DE19916708C1

DE19916708C1 - Röntgenbild-Erfassungssystem

Info

Publication number: DE19916708C1
Application number: DE19916708A
Authority: DE
Inventors: Karsten Buse
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1999-04-14
Filing date: 1999-04-14
Publication date: 2000-07-13
Anticipated expiration: 2019-04-15

Abstract

Das Röntgenbild-Erfassungssystem umfaßt einen mit dem von einem untersuchten Objekt kommenden Röntgenlicht beaufschlagbaren Wandlerkörper (1) aus einem elektrooptischen Material (2), das durch die Einwirkung des Röntgenlichts Raumladungsfelder mit einem dem Röntgenlichtmuster entsprechenden Raumladungsmuster aufbaut und seine optischen Eigenschaften in einem entsprechenden Muster ändert, eine Prüflichtquelle (4) zur Beaufschlagung des Wandlerkörpers (1) mit im Vergleich zum Röntgenlicht längerwelligen Prüflicht zur Ermittlung der optischen Eigenschaftsänderungen im Wandlerkörper (1), und eine Vorrichtung (8, 9) zur Ableitung eines dem Muster der veränderten optischen Eigenschaften im Wandlerkörper (1) entsprechenden, optisch erfaßbaren Helligkeitsmusters aus dem den Wandlerkörper (1) nach dessen Durchlaufen verlassenden Prüflicht (Abb. 1).

Description

Die Erfindung betrifft allgemein ein System zur Erfassung von Röntgenbildern.

Dominierend bei der Erfassung von Röntgenbildern ist die Aufzeichnung von Röntgenstrahlen mit photographischen Filmen, z. B. Silber-Halogenid- Emulsionen, und mit Röntgenfeuchtstoffen, die das Röntgenlicht in Licht eines anderen spektralen Bereichs, z. B. sichtbares Licht, umwandeln und dann z. B. mit elektronischen Kameras registrieren. Beide Verfahren erreichen Ortsauflö sungen von typisch nur 20 Linien pro mm. Für zahlreiche Anwendungen, z. B. Materialanalyse (Detektion von Haarrissen und Einschlüssen) sind höhere Auflösungen wünschenswert.

Bei der photographischen Aufzeichnung ist die erzielbare Auflösung durch die Größe der lichtempfindlichen Silberhalogenid-Kristalle bestimmt. Bessere Auf lösungen lassen sich durch spezielle Emulsionen erzielen, jedoch wird dadurch die Empfindlichkeit entsprechend reduziert, da mehr Kristalle belichtet werden müssen. Auch handelt es sich um ein irreversibles Aufzeichnungsverfahren; das Aufzeichnungsmaterial wird durch die Aufnahme verbraucht, da unum kehrbare chemische Reaktionen ausgelöst werden.

Röntgenleuchtstoffe senden das aus den Röntgenstrahlen erzeugte Licht isotrop (in alle Richtungen) aus. Das Licht wird an der Röntgenleuchtsubstanz gestreut. Das ist eine der Ursachen, daß der Herkunftsort des Lichts und damit der Röntgenstrahlung nur ungenau bestimmt werden kann. Eine Anordnung der Leuchtstoffe als Pixel eines Arrays oder die Aufnahme des Lichts mit Glasfasern dicht am Ort der Erzeugung sollen Verbesserungen der Ortsauflö sung schaffen. Prinzipiell sind auch bessere Auflösungen erzielbar, jedoch mit sehr großem Aufwand. Die Abtastung einer Fläche von 1 cm² mit der Auflö sung 1 µm erfordert das Anbringen und Justieren von einer Million Glasfasern. Auch erzeugt die Röntgenstrahlung in den Fasern Farbzenren, die Licht ab sorbieren und die Weiterleitung des erzeugten Lichts behindern. Dieses kann jedoch, wie in DE 197 26 884 C1 beschrieben ist, durch Erwärmen der Fasern behoben werden.

Ein anderer Ansatz, um Röntgenbilder hoher Auflösung zu erzielen, sind soge nannte Image-Plates. Röntgenstrahlen wandeln den Zustand von Atomen, Molekülen oder Festkörperverbindungen um. Unter nachträglicher Beleuchtung mit sichtbarem Licht geht das System in den Ausgangszustand zurück und sendet dabei Licht anderer Wellenlänge aus. Durch ein Abrastern der Image- Plate mit einem fokussierten Lesestrahl werden die Röntgenbilder erhalten. Mit dem Verfahren lassen sich hohe räumliche Auflösungen erreichen, die nur durch den Durchmesser des Lesestrahls begrenzt sind. Auflösungen bis ca. 500 Linien pro mm sind möglich. Der Nachteil des Verfahrens liegt darin, daß das Bild Punkt für Punkt aufgenommen werden muß. Trotz geschickter Raster verfahren (US-A 5144135) bleibt das Verfahren aufwendig und langsam, da die Daten Punkt für Punkt registriert werden müssen.

Bei der Aufnahme von Röntgenbildern unter Zuhilfenahme von Ladungsmu stern (DE-C 32 30 894) werden die Ladungen flächenhaft auf einem Film auf gebracht und elektrisch mit einem Rasterverfahren nachgewiesen. Dieses Verfahren weist ebenfalls den Nachteil auf, daß die Erzielung großer Ortsauf lösungen sehr großen Aufwand bedeutet, da das Gerät mit entsprechend vie len, dicht beieinandersitzenden Ladungssensoren auszustatten wäre oder das Abtasten der Probe sehr zeitaufwendig wird.

Bei einem anderen Verfahren zum Nachweis von Röntgenstrahlen (US-A 3881104) wird eine Platte eines elektrooptischen, doppelbrechenden Materials mit einem Photoleiter beschichtet und dann zwischen zwei Elektrodenplatten befestigt. Röntgenstrahlen erzeugen in dem Photoleiter eine Leitfähigkeit, und Ladungen wandern bis zum elektrooptischen Material. Ein Feldmuster baut sich auf, welches entsprechend der Röntgenstrahlung durchmoduliert ist. Die Felder rufen eine Änderung der Doppelbrechung hervor, welche dann mit po larisiertem Licht nachgewiesen wird. Photoleiter und doppelbrechendes Medi um sind dabei verschiedene Materialien, die schichtförmig übereinander ange ordnet werden. Dieses Verfahren erreicht keine gesteigerte Ortsauflösung. Bei feinen Röntgenmustern überlagern sich die von dicht beieinander sitzenden Oberflächenladungen hervorgerufenen Felder, und die Doppelbrechung wird nur schwach räumlich durchmoduliert. Die räumliche Auflösung ist grob durch den Abstand der Elektroden und somit die Dicke des doppelbrechenden Mate rials gegeben. Diese Dicke sollte, um hinreichende Empfindlichkeit zu erzielen, mindestens 0,1 mm betragen, was zu einer Abschätzung der erreichbaren Ortsauflösung von 10 Linien pro mm führt.

Bei weiterentwickelten Verfahren (US-A 4368386 und US-A 5847499) werden jedoch nach wie vor Oberflächenladungen eingesetzt, und eine Verbesserung der räumlichen Auflösung wird somit nicht erzielt.

Die Erfindung befaßt sich mit dem Problem, ein Röntgenbild-Erfasungssystem mit hoher räumlicher Auflösung zu schaffen, welches reversibel arbeitet, Auf zeichnungsmaterial nicht verbraucht, mehrere Aufnahmen ermöglicht und ein fach handhabbar ist.

Dieses Problem wird erfindungsgemäß durch ein System mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Hinsichtlich wesentlicher weiterer Ausgestaltungen wird auf die Ansprüche 2-32 verwiesen.

In der Zeichnung ist ein Ausführungsbeispiel des Gegenstands der Erfindung schematisch näher veranschaulicht. In der Zeichnung zeigen:

Abb. 1 eine Anordnung zur Erzeugung elektrischer Raumladungsfelder im Material eines Wandlerkörpers, und

Abb. 2 eine Gesamtdarstellung des Systems in einer bevorzugten Ausfüh rung.

Wie Abb. 1 entnommen werden kann, wird an das Material 2 des plattenförmig ausgebildeten Wandlerkörpers 1 mittels einer Spannungsquelle 3 eine externe Spannung angelegt. Das aufzuzeichnende, von einem zu untersuchenden Objekt kommende Röntgenlichtmuster erzeugt an den hellen Stellen im Mate rial bewegliche Elektronen und somit eine Photoleitfähigkeit. Die äußere Span nung fällt entsprechend der Leitfähigkeit in dem Material ab (dunklere Bereiche isolieren mehr und dort fällt eine größere Spannung ab). Es bauen sich räum lich modulierte Felder auf, die das Röntgenlichtmuster wiedergeben. Das Material ist elektrooptisch. Die erzeugten Raumladungsfel der ändern somit den Brechungsindex. Bei geeigneten Materialien kann auch die Doppelbrechung geändert werden, also der Unterschied der Brechungsin dizes für in der Einfallsebene und senkrecht zur Einfallsebene polarisiertes Licht.

Materialien, in denen die beschriebenen Effekte ablaufen können, sind unter anderem die sogenannten photorefraktiven Kristalle, z. B. Lithiumniobat [LiNbO₃], Lithiumtantalat [LiTaO₃], Bariumtitanat [BaTiO₃], Kaliumniobat [KNbO₃], Strontium-Barium-Niobat [Sr_1-xBa_xNb₂O₆, 0 ≦ x ≦ 1], Gallium-Arsenid [GaAs], Indium-Phosphid [InP] und Cadmium-Tellurid [CdTe]. Alle genannten Materialien sind Photoleiter, ermöglichen den Aufbau von Raumladungsfeldern und sind elektrooptisch.

Einige Materialien bauen auch ohne äußeres elektrisches Feld unter Röntgen beleuchtung Raumladungen auf. Dafür ist der volumenphotovoltaische Effekt verantwortlich. Dieser wurde z. B. im LiNbO₃ auch für Röntgenstrahlen nach gewiesen (G. Dalba, Y. Soldo, F. Rocca, V. M. Fridkin und Ph. Sainctavit, "Giant Bulk Photovoltaic Effect under Linearly Polarized X-Ray Synchrotron Radiation", Physical Review Letters 74, 988 (1995)).

Die Änderungen der optischen Eigenschaften, insbesondere der Doppelbre chung oder des Brechungsindexes, können z. B. mit polarisiertem Licht oder mit Interferometern nachgewiesen werden.

Gemäß Abb. 2 wird zum Nachweis geänderter optischer Eigenschaften des Materials 2 des Wandlerkörpers 1 Licht (nachfolgend als Prüflicht bezeichnet) einer Prüflichtquelle 4, z. B. eines Lasers, polarisiert und zu einer aufgeweiteten ebenen Welle geformt, z. B. unter Verwendung eines Raumfrequenzfilters 5. Das Prüflicht kann z. B. aus dem ultravioletten, sichtbaren oder infraroten Spektralbereich stammen. Es tritt in das Material 2 des Wandlerkörpers 1 ein. Zur Vermeidung störender Reflexionen kann die Eintrittsfläche des Wandler körpers 1 eine Antireflexbeschichtung 6 aufweisen. Das Prüflicht soll beim Ein tritt nicht entlang einer der Hauptachsen des Materials 2 polarisiert sein, wobei die Hauptachsen durch die optische Indikatrix definiert sind.

Entsprechend der Stärke der Raumladungsfelder ist die Doppelbrechung mo duliert. Das Prüflicht durchläuft das Material 2 des Wandlerkörpers 1, wird an der Rückseite des Wandlerkörpers 1 reflektiert und verläßt das Material 2 wie der durch die Eintrittsfläche. Dabei ist die Polarisation des Lichts entsprechend der Doppelbrechung gedreht. Die Reflexion des Lichts an der Rückseite des Materials 2 kann durch eine dünne metallische Schicht 7, die von Röntgen strahlen leicht durchdrungen wird, gesteigert werden. Bei Materialien mit gro ßen Brechungsindizes, z. B. LiNbO₃, kann auch schon die Reflexion an der Grenzschicht Material/Luft genügen, um eine ausreichend starke, reflektierte Welle zu erzeugen.

Das in der Polarisation modulierte, reflektierte Licht wird mit einem Strahlteiler 8 abgetrennt und durch einen weiteren Polarisator (Analysator) 9 geschickt. Hier wird die Polarisationsinformation in Intensitätsinformation umgewandelt. Das entstehende Helligkeitsmuster ist eine Replika des ursprünglichen Rönt genmusters. Das entstandene Bild kann z. B. mit einer digitalen Kamera 10 aufgenommen und in einem nicht dargestellten Rechner nach Datenübergabe weiterverarbeitet werden.

Dieses Ausführungsbeispiel verdeutlicht das Konzept. Bei der Realisierung können weitere Details zu beachten sein.

So kann eine homogene Hintergrundbeleuchtung des Materials nötig sein, um zu einer linearen Kennlinie zu kommen (die Intensität des sichtbaren Lichts auf der Kamera 10 sollte proportional zu der Intensität des Röntgenlichts sein).

Ein Erwärmen des Materials kann nötig sein, um Defekte auszuheilen, die durch die Röntgenstrahlung entstehen. Die Dicke des Materials ist geeignet einzustellen, so daß ohne Röntgenlicht die Intensität des Prüflichts hinter dem Analysator 8 z. B. gleich Null ist.

Durch den Einsatz von Abbildungsoptiken (Linsen) kann das Bild z. B. hinter dem Analysator 9 noch vergrößert oder verkleinert und somit der Kamera 10 angepaßt werden. Auch ein gezieltes Vergrößern markanter Bildteile ist damit möglich.

Die räumliche Auflösung des Systems ist vom Konzept her nur durch die Wel lenlänge des verwendeten Prüflichts begrenzt. Bei sichtbarem Licht, welches z. B. LiNbO₃ gut durchdringt (geringe Absorption), werden somit Auflösungen bis zu etwa 1000 Linien pro Millimeter erwartet.

Das gesamte Bild wird in einem Zug erhalten, so daß ein Rastern oder Scan nen nicht erforderlich ist.

Bei erneuter Beleuchtung mit Röntgenlicht stellt sich im stationären Zustand das zu dem neuen Röntgenlichtmuster gehörende Raumladungsmuster ein. Das Verfahren ist somit reversibel. Zur Aufnahme schneller Bildfolgen können die Raumladungsmuster zwischen den Aufnahmen auch gezielt gelöscht wer den. Dieses ist z. B. durch homogene Beleuchtung mit infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht oder durch homogene Beleuchtung mit Röntgenlicht möglich. Auch kann die Dunkelleitfähigkeit des Materials 2 des Wandlerkörpers 1 durch Erwärmung oder geeignete Dotierung gesteigert werden, so daß die Raumladungsmuster im Dunklen von allein schnell relaxieren.

Für Aufnahmen mit langen Belichtungszeiten sollten Materialien mit geringer Dunkelleitfähigkeit genutzt werden. Die Raumladungsfelder bauen sich dann während der Beleuchtung kontinuierlich auf, bis ein stationärer Zustand er reicht ist. Wesentlich ist dabei nicht die Intensität des Röntgenlichts, sondern das Produkt aus Intensität und Beleuchtungsdauer, also die Energie-Flächen- Dichte.

Die Empfindlichkeit des Systems, also wieviel Licht auf ein Detektorelement gelangt pro Energie-Flächen-Dichte des einfallenden Röntgenlichts, kann auf zwei Arten kontinuierlich geregelt werden: Über die Intensität der Prüflichtquel le 4 und über eine extern an das Material 2 angelegte Spannung.

Außerdem kann in dem gezeigten Ausführungsbeispiel das zu untersuchende Objekt direkt vor dem Material 2 des Wandlerkörpers 1 positioniert werden, was für hochauflösende Röntgenaufnahmen wichtig ist, da sonst die Röntgen strahlen an dem Objekt gebeugt werden.

Aufgrund der großen räumlichen Auflösung bietet sich das System insbeson dere zum Einsatz in der Materialprüfung an. Z. B. werden die Schweißnähte von Pipelines sowie viele Einzelelemente von Flugzeugtriebwerden standard mäßig mit Röntgenstrahlen untersucht. Das neue Verfahren macht Untersu chungen mit höherer örtlicher Auflösung (z. B. 200 Linien pro mm) praktikabel. Materialermüdungen (Haarrisse) oder Materialfehler (Einschlüsse, Blasen) können besser erkannt werden, und eine Steigerung der Sicherheit läßt sich erreichen.

Die Empfindlichkeit des Verfahrens kann durch den Einsatz einer intensiven Lichtquelle zum Nachweis der induzierten Doppelbrechung gesteigert werden, so daß jedes einzelne Röntgenquant nachgewiesen wird. Damit genügt die Empfindlichkeit medizinischen Anwendungen, bei denen die Strahlenbelastung des Patienten möglichst gering zu halten ist. Das Verfahren kann auch im me dizinischen Bereich Vorteile bieten, da Bilder hoher Auflösung ohne Entwick lung erhalten werden. Bildsequenzen lassen sich in schneller Folge aufneh men, so daß sich auch Bewegungsabläufe detektieren lassen, was nötig ist, um z. B. Bänderrisse sicher zu diagnostizieren.

Ein weiterer Anwendungsbereich des neuen Verfahrens ist die Verbesserung wissenschaftlicher Untersuchungsverfahren. Beispielsweise werden mit Rönt genstrahlen Strukturen von anorganischen und organischen Kristallen unter sucht (z. B. Laue-Aufnahmen). Aus der Lage von Röntgenreflexen wird auf die Anordnung der Atome geschlossen. Die Genauigkeit der Verfahren hängt unter anderem von der Auflösung des Röntgendetektors ab. Häufig werden dazu bis heute Silber-Halogenid-Filme eingesetzt. Die Detektion des Röntgenlichts mit dem neuen Verfahren erreicht verbesserte Auflösungen und ist reversibel, so daß nicht ständig neues Filmmaterial benötigt wird.

Claims

1. Röntgenbild-Erfassungssystem, gekennzeichnet durch einen mit dem von einem untersuchten Objekt kommenden Röntgenlicht beaufschlagbaren Wandlerkörper (1) aus einem elektrooptischen Material (2), das durch die Ein wirkung des Röntgenlichts Raumladungsfelder mit einem dem Röntgenlicht muster entsprechenden Raumladungsmuster aufbaut und seine optischen Ei genschaften in einem entsprechenden Muster ändert, durch eine Prüflichtquel le (4) zur Beaufschlagung des Wandlerkörpers (1) mit im Vergleich zum Rönt genlicht längerwelligen Prüflicht zur Ermittlung der optischen Eigenschaftsän derungen im Wandlerkörper (1), und durch eine Vorrichtung (8, 9) zur Ableitung eines dem Muster der veränderten optischen Eigenschaften im Wandlerkörper (1) entsprechenden, optisch erfaßbaren Helligkeitsmusters aus dem den Wandlerkörper (1) nach dessen Durchlaufen verlassenden Prüflicht.

2. Erfassungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Ma terial (2) für den Wandlerkörper (1) photorefraktive Kristalle vorgesehen sind.

3. Erfassungssystem nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeich net, daß an den Wandlerkörper (1) ein externes elektrisches Feld anlegbar ist.

4. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen Aufbau von Raumladungsfeldern durch einen volumenphotovol taischen Effekt des Materials des Wandlerkörpers (1).

5. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn zeichnet, daß das Material (2) des Wandlerkörpers (1) mit die Erzeugung freier Ladungen oder die Erzeugung volumenphotovoltaischer Ströme fördernden Fremdionen versehen ist.

6. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn zeichnet, daß der Wandlerkörper (1) als planparallele Platte ausgebildet ist.

7. Erfassungssystem nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Wandlerkörper (1) auf eine Planität besser als 1 µm poliert ist.

8. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekenn zeichnet, daß eine Seite des Wandlerkörpers (1) durch eine Schicht (7) für ul traviolettes, sichtbares oder infrarotes Licht verspiegelt ist.

9. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn zeichnet, daß eine Seite des Wandlerkörpers mit einer Antireflexbeschichtung (6) für ultraviolettes, sichtbares oder infrarotes Licht versehen ist.

10. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekenn zeichnet, daß ein Material (2) für den Wandlerkörper (1) vorgesehen ist, bei dem die Raumladungsfelder den Brechungsindex des Materials, bei mehrach sigen Materialien die Brechungsindizes, ändern.

11. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekenn zeichnet, daß ein Material (2) für den Wandlerkörper (1) vorgesehen ist, bei dem die Raumladungsfelder die Absorption des Materials des Wandlerkörpers ändern.

12. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekenn zeichnet, daß während der Belichtung des Wandlerkörpers (1) mit Röntgenlicht dieser zusätzlich homogen mit ultraviolettem, sichtbarem oder infrarotem Licht beleuchtet wird.

13. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekenn zeichnet, daß während der Belichtung des Wandlerkörpers (1) mit vom Objekt kommendem Röntgenlicht der Wandlerkörper zusätzlich homogen mit Rönt genlicht beleuchtet wird.

14. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekenn zeichnet, daß zur Ermittlung der Änderungen der optischen Eigenschaften des Materials (2) des Wandlerkörpers (1) ultraviolettes, sichtbares oder infrarotes von einer Prüflichtquelle (4) ausgehendes Prüflicht eingesetzt wird.

15. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekenn zeichnet, daß als Quelle (4) für das Prüflicht ein Laser vorgesehen ist.

16. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekenn zeichnet, daß das Prüflicht eine ebene Welle ist.

17. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekenn zeichnet, daß das Prüflicht polarisiertes Licht ist.

18. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekenn zeichnet, daß das Prüflicht kohärent ist.

19. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekenn zeichnet, daß die Polarisation des Prüflichts aufgrund einer feldinduzierten Än derung der Doppelbrechung ortsabhängig entsprechend der Röntgenbestrah lung gedreht wird.

20. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekenn zeichnet, daß ein Polarisator bzw. Analysator (9) zum Analysieren des Prüf lichts nach dem Durchlaufen des Wandlerkörpers (1) vorgesehen ist.

21. Erfassungssystem nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtintensität hinter dem Analysator (9) minimal oder maximal ist oder etwa in der Mitte zwischen minimaler und maximaler Intensität liegt, wenn kein Rönt genlicht auf das Material des Wandlerkörpers (1) fällt.

22. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 21, gekennzeichnet durch einen Halbleiterdetektor zur Aufnahme des Prüflichts nach Durchlaufen des Analysators (9).

23. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 21, gekennzeichnet durch ein sich aus zeilen- und spaltenweise angeordneten Detektorelementen zusammensetzendes Detektorfeld zur Aufnahme des Prüflichts nach Durchlau fen des Analysators (9).

24. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 23, gekennzeichnet durch einen Rechner zur digitalen Weiterverarbeitung der aufgenommenen Bilder.

25. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 24, gekennzeichnet durch ein Interferometer zum Nachweis der Änderung der optischen Eigen schaften des Materials (2) des Wandlerkörpers (1).

26. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekenn zeichnet, daß das Prüflicht zur Durchführung ortsaufgelöster Absorptionsmes sungen nach dem Durchlaufen des Materials (2) des Wandlerkörpers (1) unmit telbar auf einen Detektor gelenkt wird.

27. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 26, dadurch gekenn zeichnet, daß zur Einstellung der Empfindlichkeit des Systems die Intensität des Prüflichts veränderbar ist.

28. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 26, gekennzeichnet durch eine außen an das Material des Wandlerkörper anschließbare Span nungsquelle (3) zur Einstellung der Empfindlichkeit des Systems.

29. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 28, gekennzeichnet durch Mittel zum Erwärmen des Materials (2) des Wandlerkörpers (1) während der Aufnahme eines Röntgenbildes oder zwischen den Aufnahmen.

30. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 29, gekennzeichnet durch vor dem Detektor angeordnete, vom Prüflicht durchlaufende optische Linsen zur Vergrößerung oder Verkleinerung des entstehenden Bildes.

31. Erfassungssystem nach Anspruch 1 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Linsen das Verhältnis Höhe zu Breite des entstehenden Bildes verändern.

32. Erfassungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 31, dadurch gekenn zeichnet, daß das Material (2) des Wandlerkörpers (1) zum Löschen der Raumladungsfelder zwischen zwei Aufnahmen mit homogenem Licht beleuch tet wird.