DE202012004532U1 - Halbleiterschaltung mit elektrischen Anschlüssen mit mehrfacher Signal- oder Potentialbelegung - Google Patents

Halbleiterschaltung mit elektrischen Anschlüssen mit mehrfacher Signal- oder Potentialbelegung Download PDF

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Abstract

Halbleiterschaltung mit mindestens einem ersten elektrischen Anschluss (1) mit mehrfacher Signal- oder Potentialbelegung zur Integration von mehreren Schaltungsvarianten in der Halbleiterschaltung mit mindestens einem Schaltelement (5, 6, 8, 20) zum Trennen oder zum Verbinden von mindestens einem ersten elektrischen Anschluss (1) von bzw. mit einem Eingang oder Ausgang von mindestens einer in der Halbleiterschaltung integrierten Funktionseinheit (2, 3).

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Halbleiterschaltung mit elektrischen Anschlüssen mit mehrfacher Signal- oder Potentialbelegung.
  • In der Hardwareentwicklung ist es üblich, auf der Basis einer in einem ersten Entwicklungsprozess entwickelten integrierten Halbleiterschaltung in nachfolgenden Entwicklungsprozessen jeweils Nachfolge-Schaltungsvarianten (Schaltungsgenerationen, Versionen) von integrierten Halbleiterschaltungen zu generieren. Diese Nachfolge-Schaltungsvarianten von integrierten Halbleiterschaltungen weisen üblicherweise einen erweiterten Funktionsumfang und bessere Leistungseigenschaften auf. Insbesondere der erweiterte Funktionsumfang erfordert eine größere Anzahl von elektrischen Anschlüsse (Pins).
  • Um die Stückkosten der integrierten Halbleiterschaltungen weitestmöglich zu minimieren, enthält eine Nachfolge-Schaltungsvariante einer integrierten Halbleiterschaltung die Funktionsumfänge und Leistungseigenschaften aller Vorgänger-Schaltungsvarianten und ist in einem identischen Gehäuse mit einer identischen Anzahl und einer identischen Anordnung von elektrischen Anschlüssen eingebaut. Auf diese Weise ist jede Nachfolge-Schaltungsvariante einer integrierten Halbleiterschaltung kompatibel zu jeder ihrer Vorgänger-Schaltungsvarianten aufgebaut und kann diese in einem Nachrüstvorgang ohne Änderung der externen Beschaltung und ohne Verwendung einer zusätzlichen Verdrahtung ersetzen.
  • Die Erweiterung des Funktionsumfangs von Nachfolge-Schaltungsvarianten bedingt typischerweise ein funktional modifiziertes Pinout bzw. eine höhere Anzahl von elektrischen Anschlüssen gegenüber den jeweiligen Vorgänger-Ausführungen.
  • Aus der US 2003/0141578 A1 ist es bekannt, in diesem Fall auf der Chip-Fläche der Halbleiterschaltung für jede Schaltungsvariante jeweils einen Satz von internen elektrischen Anschlüssen vorzusehen. Im Endmontageprozess der Halbleiterschaltung werden die elektrischen Anschlüsse der beim Anwender jeweils verwendeten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung über jeweils einen Bonddraht mit den elektrischen Anschlüssen des Gehäuses der Halbleiterschaltung verbunden. Eine derartige technische Realisierung mit mehreren schaltungs- und funktionsabhängigen Bond-Varianten führt zu einer Erhöhung der Chipfläche. Die unterschiedliche Verdrahtung der einzelnen Schaltungsvarianten der Halbleiterschaltung erfordert eine von der gewählten Schaltungsvariante abhängige Markierung, die die Fertigungskosten erhöht. Die Implementierung von mehrfachen Sätzen von internen elektrischen Anschlüssen auf der Chipfläche der Halbleiterschaltung erfordert unter Umständen unterschiedliche Testaufbauten, die die Testkosten zusätzlich erhöhen. Schließlich ist auch mit einer Erhöhung der Logistikkosten zu rechnen, da für jede Halbleiterschaltung jeweils eine der Anzahl von Schaltungsvarianten entsprechende Anzahl von Sachnummern notwendig wird.
  • Aufgabe der Erfindung ist es deshalb, eine Halbleiterschaltung zu entwickeln, in der jeweils der Funktionsumfang der jeweiligen Vorgänger-Schaltungsvarianten mit implementiert ist und der Aufwand für die Verbindung zwischen den elektrischen Anschlüssen der zu den einzelnen Schaltungsvarianten jeweils gehörigen Funktionseinheiten und den elektrischen Anschlüssen des Gehäuses minimiert ist.
  • Die Erfindung wird durch eine Halbleiterschaltung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte technische Erweiterungen sind in den jeweils abhängigen Ansprüchen aufgeführt.
  • Erfindungsgemäß sind mehrere elektrische Anschlüsse der Halbleiterschaltung – im Folgenden erste elektrische Anschlüsse der Halbleiterschaltung genannt – mehrfach mit einem Signal und/oder einem Potential für jeweils eine der Schaltungsvarianten der Halbleiterschaltung belegt. Auf diese Weise sind mehrere Bond-Varianten nicht mehr erforderlich.
  • Um die Signal- oder Potentialbelegung der einzelnen ersten elektrischen Anschlüsse der Halbleiterschaltung mit den zugehörigen Eingängen oder Ausgängen der Funktionseinheiten der beim Anwender verwendeten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung korrekt zu verbinden, sind in der Halbleiterschaltung Schaltelemente vorgesehen, die die ersten elektrischen Anschlüsse mit den Eingängen oder Ausgängen der zur verwendeten Schaltungsvariante jeweils gehörigen Funktionseinheiten verbindet bzw. von den Eingängen oder Ausgängen der zu den nicht verwendeten Schaltungsvarianten jeweils gehörigen Funktionseinheiten trennt.
  • Zusätzlich weist eine derartige erfindungsgemäße Vorrichtung bevorzugt eine Selektionseinheit auf, die die einzelnen Schaltelemente in Abhängigkeit der verwendeten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung ansteuert. Hierzu werden von der Selektionseinheit die Potentialpegel von mindestens einem elektrischen Anschluss der Halbleiterschaltung – im Folgenden zweite elektrische Anschlüsse der Halbleiterschaltung genannt – ausgewertet.
  • Aufgrund der Mehrfachbelegung der ersten elektrischen Anschlüsse der Halbleiterschaltung ist jeder erste elektrische Anschluss mit einer der Anzahl von Signal- oder Potentialbelegungen des jeweiligen ersten elektrischen Anschlusses entsprechenden Anzahl von Schaltelementen mit den dem jeweiligen ersten elektrischen Anschluss zugeordneten Eingang oder Ausgang von zu den einzelnen Schaltungsvarianten jeweils gehörigen Funktionseinheiten verbunden.
  • Andererseits bedingt die Mehrfachbelegung von ersten elektrischen Anschlüssen der Halbleiterschaltung unter Umständen, dass ein Eingang oder ein Ausgang einer Funktionseinheit oder mehrerer Funktionseinheiten, der in einer Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung wegen eines gesperrten Schaltelements von einem ersten elektrischen Anschluss getrennt ist, über ein anderes leitendes Schaltelement mit einem anderen ersten elektrischen Anschluss der Halbleiterschaltung verbunden wird.
  • Die Ansteuerung der einzelnen Schaltelemente über die Selektionseinheit erfolgt in einer bevorzugten ersten Variante der Erfindung anhand des an einem einzigen zweiten elektrischen Anschluss der Halbleiterschaltung anliegenden Potentialpegels. Die Anzahl der dabei durch die Selektionseinheit zu unterscheidenden Potentialpegel entspricht der Anzahl der in der Halbleiterschaltung realisierten Schaltungsvarianten.
  • In einer bevorzugten zweiten Variante der Erfindung erfolgt die Ansteuerung der einzelnen Schaltelemente durch Auswertung der beiden Potentialpegel von mehreren zweiten elektrischen Anschlüssen durch die Selektionseinheit.
  • Um die Anzahl von zweiten elektrischen Anschlüssen der Halbleiterschaltung, die als elektrische Anschlüsse für die eigentliche technische Funktion der in der Halbleiterschaltung ausgewählten Schaltungsvariante nicht zur Verfügung steht, zu minimieren bzw. vollständig einzusparen, werden als zweite elektrische Anschlüsse bevorzugt die elektrischen Anschlüsse der Halbleiterschaltung verwendet, über die die Versorgungsspannung oder das Freigabesignal einer Funktionseinheit geführt wird.
  • Als Schaltelemente werden bevorzugt Feldeffekt-Transistoren verwendet, die im gesperrten Zustand einen vergleichsweise hohen Durchgangswiderstand aufweisen und somit eine optimale und nahezu galvanische Trennung zwischen dem jeweiligen ersten elektrischen Anschluss und den zugehörigen Eingängen oder Ausgängen der mit dem jeweiligen ersten elektrischen Anschluss verbundenen Funktionseinheiten bewirken.
  • Während in einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung die ersten elektrischen Anschlüsse der Halbleiterschaltung den am Gehäuse der Halbleiterschaltung angeordneten elektrischen Anschlüssen entsprechen, ist in der zweiten bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ein erster elektrischer Anschluss der Halbleiterschaltung auch als Drahtbrücke zu einer elektrisch leitenden Platte realisiert, die mit der Halbleiterschaltung in einer direkten Verbindung steht und ein definiertes elektrisches Potential aufweist. Bei der elektrisch leitenden Platte mit definierten elektrischem Potential handelt es sich vorzugsweise um eine oberhalb oder unterhalb des Gehäuses der Halbleiterschaltung befindliche, elektrisch leitende Platte mit einem zu einem Bezugspotential der Halbleiterschaltung identischen Potential.
  • Dies kann eine über das Gehäuse der Halbleiterschaltung hinausragende, freiliegende und auf dem Massepotential der Halbleiterschaltung befindliche Platte (sogenanntes exposed Pad (ePad)) sein. Alternativ ist aber auch eine über das Gehäuse der Halbleiterschaltung hinausragende und auf einem positiven oder negativen Bezugspotential der Halbleiterschaltung befindliche Platte möglich.
  • Ausführungsbeispiele erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung werden im Folgenden anhand der Zeichnung beispielhaft im Detail erläutert. Die Figuren der Zeichnung zeigen:
  • 1 eine beispielhafte Darstellung der Signal- oder Potentialbelegung der einzelnen elektrischen Anschlüsse für zwei Schaltungsvarianten der Halbleiterschaltung,
  • 2 ein Blockdiagramm einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung,
  • 3A ein Blockdiagramm einer zweiten Ausführungsform mit einer ersten Schaltungsvariante einer erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung,
  • 3B ein Blockdiagramm einer zweiten Ausführungsform mit einer zweiten Schaltungsvariante einer erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung,
  • 4 eine dreidimensionale beispielhafte Darstellung eines über Drahtbrücken mit einem Halbleiterchip verbundenen ePads und
  • 5 ein Blockdiagramm einer dritten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung.
  • In 1 ist das Gehäuse einer Halbleiterschaltung, z. B. eines ASIC, mit insgesamt 48 elektrischen Anschlüssen dargestellt. Während außenseitig die Belegung (Belegung_A) der 48 elektrischen Anschlüsse mit Signalen bzw. Potentialen für eine erste Schaltungsvariante (ASIC-A) zu erkennen ist, ist innenseitig die Belegung (Belegung_B) der 48 elektrischen Anschlüsse mit Signalen bzw. Potentialen für eine zweite Schaltungsvariante (ASIC-B) dargestellt. Es werden gängige Abkürzungen für die Belegungen der einzelnen elektrischen Anschlüsse verwendet (I/O: binäres Eingangs-/Ausgangssignal; RF: hochfrequentes Eingangs-/Ausgangssignal; ANALOG: analoges Eingangs-/Ausgangssignal; VCC: positives Bezugspotential; VEE: Massepotential).
  • Bei einer erfindungsgemäßen Belegung (Belegung_C) der 48 elektrischen Anschlüsse, die die Belegung (Belegung_A) der ersten Schaltungsvariante (ASIC-A) und die Belegung (Belegung_B) der zweiten Schaltungsvariante (ASIC-B) kombiniert, sind in 1 bestimmte elektrische Anschlüsse (mit dem umrandet hinterlegten Belegungsbezeichnungen) doppelt belegt. Von der Erfindung sind natürlich auch Halbleiterschaltungen mit jeder anderen Anzahl von elektrischen Anschlüssen und mit jeder anderen Anzahl von Vielfachbelegung eines elektrischen Anschlusses oder mehrere elektrischer Anschlüsse mit abgedeckt.
  • Um zwei Schaltungsvarianten in einer einzigen Halbleiterschaltung bei einer erfindungsgemäßen Mehrfachbelegung von einem oder mehreren elektrischen Anschlüssen zu integrieren und damit mehrere Bond-Varianten zu vermeiden, sind in einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung gemäß 2 die folgenden technische Vorkehrungen zu treffen.
  • Der Einfachheit halber wird in der in 2 dargestellten ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Halbleiterschaltung schematisch der Fall einer Doppelbelegung des ersten elektrischen Anschlusses 1 mit dem Massepotential VEE und dem binären Ein-/Ausgangsignal VS2 behandelt. Natürlich ist ein erster elektrischer Anschluss 1 auch mit anderen Typen von Signalen und Potentialen parallel belegbar und ist von der Erfindung mit abgedeckt.
  • Während in einer ersten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung das Massepotenzial VEE der Versorgung der ersten Funktionseinheit 2 und gleichzeitig der zweiten Funktionseinheit 3 mit dem Masse-Bezugspotential dient, wird in einer zweiten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung das binäre Ein-/Ausgangssignal VS2 einzig zwischen der Eingangs-/Ausgangs-Stufe einzig der zweiten Funktionseinheit 3 und dem ersten elektrischen Anschluss 1 transferiert.
  • Wird in einer ersten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung zur Verbindung des ersten elektrischen Anschlusses 1 mit dem Masse-Anschluss einer ersten Funktionseinheit 2 und einer zweiten Funktionseinheit 3 das am ersten elektrischen Anschluss 1 anliegende Massepotential VEE an den entsprechenden Masse-Anschluss der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 geführt, so wird über ein von einer Selektionseinheit 4 erzeugtes Ansteuersignal ein im Signalpfad zwischen dem ersten elektrischen Anschluss 1 und den beiden Masse-Anschlüssen der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 befindliches Schaltelement 5, das im Ausführungsbeispiel als Feldeffekt-Transistor realisiert ist, in den leitenden Zustand übergeführt.
  • Gleichzeitig wird in der ersten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung zur Trennung des ersten elektrischen Anschlusses 1 mit dem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der zweiten Funktionseinheit 3 ein im Signalpfad zwischen dem ersten elektrischen Anschluss 1 und dem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der zweiten Funktionseinheit 3 befindliches Schaltelement 6, das ebenfalls vorzugsweise als Feldeffekt-Transistor realisiert ist und eine zum Schaltelement 5 inverse Ansteuerlogik aufweist, durch dasselbe von der Selektionseinheit 4 erzeugte Ansteuersignal in den gesperrten Zustand übergeführt. Auf diese Weise wird unterbunden, dass das am ersten elektrischen Anschluss 1 anliegende Massepotential an den Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der zweiten Funktionseinheit 3 geführt wird und u. U. zu einer Fehlfunktion der zweiten Funktionseinheit 3 führt.
  • Die Zwischenschaltung des Schaltelements 6 im Signalpfad zwischen dem ersten elektrischen Anschluss 1 und dem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der zweiten Funktionseinheit 3 ist, wie in den 3A und 3B dargestellt ist, nicht zwingend erforderlich, da Eingangs-/Ausgangs-Anschlüsse von Funktionseinheiten typischerweise eine Entkopplungsstufe zur Trennung aufweisen. Wäre der erste elektrische Anschluss über das Schaltelemente 6 dagegen mit einem vom Masse-Potential unterschiedlichen Potentialanschluss der zweiten Funktionseinheit 3 verbunden, so müsste dieser Potentialanschluss während der gesamten Betriebszeit der Halbleiterschaltung auf dem erforderlichen Potentialpegel gehalten werden und würde somit die Zwischenschaltung eines gesperrten Schaltelements 6 zur Vermeidung einer Verbindung des auf Massepotential liegenden ersten elektrischen Anschlusses 1 mit dem Potentialanschluss der zweiten Funktionseinheit 3 erfordern.
  • In der zweiten Schaltungsvariante der Halbleiterschaltung wird zur Trennung des ersten elektrischen Anschlusses 1 von den Masseanschlüssen der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 das Schaltelement 5 im Signalpfad zwischen dem ersten elektrischen Anschluss 1 und dem Masse-Anschluss der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 über das von der Selektionseinheit 4 erzeugte invertierte Ansteuersignal gesperrt, während gleichzeitig zur Verbindung des ersten elektrischen Anschlusses mit dem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der zweiten Funktionseinheit 3 das Schaltelement 6 im Signalpfad zwischen dem ersten elektrischen Anschluss 1 und dem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der zweiten Funktionseinheit 3 in den leitenden Zustand überführt wird.
  • Gleichzeitig wird zur Versorgung der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 mit einem Masse-Potential ein in einem Signalpfad zwischen einem weiteren ersten elektrischen Anschluss 7 mit Masse-Potential und den Masse-Anschlüssen der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 befindliches Schaltelement 8, das ebenfalls vorzugsweise als Feldeffekt-Transistor realisiert ist und eine zur Ansteuerlogik des Schaltelements 5 inverse Ansteuerlogik aufweist, über dasselbe der Selektionseinheit der 4 erzeugte Steuersignal in den leitenden Zustand übergeführt.
  • Die Erzeugung des Ansteuersignals in der Selektionseinheit 4 zur Ansteuerung der Schaltelemente 5, 6 und 8 erfolgt in einer ersten Variante der Erfindung, die ebenfalls in 2 dargestellt ist, durch Auswertung des Pegels des an einem einzigen zweiten elektrischen Anschluss 9 anliegenden Potentials VSel.
  • Für den Betrieb der Selektionseinheit 4 ist die Versorgung mit einem typischerweise positiven Bezugspotential VCC und einem Massepotenzial VEE erforderlich. Das positive Bezugspotential VCC und das Massepotential VEE können, wie in 2 dargestellt ist, über zusätzliche erste elektrische Anschlüsse 10 und 11 bezogen werden oder zur Einsparung von ersten elektrischen Anschlüssen über die für die Versorgung der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 mit einem positiven Bezugspotential VCC vorgesehenen ersten elektrischen Anschlüsse 12 und 13 und die Versorgung der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 mit einem Masse-Potential VEE vorgesehenen ersten elektrischen Anschlüsse 1 und 7 realisiert sein.
  • In einer zweiten Ausführungsform der Erfindung wird die Versorgung der erste Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 mit einem Masse-Potential im Fall eines gesperrten Schaltelements 5 im Signalpfad zwischen dem ersten elektrischen Anschluss 1 und den Masse-Anschlüssen der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 gemäß 3A ohne Zwischenschaltung eines Schaltelements 8 über eine Drahtbrücke 14 zu einer Platte 16 realisiert, die sich auf dem Massepotential der Halbleiterschaltung befindet. Diese elektrisch leitende Platte 16 ist gemäß 4 an der Unterseite des Halbleiterchips 15 angeordnet (kann aber auch auf der Oberseite des Halbleiterchips 15 angeordnet sein) und ragt über den Halbleiterchip 15 hinaus und ist somit frei liegend (so genanntes exposed Pad (ePad)). An der freiliegenden Fläche der elektrisch leitenden Platte 16 ist mindestens eine Drahtbrücke 14, die mit einem Kontakt auf dem Halbleiterchip in Verbindung steht, angebracht, insbesondere angebondet. Die elektrisch leitende Platte 16 ist mit einem ersten elektrischen Anschluss 7 der Halbleiterschaltung, der sich auf Masse-Potential befindet, verbunden. Der Halbleiterchip 15 ist über Bonddrähte 17 mit den einzelnen elektrischen Anschlüssen 18 am Gehäuse der Halbleiterschaltung kontaktiert.
  • In 3B ist der Fall dargestellt, in dem keine Verbindung über eine Drahtbrücke 14 zwischen den Masse-Anschlüssen der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 und dem Massepotential an einem ersten elektrischen Anschluss 7 vorliegt und die Masseanschlüsse der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3 über das Schaltelemente 5 mit dem Masse-Potential am ersten elektrischen Anschluss 1 verbunden sind.
  • In der Darstellung der 3A wird durch die Selektionseinheit 4 das Ansteuersignal für das Schaltelement 5 aus dem Pegel des Freigabesignal VEN für das Aktivieren der zweiten Funktionseinheit 3 an einem elektrischen Anschluss 19 ermittelt. In diesen Fall kann das Erfordernis eines zusätzlichen zweiten elektrischen Anschlusses 9, an dem das auszuwertende Potential VSel anliegt, vorteilhaft eingespart werden.
  • In dem dritten Ausführungsbeispiel der 5 ist der erste elektrische Anschluss 1 mit drei Signalen bzw. Potentialen belegt. Neben dem Massepotenzial VEE zur Masse-Versorgung der ersten Funktionseinheit 2 und der zweiten Funktionseinheit 3, dem Eingangs-/Ausgangs-Signal VS2, das mit einem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der zweiten Fusionseinheit 3 verbunden ist, kann auch ein weiteres Eingangs-/Ausgangs-Signal VS1 angelegt werden, das mit einem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der ersten Funktionseinheit 2 verbunden ist. Zur Verbindung oder zur Trennung des ersten elektrischen Anschluss mit dem bzw. vom Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der ersten Funktionseinheit 2 ist im Signalpfad zwischen dem ersten elektrischen Anschluss 1 und dem Eingangs-/Ausgangs-Anschluss der ersten Funktionseinheit 2 ein weiteres Schaltelemente 20 geschaltet.
  • Die Ansteuerung der Schaltelemente 5 bzw. 8, 6 und 20 erfolgt in dieser technischen Ausführung durch jeweils drei separate Steuersignale, die von einer Selektionseinheit 4' für die drei Schaltungsvarianten der Halbleiterschaltung erzeugt werden. Zusätzlich werden in der in 5 dargestellten zweiten Variante der Erfindung zur Ansteuerung der einzelnen Schaltelemente nicht verschiedene Signal- bzw. Potentialpegel eines einzigen Signals bzw. Potenzials VSel wie im Fall der in 3A dargestellten ersten Variante der Erfindung ausgewertet, sondern die Signal- bzw. Potentialpegel von mehreren Signalen bzw. Potentialen – in 5 die Signale bzw. Potentiale VSel1, VSel2 und VSel3 an den zweiten elektrischen Anschlüssen 21, 22 und 23 – in der Selektionseinheit 4' ausgewertet.
  • Im Hinblick auf eine praktikable Auslegung der Leitungsquerschnitte der einzelnen Leitungen in der Halbleiterschaltung und einer praktikablen Dimensionierung der einzelnen als Schaltelemente 5, 6, 8 und 20 dienenden Feldeffekt-Transistoren sind die Signale bzw. Potentiale, die alternativ an einem ersten elektrischen Anschluss 1 anliegen, so auszuwählen, dass deren Spannungs- bzw. Strompegel in einer gleichen Größenordnung liegen.
  • Die Erfindung ist nicht auf die dargestellten Ausführungsformen und Varianten der Erfindung beschränkt. Von der Erfindung sind die alle Kombinationen der in den Ansprüchen beanspruchten Merkmale und/oder der in der Beschreibung offenbarten Merkmale und/oder der in der Zeichnung dargestellten Merkmale mit abgedeckt. Beispielsweise können statt Feldeffekt-Transistoren auch Bipolar-Transistoren zum Einsatz kommen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2003/0141578 A1 [0005]

Claims (10)

  1. Halbleiterschaltung mit mindestens einem ersten elektrischen Anschluss (1) mit mehrfacher Signal- oder Potentialbelegung zur Integration von mehreren Schaltungsvarianten in der Halbleiterschaltung mit mindestens einem Schaltelement (5, 6, 8, 20) zum Trennen oder zum Verbinden von mindestens einem ersten elektrischen Anschluss (1) von bzw. mit einem Eingang oder Ausgang von mindestens einer in der Halbleiterschaltung integrierten Funktionseinheit (2, 3).
  2. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Selektionseinheit (4; 4') zur Ansteuerung des mindestens einen Schaltelements (5, 6, 8, 20) in Abhängigkeit einer Potentialbelegung von mindestens einem zweiten elektrischen Anschluss (9; 21, 22, 23) der Halbleiterschaltung.
  3. Halbleiterschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein erster elektrischer Anschluss (1) über eine der Anzahl von Signal- oder Potentialbelegungen des ersten elektrischen Anschlusses (1) entsprechende Anzahl von zwischengeschalteten Schaltelementen (5, 6, 20) mit einem dem ersten elektrischen Anschluss (1) zugeordneten Eingang oder Ausgang von zu den einzelnen Schaltungsvarianten jeweils gehörigen Funktionseinheiten (2, 3) verbunden ist.
  4. Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Eingang oder Ausgang von mindestens einem Funktionsbaustein (2, 3), der in einer Schaltungsvariante über ein gesperrtes Schaltelement (5, 6, 20) von einem ersten elektrischen Anschluss (1) getrennt ist, über ein anderes leitendes Schaltelement (8) mit jeweils einem anderen elektrischen Anschluss (7) verbunden ist.
  5. Halbleiterschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuerung von mindestens einem Schaltelement (5, 6, 8, 20) in der Selektionseinheit (4; 4') in Abhängigkeit von mindestens zwei an dem zweiten elektrischen Anschluss (9) anliegenden Potentialpegeln erfolgt.
  6. Halbleiterschaltung nach Anspruch 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuerung von mindestens einem Schaltelement (5, 6, 8, 20) in der Selektionseinheit (4; 4') in Abhängigkeit von mindestens zwei an mehreren zweiten elektrischen Anschlüssen (21, 22, 23) anliegenden Potentialpegeln erfolgt.
  7. Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 2, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass das an einem zweiten elektrischen Anschluss (9; 21, 22, 23) anliegende Potential die Versorgungsspannung einer Funktionseinheit (2, 3) oder das an einem elektrischen Anschluss (19) anliegende Signal das Freigabesignal (VEN) einer Funktionseinheit (2, 3) ist.
  8. Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass das Schaltelement (5, 6, 8, 20) ein Transistor, insbesondere ein Feldeffekt-Transistor, ist.
  9. Halbleiterschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der erste elektrische Anschluss eine Drahtbrücke (14) zu einer mit einem Gehäuse der Halbleiterschaltung verbundenen Platte (16) mit einem Bezugspotential der Halbleiterschaltung ist.
  10. Halbleiterschaltung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Platte (16) eine über das Gehäuse der Halbleiterschaltung hinausragende, freiliegende Platte mit dem Masse-Potential der Halbleiterschaltung ist.
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