DE204182C - - Google Patents

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DE204182C
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N31/00Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods
    • G01N31/12Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods using combustion

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  • Health & Medical Sciences (AREA)
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  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Pathology (AREA)
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  • Regulation And Control Of Combustion (AREA)

Description

Pa ten τ-Ansprüche:
1. Verfahren zur Bestimmung des Heizwertes von Gasen durch Verbrennen des Gases in einer offenen Flamme, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausströmuiigsgeschwindigkeit gleich der Entzündungsgeschwindigkeit des Gases gemacht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Brenner des Apparates so eingestellt wird, daß die Flamme sich oben vom Brenner abhebt, und daß der hierbei herrschende Gasdruck oder die Flammenlänge gemessen wird. .
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen.

Claims (1)

  1. KAISERLICHES
    PATENTAMT.
    Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bestimmung des Heizwertes von Gasen durch Verbrennen des Gases in einer offenen Flamme. Der Erfindung liegt die Tatsache zugrunde, daß bei den industriellen Gasen die Geschwindigkeit, mit der sich die Flamme im strömenden Gase der Strömung entgegen fortpflanzt (in folgendem kurz als Entzündungsgeschwindigkeit bezeichnet) in
    ίο einer bestimmten Abhängigkeit von dem Heizwert des Gases steht. Der Apparat (Fig. i) besteht aus dem Brenner α und dem Regulierventil b. Falls in der Gasleitung Überdruck herrscht, was in industriellen Betrieben gewöhnlich der Fall ist, kann der Apparat ohne weiteres an die Gasleitung angeschlossen werden. Andernfalls muß eine geeignete Vorrichtung zwischengeschaltet werden, um den Gasdruck zu erhöhen.
    Als bequemes Mittel, den Apparat unabhängig vom Gasdruck schnell und sicher einzustellen, d. h. in den Zustand zu bringen, den er bei der Eichung gehabt hat, dient jetzt die Entzündungsgeschwindigkeit. Mit Hilfe des Regulierventils b wird die Flamme c so eingestellt, daß sie sich eben vom Rande des Brenners abhebt. In diesem Zustande ist die Entzündungsgeschwindigkeit gleich der Ausströmgeschwindigkeit des Gases. Da aber Ent-Zündungsgeschwindigkeit und Heizwert in einer bestimmten Abhängigkeit zueinander stehen, so gehört zu jeder Ausströmgeschwindigkeit ein ganz bestimmter Heizwert des Gases. Zu jeder Ausströmgeschwindigkeit gehört aber auch ein ganz bestimmter Druck in dem Räume d, der zweckmäßig als Kessel ausgebildet wird, um etwaige Druckschwankungen der Gasleitung auszugleichen. Dieser Druck kann an dem Manometer e bequem abgelesen werden. Es kann auch ohne weiteres auf der Manometerskala der Heizwert des Gases aufgetragen werden.
    Zu jeder Ausströmgeschwindigkeit gehört aber auch eine ganz bestimmte Länge der Flamme c, die an einer Skala f abgelesen werden kann. Auf dieser Skala kann ebenfalls ohne weiteres der entsprechende Heizwert des Gases aufgetragen werden. Die den Drucken des Manometers e ■ und den Längen der Flamme c entsprechenden Heizwerte müssen durch Eichung des Apparates gefunden werden.
    Fig. 2 zeigt beispielsweise eine Form des Apparates, wie sie bei nicht ausreichendem Gasdruck benutzt werden kann.
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DE (1) DE204182C (de)
FR (1) FR386294A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4872947A (en) * 1986-12-19 1989-10-10 Applied Materials, Inc. CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process
US4892753A (en) * 1986-12-19 1990-01-09 Applied Materials, Inc. Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition

Cited By (3)

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US4872947A (en) * 1986-12-19 1989-10-10 Applied Materials, Inc. CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process
US4892753A (en) * 1986-12-19 1990-01-09 Applied Materials, Inc. Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition
USRE36623E (en) * 1986-12-19 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition

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FR386294A (fr) 1908-06-09

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