DE2114972A1 - Verfahren zum Abgleich einer Dunn filmanordnung - Google Patents
Verfahren zum Abgleich einer Dunn filmanordnungInfo
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Description
7 Statte·« N, MenzelstraB· 40
Western Electric Company Inc. ··.·■*■
195* Broadway 26. März 1971
A 32 244 - sehn
Verfahren aum Abgleich einer Dünnfilaanordnung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abgleich einer
Dünnfilmanordnung durch wiederholte Messung und Anodisierung,
wobei der elektrische Widerstand einen vorbestimmten Wert erreicht'.und eine Vorrichtung zur Durchführung dieses
Verfahrens. Allgemein bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Abgleich bzw. zur Einstellung eines Korrekturwertes
einer Dünnfilmanordnung auf einen vorbestimmten Wert.
Im Verlauf fortschreitender Miniaturisierung von elektronischen Ausrüstungen kommt der Verwendung-von Dünnfilmanordnungen,
beispielsweise Dünnfilmwiderständen und Dünnfilmkon-
deneatoren, ständig steigende Bedeutung zu. Zusätzlich zu
ihren nur geringen Abmessungen weisen diese DUnnfilmanordnungen
hervorragende elektrische und mechanische Stabilität auf
109842/1283
und werden immer dort verwendet, wo die Anforderungen hinsichtlich Genauigkeit und Betriebssicherheit kritisch werden.
Ale typisches Verwendungsbeispiel solcher Anordnungen seien
die Verstärkeyschaltkreise genannt, die in transatlantischen
Kabeln verwendet werden; diese Schaltkreise müssen ohne irgendwelche
Ausfälle kontinuierlich 23 Jahre oder noch länger zufriedenstellend
arbeiten.
Dabei sind Dünnfiliawiderstände bekannt, die in üblicher form
aus einem dünnen Film eines filmbildenden Steueriaetalls, ,
beispielsweise aus Tantal» bestehen, welches mittels Zerstäubung oder in anderer Weise auf ein isolierendes Substrat,
beispielsweise auf Glas oder Keramik, abgelagert wird. Nachdem der dünne metallische Film auf das Substrat aufgestäubt
worden ist, wird die gewünschte Widerstands-Konfiguration durch selektive Abdeckung, eines Teils des Metallfilmes mit
einem gegen Ätzung widerstandsfähigem Material erzeugt, wobei die nicht'abgedeckten Teile des Filmes durch Ätzung entfernt
werden« Die Abmessungen des auf diese Weise gebildeten Widerstandes bestimmen dann seinen Widerstandswert.
Aufgrund moderner Aufstäubungsverfahren ist es möglich, eine
genaue Kontrolle Über die Dicke des während des Aufstäubungsprozesses abgelagerten metallischen Filmes zu erhalten, unglücklicherweise
jedoch nicht bis zu einem solchen Genauigkeitsgrad, der notwendig sein würde, um auf diese Weise direkt
Dünnfilmwiderstände und ähnliches mit Toleranzgrenzen von
109842/1283 #/#
21U972
o,1 % oder weniger ihres Nominalwertes herzustellen. Es ist
deshalb üblich und bekannte Praxis, auf einem Substrat frei-
willig einen Metallfilm abzulagern, welcher etwas dicker als der tatsächlich gewünschte Film ist. Der Widerstand oder die
andere Anordnung wird dann durch Erhitzen oder durch ein Anodisierungsverfahren eingestellt bzw. abgeglichen, wobei
auf der oberen Oberfläche des Dünnfilmmaterials eine metallische Oxydschicht erzeugt wird. Dabei sind Oxyde filmbildender
Steuermetalle, beispielsweise also Tantal, elektrisch nicht leitend, werden jedoch selbstverständlich auf Kosten der darunter
liegenden verbleibenden, nicht-oxydierten metallischen
Schicht gebildet. Auf diese- Weise wird das Volumen des leitenden Metallfilmes, welches unter der Schicht des metallischen
Oxydes liegt, ständig verringert, sowie die Oxydschicht in ihrer Dicke wächst. Auf diese Weise wird wiederum der elektrische
Gesaratwiderstand der Anordnung vergrößert. Erreicht
die Anordnung schließlich den gewünschten Widerstand, dann ist die Oxydation der Dünnfilmoberfläche beendet und die Anordnung
wird aus der Abgleichapparatur zur Verwendung herausgenommen.
Da es schwierig ist, die Oxydation eines dünnen metallischen Filmes durch Erhitzen des Filmes zu kontrollieren, ist die
Anodisierung, d.h. die Herstellung einer Oxydschicht auf
anodischem, elektrolytischem Wege die bevorzugte Technik. Aber auch die Anodisierung selbst ist, zumindest hinsichtlich
des Genauigkeitsgrades, welcher für die Herstellung von Prä-
109842/1283 ,
zisionswiderständen und dergleichen benötigt wird, schwierig zu kontrollieren und einzustellen. Deshalb mußten gemäß dem
bekannten Stand der Technik die Widerstandswerte von anodisierten
Anordnungen ständig überwacht werden, um sicherzustellen,
daß der Anodisierungsprozess, der ja tatsächlich irreversibel ist, nicht für einen zu langen Zeitraum durchgeführt
wird, wodurch man Ausschuß produzieren würde.
Eine Anordnung, die diesen Überwachungsvorgang während des Anodisierungsprozesses automatisch durchführt, kann beispielsweise
dem US-Patent 3«3*f1»Wf entnommen werden. Dabei wird
die auf .einen bestimmten Wert abzugleichende Dünnfilmanordnung abwechselnden Zyklen von Anodisierung und Widerstandsmessung
unterworfen. Da jedoch während des Anodisierungszyklus die elektrischen Ladungen die Neigung haben, sich an der abzugleichenden
Dünnfilmanordnung anzulagern und anzuhäufen, muß der Widerstandsmeßzyklus von ausreichender Dauer sein,
um ein Verschwinden dieser Ladungen zu ermöglichen. Wenn nur eine nicht ausreichende Zeitspanne vorliegt, verschwinden
die Ladungen nicht vollständig, so daß jede Widerstandsmessung bei einem nachfolgenden Widerstandsmeßzyklus mit einem
Fehler behaftet ist. Infolgedessen muß bei der Anordnung des erwähnten US-Patentes die Dünnfilmanordnung einem abwechselnden
Anodisierungszyklus von 5o ms und einem Widerstandsmeßzyklus
von 125 ms Dauer unterworfen werden, so daß die zur Anodisierung einer vorgegebenen Anordnung auf einen bestimmten
Wert benötigte Gesamtzeit in der Größenordnung von meh-
109842/1283 ,
- i -S
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reren Minuten liegt.
Zwar hat sich die in dem erwähnten US-Patent beschriebene Anordnung als in der Praxis durchaus wirkungsvoll gezeigt,
es muß jedoch festgestellt werden, daß die Anodisierung tatsächlich lediglich weniger als 28 % der gesamten Verfahrenszeit in Anspruch nahm. Zwar ist es möglich, einen solchen
Zeitverlust für die Anodisierung nur einiger Anordnungen in Kauf zu nehmen, er wird jedoch dann unwirtschaftlich, wenn
bei Großherstellungsverfahren Hunderte oder Tausende von Anordnungen auf einen bestimmten Festwert abgeglichen werden
müssen.
Der Erfindung liegt damit die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren anzugeben, mit welchem es möglich ist, eine Dünnfilmanordnung
auf einen bestimmten Wert mit Hilfe eines AnodisierungsVorganges
abzugleichen, ohne daß ein beträchtlicher Teil der Gesamt v,erfahrenszeit vergeudet werden muß, um den Widerstand
der abzugleichenden Anordnung kontinuierlich zu überwachen.
Die Erfindung, die von einem Verfahren zum Abgleich einer Dünnfilmanordnung nach der eingangs geschilderten Art ausgeht,
löst diese Aufgabe durch folgende Verfahrensschritte: Der Anfangswert der Anordnung wird gemessen, die Anordnung
wird zur Erhöhung des V/iderstandes in Richtung auf einen vorbestimmten Wert während eines ersten Zeitintervalls anodi-
siert, nach Ablauf des ersten Zeitintervalls wird der Wider-
109842/1283 #/<
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stand nochmals gemessen, aus dieser Widerstandsmessung wird mit Hilfe von Rechenanordnungen das zur Fortsetzung der Anodisierung
notwendige zusätzliche Zeitintervall errechnet, damit der Widerstand der Anordnung den vorbestimmten Widerstandswert
erreicht und es wird eine erneute Anodisierung der Anordnung für das zusätzliche Zeitintervall durchgeführt.
Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die erneute Anodisierung vor Ablauf des zusätzlichen
Zeitintervalls beendet, woraufhin dann der Reihe nach die weiter oben angegebenen Verfahrensschritte vom erneuten Messen
des Widerstandes bis zur erneuten Anodisierung wiederholt durchgeführt werden, bis der Widerstandswert der Anordnung
innerhalb eines Wertes von -£ des vorbestimmten Widerstandswertes liegt, wobei £ die erlaubte Abweichung bzw. Toleranz
von dem vorbestimmten Widerstandswert darstellt.
Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung können der nachfolgenden Beschreibung entnommen werden, in welcher
anhand der Figu-ren das erfindungsgemäße Verfahren sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens in Aufbau und
Wirkungsweise im einzelnen näher erläutert ist. Dabei zeigt:
Fig. 1 teilweise in schematischer und teilweise in Blockdar-
stellung die Darstellung eines erfindungsgemäßen Anodisierungsschaltkreises,
Fig. 2A zeigt in perspektivischer Darstellung einen ideali-
Fig. 2A zeigt in perspektivischer Darstellung einen ideali-
109842/1283
eierten Dünnfilmwiderstand, derart, wie er vorteilhaft
terweise mit Hilfe des in Fig, 1 dargestellten Apparates
auf einen vorbestimmten Wert abgeglichen werden kann,
Fig. 2B zeigt, ebenfalls in perspektivischer Darstellung, den in Fig. 2A dargestellten DUnnfilmwiderstand nach einer
anfänglichen Periode der Anodisierung,
Fig. 3 zeigt als Diagramm die Änderung des Widerstandes über
der Zeit für eine Dünnfilmanordnung, wie in Fig. 2A dargestellt, während
Fig. if ein gemäß der Erfindung verwendbares Flußdiagramm darstellt,
um die Anodisierung einer Dünnfilmanordnung .auf einen vorbestimmten Wert zu kontrollieren.
In Fig. 1 ist ein Anodisierungsapparat dargestellt, der gemäß der Erfindung dazu verwendet werden kann, einen Dünnfilmwiderstand
oder eine sonstige Anordnung auf einen vorbestimmten Wert einzustellen bzw. abzugleichen. Wie Fig. 1 entnommen
werden lcann, befindet sich der abzugleichende Dünnfilmwiderstand
Io in einem Elektrolyten 11 untergetaucht, welcher in
einem elektrisch nicht leitendem Tank 12 enthalten ist. Weiterhin ist in dem Tank 12 eine zylindrische Metallkathode 13
angebracht, die zusammen mit dem Widerstand 1o und dem Elektrolyten
11 eine elektrolytische Anodisierungszelle 14 bildet.
In Üblicher Weise bestehen" sowohl Widerstand Io als auch Kathode 13 aus Tantal, wobei bei dem dargestellten. Ausführungsbeispiel
der Elektrolyt 11 üblicherweise aus einer o,1 %igen Zitronensäurelösung
besteht.
109842/1283 #A
* " 21U972
Wie bekannt, besteht der Widerstand Io aus einem isolierenden
Substrat 16, auf welchem ein Muster 17 eines dünnen, einen
Film bildenden Metalls abgelagert ist. Ein Paar ohm'scher
Kontakte 18 sind gleichfalls an jedem Ende des Musters 17 auf dem Substrat abgelagert und stellen Verbindungsleitungen
für das Muster 1? nach außen dar. üblicherweise wird eine
Schicht eines nicht leitenden Materials, beispielsweise in der Figur nicht dargestelltes Wachs, auf jeden der Kontakte 18
aufgebracht, um einen direkten Durchtritt des Stromes von jedem der Kontakte 18 in den Elektrolyten 11 zu verhindern,
wobei dieser*Strom die Neigung haben würde, eine Anodisierung des metallischen Musters 17-auf dem Widerstand To zu verhindern.
Die Kathode 13 ist über eine Verbindungsleitung 19" mit dem
negativen Anschluß 21 einer Konstantstromquelle 22 verbunden. Normalerweise ist weiterhin jeder Kontakt 18 des Widerstandes
1o über ein Paar isolierter Verbindungsleitungen 23 und Unterbrecherkontakte
2k eines Relais 26 mit dem positiven Anschluß 28 der Stromquelle 22 verbunden.
Wird das Relais 26 betätigt, dann werden die Verbindungsleitungen
23 über ein entsprechendes weiteres Paar von Verbindungsleitungen 31 an einen Widerstandsmeßkreis 32 gelegt, über
eine Verbindungsleitung 33 ist der Ausgang des Widerstandsmeßkreises
32 mit dem Eingang eines Analog/Digitalumwandlers 3k
verbunden. Der Umwandler 3k wandelt das den Widerstandswert des Widerstands 1o darstellende analoge Signal in eine digitale
109842/1283 /
Form um. Von dem Umwandler 3*l· gelangen diese digitalen Signale
über eine Leitung 36 in einen allgemeinen Digitalrechner 37·
An den Rechner 37 ist ein Zeitkreis 38 bzw. ein Zeitintervallgeber angeschlossen, der dem Rechner 37 Zeitsignale zuführt.
Schließlich ist noch mit dem Ausgang des Rechners 37 über eine Leitung 1+1 ein Regelkreis 39 verbunden, um dem Rechner
über die Leitung ϊ\2. eine Einwirkungsmöglichkeit auf die
Steuerwicklung 1+3 des Relais 26 zu geben. Der Regelkreis 39 ist weiterhin über eine Leitung ifZf. mit der Stromquelle 22
verbunden, um am Ende des Anodisierungsproezsses den von diesem herrührenden Stromfluß zu unterbrechen. Zu Überwachungszwecken .können der Stromquelle noch ein Amperemeter 1+6 und
ein Voltmeter i+7 zugeordnet sein, falls dies erwünscht ist.
Die Fig. 2 zeigt den Widerstand 1o in größerer Darstellung. Aus Gründen eines besseren Verständnisses ist diese Darstellung
insofern vereinfacht, als die Kontaktanschlüsse 18 entfernt,
worden sind und indem angenommen wird, daß das Muster des dünnen metallischen Films eine rechteckförmige und keine
gezähnte bzw. meanderförmige Gestalt aufweist. Es ist jedoch
darauf hinzuweisen, daß die weiter unten abgeleiteten Formeln auch auf andere Konfigurationen eines Musters 17 anwendbar
sind, vorausgesetzt, daß diese sich im wesentlichen einer rechteckförmigen Darstellungsform annähern. Wie in Fig, 2A dargestellt,
v/eist das Muster des dünnen Metallfilmes 17 eine Länge L, eine Breite W und eine Anfangshöhe H auf, der zwischen
den Punkten a und b_ gemessene elektrische Widerstand
109842/1283 ,
des Musters 17 ergibt sich somit aus folgender Gleichung;
Dabei stellt f den spezifischen Widerstand des Metallfilms
dar, aus dem das Muster 17 hergestellt ist.
Fig. 2B zeigt den Dünnfilmwiderstand 11 nachdem eine Anfangsperiode einer Anodisierung durchgeführt worden ist. Wie dargestellt,
überlagert nunmehr ein Film eines elektrisch nicht leitenden, anodischen Oxyds k9 das Muster 17 und weist selbst
eine Dicke X auf. Da sich die Gesamthöhe H des Musters 17 nicht geändert hat, folgt daraus, daß die Höhe IL des verbliebenen,
nicht oxydierten Metalls durch folgende· Gleichung gegeben ist:
= H0 - X (2)
Sowie also der Anodisxerungsprozess des Widerstandes 1o, der
hier einem Umwandlungsprozess entspricht, fortschreitet, um so größer wird die Tiefe des Oxydfilms 49, wobei die Höhe
des verbliebenen, nicht oxydierten Metallfilmes entsprechend
abnimmt. Dadurch vergrößert sich der Gesamtwiderstand des
Dünnfilmwider Standes, wie er zwischen den Punkten a und b_
zu messen ist.
Unter der Annahme, daß die Oxydation auf einer Oberfläche
168842/1283 ,/Λ
-Tt-
H 21H972
init dem Flächenbereich WL gleichmäßig fortschreitet, und unter
der weiteren Annahme, daß die Oxydierungsgeschwindigkeit bzw.
die Rate der Oxydation konstant ist (was im wesentlichen dann der Fall ist, wenn die Stromquelle 22 eine Konstantstromquelle
darstellt), kann die Höhe des zu einem· bestimmten Zeitpunkt verbliebenen, nicht oxydierten Metallfilmes durch folgende
Gleichung angegeben werden:
H(t) = H0 (1 - «St), (3)
wobei H die "Anfangshöhe des metallischen Musters vor der
Anodisierung ist und v/obei pC eine Konstante darstellt.
Verknüpft man Gleichung 3 mit Gleichung 2 und 1 erhält man die folgenden Gleichungen (if) und (5)i
1 -
(5)
dabei stellt K .eine Konstante für ein vorgegebenes leitendes
Muster 17 dar.
Wie in Fig. 3 dargestellt, weist der Verlauf des Widerstandes des Musters 17 über der Zeit eine hyperbolische Form auf.
Dabei ist die Zeit t = ο willkürlich für einen bestimmten Zeitaugenblick gewählt worden, bevor der Widerstand des Musters
17 den gewünschten Widerstandswert R, angenommen hat,
109842/1283 ./,
deh. den Widerstandswert, auf welchen der Widerstand 1o abgeglichen
werden soll. In Fig. 3 stellt die Zeit t = T den Zeitpunkt dar, an welchem die Anodisierung des Widerstandes
1g abgeschlossen sein muß, wenn der Widerstand des WiderStandes
1o genau gleich sein soll dem gewünschten Widerstandswert
H,a Die Form der in Fig. 3 dargestellten hyperbolischen
Kurve hängt ab von dem Wert der Konstanten K und OC in Gleichung 5 und unterscheidet sich im allgemeinen für jedes
* unterschiedliche leitende Muster 17« Zusätzlich dazu sind
auch noch die Konstanten K und &C abhängig von der auftretenden
Aaodisierungsrate.
Da der Anodisierungsprozeß durch.die beiden Konstanten K und
OC charakterisiert werden kann, sind mindestens zwei Wider»
Standsmessungen notwendig, um diese Konstanten abzuleiten. Vorteilhafterweise werden diese Messungen durchgeführt, bevor
der Anodisienngsprozeß zu weit fortgeschritten ist. Dabei
fc stellt der Punkt t = ο einen geeigneten Punkt zur Vornahme der Messung dar, wobei der entsprechende V/iderstand zu dieser
Zeit als R definiert sein soll. Aus Erfahrung weiß man, daß der Oxydationsprozeß nicht vor einer Zeit t = tf vollständig
durchgeführt sein kann, so daß man den zweiten benötigten Punkt für eine Messung mit t = t- auswählen kann, wobei t. = r ·
ist und reinen Bruchteil & 1 darstellt. Wird der zum Zeitpunkt
t = t gemessene Widerstand als R^ definiert, dann kann
man aus der Gleichung (5) schreiben
109842/ 1283
Löst man die Gleichungen (6) und (7) für K und oC , erhält
man
K β R0 (8)
OC = . (9)
R t
Weiter vorn wurde der Widerstand R, als der Widerstandswert
definiert, den die Dünnfilmanordnung schließlich erreichen soll. Es muß deshalb der Wert t » T ausgerechnet werden, d.h.
die Zeit, zu welcher die Dünnfilmanordnung den Widerstand R, erreichen wird. Man hat
setzt man die Werte für K und <*C , die sich aus den Gleichungen
(8) uad (9) ergeben, in die Gleichung (1o) ein, dann bekommt
man
R0
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Löst man die Gleichung (11) für T auf, dann erhält man
R1 t1 (R, - Rn)
Rd tR1 - V
Rd tR1 - V
Infolgedessen erhält man mit lediglich zwei Messungen, nämlich mit RQ zum Zeitpunkt t = ο und mit R.. zum. Zeitpunkt t = t^
die Gleichung (12), welche die Zeit T voraussagt, zu welcher der Dünnfilmwiderstand 1o den gewünschten Widerstandswert R,
annehmen wird,
Dabei würde bei einer idealen, rauschfreien Situation die
Fortsetzung des Änodxsierungsprozesses für den gesamten Zeitraum von T-Einheiten sicherstellen, daß die Dünnfilmanordnung
ausgehend von ihrem Anfangswiderstandswert R auf den gewünschten
V/iderstandswert R, abgeglichen ist. Demgegenüber ist
jedoch bei einer praktisch durchzuführenden Anordnung immer ein gewisses Rauschen vorhanden, sowie geringfügige Fehler
bei den Messungen, von R und R-. Deshalb ergibt im allgemeinen
eine Anodisierung zu dem Zeitraum T bei einem tatsächlich durchgeführten Bearbeitungsvorgang nicht den gewünschten Widerstand
R,, sondern es wird im allgemeinen ein gewisses Überschwingen bzw. Unterschwingen, d.h. ein gewisses Unterschreiten bzw,
überschreiten des gewünschten Widerstandswertes auftreten.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung"der Erfindung wird deshalb
ein sog. »Iterationsll-Schema verwendet, wobei mindestens
eine und häufig mehrere weitere Widerstandsmessungen während des Anodisierungsverlaufes vorgenommen werden.
109842/1283 ./.
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Gemäß der Erfindung wird im allgemeinen die nächste Widerstandsmessung
zum Zeitpunkt t - t* + £ (T - t-) vorgenommen,
wobei r ein Bruchtöil von afc 1 ist,.
Wird also dementsprechend die nächste Messung bei to = t, + r (T - t,) gemacht, wobei der zu dieser Zeit gemessene
V/iderstand als R2 definiert wird und rechnet man dann
K und OC von den Messungen R. und R2, die zu den Zeiten t = t-
und t = t2 durchgeführt worden sind, zurück, dann erhält man
zunächst:
S1
Löst man die Gleichungen (13) und (iif) für K und oc auf,
dann erhält man
1 2 2 "" 1
K = w— ρ—r
(15)
R t - R t
R3 — R1
- K1 t
Setzt man diese neuen Werte für K und OC in die Gleichung (1o)
ein, dann erhält man
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- R
Löst man die Gleichung (17) für T auf, dann bekommt man
schließlich:
Dieser neue Wert von T ist somit die revidierte Schätzung der ZeIt5 zu welcher der Anodisierungsprozeß beendet sein
mußj wenn die Dünnfilmanordnung den gewünschten Widerstands·
wert R exakt erreichen soll. Es muß jedoch nochmals wiederholt werden, daß aufgrund des vorhandenen Rauschens in dem
System und der Ungenauigkeiten in den Messungen von R- und
R2 der ganze Prozeß vorteilhafterweise mindestens ein- oder
zweimal mehr wiederholt wird. Dieses Iterations- bzw. Wiederholungsschema kann wie folgt beschrieben werden:
Die Zeit für die Widerstandsmessung ist durch folgende Gleichung gegeben
wobei die geschätzten Werte für K und °C sich aus
R.R. «(t. — t· 1%
CRt Rt;
CRt Rt;
109842/1283 ./.
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•ΐ ™ ·ϊ 1
' '1 ■ ' ergeben. (21)
Benutzt man diese beiden Gleichungen, um T auszurechnen, be kommt man:
- (Rd - Η1-1>ΒΑ -
<Bd - 8J
Selbstverständlich muß dieser wiederholte Vorgang dann abgebrochen
werden, wenn der gemessene Wert von R. sich so ergibt, daß er innerhalb der Toleranzgrenzen für R, liegt.
Aus Gleichung (19) ruft man eich ins Gedächtnis zurück, daß
tj = tj, + r (T - tj j), wobei r_ eine Konstante ist, die
£,1 ist. Wird jedoch r_ zu klein gemacht, dann ist die Konvergenz
des Wiederholungsverfahrens zu langsam. Macht man demgegenüber auf der anderen Seite £ zu groß, dann besteht
eine gewisse Gefahr, über den gewünschten Widerstandswert R, hinauszulaufen. Allgemein kann man davon ausgehen, daß
je weniger Rauschen und je weniger Ungenauigkeiten in den
Widerstandsraessungen vorliegen, um so größer kann man mit
Sicherheit r machen. Sowie also das Wiederholungsverfahren fortschreitet, kann man r anpassen und nachdem mehrere Widerstandsmessungen
durchgeführt worden sind, kann man so weit gehen, r = 1 werden zu lassen, um auf diese Weise eine
schnelle Konvergenz der Reiteration zu erreichen. Typischerweise wird bei Beginn des Verfahrens r in der Größenordnung
von o,5 sein und kann sich schrittweise umo,1 erhöhen, so
109842/1283 j%
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daß es etwa bei Q,8 bzwe o,9 liegt, wenn die letzten Widerstandsmessungen
vorgenommen v/erden. Der genaue Wert von r hängt jedoch selbstverständlich von den bei einer bestimmten
Anodisierungsapparatur vorgegebenen Variablen ab.
Fig. 4 zeigt in einer Darstellung das logische Flußschema zur
Verwirklichung des obigen Algorithmus. Im folgenden soll dieses Flußschema genauer erläutert werden, wobei ausgehend von oben
in logischer Folge nach unten gearbeitet wird. V/ie dargestellt, besteht der erste Schritt darin, den der Anodisierungsapparatur
zugeordneten Zeitschaltkreis"auf Null einzustellen. Der
nächste.Schritt besteht darin, den anfänglichen Widerstand R
der auf einen bestimmten Widerstandswert abzugleichenden Dünnfilmanordnung zu messen. Der Rechner führt dann eine Rechnung
durch, um festzustellen, ob der gemessene Widerstandswort R
schon innerhalb des oberen Toleranzlimits R, = R, + t oder
innerhalb des unte ren Toleranzlimits R," = R, - £ des ge- '"
wünschten Widerstandswertes R. fällt. Befindet sich R innerhalb
der Toleranzgrenzen, dann beendet das Flußdiagramm den Anodisierungsprοζeß. Falls, was üblicherweise der Fall sein
wird, R sich außerhalb dieser Toleranzgrenzen befindet, wird eine Berechnung gemacht, um den Wert t- zu erhalten, welcher
ein Bruchteil r_ (r^ 1) der insgesamt geschätzten Zeit darstellt,
die notwendig ist, um den Widerstand auf den gewünschten Widerstandswert R, zu anodisieren. Der Widerstand
wird dann für das Zeitintervall t^ anodisiert, wonach, nach
Abschalten des anodisierenden Stromes, der neue Widerstands-
109842/1283 ./.
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wert R. zu diesem Zeitpunkt berechnet wird. Es erfolgt wiederum
eine Berechnung, um festzustellen, ob R. sich innerhalb
einer akzeptablen Nähe zu R, befindet. Falls dies der Fall ist, ist der Prozeß beendet. Trifft dies nicht zu, wird eine
weitere Berechnung gemacht, und zwar unter Verwendung der
Werte R , R1 und t,, um die Parameter K und oC aus der den
o' 1 1'
Anodisierungsprozeß charakterisierenden Gleichung abzuleiten. Als nächstes wird die Zeit T, die notwendig ist, um den Widerstand
auf den exakter Wert von R^ zu bringen, errechnet und
ein Zähler wird auf den Wert i = 2 eingestellt.
Anschließend erfolgt eine Berechnung, um den V/ert von t. festzustellen,
des Zeitintervalls, welches nötig ist, um den Widerstand der Dünnfilmanordnung auf einen Wert von 'R- anzuheben,
welcher geringer als R,, jedoch größer als R. ist. Analog dazu
ist die Zeit t. kleiner als T, jedoch größer als t-. Der
Anodisierungsprozeß wird dann wieder aufgenommen, bis die insgesamt vergangene Zeit den Wert t. erreicht, wobei der
Widerstand dann auf einen Widerstandswert von R. gebracht ist. Dieser Wert wird gemessen und wiederum eine Berechnung vorgenommen,
ob R. innerhalb einer annehmbaren Nähe von R, fällt. Ist dies der Fall, ist der Prozeß beendet. Im anderen Falle
werden die Parameter K und <& erneut aus den V/erten R. , R, ·
und t^ errechnet; aus der sich neu ergebenden Gleichung wird
dann ein anderer Wert für T bestimmt. In Anpassung daran kann, falls erwünscht, der Bruchteil r nun größer gemacht werden,
während der Wert von i um den Faktor 1 vergrößert in dem Zäh-
10 9842/1283 .
- 2ο -
21U972
ler gespeichert wird. An diesem Punkt wiederholt sich das
Flußdiagramm und der neue Wert von t^ wird berechnet. Die .
Schritte in dieser Schleife werden so oft wie notwendig wiederholt mit kontinuierlichen adaptiven Änderungen hinsichtlich
des Bruchteils r, bis der Prozeß beendet ist, was dann der Fall ist, wenn sich B. innerhalb der gewünschten Toleranzgrenzen
für R, befindet.
Mit der Programmierung von Computern bzw. Rechnern vertraute Personen können das in Fig. Zf dargestellte Flußdiagramm verwenden
und ein eingehendes Programm aufstellen, welches in irgendeiner der bekannten Programmierungssprachen dargestellt
ist, beispielsweise in PL/1, FORTRAN, COBOL usw. oder in einer anderen Maschinensprache. Ein in dieser Weise "hergestelltes
Programm kann einem beliebigen, allgemeinen- Digitalrechner eingefüttert v/erden, um die in Fig. 1 dargestellte Anodisierungsapparatur
zu regeln und auszusteuern. Desgleichen ist &s -jedoch' möglich, einen für diesel speziellen Zweck konstruierten
Digital- bzw. Analogrechner zu verwenden, um diesem das in Fig.- l± dargestellte Flußdiagramm einzugeben und
die in Fig. 1 dargestellte Apparatur auszusteuern.
Im folgenden wird nochmals auf die Darstellung der Fig. 1 eingegangen
und deren Wirkungsweise beschrieben. Zunächst wird der abzugleichende Dünnfilmwiderstand 1o in den
Tank 12 eingeführt, so daß er mit dem Elektrolyten 11 in Berührung kommt. Anschließend wird der Rechner 37 aktiviert
109842/1283 /
und beeinflußt seinerseits über die Leitung If 1 den Regelkreis
39, der über die Leitung l\Z das Relais 26 betätigt. Das unter
Strom gesetzte Relais 26 verbindet die von dem Widerstand 1o
kommenden Leitungen 23 über die Leitungen 31 mit dem Widerstandsmeßkreis
32. Der Widerstandsmeßkreis 32 mißt dann den Anfangswiderstandswert R des Widerstands 1o. Anschließend
wandelt der Analog/Digitalumv/aridler 3k den gemessenen Widerstandswert
in eine digitale Form um, woraufhin die digitalen Signale über die Leitung 36 in die Gedächtniszentrale des
Rechners 37 eingegeben werden, wo die Information bis zur Verwendung gespeichert wird. Der Rechner führt dann die notwendigen
Berechnungen aus, -um festzustellen, ob sich R innerhalb akzeptabler Toleranzgrenzen von R, befindet und befiehlt
dann, falls RQ, wie allgemein der Fall, sich nicht innerhalb dieser vorgeschriebenen Toleranzgrenzen befindet,
dem Regelkreis das Relais 26 abzuschalten und den ersten Anodisierungszyklus durch Anschluß an die Konstantstromquelle
22 zu- beginnen.
Nachdem der Zeitschaltkreis 38 dem Rechner den Ablauf des Zeitintervalls t = t. angezeigt hat, befiehlt der Rechner
37 wiederum dem Regelkreis 39, das Relais 26 zu betätigen und den Anodisierungsprozeß zu unterbrechen. In entsprechender
Weise, wie bei der Messung des Anfangswiderstandswertes R , wird der neue Widerstandswert R- des Dünnfilmwiderstandes 1o
zu diesem Zeitpunkt gemessen und in den Computer eingegeben, der wiederum die notwendigen Berechnungen durchführt, um fest-
109842/1283 #/#
2.1U972
zustellen, ob dieser veränderte Widerstand sich innerhalb annehmbarer
Toleranzgrenzen zu dem gewünschten Widerstand R,
befindet,, Falls sich, wie das üblicherweise der Fall sein'
wird, β- immer noch nicht innerhalb der Toleranzgrenzen für
R, befindet, berechnet der Comput-er aus den oben angegebenen "Gleichungen, die Parameter K und OO der hyperbolischen Gleichung,
die den Anodisierungsprozeß charakterisiert. Wie schließlich dem Flußdiagramm in Fig. Zf entnommen werden kann,
wird dieses gesamte Verfahren so viele Male wiederholt, wie notwendig, bis der von dem Meßkreis 32 gemessene Wid er standswert
des Widerstandes Io tatsächlich innerhalb der Toleranzgrenzen für den gewünschten. Widerstand R, fällt.
Da r adaptiv gemacht werden kann, d.h. dem gesamten Verfahren hinsichtlich seines V/ertes angepaßt werden kann, konvergiert
die Iteration schnell, so daß nach nur wenigen Widerstandsmes-,
sungen die exakte Zeit T, zu welcher der Anodisierungsprozeß beendet sein muß,, bekannt ist. Nachdem der Zeitschaltkreis 38
den Ablauf der Zeit T angezeigt hat, befiehlt der Rechner 37 dem Regelkreis .39, das Relais 26 zu betätigen und durch Abschaltung
der Stromquelle 22 den Anodisierungsprozeß zu beenden.
Es ist darauf hinzuweisen," daß dieses vorliegende Verfahren
im Vergleich zu dem bekannten Stand der Technik eine außerordentlich schnelle Annäherung an den gewünschten Widerstandswert
R, in einem Minimum notwendiger Zeit ermöglicht, wobei üblicherweise weniger als 5 Widerstandsmessungen benötigt v/er-
109842/128-3
den. Dies stellt eine beträchtliche Verbesserung des bekannten Stands der Technik dar, die üblicherweise Hunderte von zeitraubenden
Widerstandsmessungen benötigt.
Im vorhergehenden ist die Erfindung mit Bezug auf die Einstellung bzw. das Abgleichen eines Widerstandswertes eines Dünn filmwiderstandes
beschrieben worden, es versteht sich jedoch, daß die Grundsätze der vorliegenden Erfindung auch bei Verwendung
anderer Anodisierungsprozesse zweckvoll angewendet werden
können, beispielsweise bei der Bildung eines nicht leitenden dielektrischen Filmes für die Platten eines Dunnfilmkondensators.
Da die Dicke des- ursprünglichen, nicht oxydierten Metallfilmes (angenähert) aus den Parametern des Aufstäubungsverfahrens
errechnet werden kann, erlaubt der Widerstand des verbliebenen nicht oxydierten Metallfilmes einen Hinweis auf
die Dicke des erzeugten Oxydfilms. Die Dicke dieses Oxydfilms ist im Falle eines Dünnfilmkondensators wichtiger als der
Widerstand des darunter liegenden Metallfilms. Darüber hinaus ist es für einen Fachmann klar erkennbar, daß die vorliegende
Erfindung auch dort angewendet werden kann, wo der anodische Film aus Schmuck- bzw. Dekorationsgründen erv/ünscht ist, beispielsweise
in der Herstellung dekorativer Metallschilder und Schmuck. Die Erfindung kann im übrigen, abgesehen von Anodisierungsprozessen,
auch bei sonstigen anderen Verfahren angewendet werden, wo eine linear sich mit der Zeit verändernde
Funktion die Parameter eines bearbeiteten Werkstückes verändert,
109842/1283
Claims (3)
- Patentansprüche:Verfahren zum Abgleich einer Dünnfilmanordnung durch wiederholte Messung und Anodisierung, wobei der elektrische Widerstand einen vorbestimmten Wert erreicht, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:Der Anfangswiderstand (R ) der Anordnung (1o) wird gemessen, die Anordnung wird zur Erhöhung des Widerstandes in Richtung auf einen vorbestimmten Wert (Rj) während eines ersten Zeitintervalls (t-) anodisiert,nach Ablauf des ersten Zeitintervalls (T-) wird der Widerstand (R-) nochmals gemessen,aus dieser Y/iderstandsmessung wird mit Hilfe von Rechenanordnungen (34537j3S) das zur Fortsetzung der Anodisierung notwendige zusätzliche Zeitintervall (T-t-) errechnet, damit der Widerstand der Anordnung den vorbestimmten V/ider-. standswert (R,) erreicht, und es wird eine erneute Anodisierung der Anordnung für das zusätzliche Zeitintervall (T-t^) durchgeführt.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erneute Anodisierungsschritt vor Ablauf des zusätzlichen Zeitintervalls (T-t-) abgebrochen wird und daß zu wiederholten Malen die Widerstandsmessung,"die Berechnung und der Anodisierungsvorgang durchgeführt wird, bis der Widerstand der Anordnung innerhalb - S eines vorbestimmten Widerstandswertes (Rj) gemessen wird, wobei £ die erlaubte Toleranz-109842/1283 ./.abweichung von dem vorbestimmten Widerstandswert darstellt.
- 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor jedem Anodisierungsschritt und erneutem Anodisierungsschritt mittels maschineller Anordnungen bestimmt wird, ob der Widerstand der Dünnfilmanordnung den vorbestimmten Widerstand innerhalb der - £ Toleranzgrenzen erreicht hat.Zf. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß gemäß einem weiteren Verfahrensschritt die von den maschinel-' len Mitteln bei der Durchführung der Rechnungen verwendeten Parameter adaptiv verändert werden, wenn der Iterationsprozeß durchläuft, so daß der Widerstand der Anordnung schnell in Richtung auf den vorbestimmten Widerstandswert konvergiert.5·' Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis k, dadurch gekennzeichnet, daß als zusätzlicher Verfahrensschritt vor jedem Anodisierungsschritt mittels maschineller Mittel der gegenwärtige Widerstandswert der Anordnung mit den oberen und unteren vorgeschriebenen Toleranzgrenzen verglichen wird, um festzustellen, ob der Abgleichvorgang beendet v/erden kann.6« Vorrichtung zur Anodisierung eines DünnfilmwiderStandes auf einen bestimmten Widerstandswert zur Durchführung des Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, mit einemι eine elektrolytische Lösung enthaltenden Tank,109842/128321U972einer innerhalb des Tankes in Kontakt mit der elektrolytischen Lösung angeordneten Kathode mit Anordnungen zur Lagerung des Widerstandes innerhalb des Tanks in Berührung mit der elektrolytischen Lösung, wobei der Widerstand als Anode wirkt und zusammen mit der Kathode und der elektrolytischen Lösung eine elektrolytische Zelle bildet, mit Schaltungsanordnungen zur Zuführung eines elektrischen Stromes zu der Anode und Kathode, um den Widerstand zu anodisieren, dadurch gekennzeichnet, daß ein Rechner (37) mit Anordnungen (32) zur Messung des elektrischen Widerstandes des Dünnfilmwiderstandes (1o) verbunden ist und daß der Rechner (37) weiterhin mit einer bistabilen Schaltungsanordnung (39) verbunden ist, die in Reihe mit den Stromversorgungsanordnungen (22,/jif) liegt.109842/1283
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