DE2013830A1 - Etching semi-conductors with acid soln having - Google Patents
Etching semi-conductors with acid soln havingInfo
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N dinitrogen tetraoxide Chemical compound [O-][N+](=O)[N+]([O-])=O WFPZPJSADLPSON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims abstract description 7
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 10
- MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 4-(3,5-dimethylphenyl)-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C=2N=C(N)SC=2)=C1 MGWGWNFMUOTEHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Weting (AREA)
Description
- "Ätzlösung Die Erfindung betrifft eine Ätzlösung zum Ätzen von Halb leiterscheiben, insbesondere von Siliziumscheiben,- aus Salpetersäure. Flußsäure und Eisessig Es ist bekannt, Siliziumhalbleiterscheiben mit Hilfe einer Säuremischung aus Salpeter saure und Flußsaure auf die gewünschte Scheibendicke abzuätzen. Ferner ist es bereits bekannt geworden. einer Atzlösung zum Atzen von Silizium Eisessig zuzusetzen Die bekannten Ätzlösungen haben den Nachteil. daß die Halbleiterscheiben nach dem Ätzen nicht vollstandig eben. son in unerwünschter Weise konkav oder konvex sind. Außerdem wurde festgestellt, daß mit den bekannten Ätzlösungen stets wechselnde Atzraten erzielt werden; so daß das definierte Abtragen einer vorgegebenen Schichtdicke nicht ohne wei teres moglich war.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es. eine ätzlösung anzugeben, mit deren Ililfe vollstandig ebene Oberflachen der mit der ätzlösung behandelten Halbleiterscheiben er zielt werden, Die Atzlosung soll ferner die Eigenschaft haben, stets gleichmaßige Schichtdicken bei vorgegebener Temperatur in der Zeiteinheit von einer behandelten Halbleiterscheibe abzutragen, Ferner ist eine Atzlosung erwunscht.
- mit der die Atzabtragung beschleunigt werden kann, Zur Losung dieser Aufgabe ist bei einer Ätzlosung der ein gangs geschilderten Art erfindungsgemaß vorgehen. daß der Ätzlosung Stickstoffioxid bzw. Distickstofftetroxid zugesetzt ist Durch einen Zusatz von N02 bzwo N2O4 kann die Ätzabtragung bei Siliziumhalbleiterscheiben beschleunigt; und die Atz rate in- der Zeiteinheit konstant gehalten werden Die er findungsgemäße Atzldsung hat ferner den Vorteil, daß die Oberflächen der mit ihr behandelten- Halbleiterscheiben vollkommen eben sind., Die Konzentration des Stickstoffdioxids (NO2) bzw. des Distickstofftetroxids (N2O4) liegt vorzugsweise in dem Be reich zwischen 5 % und der Sättigungsgrenze. Bei der erfindungsgemäßen Ätzlösung ist es von Vorteil, wenn die.
- Konzentration des NO2- bzw. N2O4-Anteils während der Ätzbehandlung konstant gehalten wird.
- Als Ausführungsbeispiel soll noch-eine Ätzlö-sung angegeben werden. die sich- in der Praxis als besonders vor teilhaft erwies. Diese Ätzlösung hatte die folgende Zusammensetzung 9 Teile 100%ige Salpetersäure, 1,5 Teile 40%ige Flußsäure und 1.5 Teile 100%igen Eisessig, Die sem Säuregemisch wurde soviel N02 bzw. N204 zugesetzt, daß die Konzentration des NO2 bzw, N2O4-Anteils an der Ätzlösung zwischen 5 % und der Sättigungsgrenze lag Mit einer derartigen ätzlösung wurden Siliziumhalbleiter scheiben bei der konstant gehaltenen Temperatur von 300 C behandelt Die Ätzrate betrug bei diesen Versuchen 11,5 µm pro Minute, Diese Ätzrate konnte konstant gehalten werden, Nach der Ätzbehandlung lagen plane Halbleiterscheiben vor die für weitere Fertigunspro@esse vorzuglich geeignet waren,
Claims (1)
- P a t e n t a n s p r ü c h e 1) Ätzlösung zum Ätzen von Halbleiterscheiben, insbesondere von Siliziumscheiben aus $alpetersäure, Flußsäure und Eisessig, dadurch gekennzeichnet, daß der Ätzlösung Stickstoffdioxid bzw, Distickstofftetroxid zugesetzt ist0 2) Ätzlösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet' daß sie aus einem Säuregemisch folgender Zusammensetzung be steht: 9 Teile 100 %ige Salpetersäure, 1,5 Teile 40 %ige Flußsäure und 1,5 Teile 100 %igen Eisessig und ein Zusatz von Stickstoffdioxid bzw. Distickstofftetroxid zusammen, 3) Ätzlösung nach Anspruch 1.oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Konzentration des Stickstoffdioxid bzw. des Distickstofftetroxid etwa zwischen 5 % und der Sättigungsm grenze liegt.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702013830 DE2013830A1 (en) | 1970-03-23 | 1970-03-23 | Etching semi-conductors with acid soln having |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702013830 DE2013830A1 (en) | 1970-03-23 | 1970-03-23 | Etching semi-conductors with acid soln having |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2013830A1 true DE2013830A1 (en) | 1971-10-07 |
Family
ID=5765989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702013830 Pending DE2013830A1 (en) | 1970-03-23 | 1970-03-23 | Etching semi-conductors with acid soln having |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2013830A1 (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
| DE10248481A1 (de) * | 2002-10-17 | 2004-05-06 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Silicium |
-
1970
- 1970-03-23 DE DE19702013830 patent/DE2013830A1/de active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5843322A (en) * | 1996-12-23 | 1998-12-01 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for etching N, P, N+ and P+ type slugs and wafers |
| DE10248481A1 (de) * | 2002-10-17 | 2004-05-06 | Wacker Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Silicium |
| DE10248481B4 (de) * | 2002-10-17 | 2006-04-27 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Silicium |
| US7083741B2 (en) | 2002-10-17 | 2006-08-01 | Siltronic Ag | Process and device for the wet-chemical treatment of silicon |
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