DE2010264A1 - Matrixspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents

Description

Matrixspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung

Es sind Matrixspeicher bekannt, bei denen die Wort- oder Buchstabenzeilen und die Bitzeilen aus Metallbändern bestehen, die von einer Isolierunterlage getragen werden und sich im rechten Winkel kreuzen. Hierbei sind die beiden Zeilen jeweils in einer Ebene angeordnet und durch eine Isolierschicht voneinander getrennt. Weiterhin sind bestimmte Verbindungselemente - wie Widerstände, Kondensatoren, Diodenvorgesehen, welche bestimmte der Bitzeilen mit bestimmten Wortzeilen verbinden.

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Man weiß, daß mit einem derartigen Schichtaufbau die Informationsdichte des Speichers erhöht werden kann (da es möglich ist, eine sehr große Zahl von Komponenten auf der gleichen Unterlage unterzubringen) und daß die Zugriffszeit und die Größe der Steuerströme verringert werden können, was besonders vorteilhaft für Elektronenrechner ist.

Eine derartige Matrix mit Schichtaufbau weist einen großen Nachteil auf. In Wirklichkeit haben die Metallbänder, beispielsweise aus Kupfer, nur eine Höhe von einigen Mikron, was zu einem erhöhten Widerstand führt, was für die übertragung der elektrischen Signale schädlich ist.

Die vorliegende Erfindung vermeidet diesen Nachteil. Sie bezieht sich auf einen Matrixspeicher mit einem Sohiehtaufbau und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Gemäß der Erfindung umfaßt der Matrixspeicher einerseits erste und zweite parallele Zeilen, welche aus leitenden Metallbändern bestehen, die auf einer Isolierunterlage derart angeordnet sind, daß die ersten Zeilen die zweiten Zeilen sich im rechten Winkel kreuzen, wobei die ersten Zeilen von den zweiten Zeilen isoliert sind, und andererseits Verbindungselemente vorgesehen sind, welche bestimmte erste Zeilen mit bestimmten zweiten Zeilen verbinden. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß jedes Metallband aus mindestens zwei übereinander angeordneten Bändchen besteht, wobei an den Kreuzungspunkten der Bänder einmal das untere Bändchen einer ersten Zeile mit einer ersten Unterbrechungsstelle versehen ist, durch die das fortlaufende untere Bändchen einer zweiten Zeile hindurchgeht und andererseits das obere Bändchen der zweiten Zeile mit einer zweiten Unterbrechungsstelle versehen ist, durch die das fortlaufende obere Bändchen der ersten Zeile hindurchgeht, wobei kein elektrischer Kontakt mit dem fortlaufenden unteren Bändchen der zweiten Zeile besteht.

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An den Kreuzungspunkten sind die Bitzeilen von den Buchstabenzeilen isoliert, während zwischen de.n Kreuzungspunkten "jede Zeile aus mindestens zwei Schichten gebildet wird. Der übertragungs widerst and der Zeilen ist somit verririgert und im Falle von zwei übereinanderliegenden Schichten gegenüber den bekannten Matrixspeichern mit Schichtaufbau praktisch um die ■ Hälfte kleiner.

Es ist verständlich, daß die Dicke jedes Bändchens gewählt werden kann und die Zahl der übereinander angeordneten Bändchen jedes Bandes ist festgelegt, damit die Leitfähigkeit einer Zeile den gewünschten Wert hat.

Um jeden Kontakt zwischen den Zeilen zu verhindern, weist die Matrix vorzugsweise an jedem Kreuzungspunkt ein Isolierplättchen auf, das zwischen dem einen fortlaufenden Bändchen der einen Zeile und dem anderen fortlaufenden Bändchen der anderen Zeile angeordnet ist. Weiterhin sind die Abschnitte der ersten Unterbrechungsstelle zwischen den unteren Bändchen der sich kreuzenden beiden Bänder ausgefüllt mit einem Isoliermaterial. . -

Die Matrix gemäß der Erfindung kann vorteilhafterweise mittels bekannter Arbeitsmethoden der Aufbringung und der Entfernung eier Schichten auf die bzw. von der Isolierunterlage erhalten werden.

Gemäß der Erfindung ist ein Varfahren zur Herstellung einer vorstehend definierten Matrix auf einer planen Isolierunterlage dadurch gekennzeichnet, daß auf diese Unterlage eine erste leitende Schicht aufgebracht wird, aus der man erste, parallele Ausschnittpaare ausätzt, die so angeordnet sind, daß sie ein rechtwinkliges Maschennetz bilden, sodann jeder Teil der Schicht-zwischen zwei benachbarten Ausschnitten mit einem loolierplättchen abgedeckt wird, das über die beiden Ränder-übersteht, und sodann eine zweite leitende Schicht aufgebracht wird. Aue diesen" beiden--leitenden Schichten wer-

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den die Bänder der beiden Zeilen so ausgeätzt, daß einerseits die ersten Bänder jeweils untere Bändchen aufweisen, die geradlinig die Teile der leitenden Unterschicht zwischen zwei benachbarten Ausschnitten miteinander verbinden und andererseits die zweiten Bänder rechtwinklig zu den ersten Bändern angeordnet sind, wobei die oberen Bändchen der zweiten Bänder über die Ausschnittpaare und die Isolierplättchen verlaufen, und sodann die oberen Bändchen der ersten Bänder in Abschnitten beidseits der oberen Bändchen der zweiten Bänder abgeätzt werden

Bei den vorerwähnten ersten Ausschnitten und den Abschnitten handelt es sich um die obenerwähnten ersten und zweiten Unterbrechungsstellen.

Vorzugsweise sind die Verbindungselemente zwischen den Buchstabenzeilen und den Bitzeilen Widerstände. Es ist deshalb möglich, auf die Isolierunterlage vor dem Aufbringen der ersten leitenden Schicht eine Schicht eines Materials mit einem elektrischen Widerstand aufzubringen und sodann in diese beiden Schichten die ersten Ausschnittpaare einzuätzen. Nachdem die Isolierplättchen aufgebracht sind, wird das Ganze mit einer zweiten leitenden Schicht versehen, und sodann aus den beiden leitenden Schichten und der Widerstandsschicht gleichzeitig mit den beiden Bändern eine Lamelle ausgeätzt. In diesem Arbeitsvorgang wird also in jeder der rechtwinkligen Maschen eine Lamelle geätzt, die über das Zentrum der Masche verläuft und eines der ersten Bänder mit einem der zweiten Bänder verbindet. Sodann werden die vorerwähnten zweiten Abschnitte gebildet und zumindest teilweise die beiden leitenden Schichten, die die Lamelle abdecken, entfernt.

Somit weist jede Masche einen Widerstand auf, der eine Buchstaben- oder Wortzeile mit einer Bitzeile verbindet. Zum Kodieren der gewünschten Informationen in den Speicher 1st es sodann notwendig, bestimmte Widerstände zu zerstören. Zu diesem Zwecke bedeckt man die Matrix mit einer Isolierenden Schutz-

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schicht, die in der Mitte jeder Masche ein Fenster besitzt, wobei die Fläche des Fensters merklich kleiner ist als diejenige der Masche.

Daraufhin bedeckt man die Matrix mit einer Schicht eines lichtempfindlichen Lackes, sodann mit einer geeigneten Maske und belichtet den Teil der Matrix, welcher nicht durch die Maske bedeckt ist. Es ist hierdurch möglich, bestimmte Fenster abzudecken. Es genügt, sodann die Matrix einem Ätzbad auszusetzen, um diejenigen Widerstände zu zerstören, die sich unter den nicht belichteten Fenstern befinden, um somit die gewünschte Information einzugeben.

Bei einer solchen Eingabe können Fehler auftreten. Außerdem kann es erwünscht sein, die eingegebenen Informationen zu ändern. Zu diesem Zweck enthält die Matrix zusätzliche Buchstabenzeilen, welche mit den entsprechenden Bitzeilen über Widerstände verbunden sind, wie sie zuvor beschrieben wurden, wobei die Widerstände in Serie liegen mit einem Bändchen, beispielsweise aus demselben Material wie der Widerstand, das bei einem Überstrom leicht schmilzt.

Wird über diese schmelzbaren Bändchen ein geeigneter Strom geleitet, ist es möglich, die Verbindung zwischen den Buchstabenzellen und den Bitzeilen zu unterbrechen.

Vorteilhafterweise sind an jedem Ende eines schmelzbaren Bändchens vergrößerte Flächen vorgesehen, um das Anlegen eines Überstromes an die Bändchen zum Unterbrechen zu erleichtern.

Die nachfolgende Beschreibung der Zeichnungen bezieht sich auf ein Ausführungsbeispiel der Erfindung.

Die Fig. 1 zeigt eine perspektivische Teilansicht eines Ausführungsbeispieles eines Matrixspeichers gemäß der Erfindung.

Die Flg. 2

bis 7 zeigen verschiedene Stufen der Herstellung eines Matrixspeichers gemäß der Erfindung.

Die Fig. 8 zeigt schematisch einen Matrixspeicher, welcher zusätzliche Zellen gemäß der Erfindung aufweist.

Der in Fig. 1 gezeigte Teil der Speichermatrix umfaßt, angeordnet auf einem planen Isolierträger bzw. Isolierunterlage 1, Zeilen 2 für die Wort- oder Buchstabengruppe und Bitzeilen 3· Die Buchstabenzeilen 2 sind untereinander, ebenso wie die Bitzeilen untereinander, parallel, wobei die Bitzeilen rechtwinklig zu den Buchstabenzeilen verlaufen. Durch jeweils zwei benachbarte Buchstabenzeilen und zwei benachbarte Bitzeilen werden rechtwinklige Maschen 4 gebildet, in deren Innerem Verbindungselemente angeordnet sind, welche bei diesem Matrixspeicher durch Widerstände in Form von Lamellen 5 gebildet werden. Diese lamellenförmigen Widerstände 5 verbinden eine Buchstabenzeile mit einer Bitzeile 3· Die Lamellen 5 verlaufen sinusförmig förmig und im wesentlichen durch das Zentrum der Maschen 4.

Jede der Buchstabenzeilen 2 besteht aus einem leitenden Metallband, welches von zwei übereinander angeordneten Fetallbändchen 6 und 7 gebildet wird. In gleicher Weise ist jede Bitzeile ein leitendes Metallband, welches von zwei übereinander angeordneten Metallbändchen 8 und 9 gebildet wird. Die Enden jeder Lamelle 5 sind jeweils einstückig mit Widerstandsbändchen und 11, welche jeweils unterhalb einem Band 2 bzw. einem Band angeordnet sind und in elektrischem Kontakt mit ihnen stehen.

Bei jeder Kreuzungsstelle eines Bandes 2 mit einem Band 3 weisen das Bändchen 11 und das untere Bändchen 8 eines Bandes 3 eine Unterbrechungsstelle 12 auf, durch welche, ohne in Kontakt mit den letzteren zu stehen, das Bändchen 10 und das untere Bändchen 6 des Bandes 2 verlaufen. An jeder Kreuzungsstelle zeigt weiterhin das obere Bändchen 7 eines

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Bandes 2 eine UnterlDrechungsstelle 13, durch welche, ohne in Kontakt mit dem Bändchen 7 zu stehen, das obere Bändchen 9 des Bandes 3 verläuft.

Das Band 2 und die Bändchen 10 sind von den Bändern 3 unä den Bändchen 11 isoliert. Um jeden Nebenschluß zwischen den Bändchen 6 und 9 zu verhindern, sind Isolierplättchen 14 zwischen ihnen angeordnet.

Eine derartige Matrix oder eine ähnliche Matrix kann einfach hergestellt werden durch ein Verfahren, welches nachstehend anhand der Fig. 2 bis 5 beschrieben wird. Das Verfahren verwendet die wohlbekannte Technik der Photogravur. Alle Arbeitsvorgänge, die für den Fachmann selbstverständlich sind, wie Reinigen, Aufbringen von Masken aus einer lichtempfindlichen Schicht, die Ätzung der Schichten usw. sind nicht besehrieben.

Auf der planen Oberfläche eines Isolierträgers 1 bringt man aufeinanderfolgend, beispielsweise durch Vakuumverdampfen, eine gleichmäßige .Widerstandsschicht 20 auf (beispielsweise eine Chromschicht, deren Widerstand in der Größenordnung von 100 0hm pro Quadrat liegt), sodann eine erste leitende Schicht 21 (beispielsweise aus Kupfer).

In diese beiden übereinander angeordneten Schichten 20 und 21 werden parallele Ausschnittpaare 22 und 23 ausgenommen (siehe Flg. 2), wobei zwischen ihnen ein Teil 24 der Schichten 20 und 21 bestehen bleibt. Die Ausschnittpaare werden so verteilt, daß sich ein Netz rechtwinkliger Maschen 4 ergibt (von denen eine in Fig. 2 gezeigt ist). Man bedeckt sodann jeden Teil 24 mit einem Isolierplättchen l4 , ""welches über die beiden Ränder de's Teiles 24 übersteht. Diese Isolierplättchen bestehen vorzugsweise aus einer Isolierschicht, beispielsweise aus Lack, welcher gleichmäßig auf die Schichten 20 und 21 aufgebracht und sodann durch Photogravur entsprechend ausgeschnitten wird.

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Diese Verfahrensweise hat den Vorteil, daß die Ausschnitte und 23 mit einer Isoliermasse ausgefüllt sind, welche - wie nachstehend noch ausgeführt wird - die Isolation der Buchstabenzeilen von den Bitzeilen bei jeder Kreuzung erleichtert.

Nach dem Aufbringen der Plättchen lH wird die Unterlage 1 von neuem (beispielsweise durch Aufdampfen) mit einer zweiten leitenden Schicht versehen, worauf sodann die drei Schichten (die Widerstandsschicht und die beiden leitenden Schichten) geätzt werden, so daß die Bänder der verschiedenen Zeilen und die Widerstandsbänder, welche die Buchstabenzeilen mit den Bitzeilen verbinden, erscheinen.

Die Bänder 2 der Buchstabenzeilen werden so geätzt, daß ihre unteren Bändchen 6 die Teile 24 der ersten leitenden Schicht zwischen den benachbarten Ausschnitten 22 und 23 und die sie in gerader Linie miteinander verbindenden Teile umfaßt. Die Bänder 3 der Bitzeilen sind rechtwinklig zu den Bändern 2 derart geätzt, daß ihre oberen Bändchen 9 (welche aus der zweiten leitenden Schicht geätzt sind) über die Ausschnittpaare 22 und 23 und über den Isolierplättchen 24 verlaufen.

Die unteren Bändchen der Zeilen 2 und 3 sind an jeder Kreuzungsstelle durch ein Ausschnittpaar 22 und 23 voneinander isoliert. Um die oberen Bändchen der Zellen voneinander zu isolieren, ätzt man in das obere Bändchen des Bandes 2 Ausschnittpaare 25 und 26 beidseJts des oberen Bändchens des Bandes 3·

Bei der Ätzung der Bänder 2 und 3 befinden sich unter diesen die Bänder 10 und 11 aus Widerstandsmaterial der Schicht 20. Man ätzt gleichermaßen in die beiden leitenden Schichten und die WiderstandsBchicht ein Band 50, dessen Verlauf in jeder Masche 4 ein Band 10 mit einem Band 11 verbindet (die Ihrerseits in elektrischem Kontakt mit den Bändern 2 und 3 stehen), wobei das Band 50 über das Zentrum der Masche verläuft.

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Damit ein Kurzschluß zwischen den Zeilen 2 und 3 vermieden wird, entfernt man mindestens teilweise diejenigen Teile der beiden leitenden Schichten des Bandes 50, die die Lamelle 5 abdecken. Hierzu bedeckt man die ebene Unterlage mit einer Schicht eines lichtempfindlichen Lacks 27 (siehe Fig. 5) ab, wobei Fenster 28 entstehen, die mindestens teilweise das Band 50 erscheinen lassen. Sodann werden die vom Lack nicht abgedeckten Teile der Wirkung eines Ätzbades ausgesetzt, welches die beiden leitenden Schichten beseitigt, ohne die Widerstandsschicht anzugreifen. Sodann beseitigt, man die Schicht 27·

Wie schon vorstehend ausgeführt wurde, ist es unerläßlich, bestimmte Widerstände 5 zu zerstören, um den Matrixspeicher in der gewünschten Weise kodieren zu können. Zu diesem Zweck bedeckt man die Matrix mit einer isolierenden Schutzschicht 29, welche ein Fenster 30 (siehe Fig. 6) in jeder Masche 4 aufweist, in welchem ein Teil des Widerstandes 5 sichtbar ist. Die Oberfläche jedes Fensters 30 ist merklich kleiner als diejenige einer Masche.

Zum Kodieren der Matrix ist es somit möglich, die gewünschten Widerstände zu unterbrechen, sei es durch Ausstanzen oder durch Ätzen der Teile der Widerstände 5,.die in den Fenstern 30 erscheinen. Es sei vermerkt, daß es für das Kodieren der Matrix ausreichend ist, die Verbindungsstrecken der Widerstände 5 zu unterbrechen. Es genügt also,,wenn nur eine der Streckenabschnitte des Widerstandes 5 jeweils in einem Fenster 30 sichtbar ist.

Zum Zerstören der Widerstände, die für das Kodieren der Matrix unterbrochen werden sollen, bedeckt man vorzugsweise die Matrix mit einer Schicht 31 eines lichtempfindlichen Lackes (siehe Fig. 7), sodann mit einer geeigneten Maske 32, welche bestimmte Maschen abdeckt. Man belichtet sodann die Teile der Matrix, welche durch die Maske 32 nicht abgedeckt sind, und beseitigt danach die nichtpolymerlBierten Teile der Schicht 31.Es ist

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somit möglich, bestimmte Fenster 30 abzudecken und andere freizulassen. Man setzt sodann die Matrix einem Ätzbad aus, um die Widerstände 5 zu beseitigen, welche nicht von den polymerisierten Teilen der Schicht 31 geschützt sind.

Es ist 'zu bemerken, daß die oben beschriebenen Arbeitsschritte, die dem Kodiervorgang vorausgehen, dazu dienen, nicht unterschiedliche, d. h. im Prinzip identische, Matrixplatten vorzubereiten. Für diese Arbeitsschritte benötigt man nur einen einzigen Werkzeugsatz. Die Genauigkeit, mit welcher die wesentlichen Eigenschaften der Matrixspeicher erhalten werden, welche mittels dieses Werkzeugsatzes hergestellt werden, hängt ab von der Genauigkeit, mit der dieser hergestellt und verwendet wird.

Es sei weiter vermerkt, daß die Arbeitsschritte für die Kodierung, die es ermöglichen, aus den nicht unterschiedlichen Matrixplatten unterschiedliche Matrixspeicher herzustellen, unterschiedliche Masken 32 erforderlich machen, entsprechend der gewünschten unterschiedlichen Kodierung. Es ist folglich vorteilhaft, daß diese Masken 32 mit den größtmöglichen Toleranzen hergestellt und verwendet werden, was auch der Grund dafür ist, daß die Flächen der Fenster 30 merklich kleiner sind als die Flächen der Maschen. Man sieht, daß, wenn der Teil der Maske 32, der dazu bestimmt ist, eine Masche abzudecken, annähernd dieselbe Abmessung hat wie die Masche selbst, die Toleranz der Abmessung und der Lage dieses Teils der Maske 32 in einer gegebenen Richtung proportional ist der Differenz zwischen der Abmessung der Masche und derjenigen des zugehörigen Fensters in der betrachteten Richtung. Es ist deshalb vorteilhaft, die Abmessungen der Fenster 30 möglichst weitgehend zu verringern, damit die Herstellungstoleranzen und die Toleranzen bei der Verwendung der Masken 32 größer werden.

Das Kodieren der Matrix kann somit in einem Verfahrensschritt durch Beseitigen der nicht gewünschten Widerstände durchgeführt werden. Um Kodierfehler zu kompensieren oder um die Kodierung

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zu modifizieren, ist es jedenfalls vorteilhaft, zusätzliche Buchstabenzeilen vorzusehen, welche durch Verbindungsleitungen mit den Bitzeilen verbunden sind, wobei die Verbindungen nach der Kodierung auf Wunsch unterbrochen werden können.

Zu diesem Zweck sind gemäß Fig. 8 die zusätzlichen Buchstabenzeilen 2 mit den Bitzeilen über einen Widerstand 5 verbunden, wobei der Widerstand 5 in Serie liegt mit einem Schmelzbändchen 33 (beispielsweise aus dem gleichen Material wie der Widerstand 5). An jeder Seite des Bändchens'33 sind vergrößerte Flächen 34 und 35 vorgesehen. Auf diesen Flächen 3^ und 35 können die Anschlüsse einer Stromquelle angelegt werden, deren Strom ausreichend ist, um das betreffende Bändchen 33 zu verflüchtigen.

Die vorstehende Beschreibung bezog sich auf einen Matrixspeicher, bei welchem die Verbindungselemente aus Widerständen bestehen.

Matrixspeicher gemäß der Erfindung, bei denen die Verbindungselemente nicht aus Widerständen bestehen, brauchen keine Widerst andsbändchen 10 und 11 unterhalb der Büchstabenzeilen und der ■ Bitzellen aufzuweisen..Diese Matrixspeicher können .in einem Verfahren hergestellt werden, welches ähnlich dem zuvor beschriebenen Verfahren ist, jedoch nicht das Aufbringen einer gleichmäßigen Widerstandsschicht 20 auf die Isolierunterlage 1 vor dem Auftragen der ersten leitenden Schicht enthält.

Abwandlungen des zuvor beschriebenen Herstellverfahrens, insbesondere der Ersatz durch technisch äquivalente Mittel, liegen im Rahmen der vorliegenden Erfindung.

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Claims (11)

Patentansprüche

1. Matrixspeicher mit einer ersten und zweiten Gruppe von Linien, die parallel verlaufen und von leitenden Metallbändern gebildet werden, die auf einer flachen Isolierunterlage derart angeordnet sind, daß jede Zeile der einen Gruppe alle Zeilen der anderen Gruppe im rechten Winkel kreuzt, wobei die sich kreuzenden Zeilen gegeneinander isoliert sind, und mit Verbindungselementen die bestimmten Zellen einer der Gruppen mit bestimmten Zeilen der anderen verbinden, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Metallband (2, 3) aus mindestens zwei übereinander liegenden Bändchen (6, 7, 8, 9) gebildet wird, wobei an den Kreuzungspunkten der Bänder einerseits das untere Bändchen (8) einer ersten Zeile (3) mit einer ersten UnterbrechungBBtelle (12) versehen 1st, durch die das fortlaufende untere Bändchen (6) einer zweiten Zeile (2) hindurchgeht, und andererseits das obere Bändchen (7) der zwei ten Zeile (2) mit einer zweiten Unterbrechungeetelle (13) versehen ist, durch die das fortlaufende obere Böndchen (9) der ersten Zeile (3) hindurchgeht, wobei kein Kontakt mit dem fortlaufenden unteren Bändchen (6) der zweiten Zeile (2) besteht.

2. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß an Jedem Kreuzungspunkt ein Isollerplättchen (14) zwischen den fortlaufenden Bändchen (6, 9) der beiden Zeilen (2, 3) angeordnet 1st, während die Teile der ersten Unterbrechungsstellen (12) zwischen den unteren Bändchen (6, 8) der sich kreuzenden Bänder mit einem Isolierstoff ausgefüllt sind.

3. Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Verbindungselemente von Widerständen gebildet werden, die aus Lamellen (5) aus einem Wider-

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standsmaterial bestehen, die die ersten mit den zweiten Zeilen verbinden.

4. Matrix nach Anspruch 1 und 3, dadurch g e kenn ζ * lehnet ₉ daß die ersten Zeilen mit den zweiten Zeilen über Lamellen (5) aus einem Widerstandsmaterial verbunden sind, wobei die Lamellen (5) X^ Serie liegen mit einem leicht schmelzbaren Bändchen (33)* an dessen Enden ein überstrom anlegbar ist.

5. Matrix nach Anspruch 1 und k₃ dadurch gekennzeichnet , daß an den Enden des schmelzbaren Bändchens (33) vergrößerte Flächen (3^, 35) vorgesehen sind.

6. Matrix nach Anspruch 1 und 3» dadurch gekennzeichnet , daß sie eine isolierende Schutzschicht (29) mit Penstern (30) aufweist, in welchen - zumindest teilweise - die Verbindungselemente (5) oder die Verbindungsleitungen der Verbindungselemente (5) sichtbar sind. ·

7. Verfahren zur Herstellung einer Matrix nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine plane Isolierunterlage (1) gleichförmig mit einer ersten leitenden Schicht (21) versehen wird» in die erste Paare paralleler Ausschnitte (22, 23) geätzt werden, die ein Netz von rechtwinkligen Maschen bilden, sodann jeder Teil (2k) der Schicht; zwischen zwei Ausschnitten (22, 23) mit Sinem !«olierplMttehen (14) bedeckt wird, das Über die Ränder d$s verbleibenden ^iles (2Ö) Ü^eyet^h^» übsr aas Gans* »ine zweite leitende Schicht auf-

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-inzwischen zwei benachbarten Ausschnitten (22, 23) und die sie geradlinig verbindenden Teile aufweisen und daß andererseits die zweiten Bänder (3) rechtwinklig zu den ersten Bändern (2) verlaufen und ihre oberen Bändchen (9) über die ersten Ausschnitte (22, 23) und die Isolierplättchen (I²I) verlaufen, sodann die oberen Bändchen (7) der ersten Bänder (2) in Abschnitten (25, 26) beidseits der oberen Bändchen (9) der zweiten Bänder (3) abgeätzt werden.

8. Verfahren nach Anspruch 7 bei einer Matrix, bei welcher die Verbindungselemente zwischen den ersten und zweiten Zeilen Widerstände sind, dadurch gekennzeichnet , daß auf die Isolierunterlage vor Aufbringen der ersten leitenden Schicht (21) eine Schicht (20) aus einem elektrischen Widerstandsmaterial aufgebracht wird, wobei dann in die beiden Schichten (20, 21) die ersten Paare paralleler Ausschnitte (22, 23) geätzt werden, sodann die Isolierplättchen (14) aufgebracht und das Ganze mit einer zweiten leitenden Schicht bedeckt wird, wobei da-. nach die Bänder (2, 3) aus den beiden leitenden Schichten und der Widerstandsschicht geätzt werden, zusammen mit einer Lamelle (50), welche innerhalb jeder rechtwinkligen Masche (4) angeordnet ist und dort durch das Zentrum der Masche verläuft und ein erstes Band mit einem zweiten Band verbindet, sodann die Abschnitte (25, 26)beidselts der zweiten Bänder geätzt werden und danach - zumindest teilweise die Teile der beiden leitenden Schichten der Lamelle (50) beseitigt werden*

9· Verfahren nach Anspruch ^₁ 4 i durch g β k en η teiohnst . dR0 -lie Matrix mit. einer iaolIeren4*N Schutzschicht- 129) ahgädcc^ö vird, '*ir? ein Fenster OQ) für

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Matrix mit einer Schicht (31) aus· lichtempfindlichem Lack abgedeckt wird und eine geeignete Maske (32) bestimmte Verbindungselemente (5) bedeckt und sodann belichtet wird, worauf der nicht polymerisiert Lack beseitigt wird, sodann die Matrix einem Ätzbad ausgesetzt wird, das geeignet 1st, das Material der Verbindungselemente (5) zu beseitigen.

10. Verfahren nach Anspruch 7 und 8, dadurch gekennzeichnet , daß gleichzeitig mit dem Ätzen der Widerstandslamellen (5) von der Widerstandsschicht (20) Schmelzbändchen (33) in Serie mit den Widerständen (5) gebildet werden.

11. Verfahren nach Anspruch 1 und 10, dadurch "gekenn zeichnet, daß zusammen mit dem Ätzen der WiderstandelameIlen (5) und der Slcherungsbändehen (33) aus.4er Widerstandsechicht (20) beidseits der Bändchen vergrößerte Flächen (3¹I, 35) geätzt werden.

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