DE2050422A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Schrei ben von Maskenmustern mit Hilfe von Licht auf einem photographischen Material - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Schrei ben von Maskenmustern mit Hilfe von Licht auf einem photographischen MaterialInfo
- Publication number
- DE2050422A1 DE2050422A1 DE19702050422 DE2050422A DE2050422A1 DE 2050422 A1 DE2050422 A1 DE 2050422A1 DE 19702050422 DE19702050422 DE 19702050422 DE 2050422 A DE2050422 A DE 2050422A DE 2050422 A1 DE2050422 A1 DE 2050422A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- light spot
- photographic material
- writing
- written
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Description
I η g. (g ra ei. j · C -· U ι - ·■! ι r«·.: \ . ■·., V t - ν - ο
Anmelder: if V. P '!Ü'T uu.;.-u.ftuitiN«-;.j.i.civEN 20504
Akie: pHN- 4380
Anmeldung vom: 12.Okt.1970 PHN. 438θ.
Anmeldung vom: 12.Okt.1970 PHN. 438θ.
Va / WJM.
Verfahren und Vorrichtung zum Schreiben von Maskenmustern mit Hilfe von Licht auf einem photographischen Material.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Schreiben von Maskenmustern mit Hilfe von Licht auf einem
photographischen Material, bei dem mittels einer grundsätzlich
rechteckigen Öffnung mit dem von einer Lichtquelle ,herrührenden
Licht ein Lichtfleck gebildet wird, der in Bahnen, die den zu schreibenden Maskenmustern entsprechen, über das
photographische Material bewegt wird.
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf eine Vorrichtung zum Schreiben von Maskenmustern mit Hilfe von
Licht auf einem photographischen Material. Unter "Licht" ist hier eine elektromagnetische Schwingung mit Wellenlängen
zwischen 0,2 /um und 2 /um zu verstehen.
109818/1880
PHN. — 2 —
Bei der Herstellung von integrierten Schaltungen und Massenspeichern werden Photomasken verwendet. Da diese
in bezug auf die Abmessungen strengen Anforderungen entsprechen müssen, werden bei der Herstellung von Photomasken
zunächst Muster dieser Photomasken mit grosser Genauigkeit in vergrössertem Masstab gezeichnet und nachher auf photographischem
Wege auf die verlangten Abmessungen verkleinert.
Nach einem bekannten Verfahren (siehe z.B. den
Artikel "Mask manufacture for integrated circuits" in "Western
Electric Engineer", Heft XI, Nr. 4, S. 35 - 37) wird das
gewünschte Muster zunächst von einer numerisch gesteuerten Zeichenmaschine aus der oberen Schicht einer zweilagigen
Kunststoffolie von z.B. 120 χ 12Ο cm ausgeschnitten. Mit einer
festen Kameraanordnung wird, nachdem die obere Schicht örtlich abgeschält, d.h. das undurchsichtige Material innerhalb
der geschnittenen Umrisse entfernt worden ist, das Muster z.B. 30 mal verkleinert. Das so erhaltene Maskenmuster wird
dann in einer sogenannten Repetierkamera weiter, z.B. IO mal, verkleinert und sehr viele Male nacheinander an verschiedenen
Stellen auf einer photographischen Platte abgebildet, so
dass auf dieser Platte eine Vielzahl gleicher Maskenmuster
der gewünschten Grosse erhalten werden.
Die einzige nicht-automatisierte Stufe dieses
Verfahrens ist das örtliche Abschälen der undurchsichtigen oberen Schicht der Kunststoffolie - eine genaue und viel
Zeit beanspruchende Bearbeitung. Das Abschälen erfordert eine Zeit, die die Zeichenzeit meistens weitaus übersteigt.
109818/1880
PHN. 4380.
Das obenbeschriebene Verfahren erfordert ausserdem einen
grossen Arbeitsraum»
Dadurch, dass die ursprünglichen Maskenmuster mit Hilfe von Licht geschrieben und nicht in eine Kunstoffolie
geschnitten werden, lässt sich erreichen, dass:
1. die nicht-automatisierte Abschälstufe weggelassen
werden kann, so dass:
a. eine erhebliche Zeitersparung bei der Herstellung von Photomasken erhalten werden kann,
b. keine Fehler in den endgültigen Photomasken infolge von Irrtümern beim Abschälen der Kunststofffolie
auftreten;
2. die Abmessungen des ursprünglichen grossen geschriebenen Musters mit der gleichen oder sogar einer verbesserten
endgültigen Genauigkeit viel kleiner gehalten werden können, so dass:
a. keine Zwischenverkleinerung erforderlich ist,
b. die zum Schreiben des ursprünglichen grossen Musters erforderliche Zeit um z.B. einen Faktor 10
verkürzt werden kann.
Die Husterelenente der zu schreibenden Maskenmuster
müssen über ihre ganze Länge eine vorgeschriebene Breite aufweisen. Die Stelle des Übergangs schwaratransparent an
einer Bahn ist von der Stelle des Übergangs Lichtenergie keine Lichtenergie, aber - weil dieser Übergang in der Praxis
etwas verschwommen ist — auch von der Lichtenergiemenge abhängig. Die Stelle, an der in einem Übergang transparent/
109818/1880
PHN. k380. - k -
schwarz z.B. eine Schwärzung 2 erreicht wird, ist nämlich von der Stelle abhängig, an der in diesem Übergang eine
einer Schwärzung 2 entsprechende Belichtungsenergie vorhanden
ist. Die Regelung der Stellen der Übergänge schwarz/transparent an einer Bahn erfordert, dass die Belichtungsenergie
geregelt werden kann. Die Belichtungsenergie ist von der Belichtungsstärke auf dem photographischen Material und von
der Belichtungszeit abhängig.
Beim Schrieben mit Hilfe von Licht kann von zwei Grundsätzen ausgegangen werden. Erstens kann mit einem in
bezug auf das photographische Material stillstehenden Lichtfleck
oder mit einem scheinbar stillstehenden Lichtfleck belichtet werden, indem während der Bewegung mit einem Lichtimpuls
sehr kurzer Dauer belichtet wird. Zweitens kann mit einem sich in bezug auf das photographische Material bewegenden
Lichtfleck belichtet werden.
Bei Belichtung mit einem stillstehenden Lichtfleck bereitet das Aufrechterhalten einer konstanten Belichtungsenergie grundsätzlich keine Schwierigkeiten. Die stationäre
Belichtung ist u.a. aus: "Advances in computer generation of master artwork for microminiature circuits", S.C.P. and
Solid State Techn. (Heft JjO, Nr. 7, JuIi 1967, S. 31 - ^k)
bekannt. Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil, dass die erreichbare Freiheit in bezug auf die Geometrie sehr beschränkt
ist. Im Zusammenhang mit der für den Aufbau des ganzen Maskenmusters erforderlichen Zeit muss bei diesem
Verfahren die Geometrie aus einer verhältnismässig beschränk-
■] η Q Q 1 Ö / 1 C; fj f]
ten Anzahl von Rechtecken auTgeoaut werden.
ten Anzahl von Rechtecken auTgeoaut werden.
PHN.
Bei kontinuierlicher Belichtung mit einem sich in bezug auf cias photographische Material bewegenden Lichtfleck
wird die Belichtungszeit durch f = 1f/v gegeben, wobei 1*
die Länge in der Schreibrichtung des Lichtflecks und ν die Schreibgeschwindigkeit darstellt. Ohne besondere Massnahmen
wird infolge der am Anfang und am Ende einer geschriebenen Zeile auftretenden Beschleunigungen und Verzögerungen t einen
unerwünschten Wert annehmen. Der sich ergebende unerwünschte \ Effekt kann teilweise durch Anpassung der Belichtungsstärke
behoben werden.
In "Microcircuit photomasks from automatic techniques" in "I.E.E.E. transactions on electron devices", Heft
ED 12, Nr. 12, Dezember 1965, S. 638 - 643 wird ein Verfahren
zum Schreiben von Photomasken mit einem sich bewegenden Lichtfleck beschrieben, wobei eine Lösung für diese Schwierigkeit
angegeben wird. Ein Lichtfleck grundsätzlich konstanter Länge wird grundsätzlich mit gleichmässiger Geschwindig- ^
keit über das photographische Material bewegt. An Stellen, die nicht belichtet werden sollen, ist der Lichtfleck mit
einer Verschlussplatte abgedeckt. An einer Stelle, an der ein Musterelement anfangen oder enden muss, wird die Verschlussplatte
derart bewegt, dass der Übergang hell/dunkel im Lichtfleck zeitweilig in bezug auf das photographische
Material stillsteht. Auf diese Weise kann über die ganze Länge eines zu schreibenden Musterelements eine konstante
Belichtungsenergie pro Oberflächeneinheit erzielt werden.
Zum Erhalten einer hohen Bildgüte wird in Projektion belichtet. Die den Lichtfleck definierende Öffnung und die
109818/1880
PHN. 438O.
Verschlussplatte befinden sich beide im Projektionssystem und werden von diesen System in verkleinertem Hasstab abgebildet.
Das Projektionssystem als ganzes bewegt sich, in bezug
auf das photograph!sehe Material. Am Anfang und am Ende
eines Musterelements nuss mit grosser Genauigkeit eine Bewegung der Verschlussplatte in bezug auf die den Lichtfleck
definierende Öffnung vollführt werden, welche Bewegung der Geschwindigkeit angepasst sein nuss, mit der das Projektionssystem
als ganzes in bezug auf das photographische Material bewegt wird. Jn der verwickelten Ansteuerung können leicht
Anpassungsfehler auftreten, die dann Fehler in den Stellen
des Anfangs und des Endes eines Musterelements herbeiführen. Ein wesentlicher Nachteil besteht weiter darin, dass
Beschleunigungen und Verzögerungen des Lichtflecks in bezug auf das photographische Material ausserhalb des Zeilenelements
erfolgen, was einen Zeitverlust mit sich bringt.
Die Erfindung schafft ein einfaches Verfahren zum Schreiben von Maskennustern mit Hilfe von Licht, bei den die
obenerwähnten Nachteile nicht auftreten. Sie ist dadurch gekennzeichnet, dass die Länge des Lichtflecks in der Schreibrichtung
durch zwei Begrenzungen bestimmt wird, die gesondert derart gesteuert werden, dass für jedes Infinitesimalelement
eines zu schreibenden Musterelements die zwischen dem Auftreffen der Anfangsbegrenzung des Lichtflecks und
dem Auftreffen der Endbegrenzung des Lichtflecks auf das
betreffende Infinitesimalelement verlaufende Zeit gleich ist - unabhängig von den Beschleunigungen oder Verzögerungen
109818/1880
PHN. Ό8Ο. — 7 —
in der Bewegung des Lichtflecks über das photographische
Material das beschrieben werden soll. Die Belichtungszeit ist dann für jedes Infinitesimalelement gleich. Bei Anwendung
einer konstanten Belichtungsstärke ist auch die Belichtungsenergie für jedes Infinitesimalelement des geschriebenen
Musterelements gleich.
Nach einem weiteren Merkmal des erfindungsgemassen
Verfahrens wird die Breite quer zur Schreibrichtung des ä
Lichtflecks durch zwei einstellbare Querbegrenzungen bestimmt, die in der gleichen oder nahezu der gleichen Ebene wie die
Anfangs- und die Endbegrenzung liegen.
Die Anfangs— und die Endbegrenzung und die Querbegrenzungen können sich materiell in sehr geringer Entfernung
von dem photographischen Material befinden. Es ist aber günstiger, die Begrenzungen in einiger Entfernung von dem
photographischen Material anzubringen und sie mit Hilfe eines
Linsensystems in verkleinertem Masstab abzubilden.
In einer Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens ™
nach der Erfindung werden die Anfangs- und die Endbegrenzung durch zwei im Lichtweg von der Lichtquelle zu dem beim Schreiben
vorhandenen photographischen Material angebrachte Messer
gebildet, von denen während des Schreibvorgangs eines in bezug auf ein den Lichtfleck abbildendes optisches System
fest angeordnet ist, während das andere in bezug auf dieses optische System bewegbar ist.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform einer Vorrichtung
nach der Erfindung werden die Querbegrenzungen durch
109818/1880
PHN. 4380.
- 8 -
je einen einer Anzahl transparenter Spalte verschiedener Länge gebildet, die in radialer Richtung in einer undurchsichtigen
Scheibe angebracht sind, welche um eine zu ihr senkrechte Achse drehbar ist.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
einer Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemässen Verfahrens befindet sich im Lichtweg zwischen den Begrenzungen
und dem Linsensystem ein in einer drehbaren Trommel montiertes Spiegelsystem, dessen Drehachse nahezu mit der optischen
Achse des Linsensystems zusammenfällt. Durch diese
Massnahme kann in jeder beliebigen Richtung geschrieben werden, so dass in bezug auf die Geometrie eine vollständige
Freiheit besteht. Das Spiegelsystem kann aus einem Spiegelprisma und einem flachen Spiegel bestehen.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand der beiliegenden Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Figuren 1 und 2 eine Erläuterung des Prinzips der Erfindung;
Figur 3 eine Vorderansicht der Vorrichtung nach der Erfindung, und
Figur k eine Draufsicht längs der Linie ZZ1 der
Figur 3 auf die Vorrichtung nach der Erfindung.
In Fig. 1 ist die photographische Platte, auf der die Maskenmuster geschrieben werden müssen, mit 1 bezeichnet.
Die x-Richtung ist die Richtung, in der der Lichtfleck über das photographische Material bewegt wird. Die. photographische
Platte an sich kann in einer Richtung y senkrecht zu der
109818/1880
PHN. 4380.
x-Richtung, also in Fig. 1 senkrecht zu der Zeichnungsebene,
bewegt werden. Der Lichtfleck wird in der Schreibrichtung von den "Messern" A1 und B1 begrenzt. Diese "Messer" A1 und
B1 sind keine materielle Messer, sondern die von dem Linsensystem
7 erzeugten Abbilder der materiellen Messer A und B. (Siehe Fig. 3).
Das Messerbild A1 wird nach einer Funktion ^
xA, = f(t)
bewegt.
bewegt.
Wenn nun das Messerbild B1 in bezug auf das Messerbild
A1 mit einer konstanten Zeitverzögerung f , also nach
einer Funktion
xB, = g(t) = f(t -τ )
bewegt wird, ist die Belichtungszeit für das ganze Musterelement O ^ χ 4äs X1 gleich.
Dies ist aus Fig. 2 ersichtlich, in der die Kurven
2 und 3 die von dem Messerbild A· bzw. dem Messerbild B' %
zurückgelegte Strecke als Funktion der Zeit darstellen. Die Funktion:
xA, = f(t)
xA, = f(t)
braucht nur die Forderung zu erfüllen, dass sie kontinuierlich ist und in t gleichmässig zunimmt. Für einen beliebigen
Punkt χ = a mit. O ^ a ^ X1 gilt für den Anfang der Belichtung,
dass
f^Anfang* = a ist <1>
und für das Ende der Belichtung, dass!
* f(tEnde ^
> " a iat
109818/1880
PHN. 4380.
-1O-
Aus (i) und (2) folgt dann, dass:
t_ , - t. „ = T ist.
Ende Anfang
Ende Anfang
Die Belichtungszeit (t_ .. . . = t„ . - t. „ )
& * Belichtung Ende Anfang7
also für jedes 0 ί= χ Ax1 konstant und gleich T .
Jedes Bildelement kann mit stillstehendem Lichtfleck geschrieben werden, was für die insgesamt benötigte
Schreibzeit und für die Freiheit in bezug auf die Geometrie iroxi Bedeutung ist.
Das Verfahren nach der Erfindung kann mit Hilfe einer Vorrichtung nach Fig. 3 durchgeführt werden. In der
Vorrichtung nach Fig. 3 wird das von der Lichtquelle k herrührende
Licht von der Kondensorlinse 5 auf einen der Spalte
der Scheibe 6 konzentriert. Nach Durchgang durch diesen Spalt fallt das Lichtbündel durch die öffnung zwischen den materiellen
Messern A und B, die · sich in unmittelbarer Nähe der
Scheibe 6 befinden. Die Messer A und B und der sich zwischen dien Messern befindende Teil des betreffenden Spaltes werden
vom Objektiv 7 abgebildet; A· ist das Bild von A, B1 das
Bild von B.
Fig. 4 ist eine Draufsicht auf die Scheibe 6 und auf die Messer A und B längs der Linie ZZ1 der Fig. 3. Diese
Scheibe enthält eine Anzahl radial verlaufender Spalte S verschiedener Länge. Durch Verdrehung der Scheibe wird einer
der Spalte unmittelbar oberhalb der Messer A und B gebracht.
Die Länge dieses Spaltes bedingt die Breite des zu schreibanden Bildelements.
Durch passende Wahl des Abstands einerseits
109818/1880
PHN. 4380.
- 11 -
zwischen den Messern A und B und dem Linsensystem 7 und andererseits
zwischen dem Linsensystem 7 und der photographischen Platte 1 wird auf der.photographischen Platte 1 ein
scharfes und verkleinertes Bild der Öffnung zwischen den
Messern A und B erhalten.
Das Projektionssystem (4,5t7) und die drehbare
Scheibe 6 können zusammen in der Schreibrichtung χ in bezug
auf das photograph!sehe Material bewegt werden, z.B. dadurch,
dass das photograph!sehe Material in seiner eigenen Ebene
bewegt wird. Das Messer Ä ist in bezug auf die optische Achse fest angeordnet und folgt also der Bewegung des Projektionssystems.
Das Messer B ist aber in bezug auf das Projektionssystem und somit auch in bezug auf das Messer A
bewegbar. Die gewünschte absolute Bewegung des Messers B und die gewünschte relative Bewegung in bezug auf das Messer A
werden in einer nicht dargestellten Vorrichtung berechnet
und die sich aus der Berechnung ergebenden Signale werden M
dem Steuerelement des Messers B (in den Figuren 3 und k mit
8 bezeichnet) zugeführt.
In dem in Figuren 3' und 4 betrachteten Fall wird
von links nach rechts geschrieben. Selbstverständlich kann auch von rechts nach links geschrieben werden. Dabei nimmt
das Messer B in bezug auf das Projektionssystem eine feste
Lage ein und ist das Messer A in bezug auf dieses System
bewegbar. Gegebenenfalls können auch die beiden Messer A und B gesteuert werden.
e Zwischen den Messern A und B und dem Objektiv
109818/1880
PHN. 4380.
- 12-
befindet sich ein in einer drehbaren Trommel 9 montiertes Spiegelsystem. Die Drehachse fällt nahezu mit der optischen
' Achse des Linsensystems 7 zusammen. Das Spiegelsystem besteht aus einem Spiegelprisma 10 und einem flachen Spiegel 11.
Das einfällende Bündel wird zunächst von der spiegelnden Fläche 12 auf den flachen Spiegel 11 reflektiert. Dieser
Spiegel reflektiert das Bündel auf die spiegelnde Fläche 13, ^ die das Bündel schliesslich auf das Linsensystem 7 richtet.
w ■ ' ■ . ■■ ' ■
Wenn die Trommel 9 und somit das Spiegelsystem 10,11 verdreht werden, drehen sich A1 und B·. Auf diese Weise kann
in jeder beliebigen Richtung geschrieben werden.
Bei einer praktischen Ausführungsform einer Vorrichtung
nach der Erfindung konnte ein Feld von 200 χ 200 mm2 mit einer Schreibgeschwindigkeit von 10 mm/Sekunde und
mit Beschleunigungen und Verzögerungen in der Schr^ibbewegung
von 1 m/sek2 beschrieben werden. Die Wiederholungsgenauigkeit betrug 0,5 nun. Man konnte aus 199 Schreibbreiten
W wählen, wobei die maximale Schreibbreite 1900 /um und die
minimale Schreibbreite 2 /um war.
Anwendungsmöglichkeiten des Verfahrens und der
Vorrichtung nach der Erfindung liegen auf dem Gebiet der Herstellung von Photomasken im allgemeinen und insbesondere
von Photomasken für integrierte Schaltungen und Massenspeicher.
Das Verfahren und die Vorrichtung nach der Erfindung können aber auch verwendet werden um direkt ein
Muster auf einen photographischen Material zu schreiben
109818/1880
PHN. 4380.
- 13 -
ohne dabei durch, eine Photomaske zu beleuchten. Dabei wäre
zu denken an das Schreiben eines Leitungsmusters auf einer Platte von Halbleitermaterial, in welcher Platte schon elektrische
Komponenten, wie z.B. Transistoren, u.d., angebracht sind um diese Elemente in gewünschter Weise miteinander zu
verbinden "diseretionary wiring approach").
109818/1880
Claims (1)
- PHN. 438O. - 14 PATENTANSPRÜCHE.λ .1 Verfahren zum Schreiben von Maskenmustern mit Hilfe von Licht auf einem photographischen Material, bei dem mittels einer grundsätzlich rechteckigen Öffnung von dem von einer Lichtquelle herrührenden Licht ein Lichtfleck gebildet wird, der in Bahnen, die den zu schreibenden Maskenmustern entsprechen, über das photographische Material bell wegt wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge des Lichtflecks in der Schreibrichtung durch zwei Begrenzungen bestimmt wird, die gesondert derart gesteuert werden, dass für jedes Infinitesimalelement eines zu schreibenden Musterelements die zwischen dem Auftreffen der Anfangsbegrenzung des Lichtflecks und dem Auftreffen der Endbegrenzung des Lichtflecks auf das betreffende Infinitesimalelement verlaufende Zeit gleich ist - Unabhängig von Beschleunigungen und Verzögerungen in der Bewegung dee Lichtflecks über das <^ photographische Material das beschrieben werden soll.2. Verfahren nach Anspruch, 1» dadurch gekennzeichnet, dass die Breite des Lichtflecks quer zur Schreibrichtung durch zwei einstellbare Querb#grenzungen bestimmt wird, die in der gleichen, oder nahezu dar gleichen Ebene wie die Anfangs- und die Indbegrenzung liegen.3, Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungen über ein Linsensystem auf das photographische Material projiziert werden,k. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrene zum Schreiben von Maskenmuatern mit Hilfe von Licht nach den109818/1880PHN. 4380.Ansprüchen 1, 2 oder 3» dadurch gekennzeichnet, dass in dem Lichtweg von der Lichtquelle zu dem wahrend des Schreibvorgangs vorhandenen photographischen Material zwei Messer angeordnet sind, von denen während des Schreibvorgangs eines in bezug auf ein den Lichtfleck bildendes optisches System fest angeordnet ist, während das andere in bezug auf dieses optische System bewegt' **»5. Vorrichtung nach Anspruch h, dadurch gekennzeichnet, dass die Querbegrenzungen durch je einen einer Anzahl transparenter Spalte verschiedener Länge gebildet werden, die in radialer Richtung in einer undurchsichtigen Scheibe angebracht sind, die um eine zu ihr senkrechte Achse drehbar ist.6. Vorrichtung nach Anspruch k oder 5» dadurch gekennzeichnet, dass sich im Lichtweg zwischen den Begrenzungen und dem Linsensystem ein in einer drehbaren Trommel montiertes Spiegelsystem befindet, dessen Drehachse nahezumit der optischen Achse des Linsensystems zusammenfällt. A7· Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Spiegelsystem aus einem Spiegelprisma und einem flachen Spiegel besteht.8. Durch das Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3 hergestelltes Maskenmuster,9· Mit Hilfe der Vorrichtung nach Anspruch h, 51 ό oder 7 hergestelltes Maskenmuster»10. Aus einem Maskenmuster nach Anspruch 8 oder 9 hergestellte Photomaske.10981871880
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL6915794A NL6915794A (de) | 1969-10-18 | 1969-10-18 | |
NL6915794 | 1969-10-18 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2050422A1 true DE2050422A1 (de) | 1971-04-29 |
DE2050422B2 DE2050422B2 (de) | 1976-04-22 |
DE2050422C3 DE2050422C3 (de) | 1976-12-09 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3688655A (en) | 1972-09-05 |
BE757658A (fr) | 1971-04-16 |
SE354526B (de) | 1973-03-12 |
JPS5128189B1 (de) | 1976-08-17 |
DE2050422B2 (de) | 1976-04-22 |
CH515529A (de) | 1971-11-15 |
AT307068B (de) | 1973-05-10 |
NL6915794A (de) | 1971-04-20 |
ES384612A1 (es) | 1973-01-16 |
FR2066104A5 (de) | 1971-08-06 |
GB1330343A (en) | 1973-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69220629T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Musters eines Aufzeichnungselementes | |
DE4018135B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Reparatur von Fehlern in Emulsionsmasken | |
DE3587656T2 (de) | Stereolithographische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von dreidimensionalen Gegenständen. | |
DE2116713B2 (de) | Belichtungsverfahren zum Abbilden sehr fein strukturierter Lichtmuster auf Photolackschichten und dazu geeignete Belichtungsvorrichtung | |
DE2263856A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum korrigieren defekter fotomasken | |
EP0025038A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum kopieren von masken auf ein werkstück | |
DE69614215T2 (de) | Verfahren zum Belichten der Randbereiche eines Halbleiterwafers zum Entfernen von nicht benötigten Resist, und Gerät zur Ausführung des Verfahrens | |
DE2900921B1 (de) | Verfahren zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstueck | |
DE69024100T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Aufrechterhaltung der gewünschten Belichtungswerte | |
DE112005002469T5 (de) | Festphasenimmersionslinsenlithographie | |
DE2942431A1 (de) | Farbaufzeichnungsgeraet | |
DE10223761A1 (de) | Fotomaske zur Aberrationsmessung, Aberrationsmessverfahren, Einheit zur Aberrationsmessung und Herstellungsverfahren für die Einheit | |
DE4422038C2 (de) | Zum Herstellen von Halbleiterbauelementen verwendete Diffraktionsmaske | |
DE69018556T2 (de) | Belichtungsvorrichtung. | |
DE1261398B (de) | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial | |
DE2428926A1 (de) | Kopiereinrichtung zum beidseitigen kopieren von vorlagen | |
DE102023202896A1 (de) | Verfahren und System zum Bestrahlen eines Lithografieobjekts | |
DE2050422A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Schrei ben von Maskenmustern mit Hilfe von Licht auf einem photographischen Material | |
DE19503393C2 (de) | Halbton-Phasenschiebermaske und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE2050422C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Schreiben von Maskenmustern mit Hilfe von Licht auf einem photographischen Material | |
DE2151528A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Abtastung eines interferometrischen Linienmusters | |
DE69933903T2 (de) | Lithograpischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung | |
DE19825043B4 (de) | Maske für die Herstellung integrierter Schaltungen | |
DE3537829A1 (de) | Verfahren zum herstellen von druckvorlagen, insbesondere fuer die anfertigung von gedruckten schaltungen | |
DE2656679A1 (de) | Zeichenanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |