DE2010429A1 - Elektrische Schaltungsanordnung mit hermetischer Abdichtung - Google Patents
Elektrische Schaltungsanordnung mit hermetischer AbdichtungInfo
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Description
3 HANHOVtB · SCHACKSTRASSE 1 TELEFOM (0511) 814088 · KABEL PATENTION HANNOVER
Ee ist bekannt, Halbleiter und andere Schaltungselemente
, zu einer Schaltung zusammenzufassen und als Einheit einzukapseln.
Derartige Einheiten können umfangreichere Scha.it-
Hawker Slädeley Dynamics Ltd.
240/458
Elektrische Schaltungsanordnung mit hermetischer Abdichtung
funktionen übernehmen als einzelne Schaltungselemente. Dabei
werden Metallstifte oder -anschlüsse, die sich von der umgebenden Atmosphäre in das Innere der Einheit erstrecken,
mit eine Metallbasis enthaltenden Glas-Metall-Abdichtungen umgeben. Ebenfalls ist es bei Keramik- oder Glasteilen bekannt,
mit einem Glas eine Abdichtung für eine Leitung oder einen durch die Glasdichtung verlaufenden Metallstreifen herzustellen
oder die Keramik oder das Glas mit einer bei hohen Temperaturen gebrannten Schicht zu versehen und anschließend durch
eine Glasschicht abzudichten. Bei allen bekannten Anordnungen muß die Einheit noch zusätzlich mit einem endgültigen Metall-,
Glas- oder Keramik-Deckel versehen werden, der durch Löten,
Hartlöten oder Glasverschmelzung aufgebracht wird, nachdem die
Schaltungselemente in die Einheit eingefügt worden sind. Die meisten , wenn auch nicht alle, bekannten Anordnungen erfordern
die Verwendung von Drähten zwischen den Schaltungselementen
und den Ausgangs/Eingangs-Anschlußstiften oder Zuleitungen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektrische Schaltungsanordnung mit hermetischer Abdichtung
zu schaffen, die eine erhöhte Zuverlässigkeit insbesondere
an den Stellen gewährleistet, an denen elektrische Anschlüsse
in die Einheit hinein oder aus dieser herausgeführt sind.
Diese Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß die Abdichtung die Zuleitungen so umgibt, und daß die
mit den Zuleitungen verbundenen LeiterBüge auf dem Substrat
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so angeordnet sind, daß die Abdichtung sich sowohl über die j Zuleitungen als auch über die leiterzüge erstreckt.
Die Erhöhung der Zuverlässigkeit ergibt sich dadurch, '
daß die Eingangs- und Ausgangsanschlüsse innerhalb der hermetischen Abdichtung vorgesehen werden. Darüberhinaus können
in Weiterbildung der Erfindung auch Zwischenverbindungen oder ,
'■ Schaltungselemente ganz oder teilweise in der Zone liegen, die I
ι die hermetische Abdichtung bildet.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der ; Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher erläutert.
In der Zeichnung bedeuten:
Fig. 1 eine Schaltungsanordnung im Quer-
schnitt und
Pig. 2 einen Teil der Schaltungsanordnung
als Draufsicht.
Das als Basis dienende Substratikann metallisch sein
und teilweise oder ganz eine Schicht aus haftendem Oxid, Glas oder Keramikfilm tragen oder es kann ein Isolierstoff
sein (Glas, Glaskeramik oder Keramik), der in den Zonen, wo Eingangs- und Ausgangsanschlüsse hergestellt werden sollen,
mit die Anschlüsse metallisierenden oder leitenden Schichten Z
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versehen ist. Der Beschichtungsprozeß kann mittels "Seidensieb".
Offsetdruck oder nach anderen Materialtransfer- oder Druckverfahren hergestellt werden. Andere Zonen können ebenfalls
den jeweiligen Anforderungen entsprechend beschichtet werden, um die gewünschten Schaltungsfunktionen zu vervollständigen.
Diese Beschichtung wird dann in ihrer Lage fixiert, üblicherweise durch einen Brennprozeß unter hohen Temperaturen.
Im Anschluss daran können aufeinanderfolgende Beschichtungsprozesse
mit einem Isolator 3> einem Leiter 4, einem Isolator 5 und Leiterzügen 6 durchgeführt werden, um
insgesamt die gewünschten Verbindungen herzustellen. Eine oder auch mehrere dieser Schichten können je noch Bedarf
durch ein WiderstansmateTial oder durch ein hochgradig
dielektrisches Material ersetzt werden. Die Gesamtzahl der Schichten- zur Herstellung der notwendigen Zwischenverbindungen
kann beliebig groß sein. Die Zonen für die Eingangs/Ausgangs-Anschlüsse
brauchen nicht notwendigerweise zuerst gedruckt zu werden, obwohl dies bei Anwendung der Erfindung am
bequemsten ist. Diese Zonen können in einer oder mehreren späteren Verfahrensstufen überdruckt werden, um die Anbringung
der Zuleitungen zu erleichtern.
Die Ausgangsleitungen 7, die durch Ätzung aus Folienmaterial, durch Stanzen, Scheren oder Elektroformation hergestellt
sein können, werden an den genau gedruckten Zonen durch Schweißen, Hartlöten oder mittels eines leitenden Klebers
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so befestigt, daß die so hergestellten Verbindungen beim Erweichungspunkt
des abdichtenden Glases 10 nicht nennenswert ί
geschwächt werden. - :
Ein Rahmen 8 wird auf einer seiner Hauptoberflächen ■
mit einer Metallisierung 9 versehen, und auf seiner anderen ! ·
Hauptoberfläche mit einem abdichtenden Glas 10, beschichtet. I ™
Dieser Rahmen wird so auf die Anordnung gelegt, daß die mit ■
Glas beschichtete Seite mit den Zonen in Berührung kommt, :
in denen die Zuleitungen angebracht sind. Durch Erhitzen dieser ,
Anordnung auf die Erweichungstemperatur des Glases 10 oder ,
eine darüberliegende Temperatur und Zusammendrücken der j
Anordnung wird eine hermetische Abdichtung zwischen dem Rahmen ]
8 und dem Substrat 1 hergestellt. Es ist erwünscht, aber |
nicht für die Erfindung wesentlich, daß. das Glas 10 die j
Zuleitungen 7 dort umgibt, wo keine Metallisierung 2 ist. j
Hierdurch wird eine doppelte Abdichtung erreicht, nämlich eine j
zu den Zuleitungen und dem Rahmen/Substrat und die andere j
zu der Metallisierung und dem Rahmen/Substrat. ! |
Bevor die Abschlußkappen 11 (aus Metall, Glas oder
Keramik) durch Löten, Hartlöten, Schweißen oder Glasabdichtung
mittels bekannter Techniken aufgebracht werden, können
Schaltungselemente* durch Schweißen, Löten, Hartlöten oder
andere chemische oder physikalische Mittel der Schaltungsanordnung hinzugefügt werden.
Keramik) durch Löten, Hartlöten, Schweißen oder Glasabdichtung
mittels bekannter Techniken aufgebracht werden, können
Schaltungselemente* durch Schweißen, Löten, Hartlöten oder
andere chemische oder physikalische Mittel der Schaltungsanordnung hinzugefügt werden.
Eine alternative Ausführungeform der Erfindung besteht
ΊΓϋ¥Β"3Τ7ΤΊΒΓΒ"ΙΓ
darin, den Rahmen 8 und die Kappe 11 als eine hermetische Einheit vorzufabrizieren oder ein einziges massives Gebilde
zu verwenden, das mit dem Glas 10 beschichtet ist, so daß die Abdichtungseinheit in einem Verfahrensschritt herstellbar
ist. Das GlasiO kann durch ein organisches oder anorganisches Harz oder Gummi bei dieser Ausführungsform der Erfindung
ersetzt werden.
Eine andere Ausführungsform der Erfindung besteht darin, die Anordnung mit ihren Zuleitungen mit dem Glas 10
oder einem Harz oder Gummi zu beschichten und den Rahmen 8 oder die (zusammengesetzte ) Abschlusskappe wie oben beschrieben
zu befestigen.
Figur 2 zeigt einen Teil der Einheit in Draufsicht. An Ausgangszonen 17 und einen inneren Leiter 15 sind Widerstände
12, 13» 14 angeschlossen. Die leicht schraffierte Zone 18 stellt den mit der Glasabdichtung 10 bedeckten
Bereich dar, und es ist zu sehen, daß der Widerstand 12 und die eine seiner Zuleitungen 16 vollständig und die andere
Zuleitung 15 teilweise von der hermetischen Abdichtung bedeckt sind.
Vorzugsweise ist die Reihenfolge der Herstellung wie folgt; ,
Das Substrat , vorzugsweise 98,0 $>
reines Aluminiumoxid mit typisohen Abmessungen von 50 χ 25 x 1 mm wird mit einem
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20Ί OA29"
mehrschichtigen leitenden', Zwischenve'rb indungen enthaltenden
Schaltschema durch ein Siebdruckverfahren versehen.
Abwechselnd werden gemusterte Schichten aus leitendem Cermet (Electro Science Laboratories 8831 Gold) und Isolierglas
(Electro Science Laboratories 4610 Dielectric Coating) mittels Siebdruck auf das Substrat nach bekanntem Verfahren durch
Emulsionssiebe aus Edelstahl aufgebracht, und zwar wird für
den Druck der Leiter ein 325 Mesh-Sieb und für die dielektrische Beschichtung ein 200 Mesh-Sieb verwendet. Aufeinanderfolgende
Drucke werden in einem Ofen bei 1250C 30 Minuten lang getrocknet und in Luftatmosphäre in einem
Tunnelofen mit einstellbarem Temperaturprofil gebrannt.
Ein typisches Brennprofil weist einen Zyklus von 45 Minuten auf, in dem 10 Minuten lang eine Spitzentemperatur von 925°C
herrscht. Zwischenverbindungen zwischen leitenden Schichten werden durch "Fenster" hergestellt, die in den dielektrischen
Schichten belassen werden. Zuleitungsanschlüsse, vorzugsweise in Form quadratischer Kissen mit 1,3 mm Kantenlänge ΐ
werden durch zweifachen Siebdruck entlang den Rändern des |
Substrats aus Golä-Oermet (8831) zusammen mit dem Drucken von zwei leitenden Schichten hergestellt.
Falls, Widerstandsfilme für eine bestimmte Schaltung i
benötigt werden, so werden diese in der Herstellungsreihenfolge !
gedruckt und im Tunnelofen entsprechend ihrem besonderen I Brennschema (typisch ist ein Bereich von 500 bis 7000C) gebrannt.
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Nac.h dem Brennen werden sie mit Du Pont 8185 Encapsulant
geschützt, 30 Minuten lang in einem Ofen bei 125 C getrocknet und in einem Tunnelofen mit einem Temperaturzyklus von
25 Minuten, in dem 10 Minuten die Spitzentemperatur (typischer Wert 5000C) errreicht wird, gebrannt.
Die legierten ZuIeitungsrahmen (vorzugsweise aus
Nickel-Eisen-Legierung, die unter dem Handelsnamen "Telsoseal" erhältlich ist) werden durch doppelseitige Foto-Widerstands-Ätzung
aus 0,13 mm Folie hergestellt und dann in einer geringen Stärke von 0,005 mm mit»"KJeld-ekLeJciroplattiert,
um eine Oxidation des Metalls während des anschließenden Brennens der Abdichtungsglasur zu verhindern. Die Zuführungsrahmen werden so in einer Leere gehalten, daß die Zuleitungsanschlüsse etwa 1,8 mm von den Zuleitungen überlappt werden,
und die Zuleitungen werden dann auf die Anschlüsse mittels einer geschlitzten Elektrode unter Verwendung eines Impulses
von 1,2 Volt und 50 Millisekunden Dauer aufgeschweißt.
Ein Aluminiumoxidrahmen, vorzugsweise mit Außenabmessungen von 50 χ 25 x 1,5 mm und einer Wandstärke von
etwa 2,5 mm wird auf einer Seite durch Beschichtung mit (Electro Science Laboratories 5800B) Platin-Gold-Cermet
unter Verwendung einer Rolle metallisiert, 30 Minuten Ia^g
in einem Ofen bei 125 0 getrocknet und anschließend in einem Tunnelofen mit einem Zyklus von 45 Minuten und einer
Spitzentemperatur von 95O0O gebrannt.
Der Aluminiumoxidrahmen wird dann mit Beiner
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metallisierten Seite nach unten in eine Silikongummiform
von gleichen Grundabmessungen gelegt, und eine Mischung von
(Owens Illinois OO756B) Abdichtungsmittel mit 3 bis 4$
Polybutylmethacrylat, gelöst in Xylol und Butyl-CellOsolve-Acetat
wird in die Form auf die Oberseite des Rahmens mit einer Dicke von etwa 0,75 mm eingebracht. Die Abdichtungsmischung
wird dann mit der Form in einem Ofen bei 1250G
etwa eine Stunde lang getrocknet , um die Lösungsmittel zu entfernen, und anschließend wird der Rahmen mit der Abdichtungsschicht
fünfzehn Minuten lang in einer LuftatmoSphäre bei 425°C erhitzt , um den organischen Binder zu oxidieren und
zu entfernen und desgleichen die Abdichtung auf dem Rahmen
vorzuglasieren.
Der vorglasierte Rahmen wird dann gewendet auf das mit mehreren Schichten versehene Substrat mit dem daran ;
befestigten Zuleitungsrahmen aufgesetzt, so daß das Ab- : dichtungsmittel auf die Zuleitungen zu liegen kommt, und ;
deren Enden um etwa 0,75 mm überlappt. Die gesamte Anordnung
wird dann· in eine Druck-Lehre gebracht und in Luft in einem Tunnelofen mit einem 60 Minutenzyklus gebrannt, wobei 30
Minuten die Spitzentemperatur von 450° durchlaufen wird, · :
so daß die Glasur über und um die Zuleitungen herumfließt ;
und den Rahmen herunter bis zum Substrat um die Zuleitungen und über der Metallisierung abdichtet.
Schaltungselemente werden an der Oberfläche der
MehrschichtBchaltung durch eute tischen Verbund und Ultraschall
oder Thermokompressionsdrahtverbund angebracht oder auf einem
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Träger , der mit den geeigneten Anschlusspunkten durch Verdrahtung , Hartlötung oder Legierung verbunden ist.
Die Einheit wird abgedichtet, indem eine Platte aus einer Metallegierung (Nickel-Eisen oder dergleichen) deren
Abmessungen 50 χ 25 x 0,3 mm betragen, und die mit einer niedrigschmelzenden Legierung (z.B. einer eutektischen
Silber-Blei - oder Gold-Zinn-Legierung) beschichtet ist, auf die Oberseite der endgültigen Anordnung gelegt wird,
worauf eine Erhitzung mit einer Temperatur oberhalb des Schmelzpunktes der Legierung in Stickstoff-Wasserstoff-Mischungen
oder in einem Vakuumofen erfolgt.
-Patentansprüche-
00 9837/rS-0-σ:
Claims (5)
- -11-Patentansprüche17Elektrische Schaltungsanordnung mit hermetischer Abdichtung, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdichtung die Zuleitungen (7) so umgibt, und daß die mit den Zuleitungen verbundenen Leiterzüge (16) auf dem Substrat (1) so angeordnet sind, daß die Abdichtung sich sowohl über die Zuleitungen als auch über die Leiterzüge erstreckt.
- 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Abdichtungsmaterial Glas oder glaskeramisches Material ist. ·
- 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das verwendete Abdichtungsmaterial ein anorganisches oder organisches Harz oder Gummi ist.
- 4. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet« daß der Inhalt der Einheit aus einem Ein- oder Mehrschicht-Verbindungssystem besteht, bei dem zwei oder mehr Komponenten untereinander00983771-980verbunden sind.
- 5. Schaltungsanordnung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abdichtung der Einheit teilweise oder ganz eine oder mehrere der funktionellen Schaltungskomponenten einschließt.009837/1980Leerseite
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB500869A GB1259804A (en) | 1969-02-28 | 1969-02-28 | Improvements in or relating to the manufacture of electrical circuit assemblies |
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Publication Number | Publication Date |
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DE2010429A1 true DE2010429A1 (de) | 1970-09-10 |
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ID=9788012
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
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FR (1) | FR2033131A5 (de) |
GB (1) | GB1259804A (de) |
NL (1) | NL7002256A (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2937050A1 (de) * | 1978-09-14 | 1980-03-27 | Isotronics Inc | Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung |
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DE3017447A1 (de) * | 1979-05-10 | 1980-11-13 | Thomson Csf | Mikrogehaeuse fuer einen elektronischen schaltkreis und hybridschaltkreis, welcher ein solches mikrogehaeuse aufweist |
FR2653595A1 (fr) * | 1989-10-25 | 1991-04-26 | Valtronic France | Circuit electronique a grille d'interconnexion. |
EP0534133A1 (de) * | 1991-09-21 | 1993-03-31 | Alcatel SEL Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur isolierten Herausführung von Leiterbahnen aus einem Abschirmgehäuse |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2237937A (en) * | 1989-11-07 | 1991-05-15 | Ryan Mining Services Limited | Electric switch for use in hazardous environments |
-
1969
- 1969-02-28 GB GB500869A patent/GB1259804A/en not_active Expired
-
1970
- 1970-02-18 NL NL7002256A patent/NL7002256A/xx unknown
- 1970-02-27 DE DE19702010429 patent/DE2010429A1/de active Pending
- 1970-02-27 FR FR7007129A patent/FR2033131A5/fr not_active Expired
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2033131A5 (de) | 1970-11-27 |
NL7002256A (de) | 1970-09-01 |
GB1259804A (en) | 1972-01-12 |
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