DE2012173B2 - Monolithisch integrierbare schaltung zum schalten eines vierschichtigen halbleiterelementes - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine monolithisch integrierbare Schaltung zum Schalten eines vierschichtigen, in einem Verbraucherstromkreis angeordneten ersten Halbleiterelements, dessen eine von zwei Basiszonen im Bereich der Minoritätsträgerdiffusionslänge zu dem den beiden Basiszonen gemeinsamen pn-Übergang mit einem zusätzlichen, Minoritätsträger injizierenden Übergang versehen ist, an den die Signalspannung angelegt ist, bei der zum Schalten des

so vierschichtigen ersten Halbleiterelements bei einer unterhalb seiner Durchbruchspannung vorgegebenen Schaltspannung der injizierende Übergang mit einet in Sperrichtung gepolten Sperrschicht eines bei der Schaltsnannung unterhalb der Durchbruchspannung des vierschichtigen ersten Halbleiterelements durchbrechenden zweiten Halbleiterelements in Reihe liegt.

Aus der schweizerischen Patentschrift 438 493 ist

ein in einem Verbraucherstromkreis angeordnetes vierschichtiges Halbleiterelement bekannt, dessen eine von zwei Basiszonen im Bereich der Minoritätsträgerdiffusionslänge zu dem den beiden Basiszonen gemeinsamen pn-übergang mit einem zusätzlichen, Minoritätsträger injizierenden Übergang versehen ist, an den die Signalspannung angelegt wird.

Ferner ist aus der französischen Offenlegungsschrift 2 010 185, welche der älteren deutschen Patentanmeldung P 19 27 834.3 entspricht, bekannt, daß zum Schalten eines vierschichtigen Festkörperelements bei einer unterhalb seiner Durchbruchspannung vorgegebenen Schaltspannung in Reihe mit dem injizierenden Übergang ein bei einer Schaltspannung unterhalb der Durchbruchspannung des vierschichtigen Fes^körperelements durchbrechendes zweites Halbleiterelement verwendet werden kann.

Bei dieser Schaltung ist der nicht mit dem injizierenden Übergang verbundene Anschluß des zweiten Halbleiterelements mit der im Verbraucherstromkreis liegenden äußeren Emitterzone des ersten vierschichtigen Halbleiterelements verbunden. Zur Begrenzung des durch das zweite Halbleiterelement beim Einschalten des ersten Halbleiterelements fließenden Stromes liegt ein Widerstand in Reihe mit dem zweiten Halbleiterelement. Dieser Begrenzungswiderstand hat den Nachteil, daß er den Einschaltvorganj verlangsamt.

Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eir vierschichtiges Festkörperelement in einem Ver braucherstromkreis möglichst schnell bei einer vor gegebenen Schaltspannung einzuschalten. Die dazi verwendete Schaltung soll mit dem \icrschichligei Festkörperelement möglichst einfach monolithiscl integrierbar sein, wobei eine möglichst große Leistun, in bezug auf die Oberfläche der Festkörperschaltun bei möglichst geringer Verlustleistung erzielt wer den soll.

Das vorstehend erwähnte Problem wird erfindung* gemäß dadurch gelöst, daß der nicht mit dem injizic renden Übergang verbundene Anschluß des zweite

Halbleiterelements mit der anderen Basiszone des vierschichtigen ersten Halbleiterelements verbunden ist und daß die Strom-Spannungs-Kennlinien des zweiten Halbleiterelernents und der den zusätzlichen injizierenden Übergang enthaltenden Vierschichtenanordnung des vierschichtigen ersten Halbleiterelements sich in einem Punkt schneiden, von dem ab die Strom-Spannungs-Kennlinie des zweiten Halbleiterelements rechts von der Strom-Spannungs-Kennlinie der Vierschichtenanordnung bleibt, wodurch der Strom des zweiten Halbleiterelements begrenzt ist.

Als Halbleiterelement zur Einleitung des Einschaltvorgangs bei der vorgegebenen Schaltspannung kann ein bei der Schaltspannung durchbrechendes Zener-Dioden-Elemcnt verwendet werden, so daß der xs injizierende Übergang des vierschichtigen Festkörperelements in Reihe mit einer Zone bzw. einer Elektrode des in Sperrichtung gepolten pn-Übergangs des Zener-Dioden-Elements mit der betreffenden Basiszone des vierschichtigen Festkörperelements verbunden ist.

Eine weitere Verminderung der Verlustleistung kann durch Verwendung eines Vierschicht-Dioden-Elements als den Einschaltvorgang bei der vorgegebenen Schaltspannung einleitenden Halbleiterelements erreicht werden, wobei der injizierende Übergang des vierschichtigen Halbleiterelements in Reihe mit den beiden Emittern und dem in Sperrichtung gepoiten mittleren pn-übergang des Vierschicht-Dioden-Elements verbunden ist. In bezug auf die Verlustleistung ist diese Ausführungsform also derjenigen mit einem Zener-Dioden-Element an Stelle des Vierschicht-Dioden-Elements vorzuziehen.

Die monolithisch integrierbare Schaltung nach der Erfindung ist nun besonders günstig als monolithisch integrierte Festkörperschaltung dadurch zu realisieren, daß das vierschichtige Halbleiterelement als lateraler Thyristor ausgebildet wird und eine Zone mit der an den zusätzlichen injizierenden Übergang angrenzenden Emitterzone eine gemeinsame Zone bildet. Laterale Thyristorstrukturen sind aus der USA.-Patentschrift 3 307 079 bekannt. Der Hauptstromfluß erfolgt wie bei Lateral-Transistoren nicht senkrecht, sondern parallel zur Oberflächenseite der verwendeten Halbleiterplättchen.

Das der Erfindung zugrunde liegende Problem, das Lösungsprinzip und die bevorzugte Ausführungsform der Erfindung mit einem bei der Schaltspannung durchbrechenden Halbleiterelement in Form eines vierschichtigen Halbleiterelements wird im folgenden an Hand der Zeichnung erläutert, in der

F i g. 1 zur Erläuterung des der Erfindung zugrunde liegenden Problems dient,

F i g. 2 das Prinzip der monolithisch integrierbaren Schaltung zur Lösung der gestellten Aufgabe veranschaulicht,

F i g. 3 die Strom-Spannungs-Kennlinien des aus den Schichten 1(1. 2, 7 und 12 gebildeten ersten vierschieluigen Halbleiterelements und des /weiten vierschichtigen Halbleiterelements (6) der F i g. 2 zeigt, die

F i g. 4 bis 6 zur Erläuterung der Struktur der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, der Herstellung und Wirkungsweise einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltun» für eine integrierbare Schaltung dienen und die

F i g. 7 bis y Strom-Spannungs-Kennlinien für das bevorzugte Ausführungsbeispiel in Form einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung zeige-..

Nach der Fig. 1 wird der Strom eines Verbrauchers L in einem Verbraucherstromkreis 3 mittel:, eines vierschichtigen Halbleiterelements mi* Kathode K, Anode A und Steuerelektrode G eingeschaltet. Der Verbraucherstromkreis 3 enthält im Bedarfsfalle selbstverständlich Mittel zum Ausschalten des Verbraucherstroms, welche Mittel das vierschichtige Halbleiterelement wieder in den hochohmigen Schaltzustand bringen. Diese bewirken ein Absenken des durch das vierschichtige Halbleiterelement fließenden Stroms unter einen bestimmten Haltestrom bei einer kleineren Spannung als die Durchbruchspannung. Zum Ausschalten des vierschichtigen Halbleiterelements im Verbraucherstromkreis 3 können auch Schaltungsmaßnahmen angewendet werden, welche über zusätzliche Steuerelektroden am Halbleiterelement eine Löschung bewirken. Derartige Maßnahmen gehören zum Stand der Technik und sind nicht Gegenstand der Erfindung. In der Schaltung gemäß der Fi g. 1 liegt ferner an der Gitterelektrode (J des vierschichügcn Halbleiterelements ein /?C-Glied derart, daß bei Einschalten des Schalters 13 die Spannung an der Gitterelektrode G sich der Einschaltspannung des vierschichtigen Halbleiterelements 1 nähert. Normalerweise weist ein vierschichtiges Halbleiterelement, wie es auch als Thyristor bezeichnet wird, als Steuerelektrode einen sperrfreien Kontakt an einer der beiden Basiszonen auf.

Bei der Schaltung wird jedoch bei der Ausführungsform gemäß der Fig. 2 ein vierschichtiges Halbleiterelement mit einer Gitterelektrode verwendet, welche mit einer Basiszone einen injizierenden Übergang 4 bildet. Dieser injizierende Übergang kann sowohl als Metall-Halbleiter-Ubergang als auch durch eine halbleitende Zone gebildet werden. Derartige vierschichtige Halbleiterelemente sind aus den deutschen Offenlegungsschriften 1 489 092 und 1514 138 bekannt.

Der injizierende Übergang 4 wird im Bereich der Minoritätendiffusionslänge bezüglich des in Sperrrichtung betriebenen und zwischen den beiden Basiszonen 2 und 7 liegenden pn-Übergangs angeordnet, so daß der Einschaltvorgang durch die Injektion von Minoritätsladungsträgern in den in Sperrichtung betriebenen Übergang des vierschichtigen Halbleiterelements bzw. des Thyristors 1 erzielt wird. In einer Schaltung wird nun gemäß der F i g. 2 der injizierende Übergang 4 des ersten vierschichtigen Halbleiterelements 1 mit dem ersten Emitter des zweiter vierschichtigen Halbleiterelements 6 verbunden. Auch dieser Emitter kann natürlich unter Verwenduni eines Metall-Halbleiterkontaktes hergestellt werden Während der Emitter 5 und der injizierende Über gang 4 an Basiszonen gleichen Leitfähigkeitstyps an grenzen, wird der andere Emitter 8 des zweiten vier schichtigen Halbleirerelements 6 mit der anderer Basiszone des ersten vierschichtigen Halbleiter elements I verbunden.

Die Anordnung gemäß der Fig. 2 schaltet be einer Schaltspannung ein. welche durch die Durch bruchspannung U_nZ des zweiten Halbleitcrelements ( gegeben ist. Bei dieser Spannung wächst der durcl das zweite Halbleiterelement 6 fließende Strom um damit der vom F.mitter 10 in den mittleren pn-Ülvi gang injizierte Minoritätenstrom im ersten HnIlieiterelcment I an. wodurch dieses lawinenartig, ein «eschaltet wird.

Werden nun die beiden Halbleiterelemente 1 und 6 und dem Grundkörper 17 nur solche Potentiale vorderartig ausgebildet, daß Slrom-Spannungs-Kenn- kommen, daß die pn-Übergänge zwischen den Kollinien 14 und 15 gemäß der Fig. 3 mit einem lektorzoncn und dem Grundkörper 17 stets in Sperr-Schnittpunkt S vorliegen, wobei die Kurve 14 dem richtung vorgespannt sind. Andernfalls wären ersten Halbleiterelement 1 und die Kurve 15 dem 5 unerwünschte Vierschichten-Effekte nicht zu verzweiten Halbleiterelement 6 zugeordnet sind, so meiden. Die Erfindung weicht grundsätzlich von fließt oberhalb des Stromschwellwertes /_s der Ent- diesem Prinzip ab.

ladestrom des Kondensators C im wesentlichen über Durch Eindiffusion einer Emitterzone 11 vom Leitden injizierenden Übergang 4 des ersten Halbleiter- fähigkeitstyp des Grundkörpers 17 im kleineren Abelements 1 und nicht über das zweite Halbleiter- io stand vom mittleren pn-übergang des ersten Halbelement 6. Es ergibt sich somit selbsttätig eine leiterelements I als die Minoritätendiffusionslänge Strombegrenzung des zweiten Halbleiterelements 6. wird ein lateraler Thyristor erhalten. Ähnliche laterale

Durch die Strombegrenzung des zweiten Halb- Transistorstrukturen sind beispielsweise aus der Zeitleiterelements 6 hat die Schaltung den Vorteil, daß schrift »Solid State Electronics« (1967), S. 225 sehr kleine Einschaltzeiten auch dann erzielt werden, 15 bis 234, der deutschen Offenlegungsschrift 1 803 032 wenn zweite Halbieitereiemente 6 mit relativ kleinen und der USA.-Patentschrift 3 246 214 allgemein beVerlustleistungen verwendet werden. An Hand der kannt. Sie können auch für größere Leistungen bei F i g. 1 und 2 ist ohne weiteres zu erkennen, daß eine relativ kleinem Halbleiteroberflächenbedarf dadurch kurzzeitige Entladung des Kondensators C ein relativ hergestellt werden, daß die Zonen bei Aufsicht auf schwach ausgelegtes zweites Halbleiterelement 6. ohne 20 die Halbleiteroberfläche stern- oder kammförmig Strombegrenzung leicht zerstören kann. Da bei der ausgebildet werden, wie bei Leistungstransistoren Schaltung nach F i g. 2 eine Überlastung auch eines bekannt ist.

schwach dimensionierten zweiten Halbleiterelements 6 Wie die Fig. 5 veranschaulicht, ist zur Einstelleicht ausgeschlossen werden kann, ist eine sehr lung der Durchbruchspannung an der Oberfläche des raumsparende Ausbildung der Schaltung nach F i g. 2 25 zweiten Halbleiterelements 6 eine Zündzone 26 vorin Form einer monolithisch integrierten Halbleiter- gesehen. Damit kann ohne weiteres eine der Durchschaltung möglich. An Hand der F i g. 3 ist erkenn- bruchspannung des pn-Übergangs 9 entsprechende bar. daß an Stelle eines zweiten vierschichtigen Schaltspannung von wenigen Volt eingestellt werden, Halbleiterelements auch ein zweischichtiges Halb- wenn die zur Herstellung von monolithischen Halbleiterelement verwendet werden kann, welches als 30 leiterschaltungen herkömmlicher Bauart üblichen Zenerdiode ausgebildet ist. Die Kennlinie der Zener- Planardiffusionsprozesse angewendet werden, d. h. diode muß aber die Kennlinie 14 des ersten vier- Emitterdiffusion, Basisdiffusion und Isolationsdiffuschichtigen Halbleiterelements 1 derartig schneiden, sion. Diese drei Diffusionen reichen bereits aus, um daß oberhalb eines Punktes S die Kennlinie der eine Planarstruktur gemäß der F i g. 5 herzustellen. Zenerdiode in möglichst großem Abstand rechts der 35 Es werden nämlich die Zonen 11, 7 und 19 gleich-Kennlinie 14 bleibt was die Bedingung für die zeitig bei der Basisdiffusion und die Zonen 12, 8 und Strombegrenzerwirkung ist Zu diesem Zweck kann 26 bei der Emitterdiffusion hergestellt was durch die die Zenerdiode auch mit einem ohmschen Wider- gleichen Diffusionstiefen der Zonen veranschaulicht stand hintereinandergeschaltet werden oder eine werden soll.

Zenerdiode mit hohem Innenwiderstand verwendet 40 Fig. 6 veranschaulicht die Kontaktierung und

werden. Schaltung der Anordnung zu einer Halbleiterschal-

Die Schaltung nach F i g. 2 ist ferner durch eine tung gemäß der F i g. 2. In Durchbrüchen der Isolierrelativ einfach ausgebildete monolithische Halbleiter- schicht 23 sind, wie bei Planarhaibleiterbauelementen schaltung . üisierbar, wie an Hand des bevorzugten üblich, der Anodenkontakt A, der Kathodenkontakt K Ausführungsbeispiels nach den Fig. 4 bis 6 der 45 und weitere Kontakte 20 und 21 angebracht von Zeichnung erläutert wird. denen die letzteren beiden Kontakte 20 und 21 durch

Die Fig. 4 stellt ausschnittweise und im Quer- eine metallische Leitbahn auf der Oxydschicht 23 schnitt eine solche monolithische Halbleiterschaltung verbunden sind, wie durch die Verbindung 22 angedar, deren Ausbildung bis auf die Kontaktierung der deutet ist An der Metallisierung 24 des Grund-Schaltung und geringfügigen Abwandlungen im 5° körpers 17 wird die Gitterelektrode G angebracht Prinzip bekannt ist Die Struktur gemäß der F i g. 4 Da die Gitterelektrode G über eine Spannung geunterscheidet sich nämlich bis auf die Zone 11 im steuert wird, muß das Halbleiterelement 6, welches Schnitt prinzipiell nicht von einer monolithischen in Verbindung mit dem Grundkörper 17 als Vier-Halbleiterschaltung mit zwei integrierten Planar- schichtdiode arbeitet möglichst kleine Zündströme transistoren bei 1 und 6, welche gleichstrommäßig 55 besitzen im Gegensatz zu dem als lateraler Thyristoi mittels Isolierringzonen 18, welche eine Epitaxial- ausgebildeten vierschichtigen Halbleiterelement 1. schicht 16 auf einem Grundkörper 17 vom entgegen- welches in einem gewissen Spannungsbereich untergesetzten Leitfähigkeitstyp in bezug auf die Epitaxial- halb der Durchbruchspannung U_{1 z} unempfindlich schicht durchdringen, voneinander getrennt sind. gegen raschen Spannungsanstieg und Spannungs-Normalerweise stellt jeder integrierte Planartransistor 60 spitzen sein sollte. Diese Forderung wird dadurch bereits ein vierschichtiges Halbleiterelement dar. Er erfüllt daß der als Emitterzone 12 ausgebildet« kann jedoch als solcher nur verwendet werden, wenn Emitter des vierschichtigen Halbleiterelements J zwischen dem Emitter und dem Grundkörper 17 eine über den Kathodenkontakt K an der dem Anoden entsprechende Spannung abfällt Da der Zweck der kontakt A abgelegenen Seite mit der benachbartei Struktur gemäß der Fig. 4 mit Isolierringzonen 18 65 Basiszone 7 an der Halbleiteroberfläche einen Kurz jedoch die gleichstrommäßige Trennung der beiden Schluß bildet, wodurch ein bestimmter Basisbahn Planartransistorstrukturen ist, dürfen im Betrieb widerstand zum Kontakt 20 erhalten wird. Der Vor zwischen den Kollektorzonen der Planartransistoren teil ist, daß Haltestrom und Zündstrom von de

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gleichen Größenordnung sind. Der Basisbahnwider- elements! fließt. Die F i g. 8 zeigt die Anodenstromstand wird somit durch die Breite der Emitterzone Anodenspannungs-Kennlinie für /_(; = ü, während 12 bestimmt. die Fig. 9 die Anodenstrom-Gittcrstrom-Kennlinie

Die Basiszone 2 des ersten Halbleiterelemenls 1 für U_AK größer als 2 V und /_/{ = 3 mA zeigt, d.h. besitzt das um eine Flußstrecke niedrigere Anoden- 5 mit dem Halbleiterelement 6 im Sättigungsbereich potential U₁₁₁ und der Grundkörper 5 das Poten- und U_AK oberhalb der Ausschaltspannung, tial U₁₁. Im Falle t/,_M> U_n ist der pn-übergang 4 in Mit den angegebenen Mitteln läßt sich also mit Sperrichtung gepolt. Der Fall U„>U_nl tritt dann sehr geringem Aufwand eine Zcitverzögerungsschalauf, wenn beispielsweise nur ein entsprechendes tung mit sehr kleinen Einschaltzeiten aufbauen, wo-Potential an Gitterelektrode G und Kathodenelek- xo bei das als Vierschichtdiode ausgebildete Halbleitertrode K angelegt wird. Erreicht das zweite Halbleiter- element 6 nicht überlastet werden kann. Auf Grund element £ den Zündstrom des ersten Halbleiter- des geschilderten Strombegrenzungsmechanismus elements 1, so wird der Strom von der aus den kann über die Gitter-Kathoden-Strecke die gleiche Zonen 12, 7, 2 und 10 gebildeten Vierschichten- Leistung geschaltet werden wie über die Kathodenanordnung übernommen. Das Halbleiterelement 6 15 Anoden-Strecke. Auf Grund dieses Vorteils ergibt kann daher so dimensioniert werden, daß es nur den sich bei der Verwirklichung der Schaltung nach Zündstrom des Halbleiterelements 1 aushalten muß. Fig. 2 in Form einer monolithischen Halbleiter-Das als Vierschichtdiode ausgebildete Halbleiter- schaltung ein sehr geringer Bedarf an Halbleiterelement fi kann daher bei einer Anordnung gemäß fläche und Material, etwa gegenüber einem rein lateder F i g. 6 niemals überlastet werden. 20 ralen Aufbau, da das Halbleiterelement 1 im Ver-

Die Fig. 1, 8 und 9 zeigen Strom-Spannungs- braucherstromkreis als lateraler Thyristor und im Kennlinien für das bevorzugte Ausführungsbeispiel Gitterkreis im Bereich der Strombegrenzung als noreiner monolithisch integrierten Halbleiterschaltung in maler Thyristor mit Stromfluß senkrecht zur HaIbeinem quadratischen Halbleiterplättchen von 0,6 mm lederoberfläche arbeitet. Das Ausführungsbeispiel in Kantenlänge. Die Durchbruchspannung des Halb- 25 Form der beschriebenen monolithischen Halbleiterleiterelements 1 betrug U_{1 z} = 68 V und die Durch- schaltung weist den Vorteil einer einfachen Verbruchspannung des zweiten Halbleiterelements 6 drahtung und Kontaktierung durch nur zwei Ver- U_eZ = 7,7 V, welches in einer Schaltung gemäß der bindungen auf, beispielsweise in Form von Thermo-F i g. 1 betrieben wurde. Die Gitterstrom-Gitter- kompressionsverbindungen, da der Grundkörper eine spannungs-Kennlinie für /^ = O gemäß der F i g. 7 30 Anode darstellt. Der Zuleitungsvviderstand ist gering, läßt deutlich den Punkt 25 erkennen, oberhalb dessen Die Zonenfolgen bei der beschriebenen monoder Strom durch das Halbleiterelement 6 dadurch be- lithischen Halbleiterschaltung können naturgemäß grenzt ist, daß der Entladungsstrom des Konden- auch vom entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie gesators C über den pn-übergang 4 des Halbleiter- schildert gewählt werden.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Monolithisch integrierbare Schaltung zum Schalten eines vierschichtigen, in einem Verbraucherstromkreis angeordneten ersten Halbleiterelements, dessen eine von zwei Basiszonen im Bereich der Minoritätsträgerdiffusionslänge zu dem den beiden Basiszonen gemeinsamen pnübergang mit einem zusätzlichen, Minoritätsträger injizierenden Übergang versehen ist, an den die Signalspannung angelegt ist, bei der zum Schalten des vierschichtigen ersten Halbleiterelements bei einer unterhalb seiner Durchbruchspannung vorgegebenen Schaltspannung der injizierende Übergang mit einer in Sperrichtung gepolten Sperrschicht eines bei der Schaltspannung unterhalb der Durchbruchspannung des vierschichtigen ersten Halbleiterelements durchbrechenden zweiten Halbleiterelements in Reihe liegt, dadurch gekennzeichnet, daß der nicht mit dem injizierenden Übergang (4) verbundene Anschluß des zweiten Halbleiterelements (6) mit der anderen Basiszone (7) des vierschichtigen ersten Halbleiterelements verbunden ist und daß die Strom-Spannungs-Kennlinien (14, 15) des zweiten Halbleiterelements (6) und der den zusätzlichen injizierenden Übergang enthaltenden Vierschichtenanordnung (10, 2, 7, 12) des vierschichtigen ersten Halbleiterelements (1) sich in einem Punkt (S) schneiden, von dem ab die Strom-Spannungs-Kennlinie (15) des zweiten Halbleiterelements (fi) rechts von der Strom-Spannungs-Kennlinie (14) der Vierschichtenanordnung (10, 2, 7, 12) bleibt, wodurch der Strom des zweiten Halbleiterelements (6) begrenzt ist.

2. Monolithisch integrierbare Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterelement (6) eine Zenerdiode ist.

3. Monolithisch integrierbare Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das zweite Halbleiterelement (6) eine Vierschichtdiode ist.

4. Monolithisch integrierbare Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterelement (1) als lateraler Thyristor und das zweite Halbleiterelement (6) als Zenerdiode ausgebildet ist, deren eine Zone mit der den zusätzlichen injizierenden Übergang (4) bildenden Emitterzone (10) des ersten Halbleiterelements (1) eine gemeinsame Zone bildet.

5. Monolithisch integrierbare Schaltung nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das erste Halbleiterelement (1) als lateraler Thyristor und das zweite Halbleiterelement (6) als Vierschichtdiode ausgebildet ist, deren erster Emitter (5) mit der den injizierenden Übergang (4) bildenden Emitterzone (10) des ersten Festkörpcrclements (I) eine gemeinsame Zone bildet.

6. Monolithisch integrierbare Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der mittlere pn-übergang (9) des als Vierschichtdiode ausgebildeten Halbleiterelemenls (6) eine Zündzone (26) aufweist.

7. Monolithisch integrierbare Schaltung nach Anspruch 5 oder (.·, dadurch gekennzeichnet, daß die die eine Emitterzone (12) des ersten HaIbleiterelements (1) kontaktierende Kathodenelektrode (K) mit der der Emitierzone (12) benachharten Basiszone (7) an der Halbleiteroberfläche einen Kurzschluß bildet.