DE2011851B2 - Elektrische speichermatrix in kompaktbauweise - Google Patents
Elektrische speichermatrix in kompaktbauweiseInfo
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 66
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 105
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 66
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 5
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011819 refractory material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
- H10B63/32—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors of the bipolar type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/72—Array wherein the access device being a diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische Speichermatrix in Kompaktbauweise, mit einem Trägerkörper,
mit einer Gruppe von in Reihen isoliert voneinander angeordneten ^-Leitern, mit einer
Gruppe von in Spalten angeordneten Y-Leitern, von denen mindestens eine Gruppe in den Trägerkörper
integriert bzw. eingebettet ist, mit im Bereich der Kreuzungsstellen der Leiter angeordneten, zur Speicherung
dienenden, halbleitenden, bistabilen Schalterelementen, die bei Überschreiten einer Schwellenspannung
vom Zustand hohen elektrischen Widerstands plötzlich in den Zustand niedrigen elektrischen
Zustande umschalten und durch einen Stromimpuls wieder in den Zustand hohen elektrischen Widerstands
zurückschalten, und mit jeweils in Reihen zu den bistabilen Schalterelementen geschalteten, halbleitenden Trennelementen, die ihrerseits mit den Leitern
der anderen Gruppe in Verbindung stehen.
Eine Speichermatrix dieser Gattung ist bereits be-
kannt (DT-AS 12 12 155). Bei dieser bekannten Ausbildung ist eine Gruppe von Leitern in einen Isolierkorper
und die andere Gruppe von Leitern in einen zweiten Isolierkörper eingebettet. Zwischen
buden Leitergruppen befindet sich eine Schicht aus dem einen Festkörper bildenden Material, beispiels-„»
iise aus Tellur mit einem Zusatz eines Elements aus
*--ier Gruppe FV des periodischen Systems, wie Germanium.
Die Massenproduktion läßt jedoch hinsichtlich der Kosten und der kompakten Bauweise noch
zu wünschen übrig.
Darüber hinaus ist es bekannt (FR-PS 15 33 269),
Darüber hinaus ist es bekannt (FR-PS 15 33 269),
κ bei einer Transistorschaltung die Transistoren durch
'Dotieren des leitenden Trägerkörpers in diesen ein-'zubetten und "Isolierschichten auf den aus Silizium
-bestehenden Trägerkörper aufzutragen. Zum Verbinden der entsprechenden Bereiche dienen zusätzliche
aufgetragene Leiterbahnen.
Ferner sind Halbleiterschaltkreise in Festkörperbauweise bekannt( US-PS 32 95 031), bei denen leitfähige
Streifen auf Trägerkörpern, die Flip-Flop-Schaltungen enthalten, aufgetragen sind und bei
denen isolierende Streifen in den Trägerkörper integriert sind.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die elektrische
Speichermatrix der eingangs genannten Gattung dahingehend zu verbessern, daß sie in Massenproduktion
einfacher herstellbar und kompakter, d. h. unter Beanspruchung eines noch geringeren
Raumes, ausbildbar ist.
Die Erfindung besteht darin, daß der Trägerkörper aus Halbleitermaterial besteht, in das die Trennelemente
eingebettet bzw. integriert sind und von dem leitfähige Streifen eines gegebenen Leitfähigkeitstypus die Leiter der in den Trägerkörper eingebetteten
bzw. integrierten Leitergruppe bilden, während die andere Leitergruppe und die Schalterelemente an
einer Seite des Trägerkörpers abgeschiedene bzw. niedergeschlagene Filme sind.
Hierdurch wird die genannte Aufgabe auf sehr einfache Weise gelöst, ohne daß erst zwei getrennte
Trägerkörper mit Leitern versehen und dann unter Einfügen einer Festkörpe-schicht vereint werden
müßten, was besonders dann zu einer sehr komplizierten Herstellung führt, wenn im Bereich der betreffenden
Kreuzungsstellen der Leiter echte Trennelemente, wie Dioden, anzubringen sind. Mit anderen
Worten, ermöglicht die Erfindung die Realisierung des seit vielen Jahren bekannten Wunsches, derartige
elektrische Speichermatrizen in einer All-kompakt-Bauweise im Sinne der an sich bereits bekannten integrierten
Herstellungsart aufzubauen. Hierdurch ist es möglich, selbst unter Verwendung elektrischer Speichermatrizen
aufgebaute Schaltungen in einem derartigen Ausmaß zu verkleinern, wie dies bisher noch
nicht möglich war. Die Anwendung der Erfindung auf Matrizen einer Koinzidenz-Spannungs-Speichermatrix
ist insofern besonders vorteilhaft, als diese billiger herstellbar und leichter verwendbar ist als
andere bereits bekannte magnetische oder sonstige Speichermatrizen. So können nach dieser bevorzugten
Anwendungsform der Erfindung zwei Arbeitsschritte beim Lesen eingespart werden und ist es im
Unterschied zu Magnetspeichern auch weniger leicht möglich eingespeicherte Daten ungewollt zu löschen,
wodurch »zerstörungsfreies Lesen« möglich ist.
Es empfiehlt sich, die Trennelemente aus dem Halbleitermaterial des Trägerkörpers selbst zu bilden,
in dem insbesondere in der Nähe jeder Kreuzungsstelle pn-dotiertc Übergangsbereiche des vor
allem aus Silizium eines im wesentlichen einzigen Leitfähigkeitstypus bestehenden Trägerkörpers Trennelemente
angeordnet sind. Die leitfähigen Streifen des Trägerkörpers sollten dabei einen stark dotierten entgegengesetzten
Leitfähigiceitstvpus aufweisen.
Nach einer anderen Ausbildung der Erfindung trägt der Trägerkörper eine mit einer der Leitergruppen
versehene Isolierschicht, die im Bereich der Kreuzungsstelle jeweils ein Loch aufweist, das mit im
wesentlichen amorphem Halbleitermaterial des Schalterelements und gegebenenfalls mit elektrodenbildendem
Material gefüllt ist, das mit dem Schalterelement kontaktiert ist.
Beispiele für das im wesentlichen amorphe Halbleitermaterial des Schalterelements sind insbesondere
in der US-PS 32 71 591 beschrieben. Ein solches Halbleitermaterial kann aus seinem stabilen Sperrzustand
hohen elektrischen Widerstands schlagartig in einen stabilen Leiterzustand niedrigen elektrischen
Widerstands überführt werden, wenn beispielsweise eine an die im Abstand voneinander liegenden Teilen
des Materials angelegte Spannung eine gegebene
Schwellenspannung überschreitet und der Stromfluß während einer genügenden Zeitdauer, beispielsweise
1 bis 100 ms oder darüber, gewährleistet ist. Der Leiterzustand niedrigen Widerstands bleibt dann auch
nach Abschalten der Spannung bzw. Beseitigen des Stromflusses aufrechterhalten. Zum Wiederherstellen
des Sperrzustands hohen Widerstands wird beispielsweise ein Stromimpuls verhältnismäßig kurzer
Zeitdauer von 10 μ? oder darunter angewendet. Die
Zustandsänderungen können insbesondere auf Änderungen der Atom- bzw. Molekularstruktur des vorzugsweise
polymeren Halbleitermaterials erfolgen, wobei der im wesentlichen amorphe Zustand in einen
Zustand größesrer Ordnung beispielsweise bis in den Kristallinzustand übergeht. Solche Änderungen kön-
nen auch im wesentlichen nur innerhalb einer Größenordnung liegen, die sich über einen kurzen Bereich
erstrecken, wobei jedoch immer noch ein im wesentlichen ungeordneter bzw. im allgemeinen amorpher
Zustand vorhanden ist. Die Änderungen können auch von der Größenordnung eines kurzen Bereichs zu
einer solchen eines langen Bereiches erfolgen, bei der in kristallinartiger oder pseudokristalliner Zustand
geschaffen wird. Das Halbleitermaterial des Schaltevelements braucht daher das Loch nur zu einem Bruch-So
teil seiner Tiefe auszufüllen, so daß das elektrodenbildende Material das Loch schließlich vollständig
ausfüllt und mit den entsprechenden auf dem Trägerkörper bzw. der Isolierschicht aufgetragenen Y- bzw.
AT-Leitem kontaktiert ist. Im Interesse der Zweckmäßigkeit
und Verläßlichkeit des Betriebs wird hierdurch der Stromleitungspfad durch das Halbleitermaterial
auf einen zweckmäßigen Querschnitt begrenzt, in dem unter jedem Halbleitermaterial ein punktartiger
Bereich aus isolierfähigem Material mit einem
6b porenartigen Loch aufgetragen ist, so daß nur ein
kleiner Teil der Außenfläche jedes X- oder Y-Leiters an dieser Stelle für den Schichtauftrag des betreffenden
Halbleitermaterials frei liegt. Wenn dann die Schicht des Halbleitermaterials über der in dem
punktförmigen Bereich aus Isoliermaterial gebildeten Pore aufgetragen wird, tritt das Halbleitermaterial
in die Pore ein und gelangt in Kontakt mit dem betreffenden X- bzw. Y-Leiter in dem verhältnismäßig
kleinen Flächenbereich beispielsweise einer Größenordnung von etwa 5 bis 40 μηι und insbesondere
20 μηι oder darunter. Durch die Halbleiterschicht wird dann praktisch immer an der gleichen Stelle
ein fadenförmiger Stromleitungspfad gebik'et.
Ein solches porenartiges Loch in dem Isoliermaterial wird beispielsweise dadurch hergestellt, daß
ein lichtempfindliches saures oder Säureschutzmaterial aufgetragen wird, das fixiert wird, wenn es einer
Bestrahlung mit Licht auf der Filmauftragsfläche der betreffenden Trägerschicht ausgesetzt wird. Zum Verdecken
derjenigen Teile der Schutzmasse, die durch Säure oder andere chemische Behandlung nicht beseitigt
werden sollen, kann eine Fotoemulsionsmaske mit lichtdurchlässigen Bereichen dienen, deren lichtundurchlässigen Bereiche sich in denjenigen Maskenteilen
befinden, die über der Stelle des Isoliermaterials liegen sollen, die das porenartige Loch enthalten soll.
Nach dem Belichten wird die belichtete, lichtempfindliche Schutzmasse entwickelt und werden die nicht belichteten
und nicht fixierten Teile der Schutzmasse mit e:nem geeigneten chemischen Mittel fortgeät?t,
worauf die belichteten, fixierten Teile der Schutzmasse abgelöst werden. Das Halbleitermaterial selbst
und auch die X- oder y-Leiter, die sich außerhalb des Trägerkörpers befinden, können auf ausgewählten
Bereichen des isolierenden Trägerkörpers durch geeignete
Ätzverfahren oder auch durch Auftrag durch durchbrochene Masken hindurch aufgebracht werden.
Das elektrodenbildende Material sollte im wesentlichen amorph und hitzebeständig sein und gemäß
einer weiteren Ausbildung der Erfindung aus der Gruppe Molybdän, Titan, Tantal, Niob und hitzebeständigen
Metalloxyden, -carbiden und -sulfiden ausgewählt sein.
Der oben bereits genannte Übergangsbereich sollte die Steuer- und Lastelektroden eines Transistors bilden
und zwei der Elektroden sollten in Reihe mit dem zugehörigen Schalterelement geschaltet sein; dabei
sollte sich die andere Elektrode zu einem Außenanschluß der Matrix erstrecken.
Im übrigen empfiehlt es sich, wenn der Trägerkörper aus einer Grundschicht des Leitfähigkeitstyps η
besteht, auf der die stark p-dotierten leitfähigen Streifen und darüber eine Epitaxialschicht des Leitfähigkeitstypus
η angeordnet ist, die in sich bis zu den zugeordneten anderen Leitern erstreckenden, gegenseitig
isolierten Bereichen über den leitfähigen Streifen schwach p-dotiert sind. Hierbei ist es ratsam, wenn
die Außenbezirke der Übergangsbereiche der schwach p-dotierten Bereiche schwach η-dotiert sind.
Schließlich sollte das Trennelement mit dem Schalterelement über einen Kontaktstreifen verbunden
sein.
An Hand der Zeichnung, die Ausführungsbeispiele der Erfindung schematisch darstellt, ist diese im folgenden
noch näher erläutert. Darin zeigt
F i g. 1 ein Ausschnitt eines Schaltschemas einer Spannungsspeichermatrix, bei der die Erfindung Anwendung
finden kann, sowie Beispiele von Stromkreisen zum Einspeichern von Informationen in die Matrix
bzw. zum Lesen von darin gespeicherten Informationen,
Fig. 2A ein Schaubild mit den Spannungen, die
an einem gewählten Kreuzungspunkt der Matrix zur Wirkung gebracht werden, um diese einzustellen,
(A. h. »1« des Binärsystems an dem betreffenden
Kreuzungspunkt einzuspeichern), den betreffenden Kreuzungspunkt der· Matrix rückzustellen fd. h. eine
»0« des Binärsystems an dem Kreuzungspujikt einzuspeichern)
und das an einem bestimmten Kreüzüngspunkt der Matrix eingespeicherte Symbol des Binärsystems
zu lesen,
Fi g. 2B ein Diagramm zur Veranschaulichung der
verschiedenen Ströme, die durch den gewählten Kreuzungspunkt beim Einstellen, Rückstellen und Lesen
des Symbols »1« des Binärsystems an einem bestimmten
Kreuzungspunkt der Matrix fließen,
F i g. 3 eine Strom-Spannungs-Charakteristik eines speicherfähigen Schalterelements im Zustand hohen
elektrischen Widerstands,
Fig. 4 eine Strom-Spannungs-Charakteristik des
speicherfähigen Schalterelements im Zustand niedrigen elektrischen Widerstands,
Fig. 5 eine weggebrochene perspektivische Darstellung
eines Teiles einer Siliziumscheibe, die derart dotiert ist, daß sie die 7-Leiter und die Dioden
der Speichermatrix gemäß Fig. 1 enthält, und auf der auf einer isolierten oberen Fläche derselben die
Z-Lcitcr und die speichernden Schalterelemente gemäß F i g. 1 aufgetragen sind,
Fig. 6A eine ausschnittsweise Schnittdarstellung
der Speichermatrix gemäß F i g. 5 in größerem Maßstab entlang der Schnittlinie 6A-6A dieser Figur,
F i g. 6 B eine Draufsicht auf den Teil der Speichermatrix, der in F i g. 6 A dargestellt ist,
F i g. 7 eine im wesentlichen abgewandelte Spei-
chermatrix, ähnlich der gemäß Fig. 5, jedoch mit
noch größerer Packungsdichte, da die Diode und die
speichernden Schalterelemente übereinandergelegt
sind,
F i g. 8 eine ausschnittsweise Schnittdarstellung durch die Speichermatrix gemäß F i g. 7 entlang der
Schnittlinie 8-8 dieser Figur,
F i g. 9 eine weggebrochene, perspektivische, ausschnittsweise Darstellung einer Speichermatrix bei
der an jedem Kreuzungspunkt der Speichermatrix in Reihe mit einem speichernden Schalterellement an
Stelle einer Diode ein Transistor verwendet wird,
Fig. 10 eine Schnittdarstellung der Speichermatrix
gemäß Fi g. 9 entlang der Schnittlinie 10-10 in dieser
Figur in größerem Maßstab,
Fig. 11 ein Schnitt durch die Speichermatrix gemäß Fig. 9 entlang der Schnittlinie 11-11 in dieser
Figur in größerem Maßstab,
Fig. 12 ein Schema der Speichennalrix gemäß
F i g. 9 unter Veranschaulichung der verschiedenen, damit verbundenen Lese- und Schreibschaltungen,
Fig. 13 eine Ansicht eines Teiles einer als integrierte
Schaltung ausgebildeten Speichermaitrix zur Veranschaulichung einer abgewandelten Ausführungsform
einer Konstruktion gemäß der Erfindung, in größerem Maßstab,
Fig. 13A ein Schnitt durch die Matrix gemäß
Fig. 13 entlang der Linie 13A-13A in Fig. 13,
Fig. 14 ein Schnitt entlang der Linie 14-14 in Fig. 13 in größerem Maßstab,
Fig. 15 ein Ausschnitt einer Ansicht einer als integrierte Schaltung ausgebildeten Speicherrnatrix gemäß
einer weiteren abgewandelten Ausführuiigsform der Erfindung in größerem Maßstab,
Fig. 15A ein Schnitt durch die Matrix gemäß
Fig. 14 entlang der Linie 15 A-15 A und
Fig. 16 ein Schnitt entlang der Linie 16-16 in
Fig. 15.
Gemäß Fig. 1 weist die Soeichermatrix 2 ρϊπρ
20 Π
Reihe von zueinander unter rechten Winkel stehenden X- und Y-Leiterriauf, die als Leiter Xn X„ usw.
beziehungsweise Y1, Y2 usw. bezeichnet sind". Die
X- und Y-Leiter erscheinen in einer zweidimensionalen
Zeichnung als einander schneidende Linien, stehen jedoch im Räum nicht körperlich miteinander
-in Berührung. Die; X- und Y-Leiter sind vielmehr an
jedem Kreuzungspunkt oder in dessen Nähe durch eine Reihenschaltung miteinander verbunden, die aus
einem speicherfähigen Schalterelement 4 und (bei einer »Lese- und Schreibe-Matrix) einem isolierenden
Trennclement 6, hier eine Diode 6 besteht. Die Information wird an jedem Kreuzungspunkt vorzugsweise
in der Forn-, eines Binärsymbols »1« oder »0«
gespeichert, die durch den Zustand des Schalterelements 4 angezeigt wird. Gemäß der Erfindung ist die
binär codierte Information an jedem Kreuzungspunkt dadurch bestimmt, ob sich das Schalterelement 4
an diesem Punkt im Zustand niedrigen Widerstands
— der hier willkürlich als dem Binärsymbol »1« zugeordnet gelten soll — oder im Zustand hohen Widerstands
— der hier willkürlich als dem Binärsymbol »0« zugeordnet gelten soll — befindet. Das Trennelement
6 isoliert jeden Kreuzungspunkt von den übrigen Kreuzungspunkten.
Zum Anschließen einer oder mehrerer Spannungsqueilen
zwischen einem gewählten X- und einem gewählten Y-Leiter für das Einstellen, Rückstellen bzw.
Lesen der Information an diesem Kreuzungspunkt
— wobei das Einstellen ein »Schreibvorgang« ist — ist ein Schaltsystem vorgesehen, dessen Einzelheiten
sehr unterschiedlich sein können. Wie dargestellt, ist jeder ΛΤ-Leiter mit dem einen der Enden eines Satzes
von drei parallelgeschalteten Schaltern 8, 8' und 8" verbunden (deren Bezugszeichen noch um die Angabe
der Nummer des zugeordneten ^-Leiters erweitert sind), und die anderen Anschlüsse der Schalter sind
mit Einstell-, Rückstell- und Leseleitungen 11, 11', 11" verbunden. Die Einstelleitung 11 ist über einen
Widerstand 12 mit einer positiven Klemme 14 einer Gleichspannungsquelle 116 verbunden, die eine Spannung
von + V 2 in Volt liefert. Die negative Klemme 14' der Gleichspannungsquelle 16 ist an Masse 20
gelegt, so daß die Spannung der Klemme 14 in bezug auf Masse 20 -4- V 2 Volt beträgt. Die Rückstelleitung
11' ist über einen verhältnismäßig kleinen Widerstand 22 mit der positiven Klemme 24 einer Gleichspannungsquelle
26 verbunden, deren negative Klemme 24' an Masse 20 lieg". Die positive Klemme 24 gibt
eine Spannung von + V 1 Volt über die Masse 20 ab. Die Leseleitung 11" ist: ebenfalls mit der positiven
Klemme 24 der Spannungsquelle 26, jedoch über einen Widerstand 28, verbunden.
Jeder Y-Leiter ist mit einem der Anschlüsse eines Satzes paralleler Schalter 10, 10', 10" verbunden,
deren Bezugszeichen ebenfalls durch eine weitere Nummer erweitert ist, die der Nummer des entsprechenden
X- oder Y-Leiters entspricht. Die anderen Anschlüsse dieser Schalter sind mit einer gemeinsamen
Masseleitung 30 verbunden. δο
Die Schalter 8, 8', 8'", 10, 10' und 10" können mit hoher Geschwindigkeit arbeitende elektronische
Schalter oder Kontakte sein. Es werden elektronische Schnellschalter bevorzugt. Zum Schließen eines bestimmten
Paares von Schaltern zum Anschluß der ausgewählten X- und Y-Leiter mit der betreffenden positiven
bzw. negativen Spannungsquelle sind (nicht dargestellt) Schaltersteuereinrichtungen vorgesehen.
Wie bereits angedeutet,, ist jedes speichernde Schalterelement 4 eine Schwellenvorrichtung, d. h., daß,
wenn es sich im Zustand Hohen Widerstands befindet, eine Spannung, die mindestens gleich einer gegebenen
Schwellenspannung ist, angelegt werden muß, um das Element in den stabilen Zustand, niedrigen
Widerstands zu treiben Oder überzuführen, der darm erhalten bleibt, selbst wenn die angelegte Spannung
oder der Strom völlig verschwinden, bis es durch einen Rückstellstromimpuls zurückgestellt wird; d. h.,
daß eine stabile bzw. nicht flüchtige Speichervorrichtung vorliegt. Um ein Binärsymbol »1« in das Schalterelement
an einem beliebigen Kreuzungspunkt einzuspeichern, muß eine Spannung an den ausgewählten
X- und Y-Leiter angelegt werden, deren Polarität derart ist, daß ein Strom durch die zugeordnete
Diode — das Trennelement 6 — geschickt wird, die in ihrer leitfähigen Richtung einen im Vergleich zu
dem hohen Widerstand des Schalterelements 4 verhältnismäßig geringen Widerstand haben soll, wobei
die Größe der Spannung gleich oder größer als die Schwellenspannung der Schalterelemente 4 ist. Wenn
beispielsweise das speichernde Schalterelement 4 eine Schwellenspannung von 20 V hat, so bedeutet dies,
daß die Lieferspannung V2 der Gleichspannungsquelle
16 größer als 20 V sein sollte. Wenn in einem bestimmten Schalterelement 4 das Binärsymbol 1 gespeichert
ist, wird durch das Anlegen einer Lesespannung V1 (Fig. 2A) an den betreffenden X- und
Y-Leiter, die kleiner ist als die Schwellenspannung des betreffenden Schalterelements 4 ein nennenswerter
Lesestrom (Fig. 2B) durch den Widerstand 28 zum Fließen gebracht, der mit der Leseleitung 11" in
Reihe geschaltet ist, da sich das Schalterelement 4 im Zustand niedrigen Widerstands befindet. Wenn sich
andererseits das gewählte Schalterelement 4 im Zustand hohen Widerstands befindet, ist diese Lesespannung
nicht hoch genug, um das speichernde Schalterelement 4 in den Zustand niedrigen Widerstands
zurückzuführen, so daß durch den Widerstand 28 im wesentlichen kein Strom fließt. Dementsprechend ist
ein Lesestromkreis 31 vorgesehen, der den Spannungsabfall über den Widerstand 28 ermittelt, um
festzustellen, ob sich der ausgewählte Kreuzungspunkt in seinem dem Binärsymbol »1« oder dem dem Binärsymbol
»0« zugeordneten Zustand befindet.
Um ein speicherndes Schalterelement 4 in den »0«-Zustand oder den Zustand hohen Widerstands
zurückzuführen, wird die Lieferspannung V1 der
Gleichspanmingsquelle 26 an den betreffenden X-
und Y-Leiter angelegt. Bei den z. B. in der US-PS 32 71591 beschriebenen speichernden Halbleitermaterialien
wird diese Spannung während einer sehr kurzen Zeitspanne, beispielsweise 10 με oder -weniger, angelegt,
um einen kurzen Rückstellstromimpuls zu erzeugen (Fig. 2B), der den WeIlL1 überschreitet.
Wie in Fig. 2A angedeutet, beträgt die dort beispielsweise
angegebene Rückstellspannung V1 17,5 V; das ist weniger als die Schwellenspanmmg Vm (20 V)
des Schalterelements 4. Der Widerstand 22 ist natürlich so gewählt, daß ein Rückstellstrom zum Fließen
gebracht wird, der mindestens gleich dem in F i g. 2 B angedeuteten Wert L1 ist
Gemäß F i g. 3 ist die typische Strom-Spannungs-Charakteristik jedes speichernden Schalterelements 4
im Zustand hohen Widerstands, und gemäß Fig. 4 diejenige für jedes speichernde Schalterelement 4 im
Zustand niedrigen Widerstands verständlich. Ein ty-
9 ' 10
pischer Bereich niedriger Spannungswerte für eine leitenden Trägerkörper 32 bildet, innerhalb dessei
als Schalterelement anzusehende Speichervorrichtung die die y-Leiter bildenden Bereiche Y1, Y2 usw
des in der obengenannten Patentschrift offenbarten tief eingebettet sind. Die Bereiche der Epitaxialschich
Typs ist von 1 bis lOOOß, und ein typischer Bereich 326, die über den Bereichen Y1, Y2 usw. liegen
hoher Widerstandswerte für eine solche Vorrichtung 5 sind dann leicht dotiert, so daß sie Bereiche 6 a von
liegt beim Hundertfachen des letzteren Wertes in Ω p-Leitfähigkeitstyp bilden, die sich durch die ganz«
oder darüber. Epitaxialschicht 326 hindurch bis zur Berührung mi
Im Betrieb dieser Schalterelemente 4 erfolgt das dem ihnen zugeordneten Y-Leiter erstrecken. Diesi
Umschalten zwischen den Zuständen hohen Wider- leicht dotierten Bereiche 6 a bilden die Anoden Verstands
und niedrigen Widerstands im wesentlichen io hältnismäßig hohen Widerstands von isolierender
augenblicklich, und es wird angenommen, daß diese pn-Flächendioden 6' und sind durch die n-leitender
Zustandsänderung entlang eines fadenförmigen Pfades Bereiche 6 c an ihren gegenüberliegenden Seiten isozwischen
im Abstand voneinander liegenden Punkten liert. Die Bereiche 6 c vom n-Leitfähigkeitstyp isolieauftritt,
die durch die mit dem Film oder der Schicht ren auch die Bereiche Y1, Y2 usw. voneinander. Bei
des das betreffende Schalterelement bildenden Halb- 15 der Matrix gemäß Fig. 5, 6Ä und 6B sind die Anleitermaterials
in Berührung befindlichen leitfähigen öden der Dioden 6' mit den zugehörigen y-Leitern
Elektroden bestimmt sind. Das in der genannten Pa- vereinigt, die von den Bereichen Y1, Y2 usw. untentschrift
beschriebene Halbleitermaterial ist in zwei mittelbar darunter gebildet sind. Die Kathoden 6 b
Richtungen wirksam, so daß das Umschalten ohne der einzelnen Dioden 6' sind durch wahlweises, leich-Rücksicht
auf die Polarität der angelegten Spannung 20 tes Dotieren der oberen Flächen der Epitaxialschicht
erfolgt. Es ist ferner beim Betrachten der F i g. 4 er- 32 b über einen Flächenbereich in der Nähe jedes
sichtlich, daß im Zustand niedrigen Widerstands die Kreuzungspunktes der Matrix mit Dotiermaterial vom
Stromleitung im wesentlichen dem Ohmschen Gesetz n-Leitfähigkeitstyp gebildet, so daß der die Kathode
folgt, d. h. einer Erhöhung des Spannungsabfalls über der Diode bildende Bereich jedes Kreuzungspunktes
das Schalterelement 4 eine Erhöhung des hindurch- 25 der Matrix von den die Kathoden der Dioden bildenfließenden
Stromes entspricht. In manchen Fällen den Bereiche ai.derer Kreuzungspunkte der Matrix
hat es sich jedoch gezeigt, daß die Stromleitung durch isoliert ist.
das Schalterelement 4 bei verhältnismäßig hohen Der Trägerkörper 32 trägt den Film oder die
Stromstärken unter im wesentlichen konstanten Span- Schicht 34 aus isolierendem Material derart, daß sich
nungsabfall über das Schaiterelement 4 stattfindet, 30 die Öffnungen 34 a in Deckung mit den die Kathoden
obwohl die Stromleitung bei niedrigeren Stromstärken bildenden Bereichen 6 b des Trägerkörpers 32 befin-
dem Ohmschen Gesetz folgt. den. Die Isolierschicht 34 kann einfach eine an der
Wie oben bereits angedeutet, befaßt sich die An- Luft oxydierte Fläche der Siliziumscheibe sein. (Es
wendung der Erfindung auf Matrizen mit einzigarti- muß darauf hingewiesen werden, daß, wenn die ver-
gen physikalischen Formen speichernder Matrizen, 35 schiedenen Bereiche des Trägerkörpers mit Mate-
von denen eine in Fig. 5, 6 A und 6B veranschaulicht rialien von entgegengesetzten Leitfähigkeitstypen do-
isi: tiert wären, die Öffnungen 34 a sich nicht in Deckung
Diese und andere Ausführungsformen der Erfin- mit den die Kathoden, sondern mit den die Anoden
dung weisen innerhalb eines halbleitenden Träger- der Dioden bildenden Bereichen in Deckung befin-
körpers 32 (F i g. 5 und 6 A) entweder die X- oder 40 den würden.) Der elektrische Anschluß jedes eine
die y-Leiter (im dargestellten Fall die y-Leiter) der Kathode bildenden Bereichs 6 ft des Trägerkörpers
Matrix auf, und bei »Schreib- und Lese«-Matrizen 32 wird durch einen aufgetragenen Kontaktstreifen
sind innerhalb des Trägerkörpers 32 auch isolierende 37 aus leitfähigem Material, wie Aluminium, herge-
Elemente, wie Dioden oder Transistoren gebildet. stellt, der auf der Isolierschicht 34 einen Leiter bil-
Die speichernden Schalterelemente 4 und die übrigen 45 det und sich in die zugehörige Öffnung 34 a in der
Leiter, also Y- oder Z-Leiter (hier die λ'-Leiter) der Isolierschicht 34 hinein erstreckt. Jeder leitfähige
Matrize sind an der Oberseite des Trägerkörpers 32 Kontaktstreifen 37 erstreckt sich unter das zugehö-
aus Halbleitermaterial als Filme aufgetragen. Der rige speichernde Schalterelement 4.
Trägerkörper 32 ist von einer Isolierschicht 34 über- Obwohl jedes Schalterelement 4 mannigfaltige
deckt, die in denjenigen ausgewählten Flächenteilen 50 Formen annehmen kann, besteht die bei der in
weggeätzt ist, in denen je die Diode oder den Tran- Fig. 6A und 6B gezeigten Ausfuhrungsform aus
sistor bildende Bereiche des Trägerkörpers 32 elek- einer unteren Elektrode 4 a, die aus einem im we-
trisch kontaktiert werden müssen. sentlichen amorphen (d. h. nicht makrokristallinen),
Der in Fig. 5 und 6 A dargestellte halbleitende hitzebeständigen, leitfähigen Material, vorzugsweise
Trägerkörper 32 ist vom n-Leitfähigkeitstyp (wobei 55 Molybdän besteht, das nicht ohne weiteres in die benatürlich
darauf hingewiesen werden muß, daß alle nachbarte Schicht des darauf aufgetragenen spei-Teile
des Trägerkörpers 32 von dem dem dargestell- chernden Halbleitermaterials hineinwandert. Andere
ten entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp sein können). bevorzugte hitzebeständige Materialien sind Wolfram,
Der Trägerkörper 32 weist einen unteren Hauptteil Niob, Tantal und hitzebeständige Metalloxyde, -carals
Grundschicht 32 α auf, der eine Siliziumscheibe 60 bide und -sulfide.
sein kann, auf der parallele Bereiche Y1, Y2 usw. von Im vorteilhaftesten Fall ist die hitzebeständige
stark ρ-I--dotiertem Leitfähigkeitstyp gebildet sind. Elektrode 4 a im amorphen Zustand aufgetragen, so
Es können bekannte Maskierverfahren verwendet daß sie mit dem im allgemeinen amorphen Zustand
werden, um zur Bildung der y-Leiter der Matrix des bevorzugten speichernden Halbleitermaterials ver-
Stromleitungspfade niedrigen Widerstands zu erzeu- 65 träglicher ist. Dies wird dadurch erreicht, daß ein
gen. Es ist eine Epitaxialschicht 32 δ aus Material verdampftes, hitzebeständiges Material auf einen
vom n-Leitfähigkeitstyp dargestellt, die auf der verhältnismäßig kalten Trägerkörper 32 aufgedampft
Grundschicht 32 a aufgewachsen ist und einen halb- wird, so daß das Molybdän schnell erstarrt und
amorph bleibt. Es ist anzunehmen, daß der Stromfluß durch ein Schalterelement 4 in einem begrenzten
oder fadenförmigen Pfad in dem Körper aus Halbleitermaterial auftritt. Zur Sicherung gleichbleibender
Leitfähigkeitseigenschaften in einem solchen Schallerelement 4 dürfte es wichtig sein, den Stromfluß
auf den gleichen Bereich und vorzugsweise auf denselben fadenförmigen Pfad durch den Körper aus
Halbleitermaterial bei jeder Überführung desselben in den leitfähigen Zustand zu beschränken. Dies wird
dadurch erreicht, daß eine Isolierschicht 4 b aus beispielsweise Aluminiumoxyd oder Silizium über jeder
Elektrodenschicht 4 a aufgetragen wird, die sich, wie dargestellt, vorteilhafterweise über die Stirnkanten
der Aluminiumschicht und Molybdänschicht hinaus erstreckt. Der Teil der Isolierschicht 4 b, der über
der aus Molybdän bestehenden Elektrodenschicht 4 a liegt, weist eine Pore oder ein darin gebildetes
kleines Loch 4 c auf, so daß nur ein kleiner Teil der oberen Fläche jeder unteren Elektrodenschicht 4 a so
für die Anbringung eines Films oder einer Schicht eines speichernden Halbleitermaterials 4 d, das über
jedem Loch 4 c und innerhalb desselben aufgetragen wird frei liegt, so daß das speichernde Halbleitermaterial
4 d, das darin aufgetragen wird, mit der unteren Elektrodenschicht 4 a über einen äußerst geringen
Flächenbereich in Berührung steht. Beispielsweise ist die Breite jedes Loches 4 c vorteilhafterweise im Bereich
von etwa 5 bis 40 μ, vorzugsweise etwa 20 μ. Dieses speichernde Halbleitermaterial 4d wird im
vorteilhaftesten Fall durch Verfahrensweisen der Kathodenzerstäubung oder des Niederschiagens im
Vakuum aufgetragen.
Obwohl das speichernde Halbleitermaterial 4d so
angebracht werden könnte, daß es die einzelnen Löeher 4 c gerade ausfüllt, können noch verläßlichere
Schalterelemente 4 geschaffen werden, indem solches Material über einen Flächenbereich aufgetragen
wird, der größer als das Loch 4 c ist und dessen Dicke so beschaffen ist, daß es nur einen Teil des
Loches 4 c ausfüllt. Der Rest des Loches 4 c wird dann vorteilhafterweise mit einem im wesentlichen
amorphen, hitzebestandigen, leitfähigen Material, wie Molybdän, ausgefüllt. Wenn das speichernde Halbleitermaterial
4d nicht in dieser Weise isoliert wäre, wie wenn es über das Loch 4 c überströmen würde,
könnte die Anbringung eines Films aus Molybdän von geringerer Dicke als der des speichernden Halbleitermaterials
4d zur Folge haben, daß eine Kante des speichernden Halbleitermaterials 4d frei liegt
und eine darüber angebrachte Schicht aus Aluminium das Halbleitermaterial berühren würde.
Die obere Elektrodenschicht 4 e aus Molybdän ist bei der vorteilhaftesten Ausführungsform der Erfindung
direkt von einer zugehörigen aufgetragenen Schicht eines die Z-Leiter bildenden Materials, wie
Aluminium., überdeckt, so daß eine maximale Packungsdichte der Matrizenleiter erzielt werden
kann.
Natürlich ist es erforderlich, die innere Elektrode 4 α jedes Schalterelements 4 von den äußeren leitfähigen
Schichten durch eine Isolierung von ausreichender Dicke elektrisch zu isolieren, so daß die
in der Schaltung vorhandenen und an den dünnen Filmen angelegten Spannungen nicht zu einem Zusammenbrechen
der Isolierung führen. Die Kanten der inneren aufgetragenen Kontaktstreifen 37 und
Elektroden 4 α aus leitfähigem Material sind besonders schwierig zu isolieren, da die Isolierschicht 4 b
an den Kanten dünner wird oder verschwindet. In einem solchen Fall ist über der Isolierschicht 4 b, wie
in F i g. 6 A gezeigt, vor dem Auftragen der die Z-Leiter bildenden Schicht (X6 in F i g. 6 A) über dem
Schalterelement 4 eine zweite Schicht 4 b' aus Isoliermaterial aufgetragen, die diese Kanten bedeckt und
wie dargestellt, eine ziemlich wesentliche Dicke aufweist.
Die die Z-Leiter bildenden Auftraget,, Af2, X3
usw. haben abwechselnd verbreiterte Endabschnitte, wie 40-2, 40-4, usw., die geeignete Anschlußpunkte
für den Anschluß äußerer Leiter an die ^-Leiter bilden. F i g. 5 zeigt nur eines der Enden der verschiedenen
Ä'-Leiter, und natürlich haben auch die gegenüberliegenden Enden der Leiter X1, X3, X5 usw.
solche verbreiterten Endabschnitte, ähnlich den verbreiterten Endabschintten 40-2, 40-4 usw. Diese abwechselnde
Ausbildung der Z-Leiter ermöglicht die Anordnung der verschiedenen Leiter in geringerem
Abstand voneinander und ermöglicht damit eine maximale Packungsdichte für diese Ausbildung von
integrierten Speichermatrizen.
Jeder ^-Leiter ist durch Ausätzen einer seichten öffnung oder eines Fensters 42 aus der darüberliegenden
Isolierschicht 34 zugänglich gemacht, so daß der p-Bereich 6a der Epitaxialschicht 32f>
freigelegt h,t. In dem Fenster 42 ist Aluminium od. dgl. aufgetragen,
so daß es mit dem p-Bereich eine Legierung oder eine enge elektrische Verbindung eingeht. (Wenn
die n- und p-Bereiche des Trägerkörpers 34 gegenüber der dargestellten Anordnung vertauscht werden,
muß der Bereich unter dem Fenster 42 vor Auftragen des Aluminiums in dem Fenster schwer dotiert
werden, um einen « + -Bereich zu schaffen).
In Fig. 7 und 8 ist eine Speichermatrix 2' mit einem halbleitenden Trägerkörper 32' dargestellt, die
im wesentlichen ähnlich der gemäß F i g. 5 ist, bei der jedoch die Grundschicht 32 a des Trägerkörpers
32 anstatt aus η-leitendem aus p-leitendem Material hergestellt ist und die Epitaxialschicht 32 b' eine
Schicht eines η-leitenden Materials ist, die auf der p-leitenden Grund schicht 32 a des Trägerkörpers 32
aufgewachsen ist. In einem solchen Fall sind die y-Leiter der Matrix 21 in einem Abstand voneinander
angeordnet und stark mit « + -leitenden Bereichen Y1, Y2' usw. an der oberen Fläche der Grundschicht
32 a des Trägerkörpers 32 dotiert. Auch sind dann die Bereiche 6c' der Epitaxialschicht 32 b an jeder
Seite der Bereiche Y1, Y2' stark dotiert, so daß
ρ τ -leitende Bereiche geschaffen sind, die sich vollständig
durch die Epitaxialschicht 32 b' hindurch erstrecken und mit der ursprünglichen Träger- oder
Grundschicht 32 α in Berührung stehen. Es bleiben dann getrennte Kanäle 6 a' in der ursprünglichen
Epitaxialschicht oberhalb jedes Y-Leiters erhalten, die mit diesen elektrisch leitend in Verbindung stehen'
Jeder dieser n-Ieitenden Isolierbereiche 6 a' wird zur
Kathode der isolierenden pn-Flächendiode 6'. Die schwer ρ + -dotierten Bereiche 6 c' isolieren außerdem
die ?i+-leitenden, die Leiter bildenden Bereiche der Matrix voneinander.
Die die Anoden bildenden Bereiche 6b' (Fig. 7)
sind in engen Abständen voneinander angeordnet, so daß eine Matrix von größerer Packungsdichte als bei
der Ausführungsfonn gemäß Fig. 5 geschaffen ist. Diese größere Packungsdichte wird dadurch ermöglicht,
daß die verbreiterten Endabschnitte der AT-Lei-
25
30
ter in der Ausführungsform gemäß F i g. 5 entfallen, so daß die Af-Leiter in geringeren Abständen angeordnet
werden können und daß die Schalterelemente 4' und die Af-Leher direkt oberhalb der die Anoden bildenden
Bereiche 6 b' angeordnet sind. In einem solchen Fall entfallen die ieitfähigen Kontaktstreifen 37
gemäß F i g. 5. Die Schalterelemente 4' an jedem Kreuzungspunkt der Matrix ähneln im Aufbau den
früher beschriebenen Schalterelementen 4, und in Fig. 8 werden entsprechende Bezugszeichen mit hinzugefügtem
Apostroph (') verwendet. Da Molybdänfilme in Dicken über 2,5 μ verhältnismäßig schwierig
herzustellen sind, wenn die Tiefe der Löcher 34 α' in der Isolierschicht derart ist, daß die zum Füllen der
öffnung und zum Übertreten über dieselbe erforderliehe
untere Molybdänelektrode diese Dicke überschreitet, kann jedes Loch 34 a', wie in F i g. 8 veranschaulicht,
mit Aluminium 37' aufgefüllt werden.
Ein weiterer Unterschied zwischen den Schalterelementen 4' und 4 besteht darin, daß die zweite
Schicht 4 b' aus siolierendem Material (F i g. 6 A) bei den Schalterelementen 4' gemäß F i g. 7 und 8 entfällt,
da die Kante der unteren aus Molybdän bestehenden Elektrodenschicht 4 a' so dünn ist, daß
die das Loch bildende Isolierschicht 4 b genügend dick ist, um deren Kante zu bedecken. (Bei der Ausführungsform
gemäß F i g. 5 erstreckt sich die Elektrodenschicht 4a direkt über die doppelte Dicke des
Ieitfähigen Kontaktstreifens 37, und die Elektrodenschicht 4 α ist von der einzigen porenbildenden Isolierschicht
4 b nicht ausreichend überdeckt.)
Die in F i g. 9 bis 11 dargestellte Speichermatrix 2"
weist innerhalb eines halbleitenden Trägerkörpers 32" vom p-Typ, der von einer Isolierschicht 34" überdeckt
ist, als isolierende Trennelemente 6" pnp-Transistoren an jedem Kreuzungspunkt der Matrix auf.
Bei dieser Ausführungsform der Erfindung sind die y-Leiter Y1", Y2", Y?" usw. an der Oberfläche des
halbleitenden Trägerkörpers 32" gebildet.
In diesem Fall weist der Trägerkörper 32" einen einen gemeinsamen Transistorkollektor bildenden Bereich
auf, der von dem Hauptteil des Trägerkörpers 32" gebildet ist und bei dem Ausführungsbeispiel der
Erfindung als Material vom p-Leitfähigkeitstyp dargestellt ist. An der Stelle jedes der Transistoren ist
ein eigener, eine Basis bildender Bereich 6 α vom n-Leitfähigkeitstyp gebildet. Wie in der Halbleitertechnik
bekannt, sind die die Basen bildenden Bereiche 6 a" durch Dotieren mit einem Material gebildet,
dessen Leitfähigkeitstyp dem des darunterliegenden Teiles des Trägerkörpers 32" entgegengesetzt
ist. In ähnlicher Weise weist der Trägerkörper 32" getrennte, Emitter bildende Bereiche 6 b" aus Material
vom p-Leitfähigkeitstyp auf, die an der Oberfläche des Trägerkörpers 32" und innerhalb der Umgrenzungen
der die Basis bildenden Bereiche 6 a" desselben angeordnet sind, wie dies in der Transistortechnik
bekannt ist.
Die Isolierschicht 34" hat eine öffnung 34 α" oberhalb jedes als Transistor ausgebildeten Trennelements
6", durch die die obere Fläche des zugehörigen, einen Emitter bildenden Bereiches 6b' frei
liegt. Die Isolierschicht 34" hat ebenfalls eine Öffnung 34 6" gegenüber jedem einen Transistor bildenden
Bereich des Trägerkörpers 32", der über einem Teil des die Basis bildenden Bereiches 6a" liegt und diesen
Bereich des Trägerkörpers 32" freigibt. Ein durch Auftrag hergestellter Kontaktstreifen 47 aus leit
40
45 fähigem Material an der Isolierschicht 34" erstreckt sich zwischen der frei liegenden Fläche des die Basis
bildenden Bereiches 6 a" des Trägerkörpers 32" zu dem zugehörigen Af-Leiter. Jedem Kreuzungspunkt
der Matrix ist ein durch Auftrag hergestellter Kontaktstreifen 37" aus leitfähigem Material zugeordnet,
der sich von dem zugehörigen, einen Emitter bildenden Bereich 6 b", der durch die Öffnung 34 a" in der
Isolierschicht freigelegt ist, zu der oberen aus Molybdän gebildeten Elektrodenschicht 4 e" des zugehörigen
Schalterelements 4" erstreckt.
Das speichernde Schalterelement 4" an jedem Kreuzungspunkt bei der Ausführungsform der Erfindung
gemäß F i g. 9 bis 11 stimmt im wesentlichen mit dem Schalterelement4' gemäß Fig. 8 überein,
und entsprechende Teile wurden daher ähnlich bezeichnet. Jedes dieser Schalterelemente 4" ist oberhalb
einer öffnung 34 c" angeordnet, die über dem zugehörigen Y-Leiter liegt, wie dies in F i g. 11 für
den Υ Leiter Y1" veranschaulicht ist. Die Öffnung
34 c" unterhalb der unteren Elektrodenschicht 4 a des Schalterelements 4" ist durch eine leitfähige Kontaktschicht
37' aus Aluminium od. dgl. aufgefüllt, die also den zugeordneten Y-Leiter und die untere Elektrodenschicht
4 α miteinander verbindet.
Die A--Leiter X1", X2" usw. der Matrix 2" (F i g. 9)
sind ähnlich denen gemäß Fig. 5. Die Enden der Y-Leiter Y1", Y2" usw. der Matrix 2" sind mit abwechselnd
verbreiterten Endabschnitten 50 versehen, die durch öffnungen 52 an der Oberseite der Matrix
zugänglich sind, so daß Leitungsdrähte direkt an die Y-Leiter angelötet werden können. Ein Überzug 54
aus leitfähigem Material kann an einer Seitenkante des halbleitenden Trägerkörpers 32" angebracht werden,
so daß der untere Teil desselben, der den gemeinsamen Kollektor der Transistoren der Trennelemente
6" bildet, wie in Fig. 12 veranschaulicht, an eine Gleichspannungsquelle 56 angeschlossen vterden
kann.
Obwohl die Dicke, die Breite und die Fläche der mannigfaltigen Schalterelemente der bisher beschriebenen
Matrizen in weiten Grenzen variabel sind, kann zur Verdeutlichung der Dank der vorliegenden
Erfindung ermöglichten Miniatursierung der Matrix das folgende Abmessungsbeispiel gegeben werden:
Größe der Schalterelemente 5 bis 50 μΐη
Breite Platzbedarf der Diode als
Trennelement 25 bis 130 μπι
Breite
Platzbedarf der Transistoren
als Trennelemente 25 · 5 μπι bis
150 · 200 μπι
Dicke des Aluminiumauftrags 1 bis 5 μπι
Dicke der Elektrodenschichten aus Molybdän 0,3 bis 1 μΐη
Dicke der Isolierschicht 1 bis 2 μΐη
Dicke des speichernden Halbleitermaterials 0,5 bis 1 um
Breite des Y-Leiterbereiches 100 bis 200 μπι
Breite der Z-Leiteraufträge 20 bis 60 μπι
Breite der Z-Leiteraufträge 20 bis 60 μπι
Abstand der ΛΓ-Leiter (Ausführungsbeispiel
nach
F i g. 8) 10 bis 200 μηι
F i g. 8) 10 bis 200 μηι
Abstand der Y-Leiter (Ausführungsbeispiel
nach
Fig. 8) 20 Η5 200μηι
Fig. 8) 20 Η5 200μηι
Fig. 12 veranschaulicht die Schaltung der Matrix 2" und beispielsweise die Lese- und Schreibschaltungen
für diese. Wie dargestellt, sind Basis- und Emitter-Elektroden jedes als Trennelement 6" dienenden
Transistors zwischen dem X- und dem Y-Leiter des zugehörigen Kreuzungspunktes der Matrix
2" in Reihe geschaltet. Ein Vorteil der Verwendung eines Transistors anstatt einer Diode in der
Matrix besteht darin, daß dadurch ein Stromstärkeoder Spannungsgewinn (im Falle der dargestellten
Schaltung ein Stromstärkegewinn) erzielt wird, durch den der Strom- oder Spannungsbedarf der Antriebsschaltungen weitgehend vermindert wird.
Da die Transistoren (Trennelemente 6") der im Beispiel dargestellten Schaltungen pnp-Transistoren
sind, sind die betreffenden ΛΓ-Leiter, die mit den
Basiselektroden der Transistoren verbunden sind, über geeignete Schalteinrichtungen 51-1, 51-2, usw.
mit der negativen Klemme 53 α der Gleichspannungsquelle S3 verbunden, deren gegenüberliegende Klemme
53 b an Masse gelegt ist. Jeder Y-Leiter ist mit einem eigenen Satz Schaltereinrichtungen (die vorzugsweise
elektronische Schalter und nicht mechanische Kontakte sind) beispielsweise der Y-Leiter Y1"
mit Schalteinrichtungen 55-1, 55'-l und 55"-l und der Y-Leiter Yn" mit Schalteinrichtungen 55-n,
S5'-n und 55"-n, verbunden. Die verschiedenen Sätze von Schalteinrichlungen sind mit einem gemeinsamen
Leiter 61 über je einen Widerstand, beispielsweise 60-1, 60-1' und 60"-l sowie 60-n, 6O'-n und 60 "n
und mit der positiven Klemme 62 a einer Gleichspannungsquelle 62 verbunden, deren negative Klemme
62 b an Masse liegt.
Die gemeinsamen Kollektoren sämtlicher Transistoren sind mit der negativen Klemme 56 α einer
Spannungsquelle 56 verbunden, deren positive Klemme 56 b an Masse liegt. Die Speisespannung der
Gleichspannungsquelle 56 ist geringer als die der Gleichspannungsquelle 53. Für einen Einstellvorgang
wird der betreffende Satz der oben beschriebenen Schalteinrichtungen eingeschaltet, um die ausgewählten
X- und Y-Leiter an die Gleichspannungsquellen 53 und 62 anzuschalten, so daß zuerst ein Strom in der
Basis- und der Emitter-Elektrode des Transistors an dem gewählten Kreuzungspunkt der Matrix und durch
diese Elektroden zum Fließen gebracht wird. Da durch Anlegen der Spannungsquelle 53 an das betreffende
Schalterelement 4" die Schwellenspannung überschritten wird, wird dieses aus dem ursprünglichen
Sperrzustand hohen Widerstands in einen Leiterzustand niedrigen Widerstands übergeführt.
Dann fließt der verstärkte Kollektorstrom in dem Transistor in der oben angedeuteten Weise. Die Spannung
sollte an dem betreffenden Kreuzungspunkt während einer verhältnismäßig langen Zeitspanne angelegt
werden, um zu gewährleisten, daß der Leiterzustand niedrigen Widerstands sicher herbeigeführt
wird. Zum Rückstellen werden die geeigneten Schalteinrichtungen eingeschaltet, um die Schaltung während
einer kurzen Zeitspannung an die Spannungsquellen 53 und 62 anzuschalten, so daß der erforderliche
Rückstellstrom, der durch den Wert der betreffenden Widerstände 6O'-l, 60'n usw. des Rückstellstromkreises
bestimmt ist. In ähnlicher Weise werden für einen Lesevorgang die zugeordneten Schalteinrichtungen
geschlossen, um in der bereits beschriebenen Weise die Schaltung für den Lesevorgang an
die geeigneten Spannungen und Stromstärken anzuschalten.
ίο Wenn über Aluminium, beispielsweise über die
Aluminiumschicht der Kontaktstreifen 37', andere leitfähige Elemente aufgelegt werden sollen, muß
darauf geachtet werden, daß ein Oxydieren der oberen Fläche des Aluminiums, das die Bildung eines guten
leitfähigen Pfades behindern könnte, ausgeschlossen oder auf ein Mindestmaß beschränkt bleibt. Das
Problem der Verhinderung oder äußersten Verminderung der Oxydation der oberen Fläche des Aluminiums
kann zur Gänze dadurch beseitigt werden, ao daß das Schalterelement in der für die Ausführungsbeispiele gemäß Fig. 13, 14 und gemäß Fig. 15,, 16
gezeigten Weise ausgebildet ist. Bei diesen Ausführungsformen ist die elektrische Verbindung mit den
Dioden oder Transistoren in den Trägerkörpern mittels Aluminiumschichten hergestellt, über denen
keine Leiter liegen, so daß ein Oxydieren der oberen Fläche der Aluminiumschichten keine abträgliche
Wirkung hat.
In Fig. 13, 13A und 14 ist eine integrierte Speichermatrix
70 innerhalb und auf einem Trägerkörper 72 gebildet. Sie unterscheidet sich von den anderen
beschriebenen Matrizen in der Eeziehung zwischen jedem speichernden Schalterelement 78 mit Löchern
bzw. Porenkonstruktion und der zugeordneten, innerhalb der Isolierschicht 82 gebildeten öffnung 86 zum
Freilegen des im Trägerkörper 72 gebildeten isolierenden Trennelements (Diode oder Transistor). Die
öffnungen 86 sind also seitlich jedes Schalterelements 78 angeordnet. Die untere Elektrodenschicht 88 aus
Molybdän od. dgl. ist direkt auf der Isolierschicht 82 aufgetragen und erstreckt sich in die Nähe der zugeordneten
öffnung 86. Eine Schicht 96 aus Aluminium od. dgl. ist über einen ausgedehnten Teil 88 a
jeder Elektrodenschicht 88 aufgetragen und reicht in die öffnung 86 hinein.
Der Trägerkörper 72 hat im Abstand voneinander liegende Bereiche aus einem Material vom n-Leitfähigkeitstyp,
die voneinander durch Bereiche eines Materials vom p-Leitfähigkeitstyp isoliert sind, wie
bei der Ausführungsform nach Fig.7 und 8. Der
Trägerkörper 72 weist ferner mehrere anodenbildende Übergangsbereiche 72 c auf, die getrennte pn-Flächendioden
bilden und die sich bis unter die öffnungen 86 erstrecken, so daß sie von den Aluminiumschichten
kontaktiert werden.
Innerhalb des Trägerkörpers 72 sind durch kräftiges Dotieren schmaler Bereiche, leitfähige Streifen
74-1, 74-2, 74-3, 74-6 usw., mit Dotiermaterial vom η+-Leitfähigkeitstyp zahlreiche AT-Leiter gebildet
Die Y-Leiter sind vorzugsweise durch Auftrag hergestellte leitfähige Streifen 76-1, 76-2, 76-3 usw. au:
Aluminium, die über den E'ektrodenstreifen 81-1 81-2, 81-3 aus amorphem Molybdän oder einen
anderen ähnlichen hitzebeständigen Material liegen das durch Auftrag direkt auf die Isolierschicht 82 an
Trägerkörper 72 hergestellt ist. Die Aluminium- um Molybdän-Streifen 76-1, 76-2, 76-3 usw., 81-1, 81-2
81-3 usw. haben verbreiterte Endteile, die Ar
xno ςι -vac
20 II 85!
Schlüsse in Form von Streifen 76-1', 76-2', 76-3' usw. und 81-1', 81-2', 81-3' usw. bilden. Der Anschluß
äußerer Stromkreise an die verbreiterten Endabschnitte 81-1', 81-2', 81-3' usw. wird durch Anlöten
od. dgl. hergestellt.
Eine Reihe verbreiterter öffnungen 84-1, 84-2, 84-3 usw. ist innerhalb der Isolierschicht 82, vorzugsweise
entlang der einen Seite des Trägerkörpers 72, gebildet, und diese erstrecken sich in diese Schicht
bis zu einer solchen Tiefe, daß ein Anschluß an die von den η+ -dotierten Streifen 74-1, 74-2, 74-3 usw.
gebildeten A'-Leiter möglich ist.
In F i g. 15, 15 A und 16 ist eine weitere abgewandelte
Ausführungsform der integrierten Speichermatrix 110 gezeigt. Hier sind in einem Trb'gerkörper 112
aus Material vom p-Typ mehrere parallele, im Abstand voneinander angeordnete Bereiche 112a vom
η-Typ gebildet, unter denen eine Reihe von A'-Leitern
pIs leitfähige Streifen 114-1, 114-2, 114-3 usw. gebildet ist, die aus schwer dotiertem η + -Material zo
bestehen. Am Trägerkörper 112 sind mehrere ebene
speichernde Schalterelemente 118 in Zeilen und Spalten gebildet. Innerhalb des Trägerkörpers 112 sind
in Abständen auf streifenförmigen Bereichen 112a vom η-Typ fluchtende, anodenbildende Übergangsbereiche
112fe vom p-Typ gebildet, die, wie bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 13, pn-Flächendioden
bilden. Uijer dem Trägerkörper 112 ist eine Isolierschicht 123, beispielsweise, wenn der Trägerkörper
112 aus Silizium besteht, aus Siliziumoxyd, gebildet, und durch geeignetes Ausätzen sind innerhalb
der Isolierschicht 123 mehrere öffnungen bzw. Löcher 124 gebildet, deren jedes mit einem der
anodenbildenden Übergangsbereiche 1122» vom p-Typ
in Deckung liegt. Eine Anzahl von parallelen, in Abständen voneinander liegenden, y-Leiter bildenden
Streifen 116-1, 116-2, 116-3 usw. aus Aluminium od. dgl. ist über entsprechenden, durch Auftrag hergestellten
Streifen aus elektrodenbildendem, hitzebeständigem Material, wie Molybdän, vorzugsweise
in amorphem Zustand, 117-1, 117-2, 117-3 usw. durch Auftrag hergestellt. Gleichzeitig, während die
Streifen des elektrodenbildenden Materials 117-1, 117-2, 117-3 usw. aufgetragen werden, werden
mehrere, im wesentlichen kreisringförmige, leitfähige Bereiche 126 aus dem gleichen Material auf die Isolierschicht
123 aufgebracht. Jeder kreisringförmige Auftrag 126 aus Molybdän hat einen eine Elektrode
bildenden Teil 126 a, der sich in Richtung auf einen zugeordneten elektrodenbildenden Teil 127 erstreckt
und in einem kurzen Abstand vor diesem endet, wobei dieser Teil 127 von einer Verlängerung des zugeordneten,
benachbarten Streifens 116-1,116-2,116-3 usw. aus Molybdän gebildet ist. Der zwischen je zwei
elektrodenbildenden Teilen 126a und 127 gebildete Spalt 129 ist mit einem Auftrag aus speicherndem
Halbleitermaterial 130 ausgefüllt, der ebenfalls über den elektrodenbildenden Teilen 126 a und 127 liegt
und mit diesen ein koplanares speicherndes Schaltelement bildet. Die Schwellenspanniing eines solchen
Schalterelements hängt unter anderem von dem Abstand zwischen den mit dieser in Berührung befindlichen
Elektroden ab.
Jedes Loch 124 ist mit einer im wesentlichen kreisringförmigen Aluminiumschicht 128 ausgefüllt, die
mit dem zugeordneten, anodenbildenden Bereich 112 b in Berührung steht und über dem zugeordneten,
kreisringförmigen leitfähigen Bereich 126 aus Molybdän liegt. Das Aluminium geht mit dem Trägerkörper
112 eine gute Bindung ein und verteilt den Strom im Interesse einer Verminderung der Wärme-
und Energieverluste, denn es ist ein besserer Leiter als das Molybdän. Das unter dem Aluminium liegende
Molybdän wird als elektrodenbildcndes Material für das betreffende speichernde Schalterelement und als
ein gutes Bindematerial gegenüber der Isolierschicht 123 gebraucht. Wie bei den anderen Ausführungsformen
der Erfindung haben die Aluminium- und Molybdänstreifen 116-1, 116-2, 116-3 usw., 117-1, 117-2,
117-3 usw. verbreiterte, Anschlüsse bildende Enden 116 a und 117 a, die in geeigneter Weise für den Anschluß
der Matrix 110 an die Steuerschaltungen anschließbar
sind. In ähnlicher Weise sind die innerhalb de-, Trägerkörpers 112 von den η+-dotierten Bereichen
114-1, 114-2, 114-3 usw. gebildeten Z-Leiter durch Löcher 122-1, 122-2, 122-3, 122-4 usw. freigelegt,
die aus der Isolierschicht 123 und dem Trägerkörper 112 herausgeätzt sind.
Wie aus dem Obigen ersichtlich, schafft die Erfindung also eine Kombination einer durch Filmaufträge
hergestellten Speichermatrix mit integrierten Schaltungen mit folgenden wesentlichen Merkmalen:
Ein halbleitender Trägerkörper, beispielsweise eine Siliziumscheibe mit verschiedenen dotierten Bereichen,
die Schaltungsbauelemente bilden, hat darauf durch Auftrag hergestellte, schalterbildende
Bauelemente aus Halbleitermaterial. Die Kombination einer integrierten Schaltung und eines Halbleiterschalters
bildet in wünschenswerter Weise eine Speichermatrix, bei der der Trägerkörper im Abstand
voneinander liegende, dotierte, leiterbildende Bereiche von einem gegebenen Leivfähigkeitstyp hat, die
sich im allgemeinen parallel zueinander in Abständen voneinander erstrecken. Im Abstand voneinander
parallelliegende Streifen aus leitfähigem Material sind auf einer filmartig dünnen Isolierschicht an einer
Fläche des Trägerkörpers durch Auftrag hergestellt und erstrecken sich im allgemeinen in der Querrichtung
der im Abstand voneinander liegenden, parallelen leiterbildenden Trägerkörperbereiche. In
der Nähe jedes wirksamen Kreuzungspunktes der in der Querrichtung verlaufenden Leiter ist am Trägerkörper
ein speicherndes Schaltelement mit zwei Anschlüssen gebildet, das ein durch Filmauftrag aufgebrachtes
speicherndes Halbleitermaterial aufweist, dessen im Abstand voneinander liegende Teile elektrisch
zwischen die einander kreuzenden Leiter an diesem Kreuzungspunkt geschaltet sind.
Hierzu 6 Blatt Zeichnungen
Claims (13)
1. Elektrische Speichermatrix in Kompaktbau-
mit einem Trägerkörper, mit einer Gruppe von in Reihen isoliert voneinander angeordneten
X Leitern, mit einer Gruppe von in Spalten angeyx,
ordneten Y-Leitern, von denen mindestens eine ^Gruppe in den Trägerkörper integriert bzw. ein-
^ gebettet ist, mit im Bereich der Kreuzungsstellen der Leiter angeordneten, zur Speicherung die-
·» snenden, halbleitenden, bistabilen Schalterelemenvten
die bei Überschreiten einer Schwellspannung -^vom Zustand hohen elektrischen Widerstands
- plötzlich in den Zustand niedrigen elektrischen Zustands umschalten und durch einen Stromimpuls
wieder in den Zustand hohen elektrischen Widerstands zurückschalten, und mit jeweils in
Reihen zu den bistabilen Schalterelementen geschalteten, halbleitenden Trennelementen, die
ihrerseits mit den Leitern der anderen Gruppe in Verbindung stehen, dadurch gekennzeichnet,
daß der Trägerkörper (32; 72; 112) aus Halbleitermaterial besteht, in das die Trennelemente
(6) eingebettet bzw. integriert sind und von dem leitfähige Streifen (Yn; 74; 114) eines
gegebenen Leitfähigkeitstypus die Leiter der in den Trägerkörper (32; 72; 112) eingebetteten
bzw. integrierten Leitergruppe bilden, während die andere Leitergruppe und die Schalterelemente
(4; 78; 118) an einer Seite des Trägerkörpers (32; 72; 112) abgeschiedene bzw. niedergeschlagene
Filme sind.
2. Speichermatrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trennelemente (6) aus
dem Halbleitermaterial des Trägerkörpers (32; 72; 112) gebildet sind.
3. Speichermatrix nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (32;
72; 112) aus Silizium eines im wesentlichen einzigen Leitfähigkeitstypus besteht und daß dessen
leitfähige Streifen (Yn; 74; 114) einen stark dotierten entgegengesetzten Leitfähigkeitstypus
aufweisen.
4. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Trennelemente (6) in der Nähe jeder Kreuzungsstelle angeordnete pn-dotierte Ubergangsbereiche
(6b; 72c; IUb) des Trägerkörpers (32; 72; 112)
sind.
5. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der
Trägerkörper (32; 112) eine mit einer der Leitergruppen versehene Isolierschicht (4 b; 123) trägt,
die im Bereich der Kreuzungsstelle jeweils ein Loch (4 c; 124) aufweist, das mit im wesentlichen
amorphem Halbleitermaterial (4d; 130) des Schalterelements (4; 78; 118) und gegebenenfalls
mit elektrodenbildendem Material (4e; 81; 117) gefüllt ist, das mit dem Schalterelement kontak- So
tiert ist.
6. Speichermatrix nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalterelemente (4; 78;
118) mit den Trennelementen (6) an den betreffenden Kreuzungsstellen buchtend angeordnet S5
sind.
7. Speichermatrix nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleitermaterial
(4d; 130) des Schalterelements (4; 78; 118) das Loch (4 c; 124) nur zu einem Bruchteil seiner
Tiefe ausfüllt und das elektrodenbildende Material^ e; 81; 117) das Loch (4 c; 124) schließlich
vollständig ausfüllt und mit den entsprechenden auf dem Trägerkörper (32; 72; 112) bzw. der
Isolierschicht (4 b; 123) aufgetragenen Y- bzw. AT-Leiter (76; 117) kontaktiert ist.
8. Speichermatrix nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrodenbildende Material
(4e; 81; 117) im wesentlichen amorph und hitzebeständig ist.
9. Speichermatrix nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das elektrodenbildende Material
(4e; 81; 117) aus der Gruppe Molybdän, Titan, Tantal, Niob und hitzebeständige Metalloxyde,
-carbide und -sulfide gewählt ist.
10. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der Übergangsbereich (6b; 72c; 1125) die Steuer- und Lastelektroden eines Transistors
bildet und zwei der Elektroden mit dem zugehörigen Schalterelement (4) in Reihe geschaltet
sind und sich die andere Elektrode zu einem Außenanschluß der Matrix erstreckt.
11. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper (32) aus einer Grundschicht
(32a) des Leitfähigkeitstyps η besteht, auf der die stark p-dotierten leitfähigen Streifen (Yn)
und darüber eine Epitaxialschicht (32 b) des Leitfähigkeitstypus η angeordnet ist, die in sieb bis
zu den zugeordneten anderen Leitern erstreckenden, gegenseitig isolierten Bereichen (6 a) über
den leitfähigen Streifen (Yn) schwach p-dotiert sind.
12. Speichermatrix nach Anspruch 11, dadurch
gekennzeichnet, daß die Außenbezirke der Übergangsbereiche (6 ft) der schwach p-dotierten Bereiche
(6 a) schwach η-dotiert sind.
13. Speichermatrix nach einem der vorhergehenden Anspräche, dadurch gekennzeichnet,
daß das Trennelement (6) über einen Kontaktstreifen (37) mit dem Schalterelement (4) verbunden
ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US80699469A | 1969-03-13 | 1969-03-13 | |
US88707669A | 1969-12-22 | 1969-12-22 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2011851A1 DE2011851A1 (de) | 1970-10-08 |
DE2011851B2 true DE2011851B2 (de) | 1976-03-25 |
DE2011851C3 DE2011851C3 (de) | 1981-03-12 |
Family
ID=27122944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2011851A Expired DE2011851C3 (de) | 1969-03-13 | 1970-03-12 | Elektrische Speichermatrix in Kompaktbauweise. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE747342A (de) |
CH (1) | CH523573A (de) |
DE (1) | DE2011851C3 (de) |
FR (1) | FR2037195B1 (de) |
GB (1) | GB1308711A (de) |
NL (1) | NL170201C (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004019860B4 (de) | 2004-04-23 | 2006-03-02 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Programmierung von CBRAM-Speicherzellen |
CN111123046B (zh) * | 2019-12-03 | 2022-06-10 | 国网河南省电力公司鹤壁供电公司 | 一种快速测量电缆绝缘强度的装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL262726A (de) * | 1960-03-23 | 1900-01-01 | ||
NL294168A (de) * | 1963-06-17 | |||
DE1212155B (de) * | 1964-02-05 | 1966-03-10 | Danfoss As | Elektrischer Speicher |
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SE313078B (de) * | 1964-08-07 | 1969-08-04 | Ericsson Telefon Ab L M | |
US3493932A (en) * | 1966-01-17 | 1970-02-03 | Ibm | Integrated switching matrix comprising field-effect devices |
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-
1970
- 1970-03-11 GB GB1165270A patent/GB1308711A/en not_active Expired
- 1970-03-12 FR FR7008944A patent/FR2037195B1/fr not_active Expired
- 1970-03-12 DE DE2011851A patent/DE2011851C3/de not_active Expired
- 1970-03-13 BE BE747342D patent/BE747342A/xx unknown
- 1970-03-13 CH CH378370A patent/CH523573A/de not_active IP Right Cessation
- 1970-03-13 NL NLAANVRAGE7003605,A patent/NL170201C/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL170201B (nl) | 1982-05-03 |
FR2037195B1 (de) | 1974-05-03 |
BE747342A (fr) | 1970-08-17 |
NL170201C (nl) | 1982-10-01 |
NL7003605A (de) | 1970-09-15 |
FR2037195A1 (de) | 1970-12-31 |
CH523573A (de) | 1972-05-31 |
DE2011851C3 (de) | 1981-03-12 |
GB1308711A (en) | 1973-03-07 |
DE2011851A1 (de) | 1970-10-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |