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ZUSAMMENFASSUNG
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Ein Optischer Mach-Zehnder-Modulator mit einer Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektrode verwendet eine symmetrische koplanare Streifenleitung mit seitlichen Masseebenen (G1, G2). Zwei Signalelektroden (13A, 13B) erstrecken sich entlang der Mitte des optischen Modulators benachbart und parallel zu den optischen Wellenleitern (15A, 15B) in einer Reihen-Gegentakt-Konfiguration. Die Masseebenen (G1, G2) verlaufen parallel zu den Signalelektroden (13A, 13B), sind jedoch seitlich nach außen von den Signalelektroden (13A, 13B) beabstandet.
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STAND DER TECHNIK
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Gebiet der Erfindung.
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Die vorliegende Erfindung betrifft im Allgemeinen das Gebiet von optischen Mach-Zehnder-Modulatoren. Insbesondere offenbart die vorliegende Erfindung einen optischen Mach-Zehnder-Modulator, der eine symmetrische koplanare Streifenleitung mit seitlichen Masseebenen verwendet.
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Stand der Technik.
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Optische Mach-Zehnder-Modulatoren werden seit vielen Jahren im Bereich der optischen Kommunikation eingesetzt, um modulierte Daten in elektrischer (z. B. Funkfrequenz) Form anzunehmen und die Daten auf einen optischen Träger zu übertragen. In einem optischen Mach-Zehnder-Modulator, wie allgemein in 1 dargestellt, teilt ein Strahlenteiler 12 das Laserlicht von dem Eingangslichtwellenleiter 11 in zwei Wege 15A und 15B, wobei mindestens einer derselben einen Phasenmodulator aufweist, bei dem der Brechungsindex eine Funktion der Stärke des lokalen elektrischen Feldes ist. Die Strahlen werden dann von einem optischen Ausgangskombinator 16 wieder zusammengeführt. Eine Veränderung des elektrischen Feldes auf dem phasenmodulierenden Weg bestimmt dann, ob sich die zwei Lichtstrahlen konstruktiv oder destruktiv am Ausgang beeinflussen, und steuert dadurch die Amplitude oder Intensität des austretenden Lichts.
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Wie in
1 dargestellt setzen einige optische Mach-Zehnder-Modulatoren eine Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektrode ein, gemäß
Klein et al., "1.55μm Mach-Zehnder Modulators on InP for optical 40/80 Gbit/s transmission networks", OFC/NFOEC 2006, paper TuA2, und ausführlicher beschrieben von
R. G. Walker, "High-Speed III–V Semiconductor lntensity Modulators", IEEE J. Quant. Elect., Bd. 27 (3), S. 654–667, 1991. Eine Wanderwellenelektrode (oder TWE – Travelling Wave Electrode) besteht aus zwei oder mehr Übertragungsleitungen
13A,
13B, die im Wesentlichen parallel zu den Lichtwegen
15A,
15B ausgerichtet sind, und einer Mehrzahl Wellenleiterelektroden
14A,
14B. Jede Wellenleiterelektrode
14A,
14B ist an mindestens eine der Übertragungsleitungen
13A,
13B über einen Abzweig- oder Brückenleiter angeschlossen. Jeder Brückenleiter zweigt aus einer Übertragungsleitung
13A,
13B in eine Richtung im Wesentlichen senkrecht zum Lichtweg
15A,
15B ab. Die Übertragungsleitungen
13A,
13B übermitteln ein RF-Signal auf einem RF-Weg, der im Wesentlichen parallel zu den Lichtwegen
15A,
15B ist.
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Ein Mach-Zehnder-Modulator wird im Gegentaktmodus betrieben, wenn eine gemeinsame Spannung oder ein gemeinsames Feld verwendet wird, um die Phase der sich beeinflussenden Signale in den zwei Armen gegenphasig zu modulieren. Wie in 1 dargestellt, verhält sich jedes Paar von Wellenleiterelektroden 14A, 14B, das eine Phasenänderung an die Lichtwelle im Lichtwellenleiter 15A, 15B überträgt, in einer Reihen-Gegentakt-Konfiguration auch wie ein Paar in Reihe geschalteter Kondensatoren und wie eine Last auf der Hauptübertragungsleitung 13A, 13B. Die Querschnittsansicht eines Paares Wellenleiterelektroden in 2 zeigt den seitlichen RF-Stromverlauf 24 zwischen den zwei Signalarmen durch eine gemeinsame leitende Rückplatte 25 über einem isolierenden Substrat 26 in diesem Beispiel einer Reihen-Gegentakt-Vorrichtung. Wenn eine Spannungsdifferenz zwischen den zwei Wellenleiterelektroden 14A, 14B angelegt wird, fließt der Strom 24 von dem hoch p-dotierten Kontaktmaterial 22A, 22B unter der Wellenleiterelektrode 14A, 14B durch einen p-i-n-Übergang und die gemeinsame leitende n-Rückplatte 25 und nach oben durch den gegenüberliegenden p-i-n-Übergang und Signalleiter. Ein vereinfachter Schaltplan davon ist in 3 gezeigt. Die p-i-n-Halbleiterschichten verhalten sich wie Kondensatoren 32, die durch die gemeinsame leitende n-Rückplatte 25 in Reihe geschaltet sind. Diese Reihenschaltung halbiert die erforderliche Ladekapazität auf der Hauptübertragungsleitung verglichen mit Ausgestaltungen mit elektrisch unabhängigen Mach-Zehnder-Armen, was zu deutlichen Leistungsvorteilen in Bezug auf die Bandbreite führt.
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Wie in 1 gezeigt, umfasst ein optischer Mach-Zehnder-Modulator mit Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektrode typischerweise Folgendes: (1) einen optischen Eingangswellenleiter 11 zum Empfangen eines optischen Eingangssignals; (2) ein Lichtstrahlenteilungsmittel 12 zum Teilen des optischen Signals in einen ersten optischen Zweig und einen zweiten optischen Zweig; (3) erste und zweite optische Wellenleiter 15A, 15B, die das Licht von den jeweils zwei Zweigen des optischen Signals übermitteln, (4) zwei oder mehr Übertragungsleitungen 13A, 13B zum Empfangen und Übermitteln eines elektrischen Eingangssignals; (5) eine Mehrzahl an Paaren von Wellenleiterelektroden 14A, 14B, die neben dem ersten beziehungsweise zweiten optischen Wellenleiter 15A und 15B angeordnet sind, und elektrisch mit den jeweiligen Übertragungsleitungen 13A, 13B verbunden sind, sodass die Wellenleiterelektroden 14A, 14B die Phase des optischen Signals in Reaktion auf das elektrische Eingangssignal ändern; und (6) ein Kombinationsmittel 16, das die Lichtstrahlen am Ausgang des optischen Modulators wieder zusammenführt. Es sollte angemerkt werden, dass sich die optischen und elektrischen Signale in die im Wesentlichen gleiche Richtung entlang des optischen Modulators ausbreiten.
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Einige Ausführungsformen von Wanderwellenmodulatoren des Stands der Technik, die in 1 dargestellt sind, verwenden zwei Übertragungsleitungen 13A und 13B, von denen eine das elektrische Eingangssignal (S) trägt und die andere an ein Bezugs- oder Masse(G)-Potential angeschlossen ist. Dies wird manchmal als SG-Konfiguration bezeichnet. Ein herkömmlicher Ansatz zum Ansteuern dieser Ausgestaltung, bekannt als Single-Ended-Ansteuerung, ist in 4 dargestellt. Ein Ausgang eines RF-Treibers 41, der eine Ausgangsimpedanz 42 aufweist, ist an die S-Übertragungsleitung des optischen Modulators beispielsweise über den Mittelleiter 44 eines Koaxialkabels 43 angeschlossen. Der andere Ausgang des RF-Treibers 41 ist geerdet und an die G-Übertragungsleitung des optischen Modulators beispielsweise über den Außenleiter eines Koaxialkabels 43 angeschlossen. Eine Nennendlast 45 (z. B. 50 Ohm) verbindet die distalen Enden der Wanderwellenelektrode. Es sollte angemerkt werden, dass die Modulationsspannung über die S- und G-Leiter der Wanderwellenelektrode die Differenz zwischen der Signalspannung und der Masse ist. Diese Ausgestaltung weist den Nachteil auf, dass ein großer Teil der elektrischen Energie verloren geht, der von dem RF-Treiber 41 geliefert wird. Ein weiterer Nachteil der Ausgestaltung von Klein wird offensichtlich, wenn mehrere Modulatoren monolithisch in nächster Nähe zueinander auf einem einzigen Chip integriert werden. Wechselspannungen und -ströme herrschen in beiden Übertragungsleitungen vor. Diese Spannungen und Ströme koppeln sich stark an die Übertragungsleitungen der benachbarten Modulatoren in einem nachteiligen Phänomen, das als "Übersprechen" bekannt ist.
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Im Gegensatz zu Klein verwenden andere Wanderwellen-Mach-Zehnder-Modulatoren eine Ausgestaltung, die in
5 dargestellt und auch als GSGSG bekannt ist, wobei diese fünf Übertragungsleitungen einsetzt. Dieser optische Modulatortyp wird beispielsweise von
Tsuzuki et al., "40 Gbit n-i-n InP Mach-Zehnder Modulator with a π Voltage of 2.2 V", Electronics Letters, Bd. 39, Nr. 20, 2. Okt. 2003 beschrieben. Der optische Modulator besteht aus zwei unabhängigen Signalübertragungsleitungen (S+ und S–), jede mit einer benachbarten Masseübertragungsleitung (G1 beziehungsweise G3) und mit einer Masseübertragungsleitung G2, die zwischen diese angeordnet ist. Wegen des dazwischen angeordneten Masseleiters G2 sind S+ und S– elektrisch unabhängig und die jeweilige Stromrückführung erfolgt über G1/G2 bzw. G2/G3. Nennlasten (z. B. zwei parallel geschaltete 100 Ohm-Widerstände) verbinden die distalen Enden von S+ mit G1 und G2 und S– mit G2 und G3.
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Ein herkömmlicher Ansatz zum Ansteuern dieser Konfiguration, bekannt als differenzielle Ansteuerung, ist in 6 dargestellt. Beide Ausgänge (S+ und S–) des RF-Treibers 61 sind durch zwei Wellenleiter (z. B. Koaxialkabel 63) an die Wanderwellenelektroden angeschlossen und die Außenleiter beider Koaxialkabel 63 sind geerdet. Beide Ausgänge des RF-Treibers 61 weisen eine charakteristische Ausgangsimpedanz 62 auf. Im Falle der Modulation durch differenzielle Ansteuerung sind die Masseleiter der zwei Koaxialkabel 63 an die Masseübertragungsleitungen G1, G2 und G3 des optischen Modulators 10 angeschlossen. Nennendlasten 65 (z. B. 50 Ohm jeweils für S+ und S–) sind über die distalen Enden der Wanderwellenelektroden angeschlossen. Die Ausgänge von dem RF-Treiber 61 sind gegenphasig (d. h. S+ und S– sind um 180 Grad phasenverschoben) und die Modulationsspannung über die Wanderwellenelektrode ist S+ minus S–. In dieser Konfiguration werden beide RF-Treiberausgänge genutzt, was die Energieeffizienz verglichen mit dem Zustand der Single-Ended-Ansteuerung deutlich verbessert.
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Ein wichtiger Unterschied zwischen dem optischen Modulator von Tsuzuki und dem Modulator von Klein ist, dass Tsuzuki eine unabhängige Wanderwellenelektrode für jeden der ersten und zweiten optischen Zweige des Modulators verwendet. Die Signalleitungen der Vorrichtung (S+ und S–) sind elektrisch unabhängig und weisen eine Masserückleitung auf, die zwischen diesen angeordnet ist. Im Falle eines optischen Reihen-Gegentakt-Mach-Zehnder-Modulators wie in 1 und 2, sind die zwei Übertragungsleitungen gekoppelt und dienen einander als Rückführleitung. Tsuzuki offenbart nicht, wie eine differenzielle elektrische Ansteuerung in einem optischen Reihen-Gegentakt-Mach-Zehnder-Modulator implementiert werden kann. Obwohl die differenzielle Ansteuerung eine bessere Energieeffizienz als die Single-Ended-Ansteuerung aufweist und die GSGSG-Architektur für das Übersprechen weniger anfällig ist als SG, führt die Ausgestaltung von Tsuzuki nachteiligerweise nicht zu einer Halbierung der Ladekapazität wie bei der Single-Ended-Ausgestaltung von Klein. Die Einführung einer Zwischen-Masseebene zwischen den zwei Armen eines optischen Mach-Zehnder-Modulators vergrößert außerdem die Anschlussfläche, verglichen mit dem Klein-Modulator aus 1.
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Der Stand der Technik in diesem Gebiet umfasst auch das Folgende.
J. S. McLean et al., "Analysis Of A New Configuration Of Coplanar Stripline", IEEE Transactions On Microwave Theory And Techniques, Bd. 40, Nr. 4, April 1992, bietet eine frühe Diskussion seitlicher Masseebenen für eine koplanare Streifenleitung. Jedoch wird dies nicht im Zusammenhang mit optischen Mach-Zehnder-Modulatoren beschrieben.
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Ein Beispiel eines GaAs/AlGaAs-Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektroden-Mach-Zehnder-Modulators wurde von
R. G. Walker, "High-Speed III–V Semiconductor Intensity Modulators", IEEE J. Quant. Elect., Bd. 27 (3), S. 654–667, 1991, gegeben. In seiner
13 zeigt Walker einen elektrischen Eingangswellenleiter, der aus einem einzigen (nicht differenziellen) Signalleiter mit zwei Masseleitern besteht. Einer dieser Masseleiter ist offen terminiert ohne Kontakt mit dem Mach-Zehnder-Modulator. Es sollte angemerkt werden, dass die Walker-Lösung nicht beide S+ und S– Signale von einer differenziellen Ansteuerung verwenden kann, wodurch sie einen großen Teil der elektrischen Energie verliert, und unter schlechter Modulationsleistung auf Grund des offen terminierten Masseleiters leidet.
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J. Ransijn et al.,
U.S.-Patentschrift Nr. 6,552,838 , “LiNbO
3 Mach-Zehnder Modulator with Low Drive Voltage Requirement and Adjustable Chirp,” offenbart einen LiNbO
3-Modulator mit differenzieller Ansteuerung. Wie bei dem von Tsuzuki dargestellten Modulator sind die zwei Arme dieses Mach-Zehnder-Modulators elektrisch unabhängig. Es gibt keine gemeinsame leitende Rückplatte unter den optischen Wellenleitern, um die Elektrodenkapazität in Reihe anzuordnen, sodass er nicht von der Halbierung der Kapazität profitiert, die von der Reihen-Gegentakt-Konfiguration abgeleitet wird. Die zwei Arme des Mach-Zehnder-Modulators werden unabhängig angesteuert, wozu zwei elektrische RF-Ansteuerungsspannungen erforderlich sind.
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Zusammenfassend haben die Mach-Zehnder-Modulatoren des aktuellen Stands der Technik jeweils für sich den Vorteil einer niedrigeren Wellenleiterelektrodenkapazität durch Verwendung einer Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektroden-SG-Konfiguration und die Vorteile verringerten Energieverbrauchs und niedrigeren Übersprechens bei Verwendung einer GSGSG-Ausgestaltung mit differenzieller Ansteuerung gezeigt. Bisher hat der Stand der Technik keinen Mach-Zehnder-Modulator offenbart, der fähig ist, diese Vorteile zu vereinen. Dementsprechend besteht der starke Wunsch, die Vorteile der niedrigeren Kapazität, des verringerten Übersprechens und der Kompatibilität mit differenzieller Ansteuerung in einer einzigen Mach-Zehnder-Modulator-Ausgestaltung zu vereinen.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Diese Erfindung stellt einen optischen Mach-Zehnder-Modulator mit einer Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektrode unter Verwendung einer symmetrischen koplanaren Streifenleitung mit seitlichen Masseebenen bereit. Zwei Signalelektroden erstrecken sich entlang der Mitte des optischen Modulators neben den optischen Wellenleitern in einer Reihen-Gegentakt-Konfiguration. Die Masseebenen verlaufen parallel zu den Signalelektroden, sind jedoch seitlich nach außen von den Signalelektroden beabstandet.
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Diese und andere Vorteile, Merkmale und Ziele der vorliegenden Erfindung werden in Zusammenhang mit der folgenden ausführlichen Beschreibung und den Zeichnungen besser verstanden.
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KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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Die vorliegende Erfindung kann in Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen besser verstanden werden; es zeigen:
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1 eine schematische Darstellung eines optischen Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektroden-Mach-Zehnder-Modulators 10 des Stands der Technik.
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2 eine Querschnittsansicht eines Überbrückungsleiterabschnitts aus 1.
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3 einen vereinfachten Schaltplan der Querschnittsansicht aus 2.
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4 einen schematischen Darstellung, die zeigt, wie der optische Mach-Zehnder-Modulator 10 in 1 mit einem Single-Ended-Treiber durch ein einziges Koaxialkabel 43 angesteuert werden kann.
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5 einen schematischen Schaltplan eines optischen Wanderwellenelektroden-GSGSG-Modulators mit unabhängiger Ansteuerung (d. h. nicht Reihe-Gegentakt) des Stands der Technik gemäß Tsuzuki.
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6 eine schematische Darstellung, die zeigt, wie der optische Modulator von 5 mit einem differenziellen Treiber durch ein Paar Koaxialkabel 63 angesteuert werden kann.
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7 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, umfassend eine differenzielle Treiberschaltung.
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8 einen schematische Darstellung einer alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei der die Signalelektroden (S) in direktem Kontakt mit den optischen Wellenleitern des optischen Mach-Zehnder-Modulators 10 sowie der differenziellen Treiberschaltung sind.
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9 einen Graph, der eine Messung der Bandbreite und |Sdd11| für ein Paar Mach-Zehnder-Vorrichtungen (MZA und MZB) der bevorzugten Ausführungsform zeigt, die seitlich benachbart zueinander angeordnet sind.
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10 einen Graph, der eine Übersprechungs-Messung zwischen zwei Mach-Zehnder-Vorrichtungen (MZA und MZB) der bevorzugten Ausführungsform zeigt, die seitlich benachbart zueinander angeordnet sind.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
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7 ist eine schematische Darstellung eines optischen Mach-Zehnder-Modulators, der die vorliegende Erfindung verkörpert. 7 umfasst auch die differenzielle Treiberschaltung 61 und einen Übertragungsleitungswandlerabschnitt 76, der Gegenstand der U.S.-Patentanmeldung 13/722,400 mit dem Titel "Electronic Waveguide Transmission Device For Use With A Mach-Zehnder Optical Modulator" der Anmelderin ist und am 20. Dezember 2012 eingereicht wurde. Auf diese Patentanmeldung wird hiermit in diesem Dokument verwiesen. Die optische Konfiguration der Vorrichtung folgt im Allgemeinen der eines herkömmlichen optischen Mach-Zehnder-Modulators. Ein Strahlenteiler 12 teilt das optische Eingangssignal in zwei optische Wege, die sich parallel entlang zwei optischen Wellenleitern 15A, 15B erstrecken. Eine Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektrode wird verwendet, um die relative Phase von optischen Signalen entlang dieser optischen Wellenleiter zu modulieren. Die Strahlen werden dann von einem optischen Rekombinationselement 16 am Ausgang wieder zusammengeführt. Eine Veränderung des elektrischen Feldes auf den Phasenmodulationswegen mittels der Wanderwellenelektrode bestimmt, ob sich die zwei Lichtstrahlen konstruktiv oder destruktiv am Ausgang interferieren, und steuert dadurch die Amplitude des austretenden Lichts.
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Die Struktur der GSSG-Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektrode in der vorliegenden Erfindung ist ebenfalls in 7 gezeigt. 2 ist eine Querschnittsansicht durch die Ausführungsform, die in 7 dargestellt ist. Zwei Signalelektroden 13A und 13B erstrecken sich parallel und benachbart zu den optischen Wellenleitern 15A und 15B. Zwei Masseebenen G1 und G2 verlaufen parallel zu den Signalelektroden 13A, 13B, sind jedoch seitlich nach außen von den Signalelektroden 13A, 13B beabstandet, wie in 7 gezeigt.
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In der Ausführungsform, die in den 7 und 2 gezeigt ist, erstreckt sich eine Mehrzahl an Paaren von Wellenleiterelektroden 14A, 14B von den Signalelektroden 13A, 13B und sind an die optischen Wellenleiter 15A, 15B in beabstandeten Intervallen entlang der Wanderwellenelektrode gekoppelt. Diese Ladekapazitätsschichten sind mit den Signalelektroden 13A und 13B verbunden, erstrecken sich aber von diesen nach innen. Die Masseebenen G1, G2 und Signalleiter 13A, 13B sind nicht in physischem Kontakt mit den optischen Wellenleitern 15A, 15B, die Wellenleiterelektroden 14A, 14B jedoch sind es. Insbesondere sind die inneren Wellenleiterelektroden 14A, 14B elektrisch durch die p-i-n-Übergänge und über eine untere gemeinsame leitende Ebene 25 verbunden, um eine Reihen-Gegentakt-Wanderwellenelektrode von dem optischen Mach-Zehnder-Modulator zu bilden, wie in den 2 und 3 gezeigt und zuvor beschrieben. Anders gesagt stellt die gemeinsame leitende Ebene 25 einen Signalweg für das differenzielle elektrische Modulationssignal zwischen den Signalelektroden 13A, 13B durch die Wellenleiterelektroden 14A, 14B und optischen Wellenleiter 15A, 15B bereit. Beispielsweise kann jeder optische Wellenleiter 15A, 15B mit einer ersten, unteren Fläche, die benachbart zu der gemeinsamen leitenden Ebene 25 ist, und einer zweiten, oberen Fläche, die benachbart zu einem Satz Wellenleiterelektroden 14A oder 14B ist, versehen sein, die an eine der Signalelektroden 13A oder 13B angeschlossen sind.
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Die vorliegende Erfindung verfügt über eine Anzahl von Verbesserungen gegenüber dem Stand der Technik. Das Vorhandensein von zwei Signalelektroden 13A, 13B in der Mitte, die elektrisch durch eine erdfreie untere leitende Ebene 25 verbunden sind, ohne zwischen den beiden angeordnete Masse, ermöglicht bei einer Reihen-Gegentakt-Konfiguration eine Halbierung der erforderlichen Ladekapazität. Dies führt zu einer verbesserten Abstimmung zwischen Bandbreite und Ansteuerungsspannung, und ermöglicht außerdem, dass die Mach-Zehnder-Modulatorarme dicht nebeneinander angeordnet werden können, weil kein intervenierendes Massemetall erforderlich ist. Die unmittelbare Nähe der Mach-Zehnder-Modulatorarme minimiert optische Dämpfungen auf Grund der Ausfächerung der Wellenleiter von den Kopplern und minimiert die Größe des Chips. Darüber hinaus verringern die seitlichen Masseebenen die RF-Dispersion und schirmen außerdem die Innensignalleiter 13A, 13B vor parasitärer Wechselwirkung mit der Umgebung ab.
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8 ist eine schematische Darstellung einer alternativen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8 umfasst auch die differenzielle Treiberschaltung 61 und einen Übertragungsleitungswandlerabschnitt 76. Die Signalelektroden 83A und 83B sind nun in direktem Kontakt mit den optischen Mach-Zehnder-Wellenleitern 15A und 15B. Dies weist den Vorteil weniger Leiter auf, jedoch den Nachteil, dass die Ladekapazität pro Längeneinheit nicht länger unabhängig durch Ändern des Füllfaktors angepasst werden kann. Es sollte angemerkt werden, dass diese Ausführungsform weiterhin eine Reihen-Gegentakt-Konfiguration ist, jedoch die Signal- und Wellenleiterelektroden nun verschwimmen.
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9 ist eine Messung von |Sdd11| und der elektrooptischen Reaktion zweier integrierter optischer Mach-Zehnder-Modulatoren, die die vorliegende Erfindung verkörpern, MZA und MZB, die seitlich benachbart zueinander angeordnet sind. Die zwei Vorrichtungen weisen eine Bandbreite größer als 25 GHz auf, die gut für die 100 Ω-Last geeignet ist, sodass |Sdd11| bis 40 GHz kleiner als –14 dB ist, für beide optischen Mach-Zehnder-Modulatoren.
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10 ist eine Messung des Übersprechens zwischen zwei integrierten optischen Mach-Zehnder-Modulatoren, die die vorliegende Erfindung verkörpern, MZA und MZB, die seitlich benachbart zueinander angeordnet sind. Die elektrooptische Antwort, die an MZB gemessen wird, wenn eine Anregung für MZA bereitgestellt wird, wird um mehr als 37 dB gedämpft, verglichen mit der elektrooptischen Antwort, die an MZB gemessen wird, wenn die Anregung für den MZB bereitgestellt wird. Das zeigt die Effektivität der seitlichen Masseebenen bei der Isolierung der Signalleitungen gegen parasitäre Signale.
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Die oben stehende Offenbarung legt eine Anzahl Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung dar, die ausführlich mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben sind. Der Fachmann wird anerkennen, dass verschiedene Änderungen, Modifikationen, andere strukturelle Anordnungen und andere Ausführungsformen gemäß der Lehre der vorliegenden Erfindung ausgeführt werden können, ohne vom Schutzumfang der Erfindung, der in den folgenden Ansprüchen festgelegt ist, abzuweichen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
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Zitierte Patentliteratur
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Zitierte Nicht-Patentliteratur
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- Klein et al., “1.55μm Mach-Zehnder Modulators on InP for optical 40/80 Gbit/s transmission networks”, OFC/NFOEC 2006 [0004]
- R. G. Walker, "High-Speed III–V Semiconductor lntensity Modulators", IEEE J. Quant. Elect., Bd. 27 (3), S. 654–667, 1991 [0004]
- Tsuzuki et al., "40 Gbit n-i-n InP Mach-Zehnder Modulator with a π Voltage of 2.2 V", Electronics Letters, Bd. 39, Nr. 20, 2. Okt. 2003 [0008]
- J. S. McLean et al., “Analysis Of A New Configuration Of Coplanar Stripline”, IEEE Transactions On Microwave Theory And Techniques, Bd. 40, Nr. 4, April 1992 [0011]
- R. G. Walker, "High-Speed III–V Semiconductor Intensity Modulators", IEEE J. Quant. Elect., Bd. 27 (3), S. 654–667, 1991 [0012]