DE2024581A1 - Photoleitende Vorrichtung mit einer photoleitenden Schicht auf Basis von Bleimonoxyd - Google Patents

Photoleitende Vorrichtung mit einer photoleitenden Schicht auf Basis von Bleimonoxyd

Info

Publication number
DE2024581A1
DE2024581A1 DE19702024581 DE2024581A DE2024581A1 DE 2024581 A1 DE2024581 A1 DE 2024581A1 DE 19702024581 DE19702024581 DE 19702024581 DE 2024581 A DE2024581 A DE 2024581A DE 2024581 A1 DE2024581 A1 DE 2024581A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
monoxide
tin
lead
layer
mixed crystals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702024581
Other languages
English (en)
Other versions
DE2024581C3 (de
DE2024581B2 (de
Inventor
Wim; Netten Adriaan; Broek Johannes van den; Emmasingel3 Eindhoven Kwestroo (Niederlande)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2024581A1 publication Critical patent/DE2024581A1/de
Publication of DE2024581B2 publication Critical patent/DE2024581B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2024581C3 publication Critical patent/DE2024581C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/36Photoelectric screens; Charge-storage screens
    • H01J29/39Charge-storage screens
    • H01J29/45Charge-storage screens exhibiting internal electric effects caused by electromagnetic radiation, e.g. photoconductive screen, photodielectric screen, photovoltaic screen
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/233Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

PHN. 4073« Dr.-Inj.IJnns-Dietrich Zelle*
Pnteniiinwelt ' dJo / WJM.
Anmelder: N. V. Philips' Gloeilampenfabrteken
Akte Ne. PHN- 4073
Anmeldung vom» 19. Mai 1970
Photoleitende Vorrichtung mit einer photoleitenden Schicht auf Basis von Bleimonoxyd,
Die Erfindung betrifft eine photoleitende Vorrichtung, insbesondere eine Aufnahmeröhre des Vidikon-Typs, mit einer auf einem Träger angebrachten, photoleitenden Schicht auf Basis von Bleimonoxyd, die mit mindestens einer Elektrode versehen ist, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorribhtung. *."***
Bei bekannten Aufnahmeröhren vorerwähnter Art, die von der Anmelderin unter dem Namen "Plumbikon" auf den Markt gebracht werden, wird die photoleitende Schicht durch eine mehr oder weniger poröse Schicht tetragonalen (Rot)Bleimonoxyds gebildet, in die zum Erhöhen der Rotempfindlichkeit Schwefel, Selen oder Tellur aufgenommen sein kann. Die Aufnahme eines oder mehrerer dieser die Rotempfindlichkeit
0 0 9 849/1689
PHN. 4073.
erhöhenden Elemente erfolgt dadurch, dass bei oder nach der Aufdampfung der photoleitenden Schicht das Bleimonoxyd einer gasförmigen Wasserstoffverbindung eines oder mehrerer dieser Elemente, d.h. Schwefel-, Selen- oder Tellurwasserstoff oder Gemischen darausiji ausgesetzt wird. Dieses Verfahren zum Erhöhen der Rotempfindlichkeit einer vorliegenden.photoleitenden Schicht erfordert eine verhältnismässig genaue Dosierung der betreffenden Wasserstoffverbindung unter genau reproduzierbaren Verhältnissen, um auf reproduzierbare Weise photoleitende Schichten zu erhalten, die einerseits die erwünschte Rotempfindlichkeit und andererseits nicht einen insbesondere bei Verwendung in Aufnahmeröhren unerwünschten hohen Dunkelstrom aufweisen. Ausserdem tritt hier der Nachteil auf, dass die erhaltene Rotempfindlichkeit in Form eines verhältnismässig niedrigen Schwanzes der Spektralempfindlichkeitskurve des Bleimonoxyds auftritt und nicht, wie erwünscht wäre, in Form einer Verschiebung des betreffenden Kurventeiles in Richtung auf eine Absorptionsgrenze längerer Wellen.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die erwünschte Rotempfindlichkeit einer photoleitenden Schicht auf Basis von Bleimonoxyd auf weniger kritische Weise dadurch erhalten werden kann, dass ein Metalloxyd in Form eines Mischkristalles mit Bleimonoxyd eingebaut wird, dessen Bandabetaild kleiner ist als der des verwendeten Bleimonoxyds* Anmelderin hat gefunden» dass Zinnmonoxyd ein zu diesem Zweck vorzüglich geeignetes Material 1st. Es sei bemerkt, dass während bei tetragonalem Bleimonoxyd der Bandabstand etwa
001349/1613
PHN. 4073.
1,9 eV beträgt, dieser bei Zinnraonoxyd etwa 0,6 eV ist. Entsprechend dieser Erkenntnis ist eine photoleitende.iVorrichtung eingangs erwähnter Art dadurch gekennzeichnet, dass die photoleitende Schicht Mischkristalle von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd enthält. In einer vorteilhaften Ausführungsform ist der Zinnmonoxydgehalt in den Mischkristallen zwischen 0,1 und TO Mol $ gewählt. Ein Zinnmonoxydgehalt von X Mol $ bedeutet, dass im Mischkristall das Verhältnis zwischen den Anzahlen von Zinnatomen und Bleiatomen tää-—"~ entspricht. Die photo-
1 vJU ™* X
leitende Schicht kann praktisch vollständig aus den erwähnten Mischkristallen bestehen, aber vor allem wenn die photoleitende Vorrichtung durch eine Aufnahmeröhre zur Umwandlung eines von der photoleitenden Schicht aufgefangenen Strahlungsbildes in elektrische Signale gebildet wird, in welcher Röhre die photoleitende Schicht mit einer Dicke zwischen 5 und etwa 30 /um auf einem mit einer durchsichtigen elektrischen Elektrode versehenen, auch durchsichtigen Träger angebracht ist, wobei gegenüber der photoleitenden Schicht eine Elektronenkanone zum Erzeugen eines die vom Träger abgewandte, freie Oberfläche der photoleitenden Schicht abtastenden Elektronenstrahls angeordnet ist, ist es zum Vermeiden eines zu hohen Dunkelstroms vorteilhaft, den an den Träger grenzenden Teil de.r photoleitenden Schicht im wesentlichen aue^Mischkrietallen von Blelmenoxyd und Zinnmonoxyd und den die freie, vom Elektronenstrahl abzutastende Oberfläche enthaltenden Teil praktisch nur aus tetragonalem Bleimonoxyd bestehen zu lassen.
Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung wird
009849/1689
PHN.
mindestens ein Teil der photoleitenden Schicht durch Uberdampfung in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre mit einem Druck
-2
von etwa 10 Torr eines in einem gegenüber dem Träger angeordneten Ziegel untergebrachten, pulverigen Materials der erwähnten Mischkristalle gebildet.
Ein anderes Verfahren zur Herstellung einer photoleitenden Vorrichtung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teil der photoleitenden Schicht dadurch erhalten wird, dass auf den Träger in einer sauer-
-2 stoffhaltigen Atmosphäre mit einem Druck von etwa 10 Torr ein Gemisch aus pulverigem Bleimonoxyd und pulverigem Zinnmonoxyd übergedampft wird. Nach der Erfindung kann eine photoleitende Vorrichtung dieser Art auch dadurch erhalten werden, dass beim Aufdampfen mindestens eines Teiles der photoleitenden Schicht aus verschiedenen Ziegeln Bleimonoxyd und Zinn gleichzeitig verdampft werden und zwar in einer sauerstoffhai tigen Atmosphäre mit einem Druck von etwa 10 Torr..
Die Erfindung wird an Hand der Zeichnung erläutert, die eine Ausführungsform und Abarten derselben zeigt. Es zeigen:
Fig. 1 einen Schnitt durch ein Ausführungsbeispiel der photoleitenden Vorrichtung nach der Erfindung in Form einer Bildaufnahmeröhre, und .
Fig. 2 graphisch die Beziehung zwischen dem
Bandabstand und dem Gehalt an Zinnmonoxyd von Mischkristallen letragonalen Bleimonoxyds und Zinnmonoxyds.
Die in Fig. 1 im Längsschnitt dargestellte
009849/168«
PHN.
— 'S —
Bildaufnahmeröhre enthält einen entlüfteten, langgestreckten, zylinderförmigen Kolben 1 aus Glas, dessen Abschluss an einem Ende durch ein Glasfenster 2 und am anderen Ende durch einen Glasfuss 3 gebildet wird. In diesem Fuss, von dem ein zentraler Teil durch ein zugeschmolzenes hohles Entlüftungsröhrchen h gebildet wird, sind Durchführungsstifte 5 untergebracht, die im Kolben mit unterschiedlichen Teilen des Elektrodensystems 6 elektrisch verbunden sind. Das Elektrodensystem 6 enthält eine durch einen Glühfaden 7 zu erhitzende, thermische Kathode 8, einen Wehnelt Zylinder 9 und eine perforierte Anode 10, die elektrisch mit einer zylinderförmigen Elektrode 11 verbunden ist. Diese Elektrode 11 ist auf der Seite des Fensters 2 mit einer Gazenelektrode 12 versehen.
Das Fenster 2 ist auf der Innenseite mit einer durchsichtigen, elektrisch gut leitenden Signalelektrode z.B. aus leitendem Zinndioxyd versehen, die mit einem nach aussen führenden Stromleiter lh verbunden ist. Auf der Sig™ nalelektrode 13 ist durch Aufdampfung in einer sauerstoff- und gegebenenfalls auch wasserdampfhaltigen Gasatmosphäre eine etwa 15 bis 25 /um dicke photoleitende Schicht 15 auf Basis von Bleimonoxyd (PbO)· angebracht. Die Schicht I5> welche die Auffcreffplatte der Röhre bildet, kann auf der von dem Fenster 2 abgewandten, freien überfläch© mittels eines von der Km thode 8 abgehenden■ iS.loktroripngtrahis Io abgetastet we-j/deü, der mittels der ufoliu.ii.eii, ".M^ iiuhre urn gebende« 4blenk™ uild roku38ieri«,ngi33pulori, die iu; <; ■; .? ho'^v-lci'ti^-'i. sindp -&.n" als Auf troff platte fokuasiox-t und zur- 'Vfata^tiiac, abge'-siütt -.-/irda
■onaiU9/ 1889 ι ·
BADORiQiNAL
PHN,
Mittels eines schematisch durch, eine einzige Linse 19 dargestellten optischen Systems wird im Betrieb der Röhre ein in elektrische Signale umzuwandelndes Bild auf die Auftreffplatte 15 projiziert. Diese elektrischen Signale werden wie üblich bei Abtastung der Auftreffplatte durch den Elektronenstrahl 16 über einem mit dem Stromleiter λΚ verbundenen Signalwiderstand 20 erhalten, über den eine in bezug auf die Kathode 8 der Röhre positive Vorspannung von 20 bis 00 V der Elektrode 13 zugeführt wird,
Die Auftreffplatte 15 besteht ganz oder teilweise aus Mischkristallen von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyds in welchen Kristallen das Zinnnionoxyd einen Gehalt von weniger als 25 mol $ und vorzugsweise zxi/ischen 0,1 und 10 mol $> beträgt. Ein vorteilhafter Wert des Zinnmononxydgehalts liegt um etwa 5 mol ^4 Es sei bemerkt, dass der Zinnmonoxydgehalt von χ mol tfo bedeutet, dass von je Hundert Metallatomen des Mischkristalles χ Atome Zinnatome und 100 - χ Atome Bleiatome sind, Wenn die Auftreffplatte 15 nicht vollständig aus Mischkristallen von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd besteht, besteht der übrige Teil aus Kristallen tetragonalsn Bleimonoxyds„ In diesem Falle müssen in jeder zur Signalelektrode 13 parallelen Ehens die Mischkristalle» wenn vorhanden, homogen diatribuiert sein, Dies ist der FaIl8 wenn in jedem Teil der Auftreffplatte da.j Verhältnis zwischen te tragonalem Bleimonojcyd und den Misch= y*x* I':- ballen da« gis lohe labt dohe die Auf treff plat te 15 wird driiiii tiur:'-1i s 1213 hcwiogan© Schicht gebildete Ein© andere Mög~ llfhlzel: bG---1StGlTIt du.viaD da«s die Auftreffplatte 15 aus
ÖÖS849/1S89
PHN. 4073.
- 7 - ■
verschiedenen, in einer zur Signalelektrode 13 quer verlaufenden Richtung hintereinander liegenden Teilschichten gebildet wird, in denen die Verhältnisse zwischen den Mengen tetragonalen Bleimonoxyds und Mischkristallen verschieden sind. Eine vorteilhafte Ausfuhrungsform wird dadurch erhalten, dass die Auftreffplatte 15 durch eine an die Signalelektrode 13 grenzende Teilschicht gebildet wird, die im wesentlichen aus Mischkristallen von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd besteht, in welchen Kristallen der Zinnmonoxydgehalt vorzugsweise etwa 5 mol $
beträgt und bis zu etwa 90 $ oder weniger der Gesamtdicke
der Auftreffplatte 15 bilden kann, während der übrige, die
durch den Elektronenstrahl 16 abzutastende, freie Oberfläche bildende Teil der Auftreffplatte 15 durch eine Teilschicht
gebildet wird, die praktisch vollständig aus tetragonalem
Bleimonoxyd besteht.
In der graphischen Darstellung der Fig. 2 ist
für Mischkristalle von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd der Bandabstand Eg in eV (Elektronvolt) als Funktion des Gehaltes an Zinnmonoxyd aufgetragen. Der Beginn der Kurve d.h. der Teil
mit niedrigem Zinnmonoxydgehalt ist im rechten oberen Eck
dieser Figur in vergrössertera Masstab angegeben. Aus Fig. 2
ist ersichtlich, dass der Bandabsland von reinem Bleimonoxyd etwa 1,9 eV ist und dass der Bandabstand bei zunehmendem
Gehalt an Zinnmonoxyd zunächst verhältnismässig schnell und
dann langsam geringer wird. Für Mischkristalle mit einem Zinnmonoxydgehalt von z.B. etwa 5 mol $ ist der Bandabstand etwa 1,6 eV, für 10 mol# etwa. 1,5 eV und für 25 mol # Zinnmonoxyd
00°8Λ9 /1 689
PHN.
ist der Bandabstand auf etwa 1,3 ©V herabgesunken. Da 1 eV praktisch 1,24 /um (Wellenlänge) entspricht, lassen sich die Absorptionskanten der unterschiedlichen Mischkristalle und sow mit die Empfindlichkeit für optische Strahlung längerer Wellenlänge (d.h. rot und infrarot) leicht bestimmen. Durch die Aufnahme von Mischkristallen von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd in die Auftreffplatte 15 wird im Vergleich zu einer Auftreffplatte lediglich aus Bleimonoxyd die Rotempfindlichkeit in Richtung auf das Gebiet längerer Wellenlänge in Abhängigkeit von dem Zinnmonoxydgehalt der Mischkristalle ausgedehnt. Da bei abnehmendem Bandabstand des Materials der photoleitenden Schicht 15 der Dunkelstrom zunimmt, soll der Zinnmonoxydgehalt 25 mol % nicht überschreiten, wobei eine Empfindlichkeit für Strahlung bis zu einer Wellenlänge von etwa 1 /um erzielbar ist. Für eine Bildaufnahmeröhre vorerwähnter Art, die für übliche Fernsehzwecke dient, ist eine gute Empfindlichkeit bis zu einer Wellenlänge von etwa 7000 A meistens ganz ausreichend. Für eine solche Röhre wird je nach Bedarf der Zinnmonoxydgehalt im Bereich von 0,1 bis 10 mol % gewählt; ein gut brauchbarer Wert liegt bei 5 mol $. Im letzteren Falle erhält man eine Röhre mit einer Rotempfindlichkeitsgrenze, die praktisch der von "Plumbikon"-Röhren entspricht, die eine erhöhte Rotempfindlichkeit aufweisen, die durch die Einwirkung von Schwefelwasserstoff auf die aus aufgedampftem, tetragonal em Bleimonoxyd bestehende, photoleitende Auftreffplatte erhalten ist. Die Rotempfindlichkeit selber ist jedoch grosser als die der vorerwÖnnten "Plumbikon" Röhre.
009849/1689
PHN. 4073.
- 9 -'■
Der Dunkelstrom kann auf vorstehend beschriebene Weise innerhalb zulässiger Grenzen gehalten werden, indem die Auftreffplatte aus zwei parallel zur Signalelektrode 13 verlaufenden Teilschichten aufgebaut wird, von denen die-f.die freie Oberfläche bildende Teilschicht aus tetragonalem Bleimonoxyd und die an die Signalelektrode grenzende Teilschicht im wesentlichen aus Mischkristallen von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd bestehen. Die erste aus Bleimonoxyd bestehende Teilschicht kann auf bekannte Weise durch überdampfen reinen Bleimonoxyds in einer Gasatmosphäre mit einem Druck von etwa
-2
10 Torr erhalten werden, welche Gasatmosphäre aus einem Gemisch von etwa gleichen Mengen Wasserdampf und Sauerstoff besteht.
Die Auftreffplatte 15 oder der aus Mischkristallen von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd bestehende Teil derselben kann auf verschiedene Weise durch Aufdampfung in einer Sauerstoff- oder sauerstoffhaltigen Atmosphäre mit
-2
einem Druck von etwa 10 Torr erhalten werden. Bei einem dieser Verfahren erfolgt die Aufdampfung auf Basis von pulverigem Material aus Mischkristallen von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd, wobei das Verhältnis zwischen Blei und Zinn dem der Mischkristalle in der zu bildenden Auftceffplatte oder dem Teil derselben entspricht. Dieses pulverige Material wird in bekannter Weise aus einem gegenübex" der Signalelektrode 13 angeordneten Schmelzziegel auf die Signalelektrode übergedampft. An Stelle des Materials aus den Mischkristallen kann ein Gemisch aus pulverigem Bleinionoxyd und pulverige« Zinnmonoxyd
000849/1889
PHN. 4O73. - 10 -
in den Ziegel gebracht und übergedampft werden. Da nach dem Uberdampfen etwas Zinn oder Zinnoxyd im Ziegel zurückbleibt, muss das Zinn-Blei-Verhältnis im Gemisch etwas grosser gewählt werden als in den Mischkristallen der zu bildenden Auftreffplatte 15 erwünscht ist. Ein weiteres Verfahren zur Herstellung der Auftreffplatte 15 oder eines Teiles derselben besteht aus der gleichzeitigen Verdampfung von Bleimonoxyd und Zinn aus unterschiedlichen Ziegeln, die nebeneinander angeordnet sind. In diesem Falle wird das Zinn auf eine höhere Temperatur z.B. auf 1000 bis 1100° C erhitzt als das Bleimonoxyd (etwa 930° C) Der Molekularprozentsatz an Zinnmonoxyd in der aufgedampften Schicht lässt sich durch Einstellung der Temperatur des Zinnziegels regeln; eine höhere Temperatur resultiert in einem, höheren Prozentsatz an Zinnmonoxyd.
Die bei dem erstgenannten Verfahren als Ausgangsmaterial dienenden Mischkristalle von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd können durch Zusatz eines Überschusses ■ Ammonia an eine Lösung von Zinnperchlorat und Bleiacetat oder Zinnperchlorat und Bleiperchlorat erhalten werden, in welcher Lösung das Molekularverhältnis zwischen Blei und Zinn gleich dem Verhältnis in den zu bildenden Mischkristallen ist. Der erhaltene Niederschlag wird mit sehr reinem Wasser gewaschen und dann einige Stunden lang unter Wasser auf höhere Temperatur derart erwärmt, dass der Niederschlag in Mischkristalle von I;f.3.imonoxyd und Zinrunionoxyd umgewandelt wirds ■wova.ut d±©ser Niederschlag; gemischen und getrocknet wirdU ®s folgen jotzt zwei 3f.:',sp±©I© e±n<x? 3 öl ehe» Herstellung vom Mischkristallans
1849/1689
PHN. 4073. - 11 -
Beispiel 1;
Es wird von k$ g praktisch silicium-freiem tetragonalem Bleimonoxyd ausgegangen, das in 75 ml Perchlorsäure von etwa 7N gelöst wird. Diese Lösung wird einer Lösung von 5 g tetragonalem Zinnmonoxyd in 75 ml Perchlorsäure von etwa 3N zugesetzt. Den gemeinsamen Lösungen wird unter Rühren ein überschuss Ammonia zugesetzt, so dass sich ein Niederschlag von Blei-Zinnhydroxyd bildet. Dieser Niederschlag wird mit sehr reinem Wasser gewaschen und einige Stunden lang z.B. übernacht unter Wasser auf einer Temperatur von etwa 75° C gehalten. .Das ursprüngliche Blei-Zinnhydroxyd wird dabei in dunkelbraune Mischkristalle von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd mitoeinem Zinnmonoxydgehalt von 10 mol $> umgewandelt, welche Kristalle darauf gewaschen und getrocknet werden. Beispiel 2.
50 g tetragonales, praktisch siliciumfreies
Bleimonoxyd wird in 80 ml Perchlorsäure von etwa 7N gelöst. Eine Menge von 1,26 g tetragonalem Zinnmonoxyd wird in 30 ml Perchlorsäure von etwa 3N gelöst. Die zwei Lösungen werden zusammengefügt, worauf unter Rühren etwa 1700 ml konzentriertes Ammoniak zugesetzt wird. Der dadurch entstehende aus Blei— Zinnhydroxyd bestehende Niederschlag wird behandelt wie unter Beispiel 1 angegeben ist.
Es sei bemerkt, dass bei dieser Herstellung von
Mischkristallen die verwendete Apparatur vorzugsweise silicdum- f-roi sein soll, weshalb nicht Glass sondern, wenn möglich, Kunststoff oder gegebenenfalls Metall verwendet worden soll.
OQ98^9/1689
PHN. J|073.
- 12 -
Nach dem Aufdampfen der Auftreffplatte 15 der
an Hand der Fig. 1 beschriebenen Aufnahmeröhre wird die von dpi' Sä gnal el el: trode 13 abgewandte, freie Oberfläche der. Platte durch Gasentladung in einer Sauerstoff atmosphäre einem Sauerstoff ä oncmaufpral 1 ausgesetzt, wie dies für eine Auftreffjüaiic bekannt ist, die praktisch lediglich aus Bleimonoxyd best chic Dieser Aiii prall dient dazu, einen Überschuss an Sauei\si off in die Oberfläche der Platte einzuführen, wodurch für die von der Oberfläche aus dem Abtastelektronenstrahl Kj aufgenommenen Elektronen eine Sperre gebildet wird.
Die Lrfindung ist vorstehend an Hand einer Aufnahmeröhre erläutert. Sie gilt jedoch auch für eine photoleitende Zelle, bei der eine Mischkristalle von Bleimonoxid und Ziiminonoxyd enthaltende, photoleitende Schicht mit zwei oder mehr Elektroden versehen äst, die z.B. durch auf der gleichen Seite der Schicht angebrachte, ineinander eingreifende, kammförini ge Elektroden oder durch flächenartige Elektroden auf je einer Seite der Schicht gebildet werden können. Wenn bei A'arwuiiduiig einer solchen photoleitenden Zelle eine Abkühlung aiii' niedrigere Temperatur durchführbar ist, (wodurch der Dunkel st rom erniedrigt wird), kann nötigenfalls der Ziimmonoxyd^obalt in dm Mischkristallen 25 mol $> überschreiten.
0098A9/ 1689

Claims (1)

  1. PHN, 4073. - 13 -
    P .4 T E N T A N S P R U C H E ,'
    Photo-Leitende Vorrichtung mit einer auf einem Träger angebrachten, photoleitenden Schicht auf Basis von Blelmonoxyd, die mit mindestens einer Elektrode versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die photoleitende Schicht Mischkristalle von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyd enthält. 2, Vorrichtung nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass der Ziimmonoxydgehal t der Mischkris; talle niedriger als 2 5 mo 1 "o ist,
    3» Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet dass der Zirmmono.xydgeh.alt zwischen O, I und IO mol fo liegt,
    k, Vorrichtung nach eiiiam der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die photoleitende Schicht praktisch vollständig aus den'erwähnten Mischkristallen besteht,
    5, Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie alt! Bildaufnahmeröhre., zur ■ Umwandlung eines von der pho tolei tf-ndon Schicht aufgefangenen ο trahlurigsbiidos in elektrische algnale auü=· gebildet IhI-, wobei, die pho to leitende Schicht auf einem für die Bi, 1 do trati Lung durchlä-iHigon, mi b einer durchsichtigen Elektrode voi .s«hon;iri Träger angebracht ist und oino Dicke v,w L;jchi>ri r) und etwa 'K) /lim aufweist, von vrolch ;r Schicht die vom Trüfyfu.· nb-i«u/tmdt.e freie Oberfläche da:ni bestimmt iat, .durch nimm v-iti firiiu.1 i u der Hölii.·« urit.ex'^; >*/i itltten Elektronen·=» Ui aiw/johoudöti KloktroixfmM trahi abge ta ; l ? t zu v/erdon»
    0 0SB49/1689
    PHN,
    ö · Vorrichtung nach Anspruch 51 dadurch gekennzeichnet, dass der an den Träger grenzende Teil der photoi.is L tenden Schicht im wesentlichen aus den erwähnten Mischkr.ifi ballen und der die freie Oberfläche der Schicht bildende T-.? 11 dieser Schicht im wesentlichen aus tetragonal em Bleimo-» noxyd besteht.
    /ι Verfahren aur Herstellung einer Vorrichtung
    nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teil der photoleitenden Schicht durch (Jberdainpfung eines in einem gegenüber dem Träger angeordneten Zli'<>;eL vorhandenen pulverigen Materials der erwähnten Misch« kristalle in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre mit einem Druck von etwa 10 '~ Torr hergestellt wird»
    ü* Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeich-
    ii? t j dass die aus dem Ziegel überzudainpfenden Mischkristalle durch den Zusatz eines Überschusses Ammonia an eine Lösung von Zinnperchlorat und Bleiacetat oder Zinnperchlorat und Bl.eiperchLorat erhalten werden, in welcher Lösung das Verhältnis zwischen den Molekularmengen Blei und Zinn gleich dem Ια ύί·-η zu bildenden Mischkristallen erwünschten Verhältnis i si, wobei, der erhaltene Niederschlag mit sehr reinem Wasser ,■■;;) wu-iahon und darauf einige Stunden lang unter Wasser auf '.-ui'if höheren Temperatur derart gehalten wird, dass der Nie- djt schlag Ln Mischkristalle von Bleimonoxyd und Zinnmonoxyi ιιΐιΐ£-,η'7ίπι·1ο1 Ir wird, die darauf gewaschen und getrocknet werden, [), Vorfahren aur Herstellung einer Vorrichtung
    iuuih elnoni dor Anspruch© 1 bis 6 dadurch gekennzeichnet, dass
    S A'9 /18 8 9
    PHN. /j 073.
    mindestens e.ln Teil der photol-ei tenden. Schicht dadurch erhalten wird, dass in einer säuerstoffhaltigen Atmosphäre mit
    -P
    einem Druck von etwa 10 ~ Toi ι ein Gemisch aus pulvorigem Hleimonoxyd und pulverigem Ziimmonoxyd übergodampft, wird. 10. Verfahren zur Herst ellung einer Vorrichtung
    nach einem der Ansprüche 1 l)i e 5 dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Teil der phοtoieitenden Schicht dadurch erhalten-wird, dass in einer sauerstoffhaitigen Atmosphäre mii einem Druck von etwa 10 Torr gleichzeitig aus unterschiedlichen Ziegeln Bleimonoxid und Zinnmonoxyd gpsonderi verdampft wei'den.
    098 4 0/Ί 6 fi<i'
    "1
    Q Leerseite
    COPY
DE2024581A 1969-05-27 1970-05-20 Photoleitende Vorrichtung mit einer photoleitenden Schicht auf der Basis von Bleimonoxyd sowie Verfahren zu ihrer Herstellung Expired DE2024581C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL6908066A NL6908066A (de) 1969-05-27 1969-05-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2024581A1 true DE2024581A1 (de) 1970-12-03
DE2024581B2 DE2024581B2 (de) 1979-11-22
DE2024581C3 DE2024581C3 (de) 1980-08-07

Family

ID=19807025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2024581A Expired DE2024581C3 (de) 1969-05-27 1970-05-20 Photoleitende Vorrichtung mit einer photoleitenden Schicht auf der Basis von Bleimonoxyd sowie Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3610987A (de)
JP (1) JPS482035B1 (de)
CA (1) CA934145A (de)
DE (1) DE2024581C3 (de)
FR (1) FR2043693A1 (de)
GB (1) GB1256217A (de)
NL (1) NL6908066A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5233265A (en) * 1986-07-04 1993-08-03 Hitachi, Ltd. Photoconductive imaging apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL290119A (de) * 1963-03-12

Also Published As

Publication number Publication date
JPS482035B1 (de) 1973-01-22
US3610987A (en) 1971-10-05
GB1256217A (en) 1971-12-08
NL6908066A (de) 1970-12-01
DE2024581C3 (de) 1980-08-07
DE2024581B2 (de) 1979-11-22
FR2043693A1 (de) 1971-02-19
CA934145A (en) 1973-09-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2230802C2 (de) Verfahrn zum Herstellen eines Leuchtschirmes für das Eingangsfenster einer Röntgenbildverstärkerröhre
DE2025511A1 (de) Halbleitervorrichtung mit einem HeteroÜbergang
DE1439707B2 (de) Kathodenstrahlroehre zur bistabilen elektrischen speicher ung von bildern
DE1011459B (de) Bildaufnahmeroehre mit photoleitfaehiger Bildelektrode
DE1111748B (de) Lichtempfindliche photoleitende Schicht
DE1614986B2 (de) Verwendung einer unter Vakuum aufge dampften, polykristallinen Alkali methallhalogenidschicht in Bildwandler rohren und Verfahren zur Herstellung einer solchen Schicht
DE1614768A1 (de) Fotokonduktiver Schirm fuer Bildaufnahmeroehren
DE2951791A1 (de) Zinksulfid-sinterkeramikmaterial sowie kathodenstrahlroehre unter verwendung dieses materials
DE2527527A1 (de) Target fuer photoleitende bildaufnahmeroehren und verfahren zu dessen herstellung
DE909378C (de) Fotoelektronen oder Sekundaerelektronen emittierende Oberflaeche
DE1564424A1 (de) Sandwichfoermiges Elektrodensystem,insbesondere Halbleiterelektrodensystem,und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2024581A1 (de) Photoleitende Vorrichtung mit einer photoleitenden Schicht auf Basis von Bleimonoxyd
DE3342707C2 (de) Bildaufnahmeröhre
DE1937208B2 (de) Bildschirm fuer kathodenstrahlroehren
DE1299311B (de) Speicherelektrode fuer Vidicon-Bildaufnahmeroehren
DE1614753A1 (de) Fotoelektrische Leiter
DE1462101B1 (de) Verfahren zum herstellen einer photokonduktiven bildelektrode fuer bildaufnahmeroehren
DE1039661B (de) Photoleitfaehige Einrichtung mit einer Schicht aus Antimontrisulfid
DE1201865B (de) Schirm fuer Fernsehaufnahmeroehren vom Vidicontyp
DE579680C (de) Photozelle mit einer photoelektrischen Elektrode und einer weiteren, fluoreszierenden Stoff enthaltenden Elektrode
DE2421442A1 (de) Multiplex-bildschirmaufbau einer farbbildkathodenstrahlroehre und herstellungsverfahren
DE3150848A1 (de) Elektronenkanone fuer grosse helligkeit
DE2923065A1 (de) Elektrolumineszente und/oder lichterkennende dioden sowie verfahren zur herstellung dieser dioden
DE2141233A1 (de) Photoleiter
DE2810920A1 (de) Bildverstaerker

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee