DE19904103B4 - IGBT mit verbesserter Durchlaßspannung - Google Patents

IGBT mit verbesserter Durchlaßspannung Download PDF

Info

Publication number
DE19904103B4
DE19904103B4 DE1999104103 DE19904103A DE19904103B4 DE 19904103 B4 DE19904103 B4 DE 19904103B4 DE 1999104103 DE1999104103 DE 1999104103 DE 19904103 A DE19904103 A DE 19904103A DE 19904103 B4 DE19904103 B4 DE 19904103B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
conductivity type
zone
multilayers
zones
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE1999104103
Other languages
English (en)
Other versions
DE19904103A1 (de
Inventor
Helmut Dr. Strack
Jenö Dr. Tihanyi
Gerhard Dr. Miller
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE1999104103 priority Critical patent/DE19904103B4/de
Publication of DE19904103A1 publication Critical patent/DE19904103A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19904103B4 publication Critical patent/DE19904103B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
    • H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
    • H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
    • H01L29/0607—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
    • H01L29/0611—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices
    • H01L29/0615—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE]
    • H01L29/0619—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse biased devices by the doping profile or the shape or the arrangement of the PN junction, or with supplementary regions, e.g. junction termination extension [JTE] with a supplementary region doped oppositely to or in rectifying contact with the semiconductor containing or contacting region, e.g. guard rings with PN or Schottky junction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

IGBT mit verbesserter Durchlassspannung, mit:
– einem eine erste und eine zweite Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps,
– einer im Bereich der ersten Oberfläche vorgesehenen Wannenzone (3) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps,
– in der Wannenzone (3) vorgesehenen hochdotierten Drain- und Source-Zonen (4) des einen Leitungstyps,
– einer durch eine Isolierschicht (6) von der ersten Oberfläche beabstandeten Gate-Elektrode (7) oberhalb der Wannenzone (3) im Bereich zwischen der Source-Zone und der Drain-Zone (4),
– einer im Bereich der zweiten Oberfläche vorgesehenen E- mitter-Schicht (2) des anderen Leitungstyps und
– Mehrfachschichten (8) aus wenigstens einer Schicht (9) des einen Leitungstyps und einer Schicht (10) des anderen Leitungstyps, die in den Halbleiterkörper (1) eingebettet sind, wobei die Mehrfachschichten (8) ausschließlich zwischen benachbarten Wannenzonen (3) und zugleich angrenzend an die Wannenzonen (3) vorgesehen sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen IGBT mit verbesserter Durchlaßspannung, mit:
    • – einem eine erste und eine zweite Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper des einen Leitungstyps,
    • – einer im Bereich der ersten Oberfläche vorgesehenen Wannenzone des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps,
    • – in der Wannenzone vorgesehenen hochdotierten Drain- und Sourcezonen des einen Leitungstyps,
    • – einer durch eine Isolierschicht von der ersten Oberfläche beabstandeten Gateelektrode oberhalb der Wannenzone im Bereich zwischen der Sourcezone und der Drainzone und
    • – einer im Bereich der zweiten Oberfläche vorgesehenen Emitterschicht des anderen Leitungstyps.
  • Durchlaßverluste hängen bei Bauelementen von deren Durchlaßspannung ab: die Durchlaßverluste sind um so größer, je höher die Durchlaßspannung ist. Soll also ein Bauelement, wie beispielsweise ein IGBT, niedrige Durchlaßverluste haben, so muß dafür gesorgt werden, daß dessen Durchlaßspannung reduziert ist.
  • Nun wird bei einem IGBT die Durchlaßspannung durch die Ladungsträgerkonzentration am pn-Übergang auf der Seite von Source bzw. Emitter bestimmt: die Durchlaßspannung ist um so niedriger, je höher die "Plasmakonzentration" am source- bzw. emitterseitigen pn-Übergang eingestellt ist. "Plasmakonzentration" bedeutet dabei die gemeinsame Konzentration "n = p" der Elektronen und Löcher unter Lochinjektionsbedingungen, was bei einem IGBT vorliegt. Da dieser pn-Übergang aber den Kollektor des internen pnp-Transistors bildet, saugt er die von der Rückseite emittierten Löcher ab und verhindert damit die an sich gewünschte Anhebung der Plasmakonzentration direkt vor diesem pn-Übergang, so daß dort die n-Dotierung gleichzeitig mit der p-Dotierung praktisch gleich null wird. Die niedrige Konzentration mit "n = p" in der Zellennähe erhöht die Durchlaßspannung.
  • 4 zeigt die Ladungsträgerverteilung bei einem herkömmlichen IGBT, wie dieser schematisch in der linken oberen Ecke des Diagrammes von 4 veranschaulicht ist: mit zunehmendem Abstand von der rückseitigen p-leitenden Emitterschicht wird die Ladungsträgerverteilung (n = p) immer kleiner und verschwindet schließlich am vorderseitigen pn-Übergang (vgl. den Kurvenverlauf mit x = 0 μm). Zwischen den Zellen steigt dagegen die Konzentration der Ladungsträger (Elektronen und Löcher) nochmals leicht an (vgl. den Kurvenverlauf mit x = 20 μm).
  • Der Strom folgt nun bekanntlich immer den Bereichen mit der höchsten Ladungsträgerkonzentration. Er konzentriert sich also im wesentlichen auf das Gebiet zwischen den einzelnen p-leitenden Zonen an der Vorderseite des IGBT.
  • Die auf diese Weise erhaltene Stromverteilung ist aus der 5 zu ersehen, in der auf der Abszisse die seitliche Ausdehnung x des IGBTs aufgetragen ist, während die Ordinate die Stromdichte I (A/cm2) für verschiedene Eindringtiefen y zeigt. Aus dieser 5 ist zu ersehen, daß bei einer Eindringtiefe y = 30 μm, also weit unterhalb der vorderseitigen p-leitenden Zonen, die Stromdichte lateral im wesentlichen konstant ist. Bei einer Eindringtiefe y = 10 μm (vgl. die Strichlinie in 5) ist dagegen eine deutliche Konzentration der Stromdichte am Rand, also außerhalb des Bereiches der eigentlichen Zelle, gegeben. Dieser Effekt wird bei einer Eindringtiefe y = 7 μm noch wesentlich deutlicher.
  • Zusammenfassend läßt sich somit aus den 4 und 5 die Erkenntnis gewinnen, daß am Rand der vorderseitigen p-leitenden Zone bei einem IGBT ungefähr 80 % des Stromes fließen.
  • Um unter solchen Bedingungen einen IGBT mit möglichst geringen Durchlaßverlusten zu schaffen, muß dieser hinsichtlich der Größe der einzelnen Zellen, der Eindringtiefe der vorderseitigen p-leitenden Zonen und des Abstandes zwischen den Zellen optimiert werden. Dies setzt genaue und aufwendige Herstellungsprozesse voraus, weshalb schon Anstrengungen unternommen wurden, um eine Anhebung der Ladungsträgerkonzentration ohne eine solche Optimierung zu erreichen.
  • Zu nennen ist hier die Anhebung der Ladungsträgerkonzentration durch die Anwendung des sog. Gate-Trenchprinzips mit dem Trench-IGBT, womit eine deutlich erniedrigte Durchlaßspannung und damit geringere Durchlaßverluste zu erzielen sind (vgl. hierzu beispielsweise R. Hotz et al: Proc. of 1995 Symposium on Power Semiconductors Devices & ICs, Yokohama, Seiten 224 bis 229 und insbesondere Bild 4 auf Seite 226).
  • Unabhängig von solchen Bestrebungen zur Verminderung der Durchlaßspannung bei einem IGBT ist bereits ein durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement bekannt (vgl. DE 196 04 043 A1 , bei dem in eine Drainzone Bereiche vom jeweils des einen und anderen Leitungstyp eingebracht sind, wobei die Konzentration der eingebrachten n-Bereiche in etwa der Konzentration der eingebrachten p-Bereiche entspricht. Durch diese eingebrachten Bereiche des einen und des anderen Leitungstyps soll erreicht werden, daß das durch Feldeffekt steuerbare Halbleiterbauelement trotz einer hohen Sperrspannung einen niedrigen Durchlaßwiderstand hat.
  • Die Tiefe der so in die Drainzone eingebrachten Bereiche vom einen und anderen Leitungstyp, die säulenartige Gebilde darstellen, hängt von den technologischen Möglichkeiten der jeweils für deren Herstellung eingesetzten Verfahren ab (vgl. hierzu insbesondere WO-97-29518 A1.
  • Die nicht vorveröffentlichte DE 198 08 348 C1 beschreibt ein mittels Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement mit in einem Halbleiterkörper angeordneten Wannenzonen und in den Wannenzonen angeordneten, komplementär zu den Wannenzonen dotierten Source-Zonen. Isoliert gegenüber dem Halbleiterkörper sind Gate-Elektroden angeordnet zur Steuerung leitender Kanäle in den Wannenzonen jeweils zwischen den Source-Zonen und einer sich an die Wannenzonen anschließenden Driftzone. In der Driftzone sind bei dem bekannten Bauelement unterhalb der Wannenzone mehrere übereinander angeordnete komplementär dotierte Halbleiterschichten vorhanden.
  • Die US 5,216,275 A beschreibt ein mittels Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement mit einer isoliert gegenüber einem Halbleiterkörper angeordneten Gate-Elektrode zur Steuerung eines leitenden Kanals in einer Wannenzone, in der komplementär zu der Wannenzone dotierte Source-Zonen angeordnet sind. An die Wannenzone schließt sich eine Driftzone des Bauelements an, in der komplementär zueinander dotierte Halbleiterzonen vorgesehen sind.
    •
  • Es ist nun Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen IGBT anzugeben, der sich durch deutlich verminderte Durchlaßverluste auszeichnet und dabei einfach herstellbar ist.
  • Diese Aufgabe wird durch einen IGBT mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die Mehrfachschichten erfüllen die beiden wesentlichen Bedingungen, die im Bereich vor dem source- bzw. emitterseitigen pn-Übergang bei einem IGBT herrschen müssen, damit dieser verminderte Durchlaßverluste aufweisen kann:
    • (a) Im Sperrfall des pn-Überganges muß die notwendige Raumladungszone aufgenommen werden können, d.h., die insgesamt resultierende, fest eingebaute Ladung oder Dotierung muß entsprechend niedrig sein.
    • (b) Im Durchlaßfall muß aber die Ladungsträgerkonzentration hoch sein, so daß sie wenigstens ein bis zwei Größenordnungen höher als die Ladungsträgerkonzentration im Sperrfall ist.
  • Diese Bedingungen werden durch die Mehrfachschicht (oder Doppelschicht mit einer p-leitenden Schicht und einer n-leitenden Schicht) ohne weiteres erfüllt. Durch diese Mehrfachschicht wird die sonst an sich bewegliche Speicherladung (n = p) vor dem pn-Übergang in eine fest eingebaute, für beide Leitungstypen gleich große Dotierung umgewandelt. Damit erfolgt dort der Stromfluß nur mehr über Majoritätsladungsträger, was ein äußerst robustes Verhalten des IGBTs ergibt.
  • Die Mehrfachschichten sind zwischen zwei benachbarten Wannenzonen vorgesehen , so daß jeweils eine Mehrfachschicht eine Wannenzone von einer benachbarten Wannenzone trennt. Außerdem ist es möglich, die die Mehrfachschichten bildenden einzelnen Schichten aneinander angrenzend oder voneinander beabstandet zu gestalten. Die Mehrfachschichten können bis zu der Isolierschicht auf der Vorderseite des IGBTs reichen, wobei eine Schicht von der Wannenzone ausgeht, während die andere Schicht der Mehrfachschicht von der Isolierschicht ausgehen kann und bis in den Halbleiterkörper hineinragt. Die Mehrfachschichten können auch höher dotiert sein als der Halbleiterkörper und die Wannenschicht und so eine Dotierungskonzentration im Bereich von 1016 bis 1018 Ladungsträger cm–3 aufweisen. Schließlich ist es auch möglich, daß die Mehrfachschichten einen zur Vorderseite abnehmenden Dotierungsgradienten haben, wodurch die Einsatzspannung des IGBTs eingestellt werden kann.
  • Durch die Mehrfachschichten liegt in dem IGBT eine "erzwungene" Stromführung mit einem positiven Temperaturkoeffizienten vor. Dies trägt vor allem in einem Kurzschlußfall zur Robustheit des IGBTs bei.
    •
  • Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 einen Schnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen IGBTs,
  • 2 einen Schnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen IGBTs,
  • 3 einen Schnitt durch ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen IGBTs,
  • 4 ein Diagramm zur Erläuterung der Ladungsträgerverteilung (n = p) in einem bestehenden IGBT und
  • 5 ein Diagramm zur Erläuterung der Stromverteilung in einer Halbzelle des bestehenden IGBTs.
  • Die 4 und 5 sind bereits eingangs erläutert worden.
  • Es sei betont, daß in der folgenden Beschreibung von drei Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung die jeweiligen Leitungstypen auch umgekehrt sein können.
  • Auf der Rückseite eines n–-leitenden Halbleiterkörpers 1 aus beispielsweise Silizium befindet sich eine p-leitende Emitterschicht 2, auf der ein (nicht gezeigter) Kontaktanschluß angebracht ist. Auf der gegenüberliegenden Vorderseite des Halbleiterkörpers 1 sind p-leitende Wannenzonen 3 vorgesehen, in die n+-leitende Sourcezonen 4 eingebracht sind. Diese Sourcezonen 4 sind mit einer Metallisierung 5 aus beispielsweise Aluminium kontaktiert, welche auf eine Isolierschicht 6 aus beispielsweise Siliziumdioxid aufgetragen ist, in die Löcher eingebracht sind, die zu den Source- bzw. Drainzonen 4 führen, wodurch die Metallisierung 5 die Source- bzw. Drainzonen sowie die Wannenzone 3 kontaktieren kann. In der Isolierschicht 6 sind noch Gateelektroden 7 aus beispielsweise polykristallinem Silizium vorgesehen.
  • Im Ausführungsbeispiel befinden sich zwischen den einzelnen Wannenzonen 3 Mehrfachschichten 8 aus jeweils einer n-leitenden Schicht 9 und p-leitenden Schichten 10.
  • Die Schichten 9, 10 weisen jeweils eine Dotierungskonzentration von etwa 1016 bis 1018 Ladungsträger cm–3 auf und können auch höher dotiert sein als die Wannenzone 3. Auch können diese Schichten 9, 10 einen Dotierungsgradienten haben, so daß sie an ihrer der Isolierschicht 6 benachbarten Oberseite schwächer dotiert sind als an ihrer in den Halbleiterkörper 1 hineinragenden Unterseite. Durch eine derartige Dotierung der Schichten 9, 10 kann die Einsatzspannung eingestellt werden. Die Breite der Schichten 9, 10 kann in der Größenordnung von einem μm bis einigen μm liegen.
  • Durch die Mehrfachschicht 8 wird so vor dem pn-Übergang zwischen dem Halbleiterkörper 1 und der Wannenzone 3, also dem vorderseitigen pn-Übergang eine gleich große Dotierung (n = p) fest eingebaut, so daß hier der Stromfluß nur mehr über Majoritätsladungsträger erfolgt.
  • Die Mehrfachschichten 8 können gegebenenfalls bis zu der Rückseite in den Bereich der Zone 2 reichen. Die erzwungene Stromführung über die Mehrfachschichten 8 trägt auch im Kurzschlußfall zur Robustheit des Bauelementes bei.
  • Im Sperrfall ist bei dem erfindungsgemäßen IGBT die insgesamt resultierende fest eingebaute Ladung bzw. Dotierung niedrig (n = p), während im Durchlaßfall die Ladungsträgerkonzentration um ein bis zwei Größenordnungen höher als im Sperrfall sein kann.
  • 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung, das sich von dem Ausführungsbeispiel der 1 dadurch unterscheidet, daß die Schichten 9, 10 nicht zusammenhängend sind und die Schichten 10 ausgehend von der Wannenzone in Richtung auf die Zone 2 verlaufen, während die Schichten 9 wie im Ausführungsbeispiel von 1 zwischen der Isolierschicht 6 und dem Halbleiterkörper 1 angeordnet sind.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel, das in 3 gezeigt ist, sind wie in dem Ausführungsbeispiel von 2 die Schichten 8, 9 nicht zusammenhängend. Jedoch sind hier die Schichten 8, 9 wie im Ausführungsbeispiel von 1 zwischen der Isolierschicht 6 und dem Halbleiterkörper 1 angeordnet.
    • 1
    Halbleiterkörper
    2
    Emitterschicht
    3
    Wannenzone
    4
    Drain- bzw. Sourcezone
    5
    Metallisierung
    6
    Isolierschicht
    7
    Gateelektrode
    8
    Mehrfachschicht
    9
    n-leitende Schicht
    10
    p-leitende Schicht

Claims (10)

  1. IGBT mit verbesserter Durchlassspannung, mit: – einem eine erste und eine zweite Oberfläche aufweisenden Halbleiterkörper (1) des einen Leitungstyps, – einer im Bereich der ersten Oberfläche vorgesehenen Wannenzone (3) des anderen, zum einen Leitungstyp entgegengesetzten Leitungstyps, – in der Wannenzone (3) vorgesehenen hochdotierten Drain- und Source-Zonen (4) des einen Leitungstyps, – einer durch eine Isolierschicht (6) von der ersten Oberfläche beabstandeten Gate-Elektrode (7) oberhalb der Wannenzone (3) im Bereich zwischen der Source-Zone und der Drain-Zone (4), – einer im Bereich der zweiten Oberfläche vorgesehenen E- mitter-Schicht (2) des anderen Leitungstyps und – Mehrfachschichten (8) aus wenigstens einer Schicht (9) des einen Leitungstyps und einer Schicht (10) des anderen Leitungstyps, die in den Halbleiterkörper (1) eingebettet sind, wobei die Mehrfachschichten (8) ausschließlich zwischen benachbarten Wannenzonen (3) und zugleich angrenzend an die Wannenzonen (3) vorgesehen sind.
  2. IBGT nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die die Mehrfachschichten (8) bildenden Schichten (9, 10) aneinander angrenzend sind.
  3. IBGT nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die die Mehrfachschichten (8) bildenden Schichten (9, 10) voneinander beabstandet sind.
  4. IBGT nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrfachschichten (8) bis zu der Isolierschicht (6) reichen.
  5. IBGT nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht (10) des anderen Leitungstyps der Mehrfachschichten (8) von der Wannenzone (3) ausgehend und die Schicht (9) des einen Leitungstyps von der Isolierschicht (6) ausgehend in den Halbleiterkörper (1) hineinragen.
  6. IBGT nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrfachschichten (8) höher dotiert sind als der Halbleiterkörper (1) und die Wannenschicht (3).
  7. IBGT nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrfachschichten (8) bis zu dem Bereich der Emitterschicht (2) reichen.
  8. IBGT nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrfachschichten mit einer Dotierungskonzentration von 1016 bis 1018 Ladungsträger cm–3 versehen sind.
  9. IBGT nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Mehrfachschichten einen zur Isolierschicht (6) hin abnehmenden Dotierungsgradienten haben.
  10. IBGT nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke der Mehrfachschichten einen μm bis einige μm beträgt.
DE1999104103 1999-02-02 1999-02-02 IGBT mit verbesserter Durchlaßspannung Expired - Fee Related DE19904103B4 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1999104103 DE19904103B4 (de) 1999-02-02 1999-02-02 IGBT mit verbesserter Durchlaßspannung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1999104103 DE19904103B4 (de) 1999-02-02 1999-02-02 IGBT mit verbesserter Durchlaßspannung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19904103A1 DE19904103A1 (de) 2000-08-10
DE19904103B4 true DE19904103B4 (de) 2005-04-14

Family

ID=7896150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1999104103 Expired - Fee Related DE19904103B4 (de) 1999-02-02 1999-02-02 IGBT mit verbesserter Durchlaßspannung

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19904103B4 (de)

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3131727A1 (de) * 1980-08-18 1982-03-11 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. "mos-feldeffekttransistor und verfahren zu seiner hestellung"
US4963951A (en) * 1985-11-29 1990-10-16 General Electric Company Lateral insulated gate bipolar transistors with improved latch-up immunity
US5216275A (en) * 1991-03-19 1993-06-01 University Of Electronic Science And Technology Of China Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions
EP0563952A1 (de) * 1992-04-03 1993-10-06 Hitachi, Ltd. Halbleiterbauteil mit erhöhter Lochinjektion
DE3942490C2 (de) * 1989-12-22 1994-03-24 Daimler Benz Ag Feldeffekt-gesteuertes Halbleiterbauelement
DE4309764A1 (de) * 1993-03-25 1994-09-29 Siemens Ag Leistungs-MOSFET
DE19640561A1 (de) * 1995-10-10 1997-04-17 Samsung Electronics Co Ltd Darin beabstandete epitaktische Sperrschichtfeldeffekttransistorbereiche ausweisende Isolierschichthalbleitervorrichtngen und ihre Herstellungsverfahren
US5644148A (en) * 1992-09-15 1997-07-01 International Rectifier Corporation Power transistor device having ultra deep increased concentration region
DE19604043A1 (de) * 1996-02-05 1997-08-07 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
WO1997029518A1 (de) * 1996-02-05 1997-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement
EP0865085A1 (de) * 1997-03-11 1998-09-16 STMicroelectronics S.r.l. Bipolar Transistor mit isolierter Steuerelektrode mit hoher dynamischer Robustheit
DE19808348C1 (de) * 1998-02-27 1999-06-24 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3131727A1 (de) * 1980-08-18 1982-03-11 International Rectifier Corp., Los Angeles, Calif. "mos-feldeffekttransistor und verfahren zu seiner hestellung"
US4963951A (en) * 1985-11-29 1990-10-16 General Electric Company Lateral insulated gate bipolar transistors with improved latch-up immunity
DE3942490C2 (de) * 1989-12-22 1994-03-24 Daimler Benz Ag Feldeffekt-gesteuertes Halbleiterbauelement
US5216275A (en) * 1991-03-19 1993-06-01 University Of Electronic Science And Technology Of China Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions
EP0563952A1 (de) * 1992-04-03 1993-10-06 Hitachi, Ltd. Halbleiterbauteil mit erhöhter Lochinjektion
US5644148A (en) * 1992-09-15 1997-07-01 International Rectifier Corporation Power transistor device having ultra deep increased concentration region
DE4309764A1 (de) * 1993-03-25 1994-09-29 Siemens Ag Leistungs-MOSFET
DE19640561A1 (de) * 1995-10-10 1997-04-17 Samsung Electronics Co Ltd Darin beabstandete epitaktische Sperrschichtfeldeffekttransistorbereiche ausweisende Isolierschichthalbleitervorrichtngen und ihre Herstellungsverfahren
DE19604043A1 (de) * 1996-02-05 1997-08-07 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement
WO1997029518A1 (de) * 1996-02-05 1997-08-14 Siemens Aktiengesellschaft Durch feldeffekt steuerbares halbleiterbauelement
EP0865085A1 (de) * 1997-03-11 1998-09-16 STMicroelectronics S.r.l. Bipolar Transistor mit isolierter Steuerelektrode mit hoher dynamischer Robustheit
DE19808348C1 (de) * 1998-02-27 1999-06-24 Siemens Ag Durch Feldeffekt steuerbares Halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
DE19904103A1 (de) 2000-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015221061B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102013205153B4 (de) Halbleiteranordnung mit einem leistungstransistor und einem hochspannungsbauelement, die in einem gemeinsamen halbleiterkörper integriert sind
DE19539541B4 (de) Lateraler Trench-MISFET und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102012204420B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE69034136T2 (de) Bipolarer transistor mit isolierter steuerelektrode
EP1051756B1 (de) Mos-feldeffekttransistor mit hilfselektrode
DE102008064779B3 (de) Halbleitervorrichtung
DE19848828C2 (de) Halbleiterbauelement mit kleiner Durchlaßspannung und hoher Sperrfähigkeit
DE102007030755B3 (de) Halbleiterbauelement mit einem einen Graben aufweisenden Randabschluss und Verfahren zur Herstellung eines Randabschlusses
DE10303335A1 (de) Halbleiterbauteil
DE10214151A1 (de) Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung im Randbereich
DE3537004A1 (de) Vdmos-baustein
DE102014111279B4 (de) Halbleiterchip mit integrierten Serienwiderständen und Verfahren zur Herstellung desselben
DE112013004146T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102012224291A1 (de) Halbleitervorrichtung mit lateralem bipolarem Transistor und isoliertem Gate
DE102008032796A1 (de) Halbleitervorrichtung mit P-N-Säulenabschnitt
DE10309400B4 (de) Halbleiterbauelement mit erhöhter Spannungsfestigkeit und/oder verringertem Einschaltwiderstand
DE102020116653B4 (de) Siliziumcarbid-halbleiterbauelement
DE102007055290B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE102020128891B4 (de) Halbleitervorrichtung
DE112015002120B4 (de) Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtungsherstellungsverfahren
DE102004047772B4 (de) Lateraler Halbleitertransistor
DE102005035153A1 (de) Halbleiterbauelement mit hoher Durchbruchsspannung und niedrigem Durchlasswiderstand
DE102013215378A1 (de) Lateraler Hochspannungstransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10243743B4 (de) Quasivertikales Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee