DE2105411C - Verfahren zum Herstellen von inte grierten Dunnfilmschaltungen - Google Patents

Description

3 I 4

durch ein Elektrodenmetall in der fertigen integrier- stellten Widerstandsteil ist. Eine Ätzabdeckung wird ten Dünnschicht-Schaltung bedeckt ist Diese Tantal- auf wenigstens dem Teil der reinen Tantalschicht schicht muß eine Dicke haben, die im wesentlichen über diesem Flächenbereich niedergeschlagen, und die Änderung des Widerstands des Tantalnitrids beim dann wird das Substrat in eine Ätzflüssigkeit geÄtzen der Tantalschicht für die Bildung des Konden- 5 taucht. Die Ätzflüssigkek zum Ätzen des Tantals ist sators verhindert und welche die Ausführung des Fluß-Salpeter-Säure (HF = HNO₃), und diese Ätzanodischen Oxydationsprozesses, der unten beschrie- flüssigkeit ätzt und entfernt den Teil der reinen Tanben wird, ermöglicht, wobei die Dicke vorzugsweise talschicht, der nicht mit der Abdeckung versehen ist. zwischen 100 und 500 Angströmeinheiten liegt Diese Die auf dem Tantalnitridwiderstand niedergeschla-Tantal-Schutzschicht ist nicht erforderlich, um die io gene Tantalschicht wird auch durch diese Ätzflüssigganze Fläche des widerstandsfähigen, leitfähigen keil entfernt, jedoch wird die obeire Fläche des Tan-Weges des Tantalnitrids zu bedecken, und kann nahe talnitrids nicht geätzt, da sie mit Tantalpentoxyd beder oberen Fläche des Tantalnitrids gebildet werden. deckt ist. Dieser Seitenwandteil des Tantalnitrids Dies liegt daran, daß die Breite des Widerstands- wird mit einem Oxyd des Tantalaitrids bedeckt, und weges üblicherweise über 50 μ beträgt und die Dicke 15 dieses Oxyd ist nicht gegenüber Flußsäure widerdavon in der Größenordnung von 1000 Angström- standsfähig. Da jedoch die Dicke des. Tantalnitrids, einheiten liegt, so daß die Erosion des Tantalnitrids wie oben beschrieben worden ist, tatsächlich viel gein der seitlichen Richtung vernachlässigbar ist. Die ringer im Vergleich mit deren Breite ist, ist die Tantal-Schutzschicht kann deshalb auf dem wider- Erosion des Tantalnitrids in seitlicher Richtung verstandsfähigen, leitfähigen Wtg des Tantalnitrids 20 nachlässigbar. Die Tantalschicht für die Bildung des leicht gebildet werden. Eine Tantalnitrid-Schicht Kondensators kann somit selektiv geätzt werden, ohne wird zuerst auf der gesamten Fläche eines isolieren- daß das Tantalnitrid wesentlich geätzt wird.
den Substrats durch bekanntes Kathodenzerstäuben Die auf dem Flächenbereich zurückgelassene Tanin einer Atmosphäre mit Stickstoff gebildet, und eine tal&chichl wild durch die obenerwähnte anodische Tantalschicht wird dann auf der gesamten Fläche der as Oxydation oxydiert, um eine Dielektrikumschicht für Tantalnitrid-Schicht nahe der Schicht durch die den Tantalpentoxydkondensator auf dem gewünsch-Kathodenzerstäubung in einer reinen Argonatmo- ten Bereich zu bilden. Nach der Herstellung der Sphäre, die keinen Stickstoff enthält, gebildet Diese dielektrischen Schicht des Konden^ >rs wird eine Doppelschicht wird durch Fotoätzen geätzt, um einen Kondensatorgegenelektrode auf der dielektrischen Widerstand eines vorgegebenen Musters zu bilden. 30 Schicht angebracht, und der Kondensator wird mit Tantal und Tantalnitrid kann dann dutch Fluß-Sai- dem Widerstand durch eine leitfähige Linie aus einem peter-Säure (HF = HNO₃) geätzt werden. Meiallfilm verbunden. Die Gegenelektrode und die

Als zweiter Schritt zum Schützen des Tantalnitrids leitfähige Linie können von einem einzigen Metallfilm

gegen die Ätzflüssigkeit zum Ätzen des Tantals wird gebildet werden. Ein Metallfilm mit chemischer Sta-

eine anodische Oxydation ausgeführt. Eine Formier- 35 bilität und einer hohen elektrischen Leitfähigkeit, wie

flüssigkeit wird der Doppelschicht auf dem isolieren- Gold, wild auf der gesamten Fläche des Substrats

den Substrat zugeführt, um die anodische Oxydation niedergeschlagen, die mit einem Kondensatorelement

zu bewirken, wobei die Doppelschicht die Anode ist und einem Widerstandselement versehen ist, und die-

und die Formierflüssigkeit die Kathode ist. Diese ser Metallfilm wird durch Fotoätzen geätzt, um das

anodische Oxydation wird fortgesetzt, bis die dar- 40 gewünschte Mustt. zu bilden,

überliegende Tantalschicht vollständig oxydiert ist Somit kann eine integrierte Ä-C-Schaltung her-

und bis wenigstens ein Teil der Tantalnitridschicht gestellt werden. Wo es notwendig ist, wird ein Stück

oxydiert ist. Der Widerstandswert kann durch teil- einer integrierten Schaltung mit einem monolithischen

weise Oxydation des Tantalnitrids eingestellt werden. Halbleiter auf diesem Substrat angebracht, um eine

Der Widerstandswert des vorbestimmten Musters 45 Hybrideschaltung zu bilden. Nach der Erfindung kön-

wird deshalb immer kleiner als der gewünschte Wert nen mehrere Tantalkondensatoren und mehrere

gehalten. Der Zweck dieser anodischen Oxydation Tantalwiderstände auf einem einzigen Substrat gebil-

besteht darin, einen Schutzfilm zu bilden, der den det werden.

gesamten Umfang des Tantalnitrids bedeckt, und Nachfolgend wird die Erfindung an Hand der

auch den Widerstand einzustellen, weshalb die dar- 50 Figuren näher erläutert. Es zeigt

überliegende Tantalschicht vollständig oxydiert wird. F i g. 1 die Beziehung zwischen der Tauchzeit in

Durch diese anodische Oxydation wird die darüber- der Fluß-Salpeter-Säure und dem Faktor der Ände-

liegende Tantalschicht in Tantalpentoxyd umgewan- rung des Widerstandes eines bekannten Tantalwider-

delt. Der Seitenwandteil der Tantalnitrid-Schicht Standes mit einem Oxydfilm von 500 Angström, der

wird auch oxydiert, und dieses Oxyd und das darüber- 55 durch anodisches Oxydieren einer Tantalnitridschichi

liegende Tantalpentoxyd schützen das Tantalnitrid von 1000 Angström bei 120 V hergestellt worden ist.

gegen Luft. F i g. 2 eine Aufsicht auf eine Ausführungsform

Tantalnitrid wird somit mit einem Schutzfilm über- der integrierten ft-C-Schaltung, die durch das Verzogen, um das Tantalnitrid gegen die Ätzflüssigkeit fahren nach der Erfindung hergestellt worden ist,
zum Ätzen des Tantals im wesentlichen zu schützen. 60 Fig. 3 bis 12 Querschnitte des überzogenen Sub-

Als nächstes wird gemäß der Erfindung eine reine strats, die das Verfahren der Herstellung der inte-

Tantalschicht für die Herstellung eines Kondensators grierten R-C-Schaltung der F i g. 2 zeigen,

gebildet. Diese reine Tantalschicht kann durch Ka- Fig. 13 die Beziehung zwischen der Tauchzeit ir

thodenzerstäubung und auf der gesamten Fläche des Fluß-Salpeter-Säure und dem Faktor der Wider

Substrats ohne Verwendung einer Maske gebildet 65 Standsänderung des in F i g. 6 gezeigten Widerstands

werden. Das Substrat hat einen Flächenbereich, auf elementes.

dem der Kondensator gebildet werden soll, wobei Gemäß Fig. 1 ist der Faktor der Widerstands

der Flächenbereich getrennt von dem vorher herge- änderung Λ R/R das Verhältnis zwischen dem An

5 6

fangswiderstandswert und der Differenz zwischen zu dick ist, wird es unmöglich, die Tantalschicht vollr dem Anfangswiderstandswert und dem Widerstands- ständig anodisch zu oxydieren. Wenigstens ein Teil wert, der nach dem.Eintauchen des Widerstands in der darunterliegenden Tantalnitridschicht muß also die Ätzflüssigkeit erhalten wird. Aus der Darstellung oxydiert werden, so daß die oberste Grenze der Dicke ist zu sehen, daß der Widerstandswert unendlich 5 der Tantalschicht 19 bei 500 Angström liegt. Die wird, d. h., das Tantalnitrid wird in etwa 5 Sekunden niedrigste Grenze der Dicke der Tantalschicht 19 bevollständig geätzt. Dadurch wird klar, daß ein gebil- trägt aus dem oben angegebenen Grund 100 Ang-' deter Film aus Tantalnitrid nicht gegen Flußsäure ström. Die zweckmäßigste Dicke der Tantalschicht widerstandsbeständig ist, wie bisher angenommen beträgt 200 bis 300 Angström,
wurde. Da der Tantalnitridwiderstand durch die Ätz- io Eine organische Ätzabdeckung wird auf die Tanflüssigkeit zum Ätzen der auf dem Widerstand nie- talschicht 19 längs des vorbestimmten Musters der dergeschlagenen Tantalschicht geätzt wird, ist es so- Widerstandswege aufgebracht. Das Substrat wird in mit nach dem Stand der Technik im wesentlichen Fluß-Salpeter-Säure (2 Teile HF mit 45°/o Gewichtsunmöglich, das Kondensatorelement nach der Her- konzentration und 5 Teile HNO_? mit 60% Gewichtsstellung des Widerstandselementes zu bilden. 15 konzentration) getaucht, und die Doppelschicht der F i g. 2 ist eine Aufsicht auf die integrierte R-C- Tantalnitridschicht wird geätzt, um das vorbestimmte Schaltung, die durch das Herstellungsverfahren nach Muster zu bilden, wie in Fig. 5 gezeigt. Um die folden Fig. 3 bis 12 gefertigt worden ist. Das im Zu- gende anodische Oxydationsbehandlung zu erleichsammenhang mit der Erfindung verwendete Sub- tern, ist es vorteilhaft, einen leitfähigen Weg 20 für strat 10 kann jede flache Scheibe aus Glas, Keramik ao die Zwecke der Formierung zu belassen, der aus der usw. sein. Eine lasierte Aluminiumoxydkeramik ist Doppelschicht besteht, von der ein Ende mit dem als Substrat 10 geeignet. Das Substrat 10 muß gut Widerstandsweg verbunden ist und das andere Ende gereinigt werden, um alle organische Verunreinigun- an dem Umfangsteil des Substrats ankommt. Die gen zu entfernen, bevor es in einer Kathodensprüh- anodische Oxydation wird ausgeführt, um einen einrichtung angebracht wird. Der Tantalnitridwider- »5 Widerstandsweg einer Länge zu erhalten, die den gestand 11 mit einem Flächenschutzfilm aus Tantal- wünschten Widerstandswert ergibt. Aus diesem pentoxyd gemäß der Erfindung hat Goldelektroden Grunde sind der von dem Teil mit spezifischer Länge 12 und 13 an den beiden Enden, wobei die Elek- unterschiedliche Teil der Doppelschicht und der trode 13 auch als Gegenelektrode des Tantalkonden- größte Teil des leitfähigen Weges 20 mit einer orgasators 14 wirkt, der nach der Herstellung des Wider- 30 nischen Abdeckung bedeckt. Der Teil des leitfähigen Standes 11 gebildet wird. Der Tantalkondensator 14 Weges 20, der nicht mit der Abdeckung versehen ist, enthält eine Elektrode 15 aus Tantal, wobei das Di- ist mit der Anode der Energiequelle verbunden, und elektrikuml6 des Tantalpentoxydkondensators durch das Substrat wird in eine 0,01°/»ige Lösung von Zianodische Oxydation des Tantals gebildet wird, und tronensäure in Wasser getaucht. Die Formierflüssigeine Gegenelektrode 13. 35 keit wird mit der Kathode der Energiequelle verbun-Zur Vereinfachung der Erläuterung zeigen die den. Die Versorgungsspannung wird auf 120 V er-Fi g. 3 bis 12 Querschnitte längs der Linie X-X' der höht, wo die Dicke der Tantalschicht 300 Angström integrierten Schaltung der Fig. 2 mit einer dünnen beträgt. Die Tiefe der Oxydation der Tantalschicht Tantalschicht. Gemäß Fig. 3 wird die Tantalschicht und der Tantalverbindungsschicht durch die anodi-17 auf dem Substrat 10 bis zu einer Dicke von etwa 40 sehe Oxydationsbehandlung wird durch die Formier-500 Angstrom niedergeschlagen. Diese Tantalschicht spannung bestimmt Eine Fonnierspannung von 120 V 17 wird in Tantalpentoxyd durch Wärmebehand- kann die Tantalschicht 19 vollständig oxydieren und lung in Luft bei 500° C während 5 Stunden umge- kann auch einen Teil der darunterliegenden Tantalwandelt Das Substrat 10 kann durch diese Tantal- nitridschicht 18 oxydieren. Bei dieser anodischen pentoxydschicht gegen das Ätzmittel zum Ätzen des 45 Oxydationsbehandlung wird der Widerstandswert Tantalnitrids für die Bildung der Widerstandswege des Widerstandes auf den gewünschten Wert durch geschützt werden. Der Zweck und die Funktion einer die vollständige Oxydation der Tantalschicht 19 und Schutz-Oxydschicht auf dem Substrat 10 ist im ein- die teilweise Oxydation der Tantalnitridschicht IS zelnen in der USA.-Patentschrift 3 220 938 beschrie- eingestellt Der Schnitt des Substrats, bei dem die ben. Ein schützendes, mit Oxyd bedecktes Substrat 50 anodische Oxydationsbehandlung ausgeführt worden 10 wird dann z. B. in einer Zerstäubungsvorrichtung ist ist in Fi g. 6 gezeigt. Der gebildete Film 21 beangebracht und, wie Fig. 4 zeigt wird die Tantal- steht wie oben beschrieben, aus Pentoxyd der«Tannitridschicht 18 mit einer Dicke von 1000 Angstrom talschicht 19 und dem Oxyd der Tantalnitridauf der Schutz-Oxydschicht durch die reaktive Zer- schicht 18.

stäubung in einer Argonatmosphäre niedergeschlagen, 55 Das Substrat der Fig. 6 wird in einer Zerstäuin welcher der Partialdnick des Stickstoffs 5 bis bungsvorrichttmg angebracht, und die Tantalschicht 20 - iO~* Torr beträgt, woraufhin des weiteren eine 22 für die Herstellung des Kondensators wird, wie reine Tantalschicht 15 mit einer Dicke von 300 Ang- " in Fi g. 7 gezeigt, auf der gesamten Fläche des Subström auf der Tantalnitridschicht 18 durch Kathoden- strats niedergeschlagen. Die Dicke dieser Tantal-Zerstäubung in reinem Argon niedergeschlagen wird. 60 schicht 22 wird üblicherweise 5000 bis 10 000 Äng-Die Tantalnitridschicht 18 wird üblicherweise bis zu ström gemacht und bei der vorliegenden Ausfüheiner Dicke von. 500 bis 2000 Angstrom nieder- rungsform beträgt die Diele 5000 Angstrom. Die geschlagen. Gemäß der Erfindung ist die Dicke der Tantalschicht 22 kann geätzt werden, um das ge-Tantalschicht 19 sehr wichtig. Falls düe Tantalschicht wünschte Muster unter Verwendung der öbenerwähnzu dünn ist, wird die Schatzwirkung des aas dem 65 ten Fotoätztechnik zu bilden, und Tantal wird, wie Tantal umgewandelten Tantalpentoxyd zum Schutz in Fig.8 gezeigt, auf dem Flächenbereich des Subdes Tantalnitrids gemäß der Erfindung nicht zn- söats, auf dem der Kondensator 14 gebildet werden friedenstellend. Falls die Tantalschicht andererseits soll, übriggelassen. Bei der vorliegenden Ausführungs-

form werden die Tantalschichten 23 und 24 auch auf wenigstens den unoxydierten Anschlußteilen der Doppelschicht außerhalb des Widerstandsweges belassen. Die Tantalschichten 23 und 24 erleichtern die Abführung der Elektrode zu dem Widerstandselement und verhindern die Ablösung auf Grund des Abschmelzens des Elektrodenmetalls in dem Lötmittel beim Löten des Widerstandselementes an den Elektrodenanschluß. Um die Formierung des Kondensatordielektrikums zu erleichtern, ist es vorteilhaft, den leitfdhigen Tantalweg 25 für die Zwecke, der Formierung frei zu lassen, wobei ein Ende mit der Tantalschicht für die Formierung des Kondensators verbunden ist und das andere Ende auf den Umfangsteil des Substrats auftrifft. Bei diesem Fotoätzen wird die obenerwähnte Fluß-Salpeter-Säure als Ätzflüssigkeit verwendet, und das Tantal auf dem formierten Film 21 wird geätzt und entfernt. Die Tantalschicht 22 einer Dicke von 5000 Angström kann vollständig durch diese Atzßüssigkcit in etwa 45 Sekun- as den entfernt werden. Während dieser Ätzzeit wird der Widerstand für eine sehr kurze Zeitdauer einer Fluß-Salpeter-Säure ausgesetzt, die das Tantalnitrid auch ätzt, aber nicht vollständig durch die Säure beeinflußt wird. as

Dies ergibt sich aus F i g. 13, die das Verhältnis zwischen der Tauchzeit in eine Flußsäure und des Faktors der Widerstandsänderung des Widerstands der Fi g. 6 zeigt, wobei der von dem formierten Film 21 verschiedene Teil mit einer Ätzabdeckung bedeckt ist. Aus Fig. 13 ergibt sich auch, daß der Widerstand zufriedenstellend gegen die Ätzflüssigkeit durch das Tantalpentoxyd geschützt werden kann, das aus dem Tantal umgewandelt wird, das nur auf der oberen Fläche des Tantalnitrids niedergeschlagen ist. Somit kann die schützende Tantalpentoxydschicht sehr leicht durch Niederschlag von Tantalnitrid auf das Substrat gebildet werden, wobei Tantal auf Tantalnitrid niedergeschlagen wird und dann das Substrat anodisch oxydiert wird und wobei diese anodische 4c Oxydationsbehandlung auch wirkt, um den Widerstandswert des Tantalnitridwiderstands einzustellen. Deshalb wird der Widerstandswert des Widerstands bei der Herstellung des Musters der Tantalschicht 22 kaum geändert.

Um das Kondensatordielektrikum 16 zu bilden, wird die Tantalschicht 15 selektiv mit einer Abdeckung bedeckt, und des weiteren wird der leitfähige Weg 25 zum Zwecke der Formierung mit der Abdeckung überzogen. Die anodische Oxydation wird in derselben Weise wie die anodische Oxydation des Widerstandes durchgeführt. Die Formierspannung wird auf 200 bis 300 V eingestellt. Durch diese anodische Oxydation wird das Tantalpentoxyddielektrikum 16 mit 3000 bis 5000 Angström gebildet, wie in F i g. 9 gezeigt.

Um die Kondensatorgegenelektrode 13 und die Elektrode 12 zu bilden, wird das Substrat in einer Vakuumverdampfungsvorrichtung angebracht, und eine Nickel-Chrom-Legierungsschicht 26 wird, wie in F i g. 10 gezeigt, bis zu einer Dicke von 200 bis 1000 Angström gebildet, und eine Goldschicht 27 wird auf der Legierungsschicht bis zu einer Dicke von 3000 bis 5000 Angström niedergeschlagen. Eine Titanschicht kann an Stelle der Nickel-Chrom-Legierungsschicht 26 verwendet werden. Die Herstellung des Musters der Elektroden kann durch Fotoätzen ausgeführt werden. Eine Lösung von Jod und Kaliumiodid in Wasser kann für das Ätzen des Goldes verwendet werden, und Salzsäure oder eine Lösung von Cerisulfat und Salpetersäure in Wasser kann zum Ätzen der Nickel-Chrom-Legierung verwendet werden. Ein Querschnitt des Substrats, auf dem die Elektroden 12 und 13 gebildet worden sind, ist in Fig. 11 gezeigt. Als letzter Ätzvorgang werden die leitfähigen Wege 20 und 25 für die Zwecke der Formierung selektiv geätzt und durch die Verwendung einer Fluß-Salpeter-Säure entfernt. Ein Querschnitt des Substrats, auf dem die Bildung des R-C-Kreises vervollständigt worden ist, ist in Fig. 12 gezeigt.

Bei einer Vorrichtung mit einer Schicht ist ein Tempern insbesondere wichtig, und durch die Temperbehandlung kann eine Stabilisierung der Eigenschaften des Widerstandes und des Kondensators erreicht werden. Ein Tempern unter einer niedrigen Temperatur kann nicht die Widerstandseigenschaften zufriedenstellend machen, und ein Tempern unter einer hohen Temperatur macht die Kondensatoreigenschaften unzureichend. Die optimale Temperatur der Wärmebehandlung Hegt zwischen 200 und 250° C, und die optimale Zeit der Wärmebehandlung liegt in der Größenordnung von einigen Stunden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen $09629/355

Claims (1)

1. ~ 2

   Tantalnitrid als Widerstandselement durch eine Ätz-

   * i Patentanspruch: flüssigkeit (eine Mischung von Hußsäure und Sails'* , petersäure) für die Bildung des Musters des Konden- \?eiiahren zum Herstellen von integrierten sators geätzt.

   Dünnfilmschaltungen, dadurch gekenn- 5 Bei einem anderen*bekannten Verfahren werden zeifüinet, daß eine Tantalnitridschicht auf andererseits die notwendigen Schichten des Tantals einem »isolierenden Substrat gebildet wird, daß und der Tantalverbindung kontinuierlich niedereine , erste Tantalschicht auf der Tantalnitrid- geschlagen und auf einem einzelnen Substrat übereinschicht gebildet, selektiv geätzt und die Tantal- andergeschichtet, und dann wird das Element durch nitrid- und die erste Tantalschicht entfernt wer- io anschließende selektive aufeinanderfolgende Atzung den, um ein vorbestimmtes Muster zum Bilden gebildet Diese integrierte Schaltung mit mehrschichvon Widerstandswegen herzustellen, daß ein Teil tigen Tantalverbindungen ist in den USA.-Patentder Widerstandswege anodisch oxydiert wird, daß Schriften 3 387 952 und 3 406 043 beschrieben- Bei die erste Tantalschicht vollständig oxydiert wird dieser integrierten Schaltung ist eine Teilungsschicht und wenigstens ein Teil der Tantalnitridschicht 15 von Tantalpentoxyd oder Aluminium notwendig, um .auch durch die erste Tantalschicht oxydiert wird, das gleichzeitige Ätzen des Tantals und des Tantaldaß eine zweite Tantalschicht auf der gesamten nitrids zu vermeiden. Die Verwendung eines Tantal-Fläche des Substrats gebildet wird und daß die pentoxyds, das üblicherweise ein Isolator ist, erhöht zweite Tantalschicht selektiv durch eine Fotoätz- auf einem leitfähigen Weg den Leitungsverlust und behandlung geätzt wird, um eine Tantalschicht ao verschlechtert die Hochfrequenzeigenschaft, und die auf einem Flächenbereich des Substrats getrennt Verwendung von Aluminium ändert die Kennlinie der von dem Flächenbereich, auf dem die Wider- integrierten Schaltung und verringert die thermische standswege gebildet sind, zu belassen. Stabilität der integrierten Schaltung auf Grund der

   starken Oxydiereigenschaften und des niedrigen 35 Schmelzpunktes des Aluminiums. Bekanntlich ist das

   Niederschlagen von Aluminium durch Verdampfung

   nicht leicht auszufuhren, und es ist schwierig, die Gleichförmigkeit der Dicke des Filmes mit einem hohen Grade zu erreichen.

   Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel- 30 Unter dem Gesichtspunkt der Herstcllungstechnik len von integrierten Dünnfilmschaltungen. wird das Herstellen von Tantalkondensatoren und Eine Hybrideschaltung kann unter Verwendung Tantalwiderständen so ausgeführt, daß es erwünscht eines passiven Schichtelementes einer dünnen Schicht ist, einen Tantalkondensator und einen Tantalwideroder einer dicken Schicht und eines aktiven Elemen- stand aufeinanderfolgend herzustellen, wobei die vortes, wie einer Diode, eines Transistors oder eines 35 stehend erwähnte gegenseitige Störung ausgeschaltet Stückes einer integrierten Schaltung, hergestellt wer- wird, und die gewünschte Tantal-Dünnfilmschaltung den. Ein passives Schichtelement hoher Stabilität zu vervollständigen.

   kann unter Verwendung einer Tantalverbindung her- Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Vergestellt werden. Ein Tantalpentoxyd-Kondensator ist fahren zum Herstellen von integrierten Dünnfilmin der USA.-Patentschrift 2 993 266 beschrieben, und 40 schaltungen zu schaffen, das in der Lage ist, einen ein Tantalnitrid-Widerstand ist in der USA.-Patent- Tantalkondensator und einen Tantalwiderstand auf schrift 3 242 006 beschrieben. Bei den bekannten An- einem einzigen Substrat aufeinanderfolgend zu bilden. Ordnungen wird die obenerwähnte Hybrideschaltung Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im dadurch gebildet, daß zuerst ein Substrat hergestellt Patentanspruch gekennzeichneten Merkmale gelöst
   wird, das mit einem einzigen oder mit mehreren 45 Vorteilhaft ist dabei, daß die obere Fläche des Widerständen getrennt von einem anderen Substrat Tantalnitrids mit Tantalpentoxyd überzogen wird, um angeordnet ist, das mit einem einzelnen oder mit das Tantalnitrid gegen eine Ätzflüssigkeit zum Atzen mehreren Kondensatoren versehen ist, woraufhin diese einer Tantalschicht für die Bildung eines Kondensabeiden Substrate zusammengefügt werden. Die bei- tors, der nachfolgend hergestellt wird, zu schützen,
   den Substrate müssen zuerst getrennt voneinander 50 Es wird somit ein Kondensatorelement auf dem hergestellt werden, da eine gegenseitige Störung auf- Sustrat gebildet, wobei das Dielektrikum des Kontritt, falls die Kondensatoren und Widerstände auf densatorelementes Tantalpentoxyd ist. Dies verrineinem einzigen Substrat gebildet werden, und dies gert den schlechten Einfluß, der vorhanden ist, wenn führt zu einer Verschlechterung der Eigenschaften das Kondensatorelement vorher gebildet wird. Man und zu einer Verringerung der Ausbeute auf Grund 55 hat bisher angenommen, daß ein Oxydfilm, der durch der Verschlechterung der Eigenschaften. Es hat sich anodische Oxydation des Tantalnitrids gebildet ist, herausgestellt, daß dann, wenn ein Kondensator- gegen Flußsäure widerstandsfähig ist, jedoch wird, element zuerst auf einem Substrat gebildet wird und wie oben beschrieben worden ist und wie im einzeldann ein Widerstandselement auf demselben Substrat ' nen noch nachfolgend beschrieben werden wird, ein gebildet wird, ein Tantalpentoxyd, das ein Dielektri- 60 solcher Oxydfilm auch tatsächlich geätzt wie Tantalum ist, durch Hitze, ein Ion mit hoher Energie und nitrid, und es hat sich herausgestellt, daß, je höher eine Atmosphäre beeinflußt wird, die bei dem Nie- der Grad der Nitrierung des Tantalnitrids ist, desto derschlag eines Tantalnitrids als Widerstandselement höher die Ätzgeschwindigkeit ist.
   und durch eine Ätzflüssigkeit zum Herstellen eines Als erster Schritt zum Schützen des Tantalnitrids Musters des Tantalnitrids erzeugt wird. Wenn 65 gegen die Ätzflüssigkeit zum Ätzen von Tantal wird andererseits ein Widerstandselement zuerst auf einem eine dünne Tantalschicht auf wenigstens dem Teil Substrat gebildet wird und das Kondensatorelement des leitfähigen Weges vorgesehen, der die Widerdann auf demselben Substrat gebildet wird, wird Standsfähigkeit von Tantalnitrid hat und der nicht