DE19922556C1 - X7R-Keramikmassen und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

X7R-Keramikmassen und Verfahren zur Herstellung

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Abstract

Eine X7R-Keramikmasse mit erhöhter Stabilität gegenüber Reduktion, insbesondere für Vielschichtkondensatoren mit Ag/Pd-Innenelektroden, auf der Basis der Systeme BaTiO¶3¶-Nb¶2¶O¶5¶-Co¶3¶O¶4¶ oder BaTiO¶3¶-Nb¶2¶O¶5¶-MgO mit Zusätzen einer Glasfritte aus den Systemen DOLLAR A (1) ZnO-B¶2¶O¶3¶-SiO¶2¶ oder DOLLAR A (2) AlO¶1,5¶-BO¶1,5¶-CaO-ZnO-MnO-SiO¶2¶, DOLLAR A weist eine Zusammensetzung gemäß der Formeln DOLLAR A (BaTiO¶3¶)¶97,2¶[(MgO)¶0,286¶(NbO¶2,5¶)¶0,714¶]¶2,8¶ bzw. DOLLAR A (BaTiO¶3¶)¶97,4¶[(CoO)¶0,231¶(NbO¶2,5¶)¶0,769¶]¶2,6¶ DOLLAR A auf und hat einen Zusatz von p Gew.-% Glasfritte mit 1,5 < p < 6.

Description

Die Erfindung betrifft eine X7R-Keramikmasse nach dem Oberbe­ griff von Patentanspruch 1.
Derartige Keramiken werden vorzugsweise bei Vielschichtkon­ densatoren vergleichsweise hoher Kapazität eingesetzt und sind für Anwendungen zur Kopplung, Entkopplung und Funkent­ störung in der Nachrichtentechnik, sowie in der Automobil- und Computerindustrie geeignet.
Es ist ein Merkmal derartiger X7R-Keramiken, daß sie aus ei­ nem ferroelektrischen Material, vorzugsweise BaTiO3 im Kern (Core) der Kristallite des Keramikgefüges und einer paraelek­ trischen Umhüllung (Shell) bestehen. Zwischen Core- und Shell-Bereich kommt zumindest partiell eine strukturelle Be­ ziehung dadurch zustande, daß die Bestandteile im Grenzbe­ reich im Prozeß der Keramisierung ineinander diffundieren. X7R-Keramiken sind dementsprechend heterogen aufgebaut.
Als X7R-Keramik werden solche Massen bezeichnet, die einen Temperaturkoeffizienten TK der Dielektrizitätskonstante DK von ±15% im Temperaturbereich von -55°C bis 125°C aufweisen. Derartige Keramikmassen werden zu Vielschichtkondensatoren mit Ag/Pd-Innenelektroden verarbeitet.
Es sind bereits technische Lösungen bekannt, die eine Gemein­ samsinterung einer Keramikmasse mit Ag/Pd-Innenelektroden im Temperaturbereich von 1100°C bis 1140°C gestatten. In einer Version wird Bi4Ti3O12 in Verbindung mit Zusätzen von Nb2O5 oder CdO als Shellkomponente eingesetzt (D. Hennings, G. Ro­ senstein; Journal of the American Ceramic Society, (1984) 249-254). Davon ausgehend ist in einer Abwandlung neben Bi2O3-2TiO2 auch Nd2O3 in Verbindung mit einer bleifreien Glasfritte angewendet worden (EP 0 759 626 A1). Derartige Zusätze bauen den Shell-Bereich um die ferroelektrischen Ba­ TiO3-Kristallite in der Keramik auf, und sie dienen gleich­ zeitig als Sinterhilfsmittel zur Erniedrigung der Sintertem­ peratur. Durch die Absenkung der Sintertemperatur auf ca. 1100°C wird der Einsatz von Ag/Pd-Legierungen als Elektrodenmate­ rial ermöglicht.
G. H. Maher beschreibt eine bei 1125°C sinterbare Keramik­ masse, die neben der Hauptkomponente Bariumtitanat Cadmiumsi­ licat und Magnesiumcarbonat enthält (17th Capacitor and Resi­ stor Technology Symposium Carts 1997, Jupiter, Florida, March 25, 1997). Hier wird eine Dielektrizitätskontante von 4500 bei Erfüllung der X7R-Kriterien erreicht. Die Schwierigkeit bei der Anwendung derartiger Werkstoffe besteht darin, daß CdO enthaltende Keramiken aus Umweltschutzgründen unvorteil­ haft sind. PbO und/oder Bi2O3 enthaltende Keramiken unterlie­ gen bei der Sinterung im Bereich von 1100°C häufig einer Zu­ sammensetzungsänderung infolge partieller Verdampfung von PbO und Bi2O3, womit unkontrollierte Veränderungen im Gefüge und damit Eigenschaftsänderungen verbunden sind. Außerdem erfor­ dern PbO und Bi2O3 enthaltende Kondensatorkeramiken im Prozeß der Entbinderung von Vielschichtkondensatoren mit Ag/Pd-In­ nenelektroden besondere Vorsichtsmaßnahmen. Einerseits ist zu hoher Sauerstoffpartialdruck zwecks Unterbindung von PdO-Bil­ dung zu vermeiden, andererseits darf die Reduktion von PbO und Bi2O3 unter Legierungsbildung und Auslaufen der Elektro­ den nicht eintreten.
Die charakteristischen Merkmale einer X7R-Kondensatorkeramik können auch durch die Zugabe von MgO und Nb2O5 im Molverhält­ nis 1 : 1 oder 1 : 2 als Shellkomponente (US 3,788,867) bzw. durch Zusätze von Co3O4 und Nb2O5 (US 5,362,693) erreicht wer­ den.
Hennings und Schreinemacher (Journal of European Ceramic So­ ciety 14 (1994) 463-471) beschreiben gleichfalls X7R-Konden­ satorkeramikmassen auf der Basis von BaTiO3, Co3O4 und Nb2O5. Dabei soll eine DK von 4800 erreicht werden.
In der US 5,128,289 wird dargestellt, daß durch die Sinterung des ternären Systems BaTiO3 mit den Zusätzen NiO(1-x)NbO2,5(x) und MnO(1-y)NbO2,5(y) die Herstellung einer X7R-Keramik mit ho­ her DK möglich ist.
Diese genannten technischen Lösungen bedingen allerdings hohe Sintertemperaturen von 1300°C bis 1400°C, was den Einsatz von reinem Palladium als Innenelektrodenmaterial erfordert. Damit sind unvorteilhaft hohe Kosten verbunden.
In der Veröffentlichung von S. Bruno und D. Swanson (J. Am. Ceram. Soc. 76(5), (1993), 1233-41) wird die Herstellung ei­ ner im Bereich von 1130°C sinterbaren und damit für die An­ wendung von Ag/Pd geeigneten X7R-Keramik unter Umgehung einer Verwendung eines PbO, Bi2O3 und/oder CdO enthaltenden Sinter­ hilfsmittels beschrieben, indem Nb2O5, Nd2O3 und Manganoxid aus einer wäßrigen Lösung der Chelate auf BaTiO3 zusammen mit Ammoniumtetraborat und Zinknitrat ausgefällt werden (Coa­ ting).
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine von Schwerme­ talloxiden wie CdO, PbO oder Bi2O3 freie X7R-Keramikmasse herzustellen, die ohne die Anwendung eines kostenaufwendigen Coating-Prozesses eine Sinterung bei 1130°C ermöglicht, so daß Ag/Pd-Innenelektroden anwendbar sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine X7R-Keramik­ masse gelöst, die die Merkmale des Patentanspruchs 1 besitzt.
Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen an­ geführt.
Gemäß der Erfindung wird somit BaTiO3 als Core-Komponente mit Kobaltnioboxid oder Magnesiumnioboxid als Shell-Komponente gemischt und einer thermischen Umsetzung (Kalzination) unter­ zogen. Dabei wird die Sinterfähigkeit dieser für sich selbst nur bei hohen Temperaturen (1350°C) sinterbaren Masse bereits bei 1110°C durch den Zusatz von Glasfritten er­ reicht. Ebenso wird durch die Abwesenheit der leicht redu­ zierbaren Oxide wie PbO und Bi2O3 eine Entbinderung der Viel­ schichtkondensatoren in Stickstoffatmosphäre oberhalb von 500°C möglich. In der älteren, nicht vorveröffentlichten DE-Pa­ tentanmeldung 198 41 487 A1 ist beschrieben, daß eine vollstän­ dige Entbinderung unter Stickstoff durch die Einwirkung von Wasserdampf erfolgen kann. Dabei wird der aus der Erdölverar­ beitung bekannte Steam-Reforming-Prozeß genutzt, der den Ab­ bau von Kohlenwasserstoffen zu CO2 und H2 durch Einwirkung von H2O ermöglicht.
Die Erfindung wird an folgenden Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Ausführungsbeispiele 1 bis 24
Als Core-Komponente wird ein BaTiO3-Pulver verwendet, das durch Umsetzung einer äquimolaren Mischung aus BaCO3 und TiO2 bei 1140°C und 4 Stunden Haltezeit hergestellt wird. Als Shell-Komponenten kommen die Umsetzungsprodukte von Nb2O5 mit Co3O4 bzw. MgO zur Anwendung, die man aus Mischungen im Mol­ verhältnis Nb2O5 : Co3O4 = 5 : 1 bzw. Nb2O5 : MgO = 5 : 4 durch Erhitzen auf 980°C (1 h) separat herstellt.
Das Reaktionsprodukt wird einem Mahlprozeß unterworfen, wobei eine mittlere Korngröße von ca. 0,5 µm anzustreben ist.
BaTiO3 als Core-Komponente und die entsprechende Verbindung Kobaltnioboxid bzw. Magnesiumnioboxid als Shell-Komponente werden anschließend in einem den Formeln
(BaTiO3)97,2[(MgO)0,286(NbO2,5)0,714]2,8 (BT/MN) bzw.
(BaTiO3)97,4[(CoO)0,231(NbO2,5)0,769]2,6 (BT/CN)
entsprechendem Molverhältnis gemischt, und die Mischung an­ schließend einer thermischen Umsetzung unterzogen, wobei eine Temperatur und Haltezeit von 980°C/1 h bzw. 1080°C/4 h zur Anwendung gelangen. Anschließend wird das Umsetzungsprodukt in wäßriger Suspension gemahlen, bis eine mittlere Korngröße von 0,6 µm erreicht ist.
Um die Sinterung der Keramikmassen bei Temperaturen ≦ 1140°C ausführen zu können, werden als Sinterhilfsmittel Glasfritten folgender Systeme (mittlere Korngröße ca. 1 µm) im Bereich von 1,5 Gew.% bis 6 Gew.% additiv zugemischt:
(Glas A) ZnO-B2O3-SiO2 vorzugsweise der Zusammensetzung
(ZnO)0,445(BO1,5)0,4785(SiO2)0,0765 oder
(Glas B) AlO1,5-BO1,5-CaO-ZnO-MnO-SiO2 vorzugsweise der Zusam­ mensetzung
(AlO1,5)0,208(BO1,5)0,188(CaO)0,081(ZnO)0,156(MnO)0,002(SiO2)0,365.
Das erhaltene Keramikpulver wird unter Zugabe eines Preß­ hilfsmittels zu einem Granulat verarbeitet und aus diesem zwecks Feststellung der dielektrischen Eigenschaften durch Pressen scheibchenförmige Proben hergestellt, die man dem folgenden Entbinderungs- und Sinterbedingungen unterzieht: Aufheizen bis 200°C mit 360 K/h, danach bis 400°C mit 25 K/h, anschließend mit 360 K/min auf 1140°C, 4 h Haltezeit bei 1140°C und Abkühlen mit 360 K/h auf Raumtemperatur.
Es werden Proben mit einem Durchmesser von 12-13 mm und einer Höhe von ungefähr 1 mm erhalten. Zur Kontaktierung wird Ag- Paste aufgebracht und standardmäßig bei 750°C eingebrannt. Die Kapazitätsmessungen erfolgten bei 1 kHz im Temperaturbe­ reich von -55°C bis +125°C. Dadurch wird zugleich die Tempe­ raturabhängigkeit der Kapazität (TKC) als Quotient der Kapa­ zität bei aktueller Temperatur und der Kapazität bei 25°C zu­ gänglich. Die Dielektrizitätskonstante εr wird gemäß der Be­ ziehung C = ε . εr . (A/L) erhalten. Mit der C-Messung wird zugleich der tanδ-Wert ermittelt. Der Isolationswiderstand wurde bei einer angelegten Spannung von 100 V gemessen.
In der folgenden Tabelle 1 sind die Eigenschaftswerte zusam­ mengestellt, die an den Scheibchenproben gemessen wurden. Da­ bei haben die Proben 1 bis 12 eine Zusammensetzung gemäß der obengenannten Formel (BT/CN), während die Proben 13 bis 24 eine Zusammensetzung gemäß (BT/MN) aufweisen. Weiterhin sind die Kalzinationsparameter K (Temperatur °C und Haltezeit h) für Core/Shell angeführt. Der Zusatz an Glasfritte in Gew.-% ist mit Z bezeichnet. Ferner sind die Dichte ρ in g/cm3, die Dielektrizitätskonstante ε, tanδ in %, der Isolationswider­ stand ρis in Ωcm und die TKC-Werte TKC-55C (I), TKC+55°C (II) und TKC+125°C (III) in % angeführt.
Tabelle 1
Man erkennt, daß die Eigenschaftskriterien für eine X7R-Kera­ mik bei den Proben 1, 4, 5, 6, 11, 13, 16, 17, 23 und 24 erfüllt ist. Kobalt- und Magnesiumnioboxid sind etwa vergleichbar geeignet zum Aufbau einer Core-Shell-Struktur, die den TKC-Verlauf ergibt, der von einer X7R-Keramik gefordert ist. Durch die Anwendung der Glasfritte gelingt tatsächlich eine Sinterverdichtung bereits bei 1140°C. Wie der Vergleich der Werte in Tabelle 1 zeigt, wird die Dielektrizitätskonstante der Keramik mit zunehmenden Glasfrittenanteil erwartungsgemäß erniedrigt. In der Tendenz nimmt die Sinterdichte in der gleichen Richtung ab. Als opti­ mal erweisen sich Glasfrittenanteile von 1,5 Gew.-% bis 3 Gew.-%. In bezug auf den TKC-Verlauf erscheint Glas B gegen­ über Glas A vorteilhafter.
Ausführungsbeispiele 25 bis 34
Für die Herstellung von Vielschichtkondensatoren in der Bauform 1206 wurden Rezepturen verwendet, die den Proben 11 (Ausführungsbeispiele 25, 27, 28, 29, 33) und 19 (Ausfüh­ rungsbeispiele 26, 30, 31, 32, 34) zugrunde liegen. Zum Zweck des Vergleichs wurde auf eine Masse mit Glas A und Glas B zu­ rückgegriffen.
Nach Zugabe eines geeigneten Binder- und Dispergatorsystems wurde das Keramikpulver in Form eines Schlickers zu Folien verarbeitet. Die mittels Siebdruck aufgebrachte Ag/Pd Paste (70% Ag und 30% Pd) enthielt zusätzlich 18% BaTiO3, um eine bessere Schwundanpassung zwischen Keramik und Elektrode zu realisieren. Dadurch wird eine geeignete Elektrodenstruktur erhalten. Nach dem Stapeln, Laminieren und Cutten liegen Grünteile vor, die der Entkohlung und Sinterung zugeführt wurden.
Zur Entbinderung sind zwei Verfahrensweisen angewendet wor­ den. In einer Variante wird die Entbinderung in einem Ofen an Luft mit folgendem Programm vorgenommen: Aufheizen bis 150°C mit 30 K/h, 3 h Haltezeit bei 150°C, anschließend mit 30 K/h auf 450°C, 6 h Haltezeit und Abkühlen mit 30 K/h auf 20°C.
In einer zweiten Variante wurde unter Ausschluß von Sauer­ stoff in Stickstoff bei gleichzeitiger Einwirkung von Wasser­ dampf gearbeitet.
Der Vorteil der Erfindung soll dargelegt werden, indem ge­ zeigt wird, daß eine vollständige Entbinderung unter Stick­ stoff durch die Einwirkung von Wasserdampf möglich ist. Nach dem Aufheizen der Grünteile mit 0,5°C/min auf 400°C und 5 Stunden Haltezeit bei dieser Temperatur wurden die Kondensa­ toren mit ebenfalls 0,5°C/min weiter auf 680°C aufgeheizt.
Diese Temperatur ist 10 Stunden gehalten worden. Während der Aufheiz- und Haltezeiten sind 23 g Wasserdampf/Stunde ge­ meinsam mit Stickstoff zugeführt worden.
Der Restkohlenstoff in den Bauteilen nach der Temperaturbe­ handlung in befeuchteter Stickstoffatmosphäre ist analytisch (Carbonanalyser) ermittelt worden. Der Kohlenstoffgehalt der Probe 11 wurde mit 74 ± 2 ppm, sowie bei der Probe 19 mit 116 ± 1 ppm festgestellt.
Nach der Entbinderung wurde mit 5 K/min auf Temperaturen zwi­ schen 1110°C und 1130°C mit 3 h bzw. 4 h Haltezeit an Luft gesintert.
Die Ag-Außenmetallisierung der X7R-Kondensatoren findet, der vorgeschriebenen Einbrennkurve der betreffenden Paste fol­ gend, in einem gesonderten Prozeßschritt gleichfalls an Luft statt.
In der folgenden Tabelle 2 sind die Verfahrensparameter Sin­ tertemperatur ST/Haltezeit St, die dielektrische Dicke d in µm, die Entkohlungsbedingungen EK und die Temperbedingungen TT/Haltezeit tT angeführt. Es lagen jeweils 10 bedruckte Schichten vor.
Tabelle 2
In Tabelle 3 sind die elektrischen Parameter der vermessenen Kondensatoren aufgeführt. Die Kapazitätsmessungen erfolgten bei 1 kHz im Temperaturbereich von -55°C bis +125°C. Der Isolationswiderstand Ris wurde bei einer angelegten Spannung von 50 V gemessen. Bei den dargestellten Eigenschaftswerten wird τ als Produkt aus Kapazität und Isolationswiderstand in Sekunden s angegeben. Ferner sind tanδ in % und - abgesehen von den Proben 29 und 32 - TKC-55°C (I), TKC+55°C (II) und TKC+125°C (III) in % angeführt.
Tabelle 3
Die Proben zeigen, daß durch die Zugabe der Glasfritten A bzw. B bereits bei 1110°C eine Sinterverdichtung stattfindet und die X7R-Kriterien erfüllt werden. Mit Zunahme der Sinter­ temperatur ST bzw. Haltezeit St werden ε, tanδ und geringfügig auch der Isolationswiderstand Ris erhöht. Auffällig ist, daß mit der Keramikmasse BT/MN bei einer Sintertemperatur von 1130°C und 4 h Haltezeit eine DK von ca. 3090 zu erreichen ist, wie aus dem Ausführungsbeispiel 34 hervorgeht. Diese Ke­ ramikmasse weist allerdings nach der Stickstoffentkohlung in Wasserdampfatmosphäre und anschließender Sinterung gegenüber der ausschließlich an Luft durchgeführten thermischen Behand­ lung einen sehr niedrigen Isolationswiderstand auf, der die für X7R-Kondensatoren gesetzte Toleranz überschreitet. Der berechnete τ-Wert kann auch dann nicht erhöht werden, wenn vor dem Sinterprozeß noch eine zusätzliche Temperstufe an Luft bei 1000°C (2 h) angewendet wird (siehe Ausführungsbei­ spiele 30 bis 32).
Die Kondensatoren aus dem Keramikpulver BT/CN weisen bei ei­ ner erreichten DK zwischen 2210 bis 2420 einen hohen Ris und auch ein hohes τ auf (Ausführungsbeispiele 25, 27, 28, 29, 33). Eine Erhöhung der DK unter Beibehaltung der bestehenden elektrischen Parameter ist nach dem Vergleich der Befunde an den Scheibchenproben 4 und 5 gemäß Tab. 1 möglich.
Die elektrischen Parameter der Kondensatoren mit der Keramik­ masse BT/CN (Ausführungsbeispiele 25, 27, 28, 29, 33) erfül­ len die Kriterien der X7R-Charakteristik. Die gemessenen Ei­ genschaftswerte sind unabhängig von der Entkohlungsvariante bei gleicher Sinterbehandlung miteinander vergleichbar.

Claims (3)

1. X7R-Keramikmasse mit erhöhter Stabilität gegenüber Reduk­ tion, insbesondere für Vielschichtkondensatoren mit Ag/Pd-In­ nenelektroden, auf der Basis der Systeme BaTiO3-Nb2O5-Co3O4 oder BaTiO3-Nb2O5-MgO mit Zusätzen einer Glasfritte aus den Systemen
  • 1. ZnO-B2O3-SiO2 oder
  • 2. AlO1,5-BO1,5-CaO-ZnO-MnO-SiO2,
gekennzeichnet durch die Formeln
(BaTiO3)97,2[(MgO)0,286(NbO2,5)0,714]2,8 oder
(BaTiO3)97,4[(CoO)0,231(NbO2,5)0,769]2,6
und einen Zusatz von p Gew.-% Glasfritte mit 1,5 ≦ p ≦ 6.
2. X7R-Keramikmassen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Glasfritten die Zusammensetzungen
(ZnO)0,445(BO1,5)0,4785(SiO2)0,0765 oder
(AlO1,5)0,208(BO1,5)0,188(CaO)0,081(ZnO)0,156(MnO)0,002(SiO2)0,365
aufweisen.
3. Verfahren zur Herstellung einer X7R-Keramikmasse nach An­ spruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Entbinderung in Stickstoffatmosphäre mit oder ohne Zuspeisung von Wasserdampf oberhalb 500°C erfolgt.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3788867A (en) * 1971-11-01 1974-01-29 Nl Industries Inc Batio3-mgo-nb2o5 dielectric ceramic compositions and method
US5128289A (en) * 1990-12-07 1992-07-07 Ferro Corporation X7R dielectric ceramic composition and capacitor made therefrom
US5362693A (en) * 1991-04-29 1994-11-08 Tam Ceramics, Inc. High temperature fired X7R dielectric ceramic composition submicron particle sized barium titanate
EP0759626A1 (de) * 1995-08-21 1997-02-26 Ferro Corporation Keramische dielektrische Zusammensetzungen mit niedriger Brenntemperatur und damit hergestellte Kondensatoren

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3788867A (en) * 1971-11-01 1974-01-29 Nl Industries Inc Batio3-mgo-nb2o5 dielectric ceramic compositions and method
US5128289A (en) * 1990-12-07 1992-07-07 Ferro Corporation X7R dielectric ceramic composition and capacitor made therefrom
US5362693A (en) * 1991-04-29 1994-11-08 Tam Ceramics, Inc. High temperature fired X7R dielectric ceramic composition submicron particle sized barium titanate
EP0759626A1 (de) * 1995-08-21 1997-02-26 Ferro Corporation Keramische dielektrische Zusammensetzungen mit niedriger Brenntemperatur und damit hergestellte Kondensatoren

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
17th Capacitor and Resistor Technology Symposium Carts 1997, Jupiter Florida, March 25, 1997 *
J.Am.Ceram.Soc. (1984), 249-254 *
J.Am.Ceram.Soc. 76 (5), (1993), 1233-1241 *
J.Europ.Ceram.Soc. 14 (1994), 463-471 *

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