DE19920066A1 - Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat mit einem aus einer Halbleiterschicht herausstrukturierten Federelement - Google Patents

Abstract

Um bei einem Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat mit einer ersten Halbleiterschicht, in der wenigstens ein Federelement mit zwei im wesentlichen parallel zueinander verlaufenden und an jeweils einem Endabschnitt miteinander verbundenen Schenkeln durch Strukturieren ausgebildet ist, wobei der erste Schenkel an einem Lagerblock festgelegt ist und der zweite Schenkel mit einer relativ zu dem Lagerblock beweglichen Masse verbunden ist, einen Bruch der Federelemente bei starken Auslenkungen senkrecht zur Halbleiterschicht zu vermeiden, wird vorgeschlagen, das wenigstens eine Federelement so auszugestalten, daß die Endabschnitte der Schenkel in Längsrichtung der Schenkel in der Ebene der Halbleiterschicht zunächst gekrümmt voneinander weg gerichtet sind und anschließend gekrümmt zueinander hin gerichtet sind und sich in einem zentralen gekrümmten Bereich miteinander vereinen.

Description

Stand der Technik

Die Erfindung betrifft einen Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Merkmalen.

Ein derartiger Sensor ist beispielsweise aus der DE 195 03 236 A1 bekannt. Derartige Sensoren werden in Oberflächenmi­ kromechanik aus einem mehrschichtigen Halbleitersubstrat her­ gestellt. Dabei wird in einer ersten Halbleiterschicht des Substrats eine bewegliche Masse durch Strukturieren ausgebil­ det, die über mehrere ebenfalls aus der Halbleiterschicht herausstrukturierte Federelemente an Lagerblöcken des Sub­ strats befestigt ist. Die bewegliche Masse weist Elektroden­ strukturen auf die zusammen mit weiteren in der Halbleiter­ schicht ausgebildeten feststehenden Elektrodenstrukturen Ko­ densatoren bilden. Eine aus Trägheits- und/oder Corioliskräf­ ten resultierende Auslenkung der beweglichen Masse entgegen der Spannkraft der Federelemente verändert die Kapazität der Kondensatoren. Die Kapazitätsänderungen werden zur Bestimmung von Beschleunigungen oder Drehraten verwandt.

Die bekannten Sensoren verwenden U-förmige Federelemente, mit zwei parallel zueinander verlaufenden Schenkel, die von einem gemeinsamen Verbindungssteg abstehen. Die Federelemente sind so ausgelegt, daß sie in Detektionsrichtung eine geringe Steifheit und in den anderen beiden Raumrichtungen eine hohe Steifheit aufweisen. Hierdurch können störende Einflüsse un­ terdrückt werden. Als nachteilig bei den bekannten Sensoren hat sich herausgestellt, daß die aus einem Stoß oder Aufprall resultierende Auslenkung der beweglichen Masse senkrecht zur Halbleiterschicht zu einem Bruch der Federelemente führt, die in dieser Richtung nicht stark belastbar sind. Es ist zwar möglich die Auslenkung der beweglichen Masse in der Ebene der Halbleiterschicht durch Anschläge zu begrenzen, jedoch kann eine Auslenkung der beweglichen Masse senkrecht zur Ebene der Halbleiterschicht nicht verhindern werden, da in dieser Rich­ tung aus fertigungstechnischen Gründen keine Anschläge gebil­ det werden können. Bei den herkömmlichen Sensoren kann daher ein Bruch der Federelemente bei Stoß oder Schüttelbelastungen nicht vermieden werden.

Vorteile der Erfindung

Durch den Sensor mit den kennzeichnenden Merkmalen des An­ spruchs 1, werden die Nachteile des Standes der Technik ver­ mieden. Dies wird erreicht, indem Endabschnitte der Schenkel des wenigstens einen Federelementes in der Ebene der Halb­ leiterschicht in Längsrichtung der Schenkel zunächst ge­ krümmt voneinander weg gerichtet sind und anschließend ge­ krümmt zueinander hin gerichtet sind und sich miteinander in einem zentralen gekrümmten Bereich vereinen. Hierdurch wer­ den im Verbindungsbereich der beiden Schenkel Ausbuchtungen gebildet, welche die im Material auftretenden Maximalspan­ nungen bei einer Auslenkung der beweglichen Masse senkrecht zur Halbleiterschicht auf Werte reduzieren, bei denen das Bruchrisiko der Federelemente deutlich verringert werden kann. Außerdem weist das Federelement in der parallel zur Halbleiterschicht verlaufenden Detektionsrichtung weiterhin die erforderliche geringe Steifheit auf, so daß eine zuver­ lässige Auslenkung der beweglichen Masse auch bei kleinen Beschleunigungen weiterhin gewährleistet ist. Vorteilhaft macht die Geometrie des wenigstens einen Federelementes bei der Herstellung des Sensors keinen zusätzlichen Fertigungs­ aufwand erforderlich. Durch die geometrische Ausgestaltung des Federelementes wird die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Sensors erhöht.

Weiterbildungen der Erfindung und vorteilhafte Ausgestaltun­ gen werden durch die in den Unteransprüchen angegebenen Merkmale ermöglicht.

Besonders vorteilhaft ist ein Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung bei dem die miteinander verbundenen Endabschnitte der beiden Schenkel des Federelementes einen Verbindungsbereich bilden, der aus mehreren sphärisch gekrümmten Bereichen zu­ sammengesetzt ist.

Zeichnungen

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Aufsicht auf einen aus dem Stand der Technik be­ kannten Beschleunigungssensor mit Federelementen,

Fig. 2 einen Querschnitt durch ein mehrschichtiges Substrat während der Herstellung des Sensors aus Fig. 1,

Fig. 3 einen Querschnitt durch den Sensor aus Fig. 1 entlang der Linie III-III,

Fig. 4 ein perspektivische Ansicht eines bekannten Drehraten­ sensors mit Federelementen,

Fig. 5 ein Federelement nach dem Stand der Technik,

Fig. 6 ein Federelement des erfindungsgemäßen Sensors.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

In der Fig. 1 wird eine Aufsicht auf einen aus dem Stand der Technik bekannten Beschleunigungssensor 1 gezeigt. Der Sensor weist eine bewegliche Masse auf, welche aus dem Zentralbalken 2 und den beweglichen Elektroden 21, 22 gebildet wird. Die be­ wegliche Masse ist über bewegliche Federelemente 5 an fest­ stehenden Lagerblöcken 3 des Substrats befestigt und kann durch eine Beschleunigung entlang der Längsachse des Zentral­ balkens 2 aus ihrer Ausgangslage verschoben werden. Weiterhin weist der Sensor feststehende Elektroden 31, 32 auf, die an Lagerbalken 4 aufgehängt sind. Die beweglichen Elektroden 21, 22 und die feststehenden Elektroden 31, 32 bilden Kondensa­ toren 41, 42. In der Fig. 3 wird ein Querschnitt durch den Sensor aus Fig. 1 entlang der Linie III-III gezeigt. Wie in der Fig. 3 zu erkennen ist, ist der Sensor aus einem mehr­ schichtigen Substrat gebildet, welches eine erste Halbleiter­ schicht 6 aus Silicium und eine zweite Halbleiterschicht 8 umfaßt.

Die einzelnen Elemente des Sensors 1 sind im wesentlichen aus der ersten Halbleiterschicht 6 herausstrukturiert. Die Fe­ derelemente 5, der Zentralbalken 2 und die beweglichen Elek­ troden 21, 22 sind aus der ersten Halbleiterschicht 6 heraus­ strukturiert und weisen einen Abstand zur zweiten Halbleiter­ schicht 8 auf. Diese Elemente sind daher gegenüber der zwei­ ten Halbleiterschicht 8 beweglich. Die Lagerblöcke 3 der Fe­ derelemente 5 sind durch eine dielektrische Schicht 7 mit der zweiten Halbleiterschicht 8 verbunden. Die Lagerblöcke 3 sind in diesem Beispiel somit fest auf der zweiten Halbleiter­ schicht 8 verankert. Weiterhin sind die Lagerbalken 4 durch die dielektrische Schicht 7 mit der Halbleiterschicht 8 ver­ bunden. Auch die Lagerbalken 4 sind somit fest auf der zwei­ ten Halbleiterschicht 8 verankert. Die feststehenden Elektro­ den 31, 32 sind an den Lagerbalken 4 aufgehängt. Die geometri­ schen Abmessungen der feststehenden Elektroden 31, 32 sind derartig gewählt, daß sie bei Beschleunigungen nur unwesent­ lichen ausgelenkt werden. Demgegenüber sind die Federelement 5 derart ausgebildet, daß durch eine Beschleunigung entlang der Längsachse des Zentralbalkens 2 (Detektionsrichtung) eine Verformung der Federelemente 5 bewirkt wird. Wie in Fig. 1 erkennbar ist, ist die bewegliche Masse 2, 21, 22 des Sensors 1 mit insgesamt vier im wesentlichen U-förmigen Federelementen 5 an zwei Lagerblöcken 3 aufgehängt. Eine Auslenkung des Zen­ tralbalkens 2 bewirkt, daß sich der Abstand der beweglichen Elektroden 21, 22 zu den feststehenden Elektroden 31, 32 verän­ dert. Diese Veränderung des Abstandes der Elektroden unter­ einander kann nachgewiesen werden, indem die Kapazität zwi­ schen den beweglichen Elektroden 21, 22 und den feststehenden Elektroden 31, 32 gemessen wird. Der bekannte Sensor aus Fig. 1 wird als kapazitiver Beschleunigungssensor verwandt.

Zur Kontaktierung der Elektroden sind Leiterbahnen 11 vorge­ sehen, durch die die Lagerblöcke 3 und Lagerbalken 4 kontak­ tiert werden. Durch die Leiterbahnen 11 kann dann eine direk­ te Verbindung zwischen dem Sensor 1 und einer Auswerteschal­ tung hergestellt werden. Da die Schichtdicke der ersten Halb­ leiterschicht 6 relativ zur Leiterbahndicke groß ist und die herausstrukturierten Elemente senkrechte Kanten aufweisen, sind Verbindungselemente 10 vorgesehen, die zwischen dem La­ gerbalken 4 bzw. dem Lagerblock 3 und dem Rest der ersten Halbleiterschicht 6 angeordnet sind. Über diese Verbindungs­ elemente 10 hinweg werden die Leiterbahnen geführt, sodaß die Leiterbahnen nur geringe Höhenunterschiede überwinden müssen.

Die Lagerblöcke 3, die Lagerbalken 4, die Federelemente 5, der Zentralbalken 2 und die Elektroden 21, 22, 31, 32 sind hoch dotiert. Durch diese hohe Dotierung wird sichergestellt, daß die Elektroden als Kondensatorplatten wirken und so die Kapa­ zitäten zwischen den Elektroden meßbar sind. Die Verbindungs­ elemente 10 sind gering dotiert. Durch diese Maßnahme wird sichergestellt, daß der Sensor gegen die erste Halbleiter­ schicht 6 isoliert ist. Weiterhin wird durch diese Maßnahme eine Isolation der beweglichen Elektroden 21, 22 gegen die feststehenden Elektroden 31, 32 gewährleistet.

In den Fig. 2 und 3 wird das bekannte Herstellungsverfah­ ren der Sensoren erläutert. Auf einer zweiten Halbleiter­ schicht 8, beispielsweise einem Siliciumwafer, wird eine die­ lektrische Schicht 7 und eine erste Halbleiterschicht 6 aus Silicium aufgebracht. Für die dielektrische Schicht 7 wird an die üblichen aus der Halbleiterfertigung bekannten dielektri­ schen Materialien wie Siliziumoxid, Siliziumnitrid oder ver­ schiedene Glasschichten gedacht. Für die weitere Beschreibung wird davon ausgegangen, daß es sich bei dem Material für die dielektrische Schicht 7 um Siliziumoxid handelt. Die dielek­ trische Schicht 7 kann, wie in der Fig. 2 gezeigt wird, un­ terhalb der Sensorstruktur angeordnet sein. Wenn die dielek­ trische Schicht 7 strukturiert ist, wird die erste Halblei­ terschicht 6 zweckmäßigerweise durch einen Abscheidungsprozeß aufgebracht. Dazu kann beispielsweise eine Polysilicium­ schicht in der Dicke von wenigen µm aufgebracht werden. Die erste Halbleiterschicht 6 besteht dann vollständig aus Poly­ silicium. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, einen Pro­ zeß zu verwenden, der aus der Halbleiterherstellung zur Ab­ scheidung von Epitaxieschichten bekannt ist. Nur über der dielektrischen Schicht 7 besteht die erste Halbleiterschicht 6 dann aus Polysilicium, während sie in den Bereichen, in de­ nen die erste Halbleiterschicht 6 in unmittelbarem Kontakt zur einkristallinen zweiten Halbleiterschicht 8 steht, aus einkristallinem Silicium besteht. Die mit dem Epitaxieprozeß erzielbaren Schichtdicken liegen in der Größenordnung von 10 bis 20 µm und sind deutlich dicker als bei der Verwendung ei­ nes Prozesses, der ein Polysilicium abscheidet. Bei der Epi­ taxie wird ein Prozeß verwendet, der eine schwach dotierte hochohmige erste Halbleiterschicht 6 aus Silicium bildet. Um zu erreichen, daß die Sensorstrukturen stark dotiert sind und die Verbindungselemente 10 schwach dotiert sind, wird eine Diffusionszone 17 eingebracht. Zu diesem Zweck wird eine Mas­ kierung 15 aufgebracht, unterhalb derer keine Dotierung der ersten Halbleiterschicht 6 erfolgt. Durch einen Plasmaätzpro­ zeß wird die erste Siliziumschicht 6 strukturiert (Fig. 3). Dabei werden die Lagerblöcke 3, die Lagerbalken 4, die Fe­ derelemente 5, der Zentralbalken 2, die Elektroden 21, 22, 31, 32 und die Verbindungselemente 10 aus der ersten Halbleiter­ schicht 6 herausstrukturiert. Durch eine Maskierung werden die Bereiche der ersten Halbleiterschicht 6, die nicht struk­ turiert werden sollen, geschützt. Ebenso werden die bereits aufgebrachten Leiterbahnen 11 und Passivierungsschichten 16 geschützt. Die Leiterbahnen 11 sind durch eine Passivierungs­ schicht 16 gegen die Siliciumschicht 6 isoliert. Nur im Be­ reich der Lagerblöcke 3 oder Lagerbalken 4 liegen die Leiter­ bahnen 11 unmittelbar auf dem Silicium auf. Nur an diesen Stellen erfolgt somit eine Kontaktierung des Sensors. In ei­ nem weiteren Ätzschritt wird dann die dielektrische Schicht 7 unterhalb der Federelemente 5, des Zentralbalkens 2 und der beweglichen Elektroden 21, 22 entfernt. Dies kann dadurch er­ folgen, daß das mehrschichtige Substrat nach der Strukturie­ rung der ersten Halbleiterschicht 6 mit einem Ätzmedium be­ aufschlagt wird, welches die dielektrische Schicht 7 ätzt. Aufgrund der relativ breiten Abmessungen der Lagerblöcke 3, der Lagerbalken 4 und der Verbindungselemente 10 verbleibt unter diesen noch eine dielektrische Schicht 7, sofern die Ätzung rechtzeitig unterbrochen wird. Die Federelemente 5, der Zentralbalken 2 und die beweglichen und feststehenden Elektroden 21, 22, 31, 32 sind jedoch von ihrem geometrischen Abmessungen so bemessen, daß zu diesem Zeitpunkt die dielek­ trische Schicht 7 unter diesen Elementen bereits vollständig entfernt ist.

Fig. 4 zeigt einen weiteren aus dem Stand der Technik be­ kannten Sensor 100 aus einem mehrschichtigen Substrat, der als Drehratensensor verwandt wird. Der Sensor 100 umfaßt zwei der in Fig. 1 gezeigten Beschleunigungssensoren 1. Jeder der beiden Beschleunigungssensor 1 ist über vier Federelemente 5 an einer beweglichen Halbleiterplatte 101 beziehungsweise ei­ ner beweglichen Halbleiterplatte 102 befestigt. Die Halblei­ terplatten 101, 102 sind wiederum an ihren Randabschnitten 2a über jeweils vier Federelementen 5a an Lagerblöcken 3a eines feststehenden Halbleiterrahmens 103 festgelegt. Im Betrieb werden die Halbleiterplatten 101, 102 in Richtung der Pfeile B in Schwingungen versetzt. Bei einer Drehung des Sensors 101 um die Z-Achse in Fig. 4 werden die Beschleunigungssensoren 1 in Richtung der Pfeile A ausgelenkt. Mit dem Sensor 100 können auf diese Weise Drehraten gemessen werden.

Die in Fig. 1 und Fig. 4 gezeigten bekannten Sensoren ver­ wenden sowohl für die Federelemente 5 als auch für die Fe­ derelemente 5a die in Fig. 5 gezeigte Geometrie und weisen zwei im wesentlichen parallel zueinander verlaufende Schenkel 51, 52 auf. Ein erster Schenkel 51 ist an einem Ende mit dem Lagerblock 3 verbunden. Das andere Ende des Schenkels 51 ist mit einem Verbindungssteg 53 verbunden, mit dem auch der zweite Schenkel 52 verbunden ist. Das nicht mit dem Verbin­ dungssteg 53 verbundene Ende des zweiten Schenkels 52 ist mit einer relativ zu dem Lagerblock 3 beweglichen Masse 2 verbun­ den. Wie in Fig. 4 am besten zu erkennen ist, wird die maxi­ male Auslenkung der Federelemente 5, 5a in x-Richtung und y- Richtung durch in der ersten Halbleiterschicht ausgebildete Anschläge begrenzt. Bei einer Auslenkung senkrecht zur Ebene des Substrats in Z-Richtung sind aber keine Anschläge vorhan­ den. Da die in Fig. 5 gezeigten Federelemente bei einer Aus­ lenkung in Z-Richtung nicht stark belastbar sind, brechen da­ her die Schenkel 51, 52 von dem Verbindungssteg 53 ab. Der Sensor wird dadurch unbrauchbar. Die Belastbarkeit der Fe­ derelemente 5 in Z-Richtung kann durch eine Abrundung der durch den Verbindungssteg 53 und die Schenkel 51, 52 gebilde­ ten Kanten verbessert werden.

Bei dem erfindungsgemäßen Sensor werden die einstückig mit der ersten Halbleiterschicht 6 verbundenen Federelemente 5 oder die Federelemente 5a des in Fig. 4 dargestellten Drehratensensors mit der in Fig. 6 dargestellten Geometrie hergestellt. Da die Federelemente wie oben beschrieben durch Ätzen aus der ersten Halbleiterschicht 6 gefertigt werden, ist dies vorteilhaft ohne größere Abänderungen des Herstel­ lungsverfahrens möglich. Wie in Fig. 6 zu erkennen ist, weist das aus Halbleitermaterial, beispielsweise Silicium, gefertigte Federelement 5 zwei im wesentlichen parallel zu­ einander verlaufende Schenkel 51, 52 mit rechteckförmigen Querschnitt auf. Der Abstand b der Schenkel voneinander be­ trägt beispielsweise 4 µm, die Breite a eines Schenkels bei­ spielsweise ebenfalls 4 µm. Der Schenkel 51 ist endseitig mit einem Lagerblock verbunden, der Schenkel 52 mit einer beweg­ lichen Masse. Der Lagerblock kann beispielsweise der in Fig. 4 dargestellte, fest mit der beweglichen Halbleiterplatte 101 verbundene Lagerblock 3 sein oder auch der fest mit der zwei­ ten Halbleiterschicht 8 verbundene Lagerblock 3a. Die beweg­ liche Masse kann beispielsweise die in Fig. 1 gezeigte Zen­ tralbalken 2 oder der in Fig. 4 gezeigte Randabschnitt 2a der Halbleiterplatten 101, 102 sein. Der Lagerblock 3, 3a muß also nicht notwendig, wie in Fig. 1 gezeigt, an der zweiten Halbleiterschicht 8 fest verankert sein. Wesentlich ist, daß die bewegliche Masse und der Lagerblock relativ zueinander beweglich sind.

Wie nun weiterhin in Fig. 6 dargestellt ist, sind die von dem Lagerblock 3 und der beweglichen Masse 2 abgewandten En­ dabschnitte der beiden Schenkel 51, 52 in Längsrichtung der Schenkel in der Ebene der ersten Halbleiterschicht 6 zunächst gekrümmt voneinander weg gerichtet und anschließend gekrümmt zueinander hin gerichtet und vereinen sich in einem zentralen gekrümmten Bereich 56. Der Verbindungsbereich der beiden Schenkel besteht hier aus beispielsweise fünf gekrümmten Be­ reichen 54, 55, 56, 57 und 58. Der zentrale gekrümmte Bereich 56 ist annähernd halbkreisförmig oder C-förmig ausgestaltet. An den zentralen Bereich 56 schließen sich zwei um etwa einen achtelkreis gekrümmte Bereiche 55 und 57 an, die etwa um den gleichen Krümmungsmittelpunkt 59 gekrümmt sind. Daran schlie­ ßen sich zwei weitere gekrümmte Bereiche 54, 58 an, deren Krümmungsmittelpunkte oberhalb des Schenkels 52 und unterhalb des Schenkels 51 in Fig. 6 liegen. An die gekrümmten Berei­ che 54, 58 schließen sich die Schenkel 51, 52 an. Die Breite der gekrümmten Federbereiche entspricht etwa der Breite a der Schenkel 51, 52, kann aber auch größer oder kleiner sein. Der innere Krümmungsradius R des zentralen Bereiches 56 und der Bereiche 55, 57 beträgt hier beispielsweise 11 µm und ist da­ mit immer deutlich größer als der Abstand b der Schenkel 51 und 52. Aber auch andere Krümmungsradien sind möglich. Vor­ zugsweise liegt der Krümmungsradius R zwischen 5 und 20 µm. Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, die gekrümmten Bereiche 54 bis 58 als im wesentlichen sphärisch gekrümmte Bereiche auszugestalten. Darüber hinaus ist es natürlich auch möglich, eine Krümmung mit einem variablen oder nicht sphärischen Krümmungsradius zu verwenden und gleichzeitig die Breite der gekrümmten Bereiche zu verändern. Wichtig ist, daß die ge­ krümmten Bereiche 54, 58, welche sich unmittelbar an die pa­ rallelen Abschnitte der Schenkel 51, 52 anschließen, zunächst voneinander weggekrümmt sind und sich anschließend wieder zu­ einander hinkrümmen bis sie sich in einem gemeinsamen Krüm­ mungsbereich 56 ohne Kante oder Knick vereinen. Kantige Strukturen an der Außen- und Innenwandung der Federelemente im Verbindungsbereich der beiden parallelen Schenkel, welche einen Bruch der Federelemente bei einer Auslenkung in Z- Richtung zur Folge haben können, werden auf diese Weise ver­ mieden.

Claims (6)

1. Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat (1) mit einer ersten Halbleiterschicht (6), in welcher wenigstens ein Fe­ derelement (5) mit zwei im wesentlichen parallel zueinander verlaufenden und an jeweils einem Endabschnitt miteinander verbundenen Schenkeln (51, 52) durch Strukturieren ausgebil­ det ist, wobei der erste Schenkel (51) an einem Lagerblock (3) festgelegt ist und der zweite Schenkel (52) mit einer relativ zu dem Lagerblock (3) beweglichen Masse (2) verbun­ den ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Endabschnitte (54, 55, 57, 58) der Schenkel (51, 52) in Längsrichtung der Schenkel in der Ebene der Halbleiterschicht (6) zunächst gekrümmt voneinander weg gerichtet sind und anschließend gekrümmt zu­ einander hin gerichtet sind und sich in einem zentralen ge­ krümmten Bereich (56) miteinander vereinen.

2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Federelement (5) aus Silicium besteht.

3. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die miteinander verbundenen Endabschnitte der beiden Schenkel (51, 52) des Federelementes (5) einen Verbindungsbereich bil­ den, der aus mehreren gekrümmten Bereichen (54, 55, 56, 57, 58) zusammengesetzt ist.

4. Sensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die gekrümmten Bereiche (54, 55, 56, 57, 58) im wesentlichen sphä­ risch gekrümmt sind.

5. Sensor nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch ge­ kennzeichnet, daß der innere Krümmungsradius R im Verbin­ dungsbereich der Schenkel (51, 52) größer als der Abstand b der parallelen Schenkelabschnitte ist.

6. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensor ein Beschleunigungssensor oder ein Drehratensensor ist.