DE19938808A1 - Verfahren und Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Gläsern und/oder Glaskeramiken mit Hilfe von IR-Strahlung - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von Gläsern und/oder Glaskeramiken mit Hilfe von IR-StrahlungInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum homogenen Erwärmen von semitransparenten und/oder transparenten Gläsern und/oder Glaskeramiken mit Hilfe von Infrarot-Strahlung, wodurch die Gläser und/oder Glaskeramiken einer Wärmebehandlung im Bereich von 20 DEG C bis 3000 DEG C, insbesondere im Bereich von 700 DEG C bis 1705 DEG C, unterzogen werden. DOLLAR A Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß DOLLAR A die Erwärmung durch einen Anteil direkt auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkender Infrarot-Strahlung sowie einen Anteil indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkender Infrarot-Strahlung erreicht wird, wobei der Anteil der indirekt auf das Glas und/oder die Glaskeramiken einwirkenden Strahlung mehr als 50% der Gesamtstrahlungsleistung beträgt.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum homogenen Erwärmen von
semitransparenten und/oder transparenten Gläsern und/oder Glaskeramiken
mit Hilfe von Infrarot-Strahlung, wodurch die Gläser und/oder Glaskeramiken
einer Wärmebehandlung, im Bereich von 20°C bis 3000°C unterzogen
werden, sowie eine Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von
semitransparenten und/oder transparenten Gläsern und/oder Glaskeramiken.
Transparentes Glas und/oder Glaskeramiken werden zum Einstellen von
bestimmten Materialeigenschaften, beispielsweise der Keramisierung meist auf
Temperaturen erwärmt, die vorzugsweise über dem unteren Kühlpunkt
(Viskosität η = 1014,5 dPas) liegen. Bei formgebenden Prozessen, insbesondere
der Heißnachverarbeitung, wird das transparente Glas und/oder die
Glaskeramik bis zum Verarbeitungspunkt (Viskosität η = 104 dPas) oder
darüber hinaus erwärmt. Typische untere Kühlpunkte können je nach Glasart
zwischen 282°C und 790°C, und typischerweise der Verarbeitungspunkt bis
zu 1705°C betragen.
Bislang wurden transparente Gläser und/oder Glaskeramiken beispielsweise
zur Keramisierung nach dem Stand der Technik vorzugsweise mit
Oberflächenheizungen erwärmt. Als Oberflächenheizung werden solche
Verfahren bezeichnet, bei denen mindestens 50% der gesamten
Wärmeleistung der Heizquelle in die Oberfläche bzw. oberflächennahen
Schichten des zu erwärmenden Objektes eingetragen werden.
Ist die Strahlungsquelle schwarz oder grau und weist sie eine Farbtemperatur
von 1500 K auf, so strahlt die Quelle 51% der Gesamtstrahlungsleistung in
einem Wellenlängenbereich über 2,7 µm ab. Beträgt die Farbtemperatur
weniger als 1500 K, wie bei den meisten elektrischen
Widerstandsheizelementen, so wird noch wesentlich mehr als 51% der
Strahlungsleistung oberhalb von 2,7 µm abgegeben.
Da die meisten Gläser in diesem Wellenlängenbereich eine Absorptionskante
aufweisen, wird 50% oder mehr der Strahlungsleistung von der Oberfläche
oder in oberflächennahen Schichten absorbiert. Es kann somit von
Oberflächenheizungen gesprochen werden. Eine andere Möglichkeit besteht
in der Erwärmung von Glas und Glaskeramiken mit einer Gasflamme, wobei
typische Flammtemperaturen bei 1000°C liegen. Eine derartige Erwärmung
erfolgt zum größten Teil durch direkte Übertragung der Wärmeenergie des
heißen Gases an die Oberfläche des Glases oder der Glaskeramik, so daß
hier von einer überwiegenden Oberflächenheizung ausgegangen werden
kann.
Im allgemeinen werden bei den zuvor beschriebenen Oberflächenheizungen
die Oberfläche bzw. oberflächennahe Schichten an den Stellen des Glases
oder der Glaskeramik erwärmt, die der Heizquelle gegenüber liegen. Das
übrige Glasvolumen beziehungsweise Glaskeramikvolumen muß somit
entsprechend durch Wärmeleitung innerhalb des Glases oder der
Glaskeramik aufgeheizt werden.
Da Glas bzw. Glaskeramik in der Regel eine sehr geringe Wärmeleitfähigkeit
im Bereich von 1 W / (m K) aufweist, muß Glas bzw. Glaskeramik mit
steigender Materialdicke immer langsamer aufgeheizt werden, um
Spannungen im Glas bzw. der Glaskeramik klein zu halten.
Ein weiterer Nachteil bekannter Systeme ist, daß, um eine homogene
Aufheizung der Oberfläche zu erzielen, die Oberfläche des Glases oder der
Glaskeramik möglichst vollständig mit Heizelementen bedeckt sein muß.
Herkömmlichen Beheizungsverfahren sind dabei Grenzen gesetzt. Mit
elektrischen Widerstandsheizungen aus Kanthaldrähten, wie sie vorzugsweise
eingesetzt werden, ist beispielsweise bei 1000°C nur eine Wandbelastung
von maximal 60 kW/m2 möglich, während ein vollflächiger schwarzer Strahler
derselben Temperatur eine Leistungsdichte von 149 kW/m2 abstrahlen
könnte.
Bei einer dichteren Packung der Heizelemente, gleichzusetzen mit einer
höheren Wandbelastung, würden diese sich selbst gegenseitig aufheizen, was
durch den resultierenden Wärmestau eine extreme Verkürzung der
Lebensdauer der Heizelemente nach sich ziehen würde.
Wenn eine homogene Aufheizung des Glases oder der Glaskeramik nicht
oder nur unzureichend gelingt, so hat dies unweigerlich Ungleichmäßigkeiten
beim Prozeß und/oder der Produktqualität zur Folge. Beispielsweise führt jede
Irregularität in der Prozeßführung beim Keramisierungsprozeß von
Glaskeramiken zu einem Durchbiegen oder Ausplatzen der Glaskeramik.
Aus der DE 42 02 944 C2 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung umfassend
IR-Strahler zum schnellen Erwärmen von Materialien, die oberhalb von 2500
nm eine hohe Absorption aufweisen, bekanntgeworden. Um die von den IR-
Strahlern abgegebene Wärme in das Material schnell eintragen zu können,
schlägt die DE 42 02 944 C2 die Verwendung eines Strahlungswandlers vor,
aus dem Sekundärstrahlung mit einem Wellenlängenbereich emittiert wird, der
gegenüber der Primärstrahlung ins Langwellige verschoben ist.
Eine in der Tiefe homogene Erwärmung von transparentem Glas unter
Verwendung kurzwelliger IR-Strahler beschreibt die US-A-3620706. Das
Verfahren gemäß der US-A-3620706 beruht darauf, daß die Absorptionslänge
der verwendeten Strahlung im Glas sehr viel größer ist als die Abmessungen
der zu erwärmenden Glasgegenstände, so daß der größte Teil der
auftreffenden Strahlung vom Glas hindurchgelassen wird und die absorbierte
Energie pro Volumen an jedem Punkt des Glaskörpers nahezu gleich ist.
Nachteilig an diesem Verfahren ist jedoch, daß keine über die Fläche
homogene Bestrahlung der Glasgegenstände gewährleistet ist, so daß die
Intensitätsverteilung der IR-Strahlungsquelle auf dem zu erwärmenden Glas
abgebildet wird. Zudem wird bei diesem Verfahren nur ein geringer Teil der
eingesetzten elektrischen Energie zur Erwärmung des Glases ausgenutzt.
Aufgabe der Erfindung ist es somit ein Verfahren und eine Vorrichtung zur
homogenen Aufheizung von semitransparenten beziehungsweise
transparenten Gläsern und Glaskeramiken anzugeben, mit dem die zuvor
beschriebenen Nachteile überwunden werden.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß bei einem
oberbegrifflichen Verfahren die Erwärmung des semitransparenten und/oder
transparenten Glases bzw. Glaskeramik durch einen Anteil direkt auf die
Gläser und/oder Glaskeramik einwirkender Infrarot-Strahlung sowie einen
Anteil indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkender Infrarot-
Strahlung erreicht wird, wobei der Anteil der indirekt auf das Glas
beziehungsweise die Glaskeramik einwirkenden Strahlung mehr als 50%,
bevorzugt mehr als 60%, bevorzugt mehr als 70%, besonders bevorzugt
mehr als 80%, besonders bevorzugt mehr als 90%, insbesondere mehr als
98% der Gesamtstrahlungsleistung beträgt.
Bevorzugt ist es, wenn die Infrarot-Strahlung kurzwellige Infrarot-Strahlung mit
einer Farbtemperatur größer als 1500 K, besonders bevorzugt größer als
2000 K ist.
In einer ersten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die indirekt
auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkende Infrarot-Strahlung
mindestens einen Anteil reflektierter und/oder gestreuter, insbesondere diffus
gestreuter Strahlung umfaßt. Vorteilhafterweise beträgt der Anteil der
kurzwelligen Infrarot-Strahlung, der vom Glas beziehungsweise der
Glaskeramik beim einmaligen Auftreffen nicht absorbiert wird, d. h. reflektiert,
gestreut oder durchgelassen wird, im Mittel mehr als 50% der von IR-
Strahlern abgegebenen Gesamt-Strahlungsleistung.
Will man beispielsweise langsam kühlen oder schnell aufheizen, so ist in einer
vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, daß das Verfahren in
einem umgrenzten Raum, vorzugsweise einem IR-Strahlungshohlraum,
durchgeführt wird. In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung eines
derartigen Verfahrens ist vorgesehen, daß die reflektierte und/oder gestreute
Infrarot-Strahlung von mindestens einem Teil der Wandflächen reflektiert
und/oder gestreut werden. IR-Strahlungshohlräume zeigen beispielsweise die
US-A-4789771 sowie die EP-A-0 133 847, deren Offenbarungsgehalt in die
vorliegende Anmeldung vollumfänglich miteinbezogen wird. Vorzugsweise
beträgt der Anteil der von dem Teil der Wandflächen reflektierten und/oder
gestreuten Infrarot-Strahlung mehr als 50% der auf diese Flächen
auftreffenden Strahlung.
Besonders bevorzugt ist es, wenn der Anteil der von dem Teil der
Wandflächen reflektierten und/oder gestreuten Infrarot-Strahlung mehr als
90%, beziehungsweise 95%, insbesondere mehr als 98%, beträgt.
Ein besonderer Vorteil der Verwendung eines IR-Strahlungshohlraumes ist des
weiteren, daß es sich bei Verwendung von sehr stark reflektierendem
beziehungsweise rückstreuenden Wandmaterialien um einen Resonator hoher
Güte Q handelt, der nur mit geringen Verlusten behaftet ist und daher eine
hohe Energieausnutzung gewährleistet.
In einer alternativen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die
indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkende Infrarot-Strahlung
einen Anteil von Infrarot-Strahlung umfaßt, der von einem Trägerkörper
absorbiert, in Wärme umgewandelt und an das thermisch mit dem
Trägerkörper verbundene Glas und/oder die Glaskeramik abgegeben wird.
In einer ersten Ausgestaltung dieser Alternative ist vorgesehen, daß als
Trägerkörper Keramikplatten verwendet werden.
Besonders vorteilhaft ist es, wenn es sich bei dem Trägerkörper um einen
hochwärmeleitfähigen Trägerkörper möglichst hoher Emissivität, vorzugsweise
aus SiSiC in Form von Scheiben handelt.
Besonders bevorzugt ist die Wärmeleitfähigkeit des Trägerkörpers im Bereich
der Wärmebehandlungstemperatur mindestens fünfmal so groß wie die des
zu behandelnden Glases oder der Glaskeramik.
Neben dem Verfahren stellt die Erfindung auch eine Vorrichtung zum
Durchführen des Verfahrens zur Verfügung. Die erfindungsgemäße
Vorrichtung zeichnet sich dadurch aus, daß Mittel zur Erzeugung von indirekt
auf die Gläser und/oder Glaskeramiken einwirkender Infrarot-Strahlung
vorgesehen sind, die derart angeordnet und beschaffen sind, daß der Anteil
der indirekt auf das Glas und/oder die Glaskeramik einwirkenden Strahlung
mehr als 50% der Gesamtstrahlungsleistung beträgt.
In einer ersten Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die Mittel zur
Erzeugung von indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramiken einwirkende
Infrarot-Strahlung Reflektoren und/oder Diffusoren zur Reflexion
beziehungsweise Streuung von Infrarot-Strahlung umfassen.
Als diffus rückstreuendes Material finden beispielsweise geschliffene Quarzal-
Platten mit beispielsweise einer Dicke von 30 mm Verwendung.
Auch andere die IR-Strahlung reflektierende beziehungsweise rückstreuende
Materialien sind möglich, beispielsweise eine oder mehrere der
nachfolgenden Materialien:
Al2O3; BaF2; BaTiO3; CaF2; CaTiO3;
MgO.3,5 Al2O3; MgO, SrF2; SiO2;
SrTiO3; TiO2; Spinell; Cordierit;
Cordierit-Sinterglaskeramik
MgO.3,5 Al2O3; MgO, SrF2; SiO2;
SrTiO3; TiO2; Spinell; Cordierit;
Cordierit-Sinterglaskeramik
Strebt man ein schnelles Heizen oder eine langsame Kühlung an, so ist mit
Vorteil vorgesehen, die Vorrichtung in einem umgrenzten Raum, insbesondere
einem IR-Strahlungshohlraum, unterzubringen.
In einer besonderen Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, daß die
Oberfläche der Wände des umgrenzten Raumes, vorzugsweise des IR-
Strahlungshohlraumes, die Reflektoren beziehungsweise Diffusoren umfaßt.
Eine Ausgestaltung eines Diffusors wäre beispielsweise eine Streuscheibe.
Besonders bevorzugt ist es, wenn die Reflektoren beziehungsweise Diffusoren
derart ausgestaltet sind, daß mehr als 50% der auf diese Flächen
auftreffenden Strahlung reflektiert beziehungsweise gestreut werden.
In einer alternativen Ausführungsform ist vorgesehen, daß die Mittel zur
Erzeugung von indirekter Strahlung einen Trägerkörper umfassen, der in
thermischem Kontakt mit den zu erwärmenden Gläsern und/oder
Glaskeramiken steht und einen Anteil der indirekten Infrarot-Strahlung
absorbiert.
Besonders bevorzugt ist es, wenn der Trägerkörper Keramikplatten,
vorzugsweise aus SiSiC umfaßt und die Emissivität des Trägerkörpers größer
als 0,5 ist. SiSiC weist eine hohe Wärmeleitfähigkeit sowie niedrige Porosität
auf sowie eine geringe Klebeneigung gegenüber Glas. Die niedrige Porosität
hat zur Folge, daß sich nur wenige unerwünschte Partikel in den Poren
sammeln können. Daher ist SiSiC für Arbeiten im direkten Kontakt mit Glas
besonders geeignet.
In einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung ist vorgesehen, daß die
Wärmeleitfähigkeit des Trägerkörpers im Bereich der
Wärmebehandlungstemperatur mindestens fünfmal so groß ist, wie die des zu
behandelnden Glases oder der Glaskeramik.
Die Erfindung soll nachfolgend beispielhaft anhand der Figuren sowie der
Ausführungsbeispiele beschrieben werden.
Es zeigen:
Fig. 1 den Transmissionsverlauf bei einer Dicke von 1 cm eines
typischen zu erwärmenden Glases.
Fig. 2 die Planck-Kurve des verwendeten IR-Strahlers mit einer
Temperatur von 2400 K.
Fig. 3A den prinzipiellen Aufbau einer Heizvorrichtung mit
Strahlungshohlraum.
Fig. 3B die die Remissionskurve über der Wellenlänge von Al2O3 Sintox
Al der Morgan Matroc, Troisdorf, mit einem Remissionsgrad
< 95% im nahen IR-Wellenlängenbereich.
Fig. 4 die Aufheizkurve eines Glases in einer Vorrichtung mit einem
absorbierenden Trägerkörper.
Fig. 5 die Aufheizkurve eines Glases in einer Heizvorrichtung
umfassend Diffusoren und Reflektoren.
Fig. 1 zeigt die Transmissionskurve über der Wellenlänge des für die
Vergleichsversuche der vorliegenden Erfindung verwendeten Glases. Das
Glas weist eine Dicke von 10 mm auf. Deutlich zu erkennen ist die typische
Absorptionskante bei 2,7 µm, über der Glas oder Glaskeramiken opak sind,
so daß die gesamte auftreffende Strahlung an der Oberfläche bzw. in den
oberflächennahen Schichten absorbiert wird.
Fig. 2 zeigt die Intensitätsverteilung der vorzugsweise zum Einsatz
gelangenden IR-Strahlungsquelle. Die zur Anwendung gelangenden IR-
Strahler sind lineare Halogen IR-Quarzrohrstrahler mit einer Nennleistung von
2000 W bei einer Spannung von 230 V, welche eine Farbtemperatur von
2400 K besitzen. Die IR-Strahler haben entsprechend dem Wienschen
Verschiebungsgesetz ihr Strahlungsmaximum bei einer Wellenlänge von
1210 nm.
Die Intensitätsverteilung der IR-Strahlungsquellen ergibt sich entsprechend
aus der Planck-Funktion eines schwarzen Körpers mit einer Temperatur von
2400 K. So folgt, daß eine nennenswerte Intensität, das heißt größer als 5%
des Strahlungsmaximums, im Wellenlängenbereich von 500 bis 5000 nm
abgestrahlt wird und insgesamt ca. 75% dar gesamten Strahlungsleistung auf
den Bereich über 1210 nm Wellenlänge entfallen.
In einer ersten Ausführungsform der Erfindung wird nur das Glühgut erwärmt,
während die Umgebung kalt bleibt. Die am Glühgut vorbeigehende Strahlung
wird durch Reflektoren oder diffuse Streuer oder diffuse Rückstreuer auf das
Glühgut gelenkt. Im Falle hoher Leistungsdichten und vorzugsweise
metallischer Reflektoren, sind die Reflektoren wassergekühlt, da das
Reflektormaterial ansonsten anlaufen würde. Diese Gefahr besteht
insbesondere bei Aluminium, das wegen seiner guten
Reflexionseigenschaften im kurzwelligen IR-Bereich gerne für Strahler
besonders großer Strahlungsleistung verwendet wird. Alternativ zu
metallischen Reflektoren können diffus rückstreuende keramische Diffusoren
oder partiell reflektierende und partiell rückstreuende glasierte keramische
Reflektoren, beispielsweise Al2O3, verwendet werden.
Ein Aufbau, bei dem nur das Glühgut erwärmt wird, kann nur dann
angewandt werden, wenn nach dem Aufheizen keine langsame Kühlung
erforderlich ist, die ohne isolierenden Raum nur mit ständigem Nachheizen
und nur mit sehr großem Aufwand mit einer akzeptablen
Temperaturhomogenität darstellbar ist.
Der Vorteil eines derartigen Aufbaues ist aber die leichte Zugänglichkeit des
Glühgutes, beispielsweise für einen Greifer, was insbesondere bei der
Heißformgebung von großem Interesse ist.
In einer alternativen Ausführungsform befindet sich die Heizeinrichtung und
das Glühgut in einem mit IR-Strahlern bestückten IR-Strahlungshohlraum. Das
setzt voraus, daß die Quarzglasstrahler selbst genügend temperaturbeständig
sind oder gekühlt werden. Das Quarzglasrohr ist bis etwa 1100°C einsetzbar.
Bevorzugt ist es, die Quarzglasrohre erheblich länger auszubilden als die
Heizwendel und aus dem Heißbereich herauszuführen, so daß die Anschlüsse
im Kaltbereich sind, um die elektrischen Anschlüssen nicht zu überhitzen. Die
Quarzglasrohre können mit und ohne Beschichtung ausgeführt sein.
In Fig. 3A ist eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen
Heizvorrichtung mit einem IR-Stahlungshohlraum dargestellt mit der die
Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens möglich ist, ohne daß die
Erfindung hierauf beschränkt wäre.
Die in Fig. 3A dargestellte Heizvorrichtung umfaßt eine Vielzahl von IR-
Strahlern 1, die unterhalb eines Reflektors 3 angeordnet sind. Durch den
Reflektor 3 wird erreicht, daß das zu erwärmende Glas bzw. Glaskeramik 5
von der Oberseite erhitzt wird. Die von den IR-Strahlern abgegebene IR-
Strahlung durchdringt die in diesem Wellenlängenbereich weitgehend
transparente Glas beziehungsweise die Glaskeramik 5 und trifft auf eine
Trägerplatte 7 aus stark reflektierendem beziehungsweise stark streuendem
Material. Besonders geeignet hierfür ist Quarzal, das auch im Infraroten
ungefähr 90% der auftreffenden Strahlung rückstreut. Alternativ hierzu könnte
auch hochreines, gesintertes Al2O3 Verwendung finden, das einen Rückstreu-,
d. h. Remissionsgrad von ungefähr 98% bei hinreichender Dicke aufweist.
Auf die Trägerplatte 7 wird die Glaskeramik 5 mit Hilfe von beispielsweise
Quarzal- oder Al2O3-Streifen 9 aufgesetzt. Die Temperatur der Glas- bzw.
Glaskeramikunterseite kann durch ein Loch 11 in der Trägerplatte mittels
eines nicht dargestellten Pyrometers gemessen werden.
Die Wände 10 können zusammen mit Reflektor 3 und Trägerplatte 7 bei
entsprechender Ausgestaltung mit reflektierendem Material, beispielsweise
Quarzal oder Al2O3, einen IR-Strahlungshohlraum hoher Güte ausbilden.
Fig. 4 zeigt die Heizkurve eines Borosilicatglases gemäß einem
erfindungsgemäßen Verfahren, wobei die Glasprobe Abmessungen von etwa
100 mm bei einer Dicke von 3 mm aufwies.
Das Heizverfahren beziehungsweise die Wärmebehandlung erfolgte wie
nachfolgend beschrieben:
Die Erwärmung der Glasproben erfolgte zunächst in einem mit Quarzal
umbauten IR-Strahlungshohlraum gemäß Fig. 3A, dessen Decke durch einen
Aluminiumreflektor mit darunter befindlichen IR-Strahlern gebildet wurde. Die
Glasproben beziehungsweise Glaskeramikkörper wurden in geeigneter Art
und Weise auf Quarzal gelagert.
Im IR-Strahlungshohlraum wurde das Glas oder die Glaskeramik durch
mehrere Halogen IR-Strahler direkt angestrahlt, die sich in einem Abstand von
10 mm bis 150 mm über dem Glas oder der Glaskeramik befanden.
Das Aufheizen des Glases oder der Glaskeramik fand nunmehr mittels
Ansteuerung der IR-Strahler über einen Thyristorsteller auf Grundlage von
Absorptions-, Reflexions- und Streuprozesse statt, wie nachfolgend eingehend
beschrieben:
Da die Absorptionslänge der verwendeten kurzwelligen IR-Strahlung im Glas
beziehungsweise in der Glaskeramik sehr viel größer ist als die Abmessungen
der zu erwärmenden Gegenstände, wird der größte Teil der auftreffenden
Strahlung durch die Probe hindurchgelassen. Da andererseits die absorbierte
Energie pro Volumen an jedem Punkt des Glas- beziehungsweise
Glaskeramikkörpers nahezu gleich ist, wird eine über das gesamte Volumen
homogene Erwärmung erzielt. Bei dem Verfahren gemäß Fig. 4 befinden
sich die IR-Strahler und das zu erwärmende Glas in einem Hohlraum, dessen
Wände aus einem Material mit einer Oberfläche hoher Reflektivität
beziehungsweise hohem Rückstreuvermögen besteht, wobei zumindest ein
Teil der Wandfläche die auftreffende Strahlung überwiegend diffus
zurückstreut. Dadurch gelangt der überwiegende Teil der zunächst von dem
Glas beziehungsweise der Glaskeramik hindurchgelassenen Strahlung nach
Reflexion beziehungsweise Streuung an der Wand erneut in den zu
erwärmenden Gegenstand und wird wiederum teilweise absorbiert. Der Weg
der auch beim zweiten Durchgang durch das Glas beziehungsweise die
Glaskeramik hindurchgelassenen Strahlung setzt sich analog fort. Mit diesem
Verfahren wird nicht nur eine in der Tiefe homogene Erwärmung erreicht,
sondern auch die eingesetzte Energie deutlich besser als bei nur einfachem
Durchgang durch das Glas beziehungsweise die Glaskeramik ausgenutzt.
Besonders bevorzugt für das hier beschriebene Verfahren ist außerdem, daß
zumindest von einem Teil der Wandfläche die auftreffende Strahlung nicht
gerichtet reflektiert, sondern diffus zurückgestreut wird. Dadurch gelangt
Strahlung aus allen Richtungen und unter allen möglichen Winkeln in das
Glas beziehungsweise die Glaskeramik, so daß die Erwärmung zugleich auch
über die Fläche homogen erfolgt und eine Abbildung der Intensitätsverteilung
der Strahlungsquelle auf die zu erwärmenden Gegenstände, wie bislang im
Stand der Technik, nicht erfolgt.
Fig. 5 zeigt die Heizkurve eines Borosilicat-Glases gemäß einem alternativen
erfindungsgemäßen Verfahren mit einem Durchmesser von 100 mm bei einer
Dicke von 10 mm.
Die Erwärmung erfolgte wie nachfolgend beschrieben:
Zunächst wurde die Glasprobe außerhalb des Strahlungshohlraumes auf
einen Trägerkörper aus SiSiC mit einer Dicke von 5 mm aufgebracht.
Anschließend wird der Träger aus SiSiC in einen mit Quarzal umbauten IR-
Strahlungshohlraume eingebracht.
Im Anschluß wird das Glas oder die Glaskeramik mit einem oder
entsprechend der Geometrie des Glases oder der Glaskeramik auch
mehreren Halogen IR-Strahlern direkt angestrahlt, die sich in einem Reflektor
über dem Glas oder der Glaskeramik in einem Abstand von 10 mm bis
150 mm befinden.
Das Aufheizen des Glases oder der Glaskeramik findet nunmehr durch die
Ansteuerung der IR-Strahler über einen Thyristorsteller durch eine
Kombination von direkter und indirekter Erwärmung statt.
Bedingt durch die Transparenz des Glases oder der Glaskeramik wird ein
erheblicher Anteil der Strahlungsleistung das Glas oder die Glaskeramik direkt
auf den Träger durchstrahlen. Der schwarze SiSiC-Träger absorbiert die
gesamte Strahlung und verteilt sie in Form von Wärme auf Grund seiner
hohen Wärmeleitfähigkeit schnell und homogen über die gesamte Oberfläche
des Träges. Die Wärme des Trägers wird nun gleichermaßen homogen an
das Glas oder die Glaskeramik abgegeben und erwärmt diese(s) von der
Unterseite her. Dieser Vorgang stellt in vorliegendem Verfahren den indirekten
Anteil der Aufheizung dar.
Der direkte Beitrag der Aufheizung untergliedert sich in zwei Bestandteile. Der
erste Anteil ergibt sich daraus, daß bei allen Wellenlängen außerhalb des
transparenten Bereichs, das Glas oder die Glaskeramik opak ist und damit die
Strahlung lediglich die Oberfläche bzw. oberflächennahe Schichten erwärmen
kann. Den zweiten Beitrag zur direkten Aufheizung liefert der gering
absorbierte Teil der Strahlung, deren Wellenlänge in einem Bereich liegt, in
welchem das Glas oder die Glaskeramik schwach absorbiert. Dieser Anteil
führt zu einer Aufheizung von tieferen Schichten des Glases oder der
Glaskeramik.
Der größte Teil der IR-Strahlung durchstrahlt jedoch das Glas und hat eine
indirekte Aufheizung über den Träger zur Folge. Auch bei diesem Verfahren
wird eine hohe Temperaturhomogenität über die Glasfläche hinweg erreicht
und so ein Abbilden der Strahlungsquelle auf das Glas wie im Stand der
Technik vermieden.
Erfindungsgemäß beträgt der indirekte Anteil der Aufheizung des Glases oder
der Glaskeramik bei beiden in Fig. 4 und 5 beschriebenen Verfahren mehr als
50%.
Mit der Erfindung werden erstmals Verfahren und Vorrichtungen zum
Erwärmen von Gläsern beziehungsweise Glaskeramiken angegeben, die eine
homogene Erwärmung derselben gewährleisten, eine hohe
Energieausnutzung aufweisen sowie ein Abbilden der Strahlungsquelle auf
den zu erwärmenden Gegenstand vermeiden.
Claims (29)
1. Verfahren zum homogenen Erwärmen von semitransparenten und/oder
transparenten Gläsern und/oder Glaskeramiken mit Hilfe von Infrarot-
Strahlung, wodurch die Gläser und/oder Glaskeramiken einer
Wärmebehandlung im Bereich von 20°C bis 3000°C, insbesondere im
Bereich von 700°C bis 1705°C, unterzogen werden, dadurch
gekennzeichnet, daß
die Erwärmung durch einen Anteil direkt auf die Gläser und/oder
Glaskeramik einwirkender Infrarot-Strahlung sowie einen Anteil indirekt
auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkender Infrarot-Strahlung
erreicht wird, wobei der Anteil der indirekt auf das Glas und/oder die
Glaskeramiken einwirkenden Strahlung mehr als 50% der
Gesamtstrahlungsleistung beträgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Infrarot-Strahlung kurzwellige Infrarot-Strahlung mit einer
Farbtemperatur größer als 1500 K; besonders bevorzugt größer als
2000 K ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramik einwirkende Infrarot-
Strahlung mindestens einen Anteil reflektierter und/oder gestreuter
Strahlung umfaßt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet,
daß im Mittel mehr als 50% der von den IR-Strahlern abgegebenen
Gesamtstrahlungsleistung an kurzwelliger Infrarot-Strahlung beim
einmaligen Auftreffen auf das Glas nicht absorbiert werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das Verfahren in einem umgrenzten Raum mit Wänden,
insbesondere einem IR-Strahlungshohlraum durchgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die reflektierte und/oder gestreute Infrarot-Strahlung von mindestens
einem Teil der Wandflächen reflektiert und/oder gestreut werden.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Anteil der von dem Teil der Wandflächen reflektierten und/oder
gestreuten Infrarot-Strahlung mehr als 50% der auf diese Flächen
treffenden Strahlung beträgt.
8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil
der von dem Teil der Wandflächen reflektierten und/oder gestreuten
Infrarot-Strahlung mehr als 90%, beziehungsweise 95%,
insbesondere mehr als 98%, beträgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß die indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramiken einwirkende
Infrarot-Strahlung einen Anteil von Infrarot-Strahlung umfaßt, der von
einem Trägerkörper absorbiert, in Wärme umgewandelt und an das
thermisch mit dem Trägerkörper verbundene Glas und/oder die
Glaskeramik abgegeben wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärme
an das thermisch mit dem Trägerkörper verbundene Glas über
Wärmestrahlung und/oder Wärmeleitung und/oder Konvektion
übertragen wird.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß
als Trägerkörper Keramikplatten verwendet werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß
die Trägerkörper SiC, insbesondere SiSiC, umfassen.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß die Emissivität des Trägerkörpers größer als 0,5
ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Wärmeleitfähigkeit des Trägerkörpers im
Bereich der Wärmebehandlungstemperatur mindestens fünf mal so
groß ist wie die des zu behandelnden Glases oder der Glaskeramik.
15. Vorrichtung zum homogenen Erwärmen von semitransparenten
und/oder transparenten Gläsern und/oder Glaskeramiken,
insbesondere im Bereich von 20°C bis 3000°C, insbesondere im
Bereich von 700°C bis 1705°C, mit
- 1. 15.1 Infrarot-Strahlungsquellen (1) zur Emission kurzwelliger Infrarot- Strahlung;
- 2. 15.2 Mittel zur Erzeugung von indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramiken einwirkender Infrarot-Strahlung; dadurch gekennzeichnet, daß
- 3. 15.3 die Mittel zur Erzeugung von indirekt auf die Gläser und/oder Glaskeramiken einwirkender Infrarot-Strahlung derart angeordnet und beschaffen sind, daß der Anteil der indirekt auf das Glas und/oder die Glaskeramik einwirkenden Strahlung mehr als 50% der Gesamtstrahlungsleistung beträgt.
16. Vorrichtung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß
die Mittel zur Erzeugung von indirekt auf die Gläser und/oder
Glaskeramiken (5) einwirkender Infrarot-Strahlung Reflektoren (3) oder
Diffusoren zur Reflektion beziehungsweise Streuung von Infrarot-
Strahlung umfassen.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 16, dadurch
gekennzeichnet, daß die Vorrichtung in einem umgrenzten Raum,
insbesondere einem IR-Hohlraum angeordnet ist.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
die Oberfläche der Wände des umgrenzenden Raumes die Reflektoren
beziehungsweise Diffusoren umfaßt.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß
die Reflektoren beziehungsweise Diffusoren derart ausgestaltet sind,
daß mehr als 50% der auf diese Flächen auftreffenden Strahlung
reflektiert beziehungsweise gestreut werden.
20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, daß die Reflektoren (3) beziehungsweise Diffusoren (3)
eines oder Mischungen aus mehreren der nachfolgenden Materialien
umfaßt:
Al2O3; BaF2; BaTiO3; CaF2; CaTiO3;
MgO.3,5 Al2O3; MgO; SrF2; SiO2;
SrTiO3; TiO2; Quarzal; Spinell;
Cordierit; Cordierit-Sinterglaskeramik
Al2O3; BaF2; BaTiO3; CaF2; CaTiO3;
MgO.3,5 Al2O3; MgO; SrF2; SiO2;
SrTiO3; TiO2; Quarzal; Spinell;
Cordierit; Cordierit-Sinterglaskeramik
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 20, dadurch
gekennzeichnet, daß die Mittel zur Erzeugung von indirekt auf das Glas
und/oder die Glaskeramik einwirkender Strahlung einen Trägerkörper
(7) umfassen, der in thermischem Kontakt mit den Gläsern (5)
beziehungsweise Glaskeramiken steht und einen Anteil der indirekten
Infrarot-Strahlung absorbiert.
22. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß
der Trägerkörper (7) Keramikplatten umfaßt.
23. Vorrichtung nach Anspruch 21 oder 22, dadurch gekennzeichnet, daß
der Trägerkörper (7) SiC, insbesondere SiSiC umfaßt.
24. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 23, dadurch
gekennzeichnet, daß die Emissivität des Trägerkörpers (7) größer als
0,5 ist.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 21 bis 24, dadurch
gekennzeichnet, daß die Wärmeleitfähigkeit des Trägerkörpers (7) im
Bereich der Wärmebehandlungstemperatur mindestens fünf mal so
groß ist, wie die des zu behandelnden Glases oder der Glaskeramik
(5).
26. Verwendung einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 15 bis 25
zum schnellen, temperaturhomogenen Aufheizen von Glaskeramiken
bei der Keramisierung.
27. Verwendung einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 15 bis 25
zum schnellen Wiedererwärmen von Glasrohlingen für eine
nachfolgende Heißformgebung.
28. Verwendung einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 15 bis 25
zum Absenken von Gläsern und/oder Glaskeramiken.
29. Verwendung einer Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 15 bis 25
als Faserziehofen zur homogenen Erwärmung von Faserbündeln auf
Ziehtemperatur.
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