigstens einen
S ferrimagnetischen Teil des Körpers überträgt. Insbesondere befaßt sich die Erfindung mit einer Schaltung,
die einwandige Domänen zu übertragen vermag. Als einwandige Domäne soll hier ein gegenüber der
Umgebungsmagnetisierung umgekehrt polarisierter
ίο magnetischer Bezirk verstanden sein, der durch eine
einzige in sich geschlossene Domänenwand begrenzt ist. Einwandige Domänen aufweisende Schaltungen
können eine Vielzahl von Funktionen erfüllen, so zum Beispiel Schalt-, Speicher- und Logik-Funktionen.
In den letzten Jahren zeichnete sich ein deutliches Interesse an der Entwicklung in einer Gruppe von
magnetischen Einrichtungen ab. die allgemein als einwandige Domänen aufweisende Schaltungen bekannt
ao sind. Solche Schaltungen, die zum Beispiel in IEEE
Transactions, Mag. 5 (1%91. S. 544 bis 553, beschrieben
sind, haben eine allgemein planare Ausbildung und bestehen aus Stoffen, welche im wesentlichen
senkrecht zur Ebene des Körpers stehende Richtun-
S5 gen leichter Magnetisierung aufweisen. Magnetische
Eigenschaften, z. B. Magnetisierung, Anisotropie. Koerzitivkraft und Beweglichkeit sind so gewählt, daß
die Schaltung mit einer Magnetisierung in einer Richtung aus der"Ebene heraus magnetisch gesättigt wird
und daß kleine eingeschlossene Polarisationsbereiche, die zur allgemeinen Polarisationsrichtung entgegengesetzt
ausgerichtet sind, übertragen werden können. Solche eingeschlossenen Bereiche, welche eine allgemein
zylindrische Konfiguration besitzen, stellen
Speicher-Bits dar. Das Interesse an Schaltungen bzw. Bauelementen dieser Art basiert zum großen Teil auf
der hohen Bit-Dichte. Man rechnet mit Bit-Dichten bis zu 1,55 · 104 Bits oder mehr pro Quadratzentimeter
des Plättchens. Bit-Dichten sind ihrerseits abhä.igig
von der Fähigkeit des Materials, eingegrenzte Bereiche genügend kleiner Abmessungen zu übertragen.
Bei einer besonderen Ausführungsform, die beispielsweise einen 10fi-Bit-Speicher darstellt, kommen
einwandige Domänen in der Größenordnung von 8 · 104 cm Durchmesser in Betracht. Ein 10">-Bit-Speicher
kann auf dreifach größeren stabilen Domänen basieren, und ein 107-Bit-Speicher erfordert
stabile einwandige Domänen, deren Durchmesser ein Drittel desjenigen bei 1 C-Bit-Speicher ist.
Bis heute bildete die Materialbeschränkung eines der bedeutenderen Hindernisse an einer kommerziellen
Realisierung solcher Schaltungen bzw. Bauelemente. Das erste Problem war mehr praktischer,
herstellungstechnischer Art, nämlich die Züchtung ausreichend großer Kristalle, die ausreichend fehlerfrei
sind, physikalische und chemische Stabilität zeigen usw. Ein ebenso maßgebliches Problem gehört
eher in den Grundlagenbereich. Materialien mit der erforderlichen einachsigen Anisotropie waren allgemein
in gewisser Hinsicht nicht zufriedenstellend. So basierten beispielsweise bekannte ausgeführte Schaltungen
allgemein auf Orthoferriten der seltenen Erden. Obwohl es sehr wahrscheinlich ist, daß Orthoferrit-Bauelemente
bzw. Schaltungen mit einwandigen Domänen kommerziell verwertet werden, stellen gebräuchliche Orthoferrit-Zusammensetzungen ein
Hindernis für die Entwicklung von Ausführungsformen mit hohen Bit-Dichten dar.
If
Ailaemein haben Orthoferrite derartige magneti-
^Eigenschaften, daß sie die Übertragung von eindi
Domänen, die kleiner als etwa 5 · 10"» cm
halten dieser Materialien sind bekannt, und es gi t
viele Methoden zum Herstellen großer kristalle non
Perfektion.
Röntgenstrahluntersuchungen
und
„andioen
Durchmesser sind, schwierig machen. Bei üblichen Röntgenstrahlg
f «führungen hat dies eine maximale Bit-Dichte in 5 der Grundstruktur haben stets gezeigt
t ßdnung von 155 10* Bits pro Quadrat h t
°en
der Grundstruktur haben stets gezeig, ^
gnetischen Granate magnetisch isotrop_ sina υ
diesem Aspekt erbrachten Granate nicht die natur liehen Voraussetzungen für doiaanenaufweisende
p Schaltungen, welche einachsige magnetische Amsoi
SeProbeme aufgeworfen; so verringert ein Betrieb i. pie erfordern. Jedoch haben die Eigenschaften son
? Ll Nähe der magnetischen Reorientierungslcmpe- Granat untersuchende Wissenschaftler Bereiche ma
m ^Ϊ die Größe der einwandigen Domänen gnetischer Anisotropie beobachtet Allgemein*
lh Aitopie wenig Beachtu d
f «führu
tr Größenordnung von 1,55 · 10* Bits pro Quadrat
ttaeter zur Folge.
Ze VeSe die Größe stabiler Domänen Ui üb-
Ze VeSe die Größe stabiler Domänen Ui üb-
lΓ Betriebstemperaturen zu verringern, haben
frf
gnetischer Aniop
solcher Anisotropie wenig Beachtung ^
erstellung als auch der Betrieb kompli Literaturhinweise führten in der Regel zu
Ein Betrieb in der Nähe der Reorien- i5 biem einen Druckspannungsmechanismus an
Glhi de d* A™05^*
die Größe der einwandigen Domänen, doch zu hoher Magnetostriktion, wodurch
die Herstellung als auch der Betrieb kompliwerden i d Näh d Ri
und rr Be
Γ werde p
!«temperatur bringt außerdem eine hohe Tem- einigen Gelegenheiten wurde ^
* SK°keit der Domänen-Größe mit sich, beispielsweise durch Schleifen und/oder Poliere
Ρ"3 eine oeSu'e Temperatursteuerung bei Schaltun- vorgerufenen Oberflächenspannung zugeordnet
W* Blt rfordert welche derartige Die sich aus den Unzu Ι^«*^«!*
her
p
Bauelementen erfordert, welche derartige g
Die sich aus den Unzu Ι
Bauelementen erfordert, welche derartige g
Die sich aus den Unzu Ι
Anlaß
Mv Bauelementen erfordert, welche derartige Die sich aus ^
fijTrnensetzungen verwenden. Außerdem weisen » ferrite und der hexagona en Ferrite
?> Seriellen trotz der schwerpunktartigen Ent- dernisse bzw. Beschränkungen gaben
ftii "Sn Züchtungsmethoden für Orthoferrite Studium der magnetischen
r keine ausreichende kristalline Perfektion auf, in magnetischen Schaltungen
te η Itschaftliche Herstellung zu endlichen. Erzeugung der benötigten ^^^
Uin E-ne weite Materialgruppe, die zur Verwendung *5 Anisotropie wurden. fui_ diese » - bzNV
in Schaltunsen der eingangs genannten Art einige Granatrroben absichtlich emerBean prucnu
Sachtuno gefunden hat. ist die der hexagonalcn Fer- Deformation unterzogen. * ahrend v.eleae
demienigen bei Onhoferri.en. und
hohe Ko-
aietischer Domänen angesehen, und zwar vor S n einer ihnen anhaftenden anderen Bc-
Uhk D gangs
een einer ihnen anhaftenden
SSSnkunV nämlich der geringe" BewegUchken D,eser
Ausdruck bezieht sich auf die Geschwindigkeit, mit welcher eine einwandige Domäne bei einem vor-Sebenen
Feld im Inneren des Materials bewegt werfi kann. Da die Durchführung der verschiedenen
Funktionen bei den meisten Scha tungen von der Do-Sncnbewegung
abhängig ist, wird eine geringe Bei als wesentliche Beschrankung angesehen.
die
Ejscngrm t ^sU »
Platzt .on '°^n b - sind
schiedenen Vcrzeichen ^s
aus de aus Sm -). EU( h '<
D (-VJHo(- ).EK
(-) ^«hendcn
aus de aus Sm -). EU( h '<
D (-VJHo(- ).EK
(-) ^«hendcn
Seltene Erdendodekaedrischen loncn ver.
daB diese Ionen
γ _) und
Vorz e eichen die magnctoi
d
Vorzeichen g
vorstehenden Ionen in den k M ,lostriktion
pen fortgesetzt, die die obengenannten Beschränkungen nicht aufweisen.
Im Verlauf der letzten zehn Jahre hat sich ein beträchtliches
Interesse für eine dritte Gruppe von magnetischen Materialien gezeigt. Diese Materialien, die
das erste Mal 1956 (vgl. Comptes Rendiis, Band 242,
S. 382) angegeben wurden, sind isolierende Ferrimagnetc
der Granatstruktur. Die bekannteste Zusammensetzung ist Yttriumeisengranat. YnFe-O1.,. das der
Einfachheit halber häufig als YIG bezeichnet wird. Es gibt viele Zusammensetzunssvariationcn: zu diesen
gehört eine vollständige oder teilweise Substitution des Yttriums durch verschiedene der Seltenen Erden,
eine teilweise Substitution des Eisens durch Aluminium oder Gallium und andere. Die Wachsuimsvereicnraugige
Patentanmeldung
P 21 18 264.9 befaßt sirh in einigen Ausführungsformen
mit gleichen magnetischen Granatmaterialien. Es wird dort die Substitution bestimmter Ionen an
dodekaedrischen Plätzen angewendet. Ein Unterschied zur vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
6c der Grad der einachsigen Magnetisierung verbessert
wird durch die Auswahl von Kristallkörpern mit bestimmten Flächen. Diese Methode ist außerdem für
andere Materialien als für die niedrig magnetostriktiven Granate dieser Erfindung anwendbar.
Fig. 1 und 2 zeigen in schematischer Darstellung
bzw. Draufsicht eine Ausführungsform einer magnetischen Schaltung mit einer crfindungsgcmäßen Zusammensetzung.
Es wurde gefunden, daß die Ver-
ringerung der Spannungsabhängigkeit in Granatzusammensetzungen, insbesondere die Verringerung der
Magnetostriktion durch die Verwendung gemischter Ionen an besonderen Plätzen zu Materialien führt,
welche auf Grund ihrer Eigenschaften für die Ver-Wendung in Schaltungen mit einwandigen Domänen
besonders geeignet sind. Allgemein wird die Verringerung der Magnetostriktion in erster Linie in der
(lll)-Richtung bewirkt. Bei einer bevorzugten Ausführungsform wird die Magnetostriktion auch in der
(lOO)-Richtung verringert.
Da die Verringerung der Magnetostriktion, insbesondere in der leicht magnetisierbaren Richtung, den
Einfluß der Spannung auf die Wahl einer solchen Richtung als der Richtung leichter Magnetisierung
vermindert, und da die erfindungsgemäß vorgesehenen Materialien tatsächlich die für Schaltungen mit einwandigen
Domänen wesentliche magnetische Anisotropie zeigen, führte diese Arbeit bereits zu erneutem
Studium der mechanischen Erläuterung für die Granat-Anisotropie. In einem besonderen Fall der bevorzugten
Klasse nähert sich die Magnetostriktion sowohl in der (lll)-Richtung als auch in der (100)-Richtung
dem Wert Null, so daß eine Druckspannung auf die Induzierung magnetischer Anisotropie in einer
(lll)-Richtung keinen Einfluß ausübt.
Es ist für die erfindungsgemäß vorgesehenen Materialien charakteristisch, daß sie nicht nur eine magnetische
Anisotropie der früher auf einen Spannungsmechanismus zurückgeführten Art zeigen, sondem
daß die Anisotropie auch über gToße Gebiete der kristallinen Körper gleichmäßig ist. Selbstverständlich
hat die Feststellung, daß eine derartige Anisotropie in Materialien mit verringerter Magnetostriktion
erhalten werden kann, den weiteren Vorteil, daß normalerweise mit Magnetostriktions-Effekten
verbundene Herstellungsprobleme überwunden werden. Es wird z. B. beobachtet, daß ein Polieren bzw.
Schleifen des Kristalls unter Verwendung einer Methode durchgeführt werden kann, die dafür bekannt
ist daß sie Oberflächenspannungen in den üblichen hochmagnetostriktiven Granaten einführt Die erfindungsgemäßen
Materialien können auf Substrate aufgeklebt oder z. B. durch Aufsprühen oder durch Abscheidung
aus der Dampf-Phase auf den Substraten abgelagert werden, wobei die durch Spannungen in
den magnetostriktiven Domänen-Materialien eingeführten erhöhten Koerzitivkräfte minimalisiert oder
sogar eliminiert werden.
Die Magnetostriktion wird erfindungsgemäß dadurch verringert, daß ein Gemisch aus Ionen mit entgegengesetzten
Vorzeichen der magnetostriktiven Koeffizienten verwendet wird. In der allgemeinen Klasse
bzw. Gruppe sind die betroffenen Koeffizienten in erster Linie oder allein diejenigen in der (lll)-Richtung.
Bei der bevorzugten Klasse werden die Kationen-Gemische so gewählt daß sie in den (lOO)-Richtungen
ebenfalls entgegengesetzte Vorzeichen haben. Die Erfindung besteht jedoch nicht nur in der Auswahl
solcher Kationen-Kombinationen, sondern auch in der Lehre, daß Materialien mit verringerter Magnetostriktion
magnetische Anisotropie erhalten und tatsächlich häufig die erwünschten Eigenschaften für
eine Verwendung in Einrichtungen mit einwandigen Domänen haben.
1. Figuren
Die Schaltung gemäß den F i g. 1 und 2 ist ein Ausführungsbeispiel für die in I. E. E. E. Transactions on Magnetics, Band MAG-5, Nr. 3, September 1969, S. 544 bis 553, beschrieben, domänenverwendenden Bauelemente bzw. Schaltungen, bei denen Schalt-, Speicher- und Logik-Funktionen von der Erzeugung und Übertragung eingeschlossen, allgemein zylindrischer magnetischer Domänen mit einer gegenüber der Magnetisierung des unmittelbar umgebenden Gebiets umgekehrten Polarisation abhängig sind. Das Interesse für derartige Schaltungen bzw. Bauelemente konzentriert sich zum großen Teil auf die bei ihnen mögliche sehr hohe Schreibdichte, denn es wird erwartet, daß kommerzielle Schaltungen mit 1,5 · 104 bis 1,5 · 10e Bit-Plätzen pro Quadratzentimeter zur Verfügung stehen werden. Die Schaltung gemäß den F i g. 1 und 2 stellt eine etwas fortgeschrittene Stufe der Entwicklung von einwandigen Domänen verwendenden Einrichtungen dar und enthält einige Details, welche in vor kurzem ausgeführten Schaltungen verwendet wurden.
Die Schaltung gemäß den F i g. 1 und 2 ist ein Ausführungsbeispiel für die in I. E. E. E. Transactions on Magnetics, Band MAG-5, Nr. 3, September 1969, S. 544 bis 553, beschrieben, domänenverwendenden Bauelemente bzw. Schaltungen, bei denen Schalt-, Speicher- und Logik-Funktionen von der Erzeugung und Übertragung eingeschlossen, allgemein zylindrischer magnetischer Domänen mit einer gegenüber der Magnetisierung des unmittelbar umgebenden Gebiets umgekehrten Polarisation abhängig sind. Das Interesse für derartige Schaltungen bzw. Bauelemente konzentriert sich zum großen Teil auf die bei ihnen mögliche sehr hohe Schreibdichte, denn es wird erwartet, daß kommerzielle Schaltungen mit 1,5 · 104 bis 1,5 · 10e Bit-Plätzen pro Quadratzentimeter zur Verfügung stehen werden. Die Schaltung gemäß den F i g. 1 und 2 stellt eine etwas fortgeschrittene Stufe der Entwicklung von einwandigen Domänen verwendenden Einrichtungen dar und enthält einige Details, welche in vor kurzem ausgeführten Schaltungen verwendet wurden.
F i g. 1 zeigt eine Anordnung 10 mit einer Schicht oder einer Platte 11 aus einem Material, in welchem
einwandige Domänen bewegt werden können. Die Bewegung der Domänen ist erfindungsgemäß durch
Muster aus magnetisch weichem Auflagematerial in Abhängigkeit von reorientierenden Feldern in der
Platten- bzw. Schichtebene (in-plane fields) vorgeschrieben. Für die Zwecke der vorliegenden Beschreibung
wird vorausgesetzt, daß die Auflagen stab- und T-förmige Abschnitte sind und sich das reorientierende
Feld in Uhrzeigerrichtung in der Ebene der Schicht bzw. Platte 11 gemäß F i g. 1 und 2 dreht.
Die Reorientierungsfeldquelle ist in F i g. 1 als Block 12 dargestellt und kann zwei gegenseitig orthogonale
Spulenpaare (nicht gezeigt) aufweisen, die in bekannter Weise mit 90° Phasenverschiebung betrieben
werden. Die Konfiguration der Auflage ist in F i g. 1 nicht im einzelnen gezeigt. Statt dessen sind nur geschlossene
»Informationse-Schleifen gezeigt, um die Erläuterung des erfindungsgemäß vorgesehenen
grundsätzlichen Aufbaus zu erleichtern. Die Ausführung wird nachfolgend beschrieben.
F i g. 1 zeigt eine Anzahl von horizontalen geschlossenen Schleifen, die durch eine vertikale ge-
schlossene Schleife in rechte und linke Spalten unterteilt sind. Es ist zweckmäßig, sich vorzustellen, daß
die Information, z. B. die Domänen-Muster, in jeder Schleife im Uhrzeigersinn umlaufen, wenn sich ein
Feld in der Schichtebene im Uhrzeigersinn dreht.
Diese Betriebsweise wird nachfolgend noch genauer erläutert.
Die gleichzeitige Bewegung von Domänen-Mustern in allen durch die in F i g. 1 gezeigten Schleifen dargestellten
Registern wird durch das Feld synchronisiert. Zur genaueren Erläuterung wird eine in F i g. 1
mit dem Bezugszeichen 13 bezeichnete Stelle jede; Registers beobachtet. Jede Drehung des reorientierenden
Feldes rückt ein nächstfolgendes Bit (Vor handensein oder Fehlen einer Domäne) auf dies«
Stelle in jedem Register vor. Auch ist die Bewegunj der Bits im vertikalen Kanal mit dieser Bewegunj
synchronisiert.
Bei normalem Betrieb sind die horizontalen Kanal durch Domänen-Muster belegt, und der vertikal
Kanal ist unbelegt. Ein Binär-Wort umfaßt ein Do mänen-Muster, welches gleichzeitig alle Stellen 13 i
— je nach der speziellen Anordnung des gegebene Falles — einer oder beiden Spalten belegt Es ii
ohne weiteres einzusehen, daß ein auf diese Weise repräsentiertes Binäi-Wort für eine Übertragung in
die vertikale Schleife geeignet angeordnet ist.
Die Übertragung eines Domänenmusters auf die
vertikale Schleife ist selbstverständlich genau die Funktion, welche anfänglich entweder für eine Einlese-
oder eine Ausleseoperation durchgeführt wird. Die Tatsache, daß sich die Information stets synchronisiert
bewegt, gestattet eine Parallel-Übertragung eines ausgewählten Wortes zum vertikalen Kanal
durch das einfache Mittel der Kennzeichnung oder Zuordnung der Zahl der Umläufe des Feldes und der
Ausführung der Parallel-Übertragung des ausgewählten Wortes während des entsprechenden Umlaufs.
Die Übertragungsstelle ist in F i g. 1 durch die strichpunktien gezeigte Schleife T gekennzeichnet,
welche den Vertikal-Kanal umgibt. Die Operation führt zur Übertragung eines Domänenmusters von
(einer oder) beiden Registerspalten in den vertikalen Kanal. Beispielsweise erfordert eine Übertragung
eines lOOU-Bit-Worts die Übertragung von beiden Spalten. Die Übertragung erfolgt unter der Kontrolle
einer durch den Block 14 in F i g. 1 dargestellten Übertragungsschaltung. Die Übertragungsschaltung
kann eine Schieberegister-Kennzeichnungsschaltung zum Steuern der Übertragung eines ausgewählten
Wortes aus dem Speicher aufweisen. Das Schieberegister ist selbstverständlich im Material 11 gebildet.
Nach der Übertragung bewegt sich die Information im vertikalen Kanal zu einer Eingabe-Ausgabe-Stelle,
die durch den vertikalen Pfeil A 1 dargestellt wird und mit einer durch den Block 15 in Fig. 1 dargestellten
Eingabe-Ausgabe-Schaltung verbunden ist. Diese Bewegung erfolgt in Abhängigkeit von aufeinanderfolgenden
Umläufen des (in-plane) Feldes synchron mit der in den parallelen Kanälen im Uhrzeigersinn
verlaufenden Bewegung der Information. Eine Auslese- oder Einlese-Operation ist von Signalen
der Steuerschaltung 16 abhängig und wird weiter unten im einzelnen erläutert.
Abschluß eines Ein- oder Auslesevorgangs bildet in ähnlicher Weise die Übertragung eines Domänen-Musters
zum horizontalen Kanal. Jede Operation erfordert den Wiederumlauf von Information in der
vertikalen Schleife zu den Stellen 13, wo eine Übertragungsoperation das Muster von dem vertikalen
Kanal in der oben beschriebenen Weise in geeignete horizontale Kanäle zurückbringt. Auch dabei ist die
Bewegung der Information durch das rotierende Feld stets synchron, so daß nach der Durchführung der
Übertragung geeignete Leerstellen zur Aufnahme von Information in den horizontalen Kanälen an den
Stellen 13 (F i g. 1) zur Verfugung stehen.
Der Einfachheit halber ist die Bewegung von nur einer einzigen, als binäre Eins bewerteten Domäne
von einem horizontalen Kanal in den vertikalen Kanal dargestellt. Bei Fehlen einer Domäne, was als eine
binäre Null bewertet wird, ist die Operation für alle Kanäle die gleiche. F i g. 2 zeigt einen Abschnitt eines
Auflagemusters, das einen repräsentativen horizontalen Kanal bildet, in welchem eine Domäne bewegt
wird. Beachtet wird insbesondere die Stelle 13, an der die Domänen-Übertragung stattfindet.
Es ist zu sehen, daß das Auflagemuster sich wiederholende Abschnitte enthält. Wenn das Feld mit der
Richtung der größeren Abmessung eines Auflageabschnitts ausgerichtet ist, so induziert es in den Endteilen
der Abschnitte Pole. Es sei angenommen, daß das Feld anfänglich in der durch den Pfeil H gemäß
F i g. 2 angezeigten Richtung orientiert ist und daß positive Pole Domänen anziehen. Ein Zyklus bzw.
ein Umlauf des Feldes kann aus vier Phasen bestehend angesehen werden, wobei es eine Domäne
aufeinanderfolgend zu den in F i g. 2 durch die umrandeten Zahlen 1, 2, 3 und 4 bezeichneten Stellen
bewegt, die nacheinander von positiven Polen belegt werden, wenn das Drehfeld mit diesen Stellen in Ausrichtung
gelangt. Selbstverständlich entsprechen die Domänen-Muster in den Kanälen dem Wiederhoiungsmuster
der Auflage. Das heißt, die nächstbenachbarten Bits liegen um ein Wiederholungsmuster auf
Abstand. Die gesamten Domänenmuster, welche aufeinanderfolgende Binär-Worte repräsentieren, bewegen
sich demzufolge nacheinander zu den Stellen 13.
Die besondere Ausgangsstellung gemäß F i g. 2 wurde gewählt, um eine Beschreibung normaler
Domänen-Übertragung in Abhängigkeit von sich in der Ebene drehenden Feldern zu vermeiden. Diese
Betriebsweise ist im einzelnen in der obengenannten Vorveröffentlichung beschrieben. Statt dessen werden
die in F i g. 1 von rechts aufeinanderfolgenden Stel-
a5 lungen einer Domäne neben dem vertikalen Kanal
vor einer Übertragungsoperation beschrieben. Eine Domäne an der in F i g. 2 gezeigten Stelle 4 ist für
den Beginn des Übertragungszyklus bereit.
2. Erläuterungen zur Zusammensetzung
Wie bereits ausgeführt wurde, stützt sich die Erfindung zum großen Teil auf die Erkenntnis, daß die
erforderliche einachsige Anisotropie in Granaten erhalten wird, die so ausgebildet sind, daß sie die
Magnetostriktion in den (lll)-Richtungen generell
und für eine bevorzugte Klasse bzw. Gruppe auch in den (lOO)-Richtungen reduzieren. Für den Optimalfall
ist es erwünscht, die Magnetostriktion auf einen Wert gleich oder sehr nahe an Null zu reduzieren.
E>ies verlangt jedoch eine Gleichgewichtsgenauigkeit,
die in der Praxis nicht immer erreichbar ist. Da ein gewisser Vorteil aus jeder Reduzierung der Magnetostriktion
in der (1 ll)-Richtung erwächst und Vorteile bezüglich des Betriebs und der Erleichterung der Herstellung
bereits bei Verringerungen der Magnetostriktion von etwa 10°,ο meßbar werden, verlangt
die Erfindung einen Zusatz von Kationen, welche zu diesem Grad der Verringerung der Magnetostriktion
in der (111)-Richtung führen.
Die geringste bekannte (11 ^-Magnetostriktion für
eine einfache einzelne dodekaedrische Kationen-Zusammensetzung (Eu3Fe5O12) ist 1,8· 10~6 cm prc
Zentimeter Länge. Von einem Gesichtspunkt au; führt eine bevorzugte Klasse bzw. Gruppe gemäß de:
Erfindung zu einer (lll)-Magnetostriktion, die nich größer als 1,6-10-· ist. Dieser Maximalwert de
(111 ^Magnetostriktion soll eine mögliche Ausfüh
rungsform der Erfindung definieren, welche die Tat sache unberücksichtigt läßt, daß andere Erwägunge
manchmal andere dodekaedrische Kationen voi schreiben. Eine unter diesem Gesichtspunkt bevoi
zugte Ausführungsform erfordert eine (lllVMagnc
tostriktion bei einem Wert, der nicht größer a' 1 · H)-β ist, während eine noch bessere Ausführung:
form eine (111 ^Magnetostriktion mit einem Max
malwert von 0.5 · 1O-0 verlangt.
Die (111 ^Magnetostriktion ist für die Erfindur
am wesentlichsten, da sie die Richtung leichter Mi
309539/4(
netisierung einschließt. Eine Verringerung der (10O)-Magnetostriktion
führt jedoch zu weiteren Vorteilen. Tatsächlich werden bei Minimalisierung der Magnetostriktion
längs dieser Achse, ebenfalls alle Spannungs- bzw. Druckeffekte, die sich auf den Betrieb
der einwandige Domänen verwendenden Schaltung auswirken, bis zu einem solchen Grad vermieden,
daß diese beiden Werte der Magnetostriktion vollständig ausgewogen sind. Während einfache Granat-Zusammensetzungen
(compositions) verfügbar sind, in welchen die Magnetostriktion in der (lOO)-Richtung
bereits nahezu Null ist, führt eine der Reduzierung der (11 ^-Magnetostriktion dienende Modifizierung
unweigerlich zu Zusammensetzungen mit einer endlichen Magnetostriktion in der (lOO)-Richtung.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Zusammensetzungen weiter
modifiziert, so daß der zuletzt genannte Wert ebenfalls auf ein Minimum gebracht wird.
Glücklicherweise wurde ein beträchtlicher Teil der grundlegenden Arbeit auf das Vorzeichen und die
Größe der sich bei Verwendung vieler Ionen im Granat-System ergebenden Magnetostriktion gerichtet.
Die folgende Tabelle ist eine Berechnung von Daten aus dem Journal of the Physical Society of
Japan, Bd. 22, S. 1201 (1967). Diese Tabelle zeigt die magnetostriktiven Werte in dimensionslosen Einheiten,
welche Zentimeter Änderung pro Zentimeter Länge für R3Fe5O12-Granat-Zusammensetzungcn
darstellen.
Magnetostriktion in den beiden in Betracht stehende! Richtungen berechnet wurden.
| Lu (oder Y) | Eu | Gd | Tb |
| 1,34 1,85 |
0,09 0,16 0,18 |
2,325 1,00 0,50 |
0,585 0,50 0.47 |
30
| R-Ion | Sm | (111) | (100) |
| Eu | -8,5-10-6 + 1,8-10-6 -3,1-10-6 + 12,0-10-6 -5,9-10-6 -4,0-10-6 -4,9-10-6 -5,2-10-6 -4,5-10-6 -2,4-10-6 -2,4- ΙΟ"6 |
+ 21-10-6 + 21 · 10-« Null -3,3· ΙΟ-6 -12,5-10-'· -3,4-10-6 + 2,0 · 10-£ + 1.4- 10-6 + 1,4- ΙΟ-6 -1,4-10-6 — 1,4· 10-6 |
|
| Gd | |||
| Tb | |||
| Dy | |||
| Ho | |||
| Er | |||
| Tm | |||
| Yb | |||
| Lu . | |||
Tabelle III zeigt fünf Zusammensetzungen mit dei gemessenen magnetostriktiven Werten in beider
Richtungen. Die Granate gemäß Tabelle III wurdei aus einer Schmelze gezüchtet, und die angegebener
Zusammensetzungen waren diejenigen, die in dei
Schmelze und nicht in den gezüchteten Kristallen vorhanden waren. Es ist bekannt, daß die Kristallzusammensetzung
von derjenigen der Schmelze etwas abweicht. Trotzdem liegen diese beiden Zusammensetzungen
ausreichend nahe beieinander, so daß die in Tabelle III aufgeführten Materialien für die erfindungsgemäße
Lehre als exemplarisch angesehen werden können. In jedem Fall wurde eine Verringerung
der Magnetostriktion um mehr als 10 ",Ό dadurch
erreicht, daß wenigstens ein zusätzliches Ion mil einem magnetostriktiven Vorzeichen, das demjenigen
eines anderen, den betreffenden Platz einnehmenden Ion entgegengesetzt ist, eingefügt wurde.
Zusammensetzung
Er9TbAlFe4O1,
Er2TbAl11Fe3^O1,
Er2TbAl11Fe3^O1,
Gd 2.33Tb0,58Eu0i09Fe5O12
GdI
40 -0,6
-0,4
-0,4
-0,5
+0,3
+0,3
10-6
10-6
10-6
10-6
10-6
-0,67-10"« -0,67-10"«
-0,43-10"« + 0,10 ■ 10-« -0,5-10-«
In Tabelle I bezieht sich die Bezeichnung R-Ion auf das Kation, das den dodekaedrischen Granatplatz
einnimmt, und in den Spalten 2 und 3 sind die magnetostriktiven Werte für die sich ergebenden Granate
in den (Hl)- bzw. (lOO)-Richtungen angegeben. Eine Verringerung der Magnetostriktion wird durch Verwendung einer Kombination aus Kationen mit entgegengesetzten Vorzeichen erreicht. Der sich ergebende Wert ist angenähert linear bezogen, so daß
sich ein praktisch perfektes Gleichgewicht der (Hl)-Magnetostriktion bei Verwendung von Gadolinium
und Europium im Verhältnis von 1,8 zu 3,1 (das umgekehrte Verhältnis der Größen der Magnetostriktionen) ergibt. Eine ähnliche Einstellung läßt sich
unter Verwendung der aus der Tabelle I zur Verfügung stehenden Information zur Verringerung der
Magnetostriktion in den (lOO)-Richtungen durchführen, und eine einfache algebraische Lösung kann
zur gleichzeitigen Verringerung der beiden magnetostriktiven Werte verwendet werden.
Die folgende Tafel stellt die R-Ionen-Kombinationen dar, die zum Erreichen minimaler Werte der
Die R-Ionen, Eu, Gd und Tb, bilden eine vorteilhafte
Gruppierung, da sie etwa dieselben Verteilungskoeffizienten in einem wachsenden Kristall besitzen,
so daß sie kombiniert werden körnen um die Ma-
« gnetostriktion (in beiden Richtungen) ohne merklichen
Einfluß auf die Homogenität zu minimalisieren. Die Tabellenangaben sind nicht vollständig; es
können andere Substitutionen zur Verringerung der Magnetostriktion verwendet werden. So kann z.B.
dae Substitution von Mn»+, Co=»+ und Co2+ an einem
oder an beiden der tetraedrischen und oktaedrischen Platze zweckmäßig sein. Das (lll)-magnetostriktive
Vorzeichen, das dem Mn3+ zugeordnet ist, ist als
£°ι'.ί~ l>ekannt' Journal of Applied Physics, 38,
S. 1226 bis 1227 (1967).
Während Zusammensetzungen, die nur mit Blickrichtung auf die Verringerung der Magnetostriktion
geschaffen wurden, zweckmäßig in Domänen-Einrichtungen einbezogen werden, können unter Berücksicntigung anderer Materialeigenschaften weitere
werden erUngen ^ Zusammensetzung eingeführt
fic i>
TfS ? die Größe der stabilen Domäne entsprechend der folgenden Gleichung ehr
wobei
B der Domänendurchmesser,
E die magnetische Austauschenergie
K„ die einachsige magnetokristalline Anisotropie und Ms das Moment
E die magnetische Austauschenergie
K„ die einachsige magnetokristalline Anisotropie und Ms das Moment
ist, und zwar alle Größen in vereinbarten Einheiten. Solche Betrachtungen ermöglichen einen optimalen
Bereich beispielsweise des magnetischen Moments. Für viele Zwecke liegt der Bereich geeigneter Momentenwerte
zwischen 30 und 500 Gauß. Da viele Zusammensetzungen, die auf eine Verringerung der
Magnetostriktion abgestimmt sind, Momente haben können, die außerhalb dieses oder eines anderen
geeigneten Bereichs liegen, kann es erwünscht sein, auch die Zusammensetzung so zu modifizieren, daß
die Magnetisierung eingestellt werden kann, obwohl gleichzeitig ein verringerter Wert der Magnetostriktion
aufrechterhalten bleibt. Für viele Zusammensetzungen wird das magnetische Moment durch Substitution
nichtmagnetischer Ionen an den maßgeblichen tetraedrischen Eisenplätzen verringert. Repräsentative
Substitutionen umfassen Gallium, Aluminium, Silizium und Germanium (allgemein belegen
Ionen mit Radien, die gleich oder kleiner als derjenige des dreiwertigen Galliums (0,62 A) sind, vorzugsweise
tetraedrische Plätze).
Ebenfalls im Hinblick auf die Einstellung der Magnetisierung können auch Substitutionen an dem
dodekaedrischen Platz vorgenommen werden. Es ist bekannt, daß beispielsweise der Einbau von Gadolinium
zu einer Verringerung des magnetischen Moments bei Zimmertemperatur führt.
Eine ins einzelnere gehende Erörterung gehört jedoch nicht in die vorliegende Beschreibung. Es kann
hier in bezug auf grundlegende Erörterungen dieser Art auf Handbook of Microwave Ferrite Maierials
von Wilhelm H. Von Aulock, Academic Press. New York (1965) hingewiesen werden.
Ein weiterer für den Aufbau von Domänen-Einrichtungen maßgeblicher Parameter ist als Domänen-Beweglichkeit
definiert. Während die Ausbreitungsgeschwindigkeit von magnetischen bzw. einwandigen
Domänen durch einfache Zusammensetzungen, wie Yttrium oder Gadolinium Eisen-Granate, für die meisten
Anwendungsfälle ausreichend hoch ist, führt die erfindungsgemäß vorgesehene Modifizierung unglücklicherweise
häufig zu einer Verminderung dieser Beweglichkeit Obwohl es Schaltungen gibt, für
welche diese verminderte Beweglichkeit ausreichend ist, ist es häufig erwünscht, das Material weiter zu
modifizieren, um diesen nachteiligen Effekt zu mini· malisieren.
Es wurde festgestellt, daß die Verminderung dej Beweglichkeit durch die Verwendung von Substitu·
tionen mit Kationen hervorgerufen wird, weicht einen Bahndrehimpuls haben. Jede Modifizierung
gemäß der tabellarischen Aufstellung weist ein derartiges lon auf. Erfreulicherweise kann diese Verringerung
der Beweglichkeit durch weitere Substitutioner
ίο kompensiert werden, z. B. durch Substitutionen vor
Ionen mit Bahndrehimpulsen, weiche das umgebende Kristallfeld in einen ungeordneten Zustand überführen.
Eine Lösungsmöglichkeit besteht unter Bezugnahme auf Tabelle I in der Verwendung von 3
oder mehr Ionen, die noch angenähert algebraisch im Gleichgewichtszustand sind, wodurch sich eine
Kompensation der Magnetostriktion wiederum in erster Linie in den (lll)-Richtungen ergibt. Andere
Wege können eingeschlagen werden, und es konnte
ao festgestellt werden, daß jede Modifizierung, welche zu einer weiteren Variation der einen vorgegebenen
Platz einnehmenden Ionen führt, ein Anwachsen der Domänen-Beweglichkeit bei Zusammensetzungen
hervorruft, die ein Ion mit einem Bahndrehimpuls
as enthalten.
3. Züchtung
Die erfindungsgemäße Konzeption ist im wesentlichen vom Züchtungs- bzw. Wachstumsprozeß unabhängig,
abgesehen davon, daß die Züchtung bei Temperaturen unter etwa 1200° C wesentlich ist, um eine
Ordnung zu gewährleisten, welche einer magnetisch einachsigen Ausrichtung dienlich ist. (Dies schließ!
nicht eine Erzeugung bei höherer Temperatur in einei niit fallenden Temperaturen arbeitenden Technik
aus, da eine Angleichung an das auf niedrigerer Temperatur befindliche Material erfolgt.) Geeignete kristalline
Materialien können aus der Schmelze entweder spontan oder auf einem Zuchtkeim (vergleiche
z. B. Journal of Physics, Chem. Solids Suppl. Crystal
Growth, H. S. Peiser (1967) S. 441 bis 444, und Journal of Applied Physics, Suppl. 33, S. 1362
(1962) oder hydrothermisch (vgl. Journal of American Ceramics Society, 45, 51 (1962)) durch Abscheiden
aus der Dampf-Phase, Zerstäuben, thermisches Ablagern oder durch Zonen-Gradienten-Übertragung
gezüchtet werden (vergleiche z. B. Journal of Applied Physics, 39, S. 4700 (1968), Applied
Physics Letters 10, S. 190 bis 194 (1967), Crystal Growth von F. C. Frank, J.B. Mullin und H. S.
Peiser, 443 (1969)).
Hierzu 1 Blatt Zeichnuneen
Claims (6)
1. Magnetische Schaltung mit einem Körper aus einem Material, das einachsige magnetische
Anisotropie und lokale, eingeschlossene Bereiche mit einer derjenigen des Umgebungsmaterials entgegengesetzten
Polarisation aufweist, ferner mit einer die Lage der entgegengesetzt polarisierten,
lokalen eingeschlossenen Bereiche beeinflussenden, aus diesen einwandige Domänen bildenden
Einrichtung und einer Übertragungseinrichtung, welche die Domänen durch wenigstens einen ferrimagnetischen
Teil des Körpers überträgt, dadurch gekennzeichnet, daß das Materia!
ein Seltene Erden-Eisengranat ist, in welchem die dodekaedrischen Plätze von Ionen mit wenigstens
zwei Ionen von verschiedenen Vorzeichen besetzt sind, daß diese Ionen aus der aus Sm( —), Eu( 4-),
Ru( -). Gd( -), Tb( -), Dy( -). Ho( -). Er( -),
Tm( -), Yb( ), Lu( ) und Y( ) bestehenden
Gruppe ausgewählt sind, wobei die in Klammern gesetzten Vorzeichen die magnetostriktiven Vorzeichen
der vorstehenden Ionen in den (111 Richtungen sind, und daß die Magnetostriktion
des Materials in der 111 rRichtung eine um wenigstens
zehn Prozent geringere sfärke als diejenige eines nur ein solches Ion enthaltenden Granatmaterials
hat.
2. Magnetische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die 111}-Magnetostriktion
des Materials einen Maximalwert von angenähert 1.6-10"6cm Änderung pro Zentimeter
Länge hat.
3. Magnetische Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die (111 Magnetostriktion
des Materials einen Maximalwert von angenähert 1 · 10-" cm Änderung pro
Zentimeter Länge hat.
4. Magnetische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
(111 -Magnetostriktion des Materials einen Maximalwert
von angenähert 0,5 ■ 10-° cm Änderung pro Zentimeter Länge hat.
5. Magnetische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
magnetostriktiven Werte in den (IH)- und {100 Richtungen
im wesentlichen gleich Null sind.
6. Magnetische Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die
tetraedrischen Plätze von wenigstens einem Ion solcher Atome besetzt sind, die aus der aus Gallium,
Aluminium. Silizium, Germanium und Vanadium bestehenden Gruppe ausgewählt sind, und
daß das magnetische Moment auf einen Wert im Bereiche von etwa 30 bis 500 Gauß bei Zimmertemperatur
verringert ist.
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