DE2023750B2 - Verfahren zur Herstellung eines feinpulverigen anorganischen Photoleiters - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines feinpulverigen anorganischen PhotoleitersInfo
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Description
Es ist bekannt, daß ternäre Verbindungen der allgemeinen Formel
X1YZ6 (I),
b) ein oder mehrere Kadmium- und/oder 2[inkchalkogenid(e)
(Komp. II) mit Germanium, Silizium, einem oder mehreren Chalkogenid(en) des Germaniums und/oder einem oder mehreren
Chalkogenid(en) des Siliziums (Komp. III) in einem zur Bildung eines Photoleiters der Formel
X1 YZ6 geeigneten Mengenverhältnis gemischt
werden, oder
c) eine auf herkömmliche Weise erzeugte Verbindung X4YZ6 mit wenigstens einem der als
Komp. Π bezeichneten Stoffe und/oder wenigstens
einem der als Komp. 111 bezeichneten Stoffe gemischt wird, daß die resultierende
Mischung mit reinem Wasser versetzt, getrocknet, grobgemahlen und in bekannter V/eise
calciniert wird, daß das calcinierte Produkt in entionisiertes Wasser verbracht wird, und daß
gegebenenfalls der erhaltene feinpulvrige Photoleiter von Wasser befreit und nochmals in
Anwesenheit von S, Se und/oder Te calciniert wird.
2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet,
daß als Verbindung der allgemeinen Formel I Cd1GeS6, Cd1GeSe6. Cd1GeTe6, Cd1SiS6,
Cd1SiSe6, Cd4SiTe6, Zn1GeS6, ZN1GeSe6, Zn4Ge-Te6,
Zn4SiS6, Zn1SiSe6 und/oder Zn1SiTe6 verwendet
wird.
3. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß als Komponente Il CcIS, CdSe, CdTe,
ZnS, ZnSe und/oder ZnTe verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß als Komponente III GeS2, GeSe2,
GeTe2, SiS2, SiSe2 und/oder SiTe2 verwendet wird.
5. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß als Flußmittel CdCI2, NH1CI, ZnCI2,
CaCI2, SrCI2, BaCI2 und/oder NaCl verwendet
wird.
6. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet,
daß, bezogen auf das Gesamtgewicht der zu calcinierenden Mischung zwischen 5 und 20 Gewichtsprozent
Flußmittel verwendet werden.
7. Verfahren nach den Ansprüchen 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Teilchengröße
des erhaltenen Photoleiters durch entsprechende Auswahl von Art und Menge des Flußmittels auf
einen Bereich zwischen 5 und 20 μηι eingestellt wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Aktivator ein Kupfer- und/oder
Silbersalz, vorzugsweise ein Chlorid, Nitrat oder Acetat, dient.
in der X Cadmium oder Zink, Y Silizium oder Germanium und Z Schwefel, Selen oder Tellur ist, z. B.
Cd4GeS6 und Zn, SiS6, sowie feste Lösungin dieser
ao Verbindungen einer hervorragende Empfindlichkeit
im kurzwelligen Spektralbereich des sichtbaren Lichts besitzen.
Die Verbindungen der Formel I, z. B. Cd4GeS6
werden gewöhnlich hergestellt, indem man entsprechende Mengen Cadmiumiiulfidpulver, Germaniummetallpulver
und Schwefelpulver miteinander mischt und das auf diese Weise erhaltene Gemisch in ein
Vakuumgefäß gibt, das denn verschlossen wird, worauf man das Gemisch calciniert.
Diese herkömmlichen Verfahren sind jedoch mit folgenden Nachteilen behaftet:
Die Verbindungen der Formel I werden nicht als Pulver erhalten, sondern in Form schwammiger
Klumpen. Wenn diese Klumpen zu einem feinkörnigen Pulver vermählen werden, so verlieren die Verbindungen
der Formel I ihre Photoleitfähigkeit durch die Bildung von Kristallgitterdeformationen und Kristallgitterfehlern.
Pulverteilchen die größer als einzige zig Mikron sind, kann man in diesem Fall einer
entsprechenden Gliihung bzw. einer Temperaturbehandlung unterwerfen, duich die sie ihre Photoleitfähigkeit
wieder erhalten, jedoch sind die Kristallgitterdeformationen und Kristallgitterfehler bei den
feinkörnigen Pulverteilcheri mit einer Größe von weniger als einigen Mikron so ausgeprägt und stark,
daß bei bei ihnen die Photoleitfähigkeit durch eine einfache Gliihung bzw. Temperbehandlung nicht wiederhergestellt
werden kann. Außerdem entwickeln Legierungen wie CdGe, ZnSi u. dgl. während der Calcinierung einen hohen Dampfdruck und verursachen
zuweilen Explosionen. Zur Inhibierung wird in einer Charge jeweils nur eine kleine Menge von
beispielsweise einigen zig Gramm verwendet, die lange Zeit, z. B. etwa 60 Stunden calciniert wird. Mit einem
solchen Verfahren kann man jedoch keine große Menge eines Produkts mit gleichmäßigen Eigenschaften herstellen.
Außerdem ist die Anwendung von Temperaturen von über 800° C erforderlich und muß demzufolge
ein Gefäß verwendet werden, das so hohe Temperaturen aushält, nämlich ein Quarzgefäß, das
zudem bei dieser Art der Herstellung von Photoleitern ein Verbrauchsgegenstand ist, d. h. daß für jede
Charge ein neues Gefäß verwendet werden muß, so daß die Herstellungskosten sehr hoch sind.
Auf Grund des ersten vorstehend erwähnten Mangels wurden derartige photoleitende Stoffe bislang nur
in Form von Einkristallen oder Sintermaterial für Photozellen verwendet, jedoch nicht als Material für
3 4
elektrophotographische lichtempfindliche Elemente, dienenden Halogenverbindung, sowie gewönschtenfür
die feinzerteilte Pulver aus lichtempfindlichem falls einem Aktivator, wie einem Kupfersalz, Silber-Material
erforderlich sind, salz u. dgl. CuCI2, Cu(NO3)a, Kupfer-Il-acetat oder
Ferner ist ein Verfahren zur Herstellung eines fein- Silbernitrat, gemischt und calciniert, wobei man eine
pulvrigen anorganischen Photoleiters bekannt, bei 5 photoleitende Verbindung in Form eines brüchigen
dem ein aus mit Kupfer dotiertem und mit einem Klumpens erhält.
Alkali- oder Erdalkalimetall versetztem Cadmium- Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfinsulfid
bestehendes photoleitendes Pulver dadurch her- dung mischt man mindestens eine Chalkogenverbingestellt
wird, daß ein Gemisch aus ausgefälltem Cad- dung des Cadmiums oder Zinks mit mindestens einem
miumsulfid, einer Kupferverbindung als Mittel zur io der vorstehend als Komponente III genannten Stoffe,
Dotierung, einem Halogenid als Flußmittel sowie einer d. h. Gs, Si und die Chalkogenverbindungen dieser
Lithiumverbindung erhitzt wird, wobei die Lithium- beiden Metalle, in einem zur Bildung von Verbindunverbindung
zwischen 0,005 und 0,5 Gewichtsprozent gen der allgemeinen Formel I, z. B. Cd4GeS6 und
des Cadmiumsulfid liegt und die Erhitzung Vorzugs- Zn1GeSe6, geeigneten Mengenverhältnis miteinweise
in dem Temperaturbereich zwischen 700 und 15 ander, versetzt das Gemisch mit einer als Flußmittel
9000C erfolgt. dienenden Halogenverbindung sowie gewünschtenfalls
Nachteilig hieran is*, daß sich ein pulverförmiger außerdem mit einem Aktivator, z. B. einem Kupfer-Photoleiter.,
bei dem als Photohalbleiter CdS dient, oder Silbersalz, worauf außerdem eine entsprechende
nur dann mit zufriedenstellenden photoleitenden Ei- Menge reines Wasser zugesetzt und eingemischt wird,
genschaften herstellen läßt, wenn in dem zu calcinie- 20 Das auf diese Weise eihaltene Gemisch wird dann
renden Ausgangsgemisch Lithium innerhalb der getrocknet und zu einem groben Pulver vermählen,
angegebenen Grenzen vorliegt und eine direkte Her- das dann bei einer über seinem Schmelzpunkt (in der
stellung von anorganischen Photohalbleitern in Pulver- Regel über etwa 6000C) liegenden Temperatur bei
form ohne Beeinträchtigung der Photoleitfähigkeit bei Atmosphärendruck calciniert wird, wobei man die
der Umwandlung zum Pulver nicht erzielbar ist. 25 vorstehend erwähnte photoleitende Verbindung der
Aufgabe der Erfindung ist daher ein Verfahren zum Formel I in Form eines brüchigen Klumpens erhält,
direkten Herstellung lichtempfindlicher Pulver mit Das Gemisch wird vorzugsweise in einer inerten
hervorrager.'.er Lichtempfindlichkeit im gesamten Atmosphäre calciniert.
Spektralbereich des sichtbaren Lichtes mit besonderer Gemäß einer weiteren Ausführungsfonn der Erfin-
Empfindlichkeit im üurzwe:/igen Bereich des sieht- 30 dung mischt man mindestens eine Verbindung der
baren Lichtes in wirtschaftlicher und technisch einfach Formel I mit mindestens einer Chalkogenverbindung
durchführbarer Weise. des Cadmiums oder Zinks und/oder mindestens einem
Diese Aufgabe wird bei dem Verfahren zur Herstel- der vorstehend als Komponente III aufgeführte Stoffe
lung eines feinpulvrigen anorganischen Photoleiters, sowie mit einer als Flußmittel dienenden Halogenver-
bei welchem der Ausgangsmischung als Flußmittel 35 bindung und, gewünschtsnfalls einem Aktivator, z. B.
wenigstens ein Halogenid sowie gegebenenfalls ein einem Kupfer- oder Silbersalz. Dieses Gemisch wird
Aktivator zugesetzt und die Mischung nachfolgend dann mit einer entsprechenden Menge reinem Wasser
zwischen 500 und 580C calciniert wird, dadurch gemischt, getrocknet und zu einem groben Pulver
gelöst, daß zur Bildung der Ausgangsmischung. verarbeitet, das dann unter Atmosphärendruck bei
a) eine auf herkömmliche Weise erzeugte Verbindung 4o einer über seinem Schmelzpunkt liegenden Temperatur
X4YZ6 (Komp. I) dient, wobei X Kadmium oder calciniert wird, wobei man ein lichtempfindliches
Zink, Y Silizium oder Germanium und Z Schwefel, Material bzw. eine photoleitende Verbindung der
Selen oder Tellur bedeutet oder Formel I in Form eines brüchigen Klumpens erhält.
b) ein oder mehrere Kadmium- und/oder Zinkchalko- A. D'e auf r dieSft W.eijf. erhaltenen Klumpen können
genid(e) (Komp. II) mit Germanium. Silizium, 4S direkt zu lichtempfindlichen bzw. photoleitenden PuI-einem
oder mehreren Chalkogenid(en) des Ger- ver" vermählen werden. Man kann die Klumpen auch
maniums und/oder einem oder mehreren Chal- zu lichtempfindlichen Pulvern verarbeiten, indem man
kogenid(en) des Siliziums (Komp. III) in einerr. Sle !n k entl0n f lsl"te,s Wa&sfr 1^' owrauf s'e sPonian
zur Bildung eines Photoleiters der Formel X1YZ6 zu lichtempfindlichen Pulvern mit einer Korngroße
geeigneten Mengenverhältnis gemischt werden, 5° von et"a. 1° ^ zerfal'en.,und dab,el gleichzeitig d.e
"jjj wasserlöslichen Bestandteile des Pulvers entfernen.
. . ,, , .. ,.,.,,. ,, , · , Wenn Pulver von Verbindungen der Formel I oder
c) eine auf herkömmliche Weise erzeugte Verbn.uung fester Lösungen solcher Verbindungen zusammen mit
X4YZ6 mit wenigstens einem der als Komp. II eJnem chaikogerii z B Schwefel, in einer inerten
bezeichneten Stoffe und/oder wenigstens einem der 55 Atmosphäref z. B. einer Stickstoffatmosphäre, calals
Komp. III bezeichneten stoffe gemischt wird, cjnjert werden>
s0 erhöht sich dadurch def Dunke,_
daß d.e resultierende Mischung mit reinem Wasser widerstand des photoleitenden Pulvers, wodurch es
versetzt, getrocknet, grobgemahlen und in bekann- eine besondere Eignung für di(. Elektrophotographie
ter Weise calciniert wird, daß das calcinierte erhält
Produkt in entionisiertes Wasser verbracht wird, 6o Repräsentative Beispiele von für die Zwecke der
um daß gegebenenfalls der erhaltene fe.npulyr.ge Erfindung verwendbaren Verbindungen der Formel I
Photoleiter von Wasser befreit und nochmals in sjnd.
Anwesenheit von S, Se und/oder Te calciniert wird. Cd4GeS6, Cd4GeSe6, Cd4GeTe9, Cd1SiS6, Cd4SiSe6,
Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens der Cd4SiTe8, Zn4OeS6, Zn4GeSe6, Zn4GeTe6, ZN4SiS6,
Erfindung wird somit mindestens eine Verbindung 65 Zn4SiSe6, Zn4SiTe6 und feste Lösungen dieser Stoffe.
(Komponente 1), die vorab durch thermische Synthese Repräsentative Beispiele von Cadmium- oder Zink-
hergestellt wurde, zu einem feinkörnigen Pulver ver- chalkogenverbindungen sind: CdS, CdSe, CdTe, ZnS,
mahlen, das dann mit mindestens einer als Flußmittel ZnSe, ZnTe und feste Lösungen dieser Verbindungen.
Repräsentative Beispiele von Chalkogenverbindun
gen des Germaniums ader Siliziums sind· GeS2,
GeSe2, GeTe2, SiS8, SiSe8, SiTe8 und feste Lösungen
dieser Stoffe.
Als Flußmitte! beim Verfahren der Erfindung zu S verwendende Halogenverbindungen sind unter anderem
Ammoniumchlorid und Halogenide ein- oder zweiwertiger Metalle, wie CdCI2, ZnCU CaCU, SrCI2,
BaCl8, NaCI u. dgl.
Das Flußmittel wird in einer Menge von etwa 5 bis 20 Gewichtsprozent, vorzugsweise etwa IO Gewichtsprozent,
bezogen auf das Gesamtgewicht des zu calcinierend'en
Gemisches, verwendet.
Die günstigste Calcinierungstemperatur schwankt bis zu einem gewissen Grad in Abhängigkeit vom »5
jeweils verwendeten Flußmittel. Beispielsweise beträgt die optimale Calcinierungstemperatur von CdCi, etwa
580 bis 700° C, diejenige von ZnCI, etwa 500 bis 650 C und diejenige von CaCI2 etwa 75Ö bis 850 C.
Nach dem Verfahren der Er'indung kann man auch
photolekende Pulver mit einer Korngröße von etwa 10 μ direkt ohne Mahlen erhalten, die, wie sie sind, als
elektrophotographisches Material verwendet werden
können. Weiterhin kann man die Korngröße durch entsprechende Auswahl von Art und Menge der als
Flußmittel verwendeten Halogenverbindung innerhalb eines Bereiches von 5 bis 20 μ regeln bzw. einstellen.
Das Verfahren der Erfindung kann bei Atmosphärendruck, d. h. in offenen Gefäßen ausgeführt werden,
weswegen keine Explosionsgefahr bestellt, so daß man nicht jeweils kleine Teilmengen langdauernd calcinieren
muß, sondern eine große Menge, z. B. mehr als einige kg, des Materials in kurzer Zeit, z. B. eiwa
30 Minuten, auf einmal calcinieren kann, um die gewünschte Verbindung der Formel I bzw. das gewünschte
photoleitende Material zu erzeugen. Die Herstellungskosten sind beim Verfahren der Erfindung
gering, da die Calcinierungstemperatur im allgemeinen etwa 600°C beträgt und man daher nur ein Gefäß aus
gewöhnlichem hitzebeständigem Glas und kein Quarzgefäß zu verwenden braucht, das zudem mehrmals
verwendet werden kann, da man die Calcinierung in einem offenen Gefäß durchführen kann.
Mit Hilfe des Verfahrens der Erfindung kann man lichtempfindliche bzw. photoleitende Pulver mit hoher
Lichtempfindlichkeit im kurzwelligeren Spektralbereich des sichtbaren Lichts, d. h. mit hoher Empfindlichkeit
gegen Blaulicht mit einer Wellenlänge von 400 bis 500 τημ mit geringen Kosten in großen Mengen
herstellen. Daher kann man beispielsweise Jie danach hergestellten lichtempfindlichen Pulver zum Ergänzen
des Empfindlichkeitsbereichs herkömmlicher elektrophotographischer lichtempfindlicher Elemente, wie
CdS, zur Verwirklichung von Mchrfarbenreproduktionen verwenden.
Die Beispiele erläutern die Erfindung, sollen sie jedoch nicht beschränken.
Aus einer durch Lösen von GeO2-Pulver in starker
wäßriger Salzsäurelösung hergestellten Lösung wird durch Ein- bzw. Durchleiten von Schwefelwasserstoffgas
weißes GeS2 ausgefällt. Die dabei erhaltene Fällung wird durch Dekantieren ausreichend gewaschen,
abfiltriert und getrocknet, wobei man 1366 Teile Germaniumeiisulfid
erhält, das mit 5776 Teilen Cadmiumsulfidpulver, einem Flußmittel aus 714 Gewichtstcilen
CdCLj-Pulver und 71 Gewichtsteilen NH1Cl-PuIvCr
sowie 2 GewiclHsteilen Bis Aktivator dienendem CuCl8
und 2500 Gewichtsteilen entionisiertem Wasser gemischt wird, worauf man das Gemisch hinreichend
knetet und dann trocknet.
Der dabei erhaltene Klumpen wird zu Körnchen entsprechender Größe gemahlen, die dann in ein
Quarzreagenzglas gegeben und in einer Stickslcffatmosphäre 30 Minuten bei etwa 6000C calciniert
werden. Das beim Calcinieren erhaltene Produkt wird in entionisiertes Wasser gelegt, wodurch es spontan
zu einem feinkörnigen Pulver mit einer Korngröße von etwa 10 μ zerfällt. Das auf diese Weise erhaltene
feinkörnige Pulver wird mehrmals durch Dekantieren gewaschen und dann getrocknet, worauf man es im
Gemisch mit 14 Gewichtsteilen Schwefelpulver in ein Quarzreagenzglas gibt und ineinerStickstoffatmosphäre
15 Minuten bei etwa 500°C calciniert, worauf überschüssiger Schwefe'.dampf durch eine Absaugvorrichtung
evakuiert wird Dann werden die auf diese WeKe
hergestellten Pulver abgekühlt. Es handelt sich um photoleitende, für die Elektrophotographie geeignete
Pulver.
Bei der Untersuchung des Pulvers mittels Röntgiv,-strahlbeugung
wird festgestellt, daß es monokiin ist und daß sich Cd1GeSn gebildet hat.
Hierauf wird die Spektralempfindlichkeit einer durch Binden des auf diese Weise erhaltenen Cd1GeS6-Pulvers
mit einer kleinen Menge eines Epoxyharz hergestellten Schicht bestimmt, wobei man feststellt,
daß sie für Licht in einem Wellenlängenbereich -.on
400 bis 500 ΐημ hochempfindlich ist.
An Stelle eines Cadmiumsulfidpulvers kann hei dem vorstehend beschriebenen Verfahren auch ein
Zinksulfidpulvcr verwendet werden. Weiterhin kann man bei dem vorstehend erwähnten Verfahren das
CdS-Pulver der stark sauren wäßrigen Lösung \on
Germaniumoxyd zusetzen und diese Mischung mit Schwefel wasserstoff gas behandeln, um ein Gemisch
aus CdS und GeS2 gemeinsam auszufällen, das dann mit einem Flußmittel xwtit wird.
H e i s ρ i e I 2
In ein Quarzrohr werden 5780 Gewichtsteile CdS. 726 Gewichtsteile Ge und 641 Gewichtsteile Schwefel
gegeben, worauf die Luft aus dem Rohr evakuiert und das Rohr angeschmolzen wird. Dann erhitzt man
das Reaktionsgemisch etwa 40 Stunden indem man die Temperatur mit einer Geschwindigkeit von 20 C/
Stunde erhöht. Nachdem man das Reaktionsgemisch mehrere Stunden bei einer Temperatur von über
800°C gehalten hat, kühlt man das Material auf Raumtemperatur ab, wobei map. Cd4GeS6 erhält.
Um nur die vollständig umgesetzten Teile auszuwählen,
bestrahlt man den wie vorstehend beschrieben r^haltencn Klumpen mit ultravioletten Strahlen aus
einer Schwarzlichtlampe und entnimmt nur diejenigen Teile, die sichtbares Fluoreszeiizlicht emitieren, und
zerkleinert sie in einem Mörser zu feinkörnigem Pulver.
Wenn man die auf diese Weise erhaltenen Pulver mittels eines geeigneten Bindemittels bindet, so weisen
sie keine hervorragende Photoleitfähigkeit auf. Hierauf werden 100 Gewichtsteile des auf diese Weise erhaltenen
Cd1GeS6, 10 Gewichtsteile CdCI2, 1 Gewichtsteil
NH4Cl und 150 Gewichtsteile reines Wasser ausreichend
miteinander gemischt, getrocknet, 30 Minuten bei 650° V, in einer Stickstoffatmosphäre calciniert, in
reines Wasser gegeben und schließlich gewaschen, wobei man ein Pulver mit einer Körngröße von etwa
10 μ erhält. Dieses Pulver wird dann weitere 20 Minuten
in Schwefeldampf calciniert, wobei man ein photoleitendes,
lichtempfindliches Pulver erhält. Wenn man das auf diese Weise erhaltene photolcitende Pulver
mit etwa 15 Gewichtsprozent eines Epoxyharzes bindet, so erhält man eine Masse bzw. Schicht mit
hoher Empfindlichkeit für Licht mit einer Wellenlänge von 400 bis 500 τημ.
Zur Herstellung eines photoleitenden Pulvers wird Beispiel 2 wiederholt, wobei man jedoch an Stelle von
100 Gewichtsteilen Cd1GeS6 30 Gewichtsteile Cd1GeS8
und 70 Gewichtsteile CdS und an Stelle von CdCI2 i0 Gewichlsleilc ZnCI2 verwendet und außerdem
0,03 Gewichtsteiie CuCI2 zusetzt und das Gemisch
bei 600"C calcinicrt. Das auf diese Weise erhaltene photoleitende Pulver wird mit etwa 15 Gewichtsprozent
eines Epoxyharzes gebunden, wobei man eine Masse erhält, die eine panchromatische elektrophotographischc
lichtempfindliche Schicht mit hoher Empfindlichkeit für sichtbares Licht in einem Wellenlängenbereich
von 400 bis 700 πιμ ergibt.
Analog Beispiel 2 wird ein lichtempfindliches bzw. photoleitendes Pulver hergestellt, wobei man jedoch
an Stelle von 100 Gewichtsteilen Cd1GeS8 80 Gewichtsteile Cd1GeS6 und 20 Gewichtsteile GeS2 und an Stelle
von CdCl2 Calciumchlorid verwendet und bei 800" C
calciniert. Das auf diese Weise erhaltene photoleitende Pulver ist ebenfalls hochempfindlich gegen sichtbares
Licht im kurzwelligeren Spektralbereich.
Analog Beispiel 2 wird ein weiteres photoleitendes Pulver hergestellt, wobei man jedoch abweichend
davon an Stelle von 100 Gewichtsteilen Cd1GeS8
30 Gewichtsteile Cd1GeS8, 60 Gewichtsteile CdS und
10 Gewichtsteile GeS2 verwendet und dem zu calcinierenden
Gemisch 0,03 Gewichtsteile CuCI2 zusetzt.
Das auf diese Weise hergestellte photoleitende Pulver ergibt, wie das gemäß Beispiel 3 hergestellte lichtempfindliche
Pulver ein panchromatisches elektrophotographisches lichtempfindliches bzw. photoleitendes
Material.
409 528/3
Claims (1)
- Patentansprüche:I. Verfahren zur Herstellung eines feinpulvrigen anorganischen Photoleiters, bei welchem der Ausgangsmischung als Flußmittel wenigstens ein Halogenid sowie gegebenenfalls ein Aktivator zugesetzt und die Mischung nachfolgend zwischen 500 und 850°C calciniert wird, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung der Ausgangsmischunga) eine auf herkömmliche Weise erzeugte Verbindung X4YZ6(Komp. I) dient, wobei X Kadmium oder Zink, Y Silizium oder Germanium und Z Schwefel, Selen oder Tellur bedeutet, oder9. Verfahren nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Calcinierung der Ausgangsmischung bei Verwendung von CdCI2 als Flußmittel zwischen 580 und 7000C, bei Verwendung von ZnCU als Flußmittel zwischen 500 und 6500C und bei Verwendung von CaCI2 als Flußmittel zwischen 750 und 8500C erfolgt.
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US4265991A (en) * | 1977-12-22 | 1981-05-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof |
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US3238150A (en) * | 1962-09-12 | 1966-03-01 | Xerox Corp | Photoconductive cadmium sulfide powder and method for the preparation thereof |
US3390090A (en) * | 1966-09-12 | 1968-06-25 | Merck & Co Inc | Metallic selenides and tellurides and process for making same |
US3492620A (en) * | 1966-09-28 | 1970-01-27 | Rca Corp | Photosensitive device |
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Legal Events
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C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 |