DE19846638A1

DE19846638A1 - Kompositplatte sowie Verfahren zur Herstellung und Anwendung einer solchen Kompositplatte

Info

Publication number: DE19846638A1
Application number: DE1998146638
Authority: DE
Inventors: Claus Schueler
Original assignee: ABB Research Ltd Switzerland; ABB Research Ltd Sweden
Current assignee: ABB Research Ltd Switzerland; ABB Research Ltd Sweden
Priority date: 1998-10-09
Filing date: 1998-10-09
Publication date: 2000-04-20
Anticipated expiration: 2018-10-10
Also published as: AU5847199A; DE19846638C2; EP1129048A1; WO2000021904A1

Abstract

Bei einer Kompositplatte (14), umfassend eine Keramikplatte (10), insbesondere aus einer elektrisch isolierenden Oxydkeramik, welche zumindest auf einer Seite mit einem Metallblech (11) flächig und stoffschlüssig über eine dünne Reaktionszone (13) verbunden ist, welche Reaktionszone (13) eine erstarrte eutektische Schmelze des Metalls enthält, aus welchem das Metallblech (11) im wesentlichen besteht, wird eine vereinfachte Herstellung bei gleichzeitig verbesserten Gebrauchseigenschaften dadurch erreicht, dass das Metallblech (11) ein Silberblech ist.

Description

TECHNISCHES GEBIET

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet des sog. "direct bonding". Sie betrifft eine Kompositplatte, umfassend eine Keramikplatte aus einer elektrisch isolierenden Oxydkeramik, welche zumindest auf einer Seite mit einem Metall blech flächig und stoffschlüssig über eine dünne Reaktionszone verbunden ist, welche Reaktionszone eine erstarrte eutektischen Schmelze des Metalls enthält, aus welchem das Metallblech im wesentlichen besteht. Die Erfindung betrifft wei terhin eine Verfahren zur Herstellung einer solchen Kompositplatte sowie eine Anwendung einer solchen Kompositplatte.

STAND DER TECHNIK

Die Technologie der Leistungselektronik stellt sich die Aufgabe, einzelne Halblei terbauelemente (z. B. Dioden, Thyristoren, GTOs, IGBTs, MOSFETs oder dgl.) zu Baugruppen, sogenannten Modulen, zusammenzusetzen. Ein wichtiges Quali tätsmerkmal einer guten Montagetechnik für derartige Module ist die wirksame Abführung der im Betrieb entstehenden Verlustwärme aus den Halbleiterbauele menten. Gleichzeitig müssen die einzelnen Bauelemente mit Stromzuführungen versehen, aber sowohl voneinander als auch gegen den metallischen Kühler elek trisch isoliert sein. Diese Aufgabe wird derzeit fast ausschliesslich durch Auflöten der Bauelemente auf eine spezielle, elektrisch isolierende und gut wärmeleitende Bodenplatte gelöst.

Diese Bodenplatte ist als Kompositplatte aufgebaut und besteht üblicherweise aus drei Schichten: Auf eine Keramikplatte aus Al₂O₃ sind beidseitig Kupferbleche auf gebracht und mittels der sogenannten DCB-Technik (Direct Copper Bonding) über eine Reaktionszone mit der Keramikplatte stoffschlüssig verbunden. Für die gute Wärmeleitfähigkeit der Kompositplatte ist es nämlich entscheidend, dass der Wärmefluss über die Grenzflächen zwischen Cu und Keramik so wenig wie mög lich behindert wird. Von allen bekannten Verbindungstechniken erzielt man mit der DCB-Technik den geringsten Wärmewiderstand, weil dadurch Cu und Keramik stoffschlüssig und "direkt", d. h. ohne andersartige Zwischenschichten, verbunden werden.

Die DCB-Technik benutzt zur Herstellung der Verbindung die Tatsache, dass es zwischen den Phasen Cu und CuO ein Eutektikum gibt, dessen Schmelzpunkt (T = 1066°C) unterhalb des Schmelzpunktes von Cu (T = 1084,9°C) liegt. Die hier entscheidende Eigenschaft der eutektischen Schmelze ist ihre gute Benetzung von Al₂O₃ und anderen Oxydkeramiken. Damit ist die eutektische Schmelze ge eignet, eine stoffschlüssige Verbindung zwischen den Cu-Blechen und der Al₂O₃- Keramik herzustellen.

Der bekannte DCB-Prozess besteht im wesentlichen aus folgenden Schritten:

- Positionieren von Cu-Blech auf einer Al₂O₃-Platte. Einbringen in einen gas dichten Ofen, in dessen Atmosphäre ein konstanter Sauerstoffpartialdruck von ca. 0,133-0,0133 mbar aufrecht erhalten und ständig kontrolliert wird.
- Aufheizen auf 1072°C. Dabei bildet sich durch Reaktion mit Sauerstoff auf der Oberfläche vom Cu-Blech eine dünne Schicht des geschmolzenen Eutekti kums; diese benetzt Oxydkeramiken gut. Cu-Blech und Al₂O₃-Keramik kom men dann über die Schmelzzone miteinander in Kontakt.
- Abkühlen auf Raumtemperatur. Die Schmelze erstarrt bei T < 1066°C und ver bindet Cu und Al₂O₃-Keramik stoffschlüssig miteinander.

Die DCB-Technik und das Verfahren zur Herstellung von Bodenplatten u. ä. Ele menten für die Montage von leistungselektronischen Halbleiterbauelementen wurde erstmals angegeben in der Druckschrift "The Direct Bonding of Metals to Ceramics by the Gas-Metal-Eutectic-Method" Burgess, J. F; Neugebauer C.A. and Flanagan, G.; J. Electrochem. Soc., 122, 1975, 688, und gehören seitdem zum kommerziellen Standard für Montage von Halbleitern zu hochwertigen Leistungs modulen.

Die bekannte DCB-Technik hat jedoch verschiedene Nachteile: Zum einen ist für den Herstellprozess ein gasdichter Ofen mit einer in engen Grenzen kontrollier- und einstellbaren Atmosphäre erforderlich. Dies erhöht massgeblich die Kosten und den Zeitaufwand des Prozesses. Zum anderen führen die unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten von Metall und Keramik beim Abkühlen von der Prozesstemperatur in stoffschlüssigen Verbindungstechniken zu hohen mechani schen Spannungen. Als Folge davon treten starke Biegemomente auf; die Kom positplatte verbiegt oder wölbt sich, wenn die Metallbleche auf beiden Seiten der Keramikplatte nicht gleich dick sind. Die mechanischen Kräfte können bei grosser Differenz der Blechdicken und grossen Temperaturdifferenzen so stark werden, dass Risse in der Keramik entstehen oder die Verbindung ganz delaminiert wird. Wenn auch im speziellen Fall der DCB-Technik durch plastische Verformung des sehr duktilen Cu in der Verbindungszone diese Spannungen weitgehend abgebaut werden, so muss doch auch hier der detaillierte Entwurf der Modulgrundplatte die restlichen Zugspannungen in der keramischen Platte berücksichtigen, um uner wünschte Verbiegungen zu vermeiden. Die Möglichkeiten der Gestaltung werden dadurch eingeschränkt.

Besonders wichtig ist das thermomechanische Verhalten, wenn im Betrieb des Moduls sehr häufige Temperaturwechsel auftreten; in der Leistungselektronik fin den derartige Temperaturwechsel z. B. zwischen -40°C und +150°C statt. In die sem Temperaturbereich führt die ständig wiederholte Beanspruchung des Cu bis in den Bereich der plastischen Verformung und dadurch zur zunehmenden Verfe stigung und Versprödung, bei sehr langen Betriebszeiten eventuell auch zu Ermü dungsrissen und schliesslich zur Delamination zwischen Cu und Keramik.

DARSTELLUNG DER ERFINDUNG

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine Kompositplatte zu schaffen, welche die Nachteile der bisherigen DCB-Platten vermeidet und insbesondere mit verringer tem apparativen Aufwand herstellbar ist und deutlich weniger durch Temperatur wechsel beansprucht wird, sowie ein Herstellungsverfahren und eine Anwendung für eine solche Kompositplatte anzugeben.

Die Aufgabe wird durch die Gesamtheit der Merkmale der Ansprüche 1, 9 und 19 gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, anstelle des bisher eingesetzten Cu- Blechs ein Ag-Blech zu verwenden und für die stoffschlüssige Verbindung zwi schen Keramikplatte und Ag-Blech eine ganz spezielle eutektische Schmelze zu benutzen, die Keramiken gut benetzt.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Kompositplatte nach der Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass das Metallblech aus reinem Silber besteht, dass die Reaktionszone aus Ag und CuO besteht und vorzugsweise eine stöchiometrische Zusammensetzung von etwa 99 Mol-% Ag und 1 Mol-% CuO aufweist, und dass die Keramikplatte aus einer elektrisch isolierenden Keramik, vorzugsweise aus einer Oxydkeramik, insbesondere aus der Reihe Al₂O₃, ZrO₂, ZnO, MgO, MgAl₂O₄ und BaTiO₃, besteht. Hierdurch wird eine besonders gute Benetzung der Kera mikplatte durch die eutektische Schmelze erreicht. Anstelle einer Oxydkeramik können im Rahmen der Erfindung ohne weiteres auch andere technisch bewährte Keramiken wie z. B. AIN-Keramik verwendet werden. Auch ist es denkbar, anstelle einer elektrisch isolierenden Keramik in bestimmten Anwendungsfällen eine elek trisch leitfähige Keramik wie z. B. LaNiO₃ einzusetzen.

Eine bevorzugte Weiterbildung dieser Ausführungsform, die besonders für die Montage von Leistungshalbleitermodulen geeignet ist, ist dadurch gekennzeich net, dass die Keramikplatte auf beiden Seiten durch eine Reaktionszone mit einem als Silberblech ausgebildeten Metallblech stoffschlüssig verbunden ist.

Eine erste bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass es an Luft unter Normaldruck durchgeführt wird, dass die Erhitzung auf eine Temperatur von 947 ± 2°C erfolgt, und dass der Sta pel vor dem Abkühlen einige Minuten, vorzugsweise zwischen 5 und 15 Minuten, auf dieser Temperatur gehalten wird.

Eine zweite bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass der Stapel während des Erhitzens mit einem Druck senkrecht zur Plattenebene, vorzugsweise durch Auflegen einer Al₂O₃-Keramik platte auf den Stapel, belastet wird. Hierdurch wird die Qualität der stoffschlüssi gen Verbindung deutlich verbessert.

Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens ist dadurch gekennzeichnet, dass zum Erzeugen der Hilfsschicht das Metallblech auf seiner der Keramikplatte zugewandten Seite mit einer CuO enthaltenden Schicht beschichtet wird, und dass zum Beschichten mit der CuO enthaltenden Schicht eine Suspension von CuO-Pulver, vorzugsweise mit einer mittleren Partikelgrösse von d_mittel < 1,0 µm, mit Ethanol und einem Bindemittel verwendet wird. Eine der artige Beschichtung lässt sich besonders einfach mit einem Minimum an Hilfsmit teln durchführen. Das für die Bildung der eutektischen Schmelze notwendige CuO liegt dabei direkt vor und braucht sich nicht erst beim Erhitzen zu bilden.

Eine andere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemässen Verfahrens zeichnet sich dadurch aus, dass zum Erzeugen der Hilfsschicht das Metallblech auf seiner der Keramikplatte zugewandten Seite mit einer beim Erhitzen CuO bil denden Schicht beschichtet wird, dass zum Beschichten mit der CuO bildenden Schicht eine Schicht aus einer chemischen Verbindung von Cu aufgebracht wird, welche sich beim Erhitzen unter Luft in CuO umsetzt, und dass als chemische Verbindung von Cu eine Verbindung aus der Reihe Cu(NO₃)₂, Cu-Acetat oder Cu- Oxalat verwendet wird. Auch diese Beschichtung lässt sich sehr einfach durchfüh ren.

Weitere Ausführungsformen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.

Die Kompositplatte nach der Erfindung wird erfindungsgemäss als Montageplatte für elektronische Module, insbesondere der Leistungselektronik, verwendet.

KURZE ERLÄUTERUNG DER FIGUREN

Die Erfindung soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im Zusam menhang mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen

Fig. 1-4 in einer Schnittdarstellung verschiedene Schritte bei der Herstel lung einer einseitig mit einem Metallblech versehenen Komposit platte gemäss einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung; und

Fig. 5 in einer Schnittdarstellung ein beidseitig mit einem Metallblech versehene Kompositplatte gemäss einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung.

WEGE ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG

In den Fig. 1 bis 4 sind in einer Schnittdarstellung verschiedene Schritte bei der Herstellung einer einseitig mit einem Metallblech versehenen Kompositplatte ge mäss einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung wiedergege ben. Die Erfindung geht von der an sich bekannten Tatsache aus (siehe dazu: Nishiura, H., Susuki, R.O. and Ono, K. Experimental Phase Diagram in the Ag- Cu₂O-CuO-System; J. Amer. Ceram. Doc. 81/1998/2181), dass die Phasen Ag und CuO ein Eutektikum mit einem Schmelzpunkt bei T = 942 ± 1°C an Luft bilden, welcher unterhalb des Schmelzpunktes von Ag (T_m = 965°C) liegt. Ueberraschend wurde nun gefunden, dass diese eutektische Schmelze neben anderen Keramiken insbesondere eine Al₂O₃-Keramik gut benetzt und die Eigenschaft hat, Ag und Al₂O₃ analog zur bekannten DCB-Technik stoffschlüssig miteinander zu verbinden. Geschmolzenes Ag ohne Zusatz von CuO benetzt Al₂O₃-Keramik dagegen praktisch nicht.

Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemässen Prozess zur Her stellung einer stoffschlüssig verbundenen Kompositplatte, das zu einer einseitig mit einem Metallblech versehenen Keramikplatte führt, besteht nun gemäss Fig. 1 bis 4 aus den folgenden Schritten:

1. es wird ausgegangen von einer flächigen Keramikplatte 10 aus Al₂O₃-Kera mik und einem separaten dünnen Metallblech 11 aus Ag (Fig. 1)
2. es wird eine Suspension von CuO-Pulver mit einer mittleren Partikelgrösse von d_mittel < 1,0 µm mit Ethanol und einem Bindemittel angesetzt
3. das Metallblech(Silberblech) 11 wird auf seiner der Keramikplatte 10 zuge wandten Unterseite mit der CuO-Suspension unter Bildung einer Hilfsschicht 12 beschichtet (Fig. 2)
4. das beschichtete Metallblech 11 wird auf der Keramikplatte 10 positioniert (Fig. 3)
5. der Stapel wird in einen Ofen eingebracht; er wird dabei mit einer ebenen Al₂O₃-Keramikplatte belastet
6. der belastete Stapel wird im Ofen auf 947 ± 2°C an Luft erhitzt und bei dieser Temperatur 5-15 Minuten gehalten; dabei bildet sich zwischen der Kera mikplatte 10 und dem Metallblech 11 eine in der Reaktionszone 13 eine eu tektische Schmelze 13, welche die Keramikplatte 10 benetzt (Fig. 4)
7. der Stapel wird auf Raumtemperatur abgekühlt und ergibt nach Erstarren der eutektischen Schmelze die fertige Kompositplatte 14 (Fig. 4).

Die gewünschte eutektische Schmelze bildet sich in einer dünnen Reaktionszone 13 nach Erreichen der Schmelztemperatur (Liquidus-Temperatur) als Reaktion zwischen Ag und CuO auf der beschichteten Oberfläche des Metallbleches 11. Die Menge der gebildeten Schmelze bzw. die Dicke der Reaktionszone 13 werden bestimmt durch die Menge des aufgebrachten CuO-Pulvers bzw. der Menge pro cm² der Metallblechoberfläche (die Dicke ist in den Fig. 1 bis 5 zur besseren Sichtbarkeit übertrieben dargestellt). Die stöchiometrische Zusammensetzung des Eutektikums liegt bei 99 Mol-% Ag und 1 Mol-% CuO beim Sauerstoffpartialdruck der Luft.

Anders als beim herkömmlichen DCB-Verfahren läuft der Prozess nach der Erfin dung vollständig an Luft ab. Es ist also kein aufwendiger Ofen mit kontrollierter Atmosphäre notwendig. Sowohl die Investitions- als auch die Prozesskosten sind deshalb wesentlich niedriger. Dieser Kostenvorteil bleibt auch erhalten, wenn der Mehrpreis von Ag gegenüber Cu berücksichtigt wird.

Die neue Technik der stoffschlüssigen Verbindung zwischen Ag und Oxydkeramik erzeugt bei Temperaturwechseln aber auch weniger mechanische Spannungen als die herkömmliche DCB-Technik, weil die plastische Verformung des Materials in der Verbindungszone bereits bei kleinen Spannungen beginnt und die Verfesti gung nur sehr langsam fortschreitet. Eine direkte Folge dieser optimalen plasti schen Verformung schon bei kleinen Spannungen manifestiert sich in der Beob achtung, dass auch die nur einseitige Belegung der Keramik mit Silberblech, wie sie in Fig. 1 bis 4 gezeigt wird, nach dem Verbindungsprozess nur eine ganz ge ringfügige Verbiegung der Kompositplatte 14 zur Folge hat. Die Freiheit der Ge staltung in der Modultechnik ist dadurch wesentlich grösser als bei der DGB-Tech nik. Hingegen ist die Wärmeleitung durch die Verbindungsfläche Agl Al₂O₃-Kera mik mindestens ebensogut wie diejenige, die bei den Cu/Al₂O₃-Keramik-Verbin dungen mit der DGB-Technik erreicht wird.

Es versteht sich von selbst, dass anstelle der einseitigen Belegung der Keramik platte 10 mit Metallblech, wie sie in den Fig. 1 bis 4 gezeigt ist, mit demselben Verfahrensschritten auch eine beidseitige Belegung durchgeführt werden kann. Es werden dazu entsprechend zwei Metallbleche verwendet, die jeweils mit einer CuO enthaltenden Hilfsschicht beschichtet werden. Es ergibt sich dann die in Fig. 5 wiedergegebene Kompositplatte 17, bei der sowohl auf der Oberseite ein Me tallblech (Silberblech) 11 über eine Reaktionszone 13, als auch auf der Unterseite ein Metallblech (Silberblech) 16 über eine Reaktionszone 15 mit der Keramikplatte 10 stoffschlüssig verbunden sind.

Weiterhin ist es denkbar, statt einer CuO enthaltenden Hilfsschicht 12 eine Hilfs schicht zu verwenden, die eine andere chemische Verbindung von Cu enthält, die sich beim Erhitzen an Luft unterhalb der Schmelztemperatur des Ag-CuO-Eutekti kums zu CuO umsetzt. Auf diese Weise wird beim Erhitzen des Stapels im Ofen in der Hilfsschicht 12 das für die eutektische Schmelze notwendige CuO erzeugt. Beispiele für derartige Cu-Verbindungen sind das Cu(NO₃)₂, Cu-Acetat oder das Cu-Oxalat.

Weiterhin ist es denkbar, zur Bereitstellung des CuO eine Hilfsschicht 12 aus me tallischem Cu durch Aufdampfen, Aufsputtern oder chemische oder elektrochemi sche Abscheidung auf das Ag-Blech aufzubringen. Die Cu-Schicht setzt sich im Prozessverlauf beim Erhitzen zu CuO um, das dann mit dem Ag des Metallble ches die eutektische Schmelze bildet.

Desweiteren ist es im Rahmen der Erfindung denkbar, dass die Keramikplatte 10 im wesentlichen aus einer Oxydkeramik aus der Reihe ZrO₂, ZnO, MgO, MgAl₂O₄ und BaTiO₃ besteht. Auch diese Keramiken werden durch die Ag/CuO-Schmelze benetzt und können so eine Kompositplatte mit ausgezeichneten Eigenschaften bilden. Entsprechendes gilt auch für Nicht-Oxyd-Keramiken wie z. B. AIN-Keramik. Denkbar ist aber auch, elektrisch leitende Keramiken wie z. B. LaNiO₃-Keramik, im Rahmen der Erfindung einzusetzen.

Schliesslich ist es auch denkbar, für das Metallblech 11 bzw. die Metallbleche 11 und 16 anstelle von reinem Ag Legierungen von Ag mit einigen Prozenten an an deren Metallen zu verwenden, wie z. B. Ag(Au), Ag(Pd), Ag(Mg) oder Ag(Ni). Die Zusätze dienen meist dazu, elektrische und/oder mechanische Eigenschaften ge genüber dem Einsatz von reinem Ag in technisch nützlicher Weise zu verändern.

Insgesamt ergibt sich mit der Erfindung eine Kompositplatte mit einer zentralen Keramikplatte, die ein oder beidseitig stoffschlüssig mit einem Metallblech verbun den ist, die sich leicht und mit geringem Aufwand herstellen lässt, ausgezeichnete thermische und mechanische Eigenschaften aufweist, und sich hervorragend als Montageplatte zum Aufbau von leistungselektronischen Modulen eignet.

BEZUGSZEICHENLISTE

10

Keramikplatte

11

,

16

Metallblech

12

Hilfsschicht

13

,

15

Reaktionszone

14

,

17

Kompositplatte

Claims

1. Kompositplatte (14, 17), umfassend eine Keramikplatte (10), welche zu mindest auf einer Seite mit einem Metallblech (11, 16) flächig und stoffschlüssig über eine dünne Reaktionszone (13, 15) verbunden ist, welche Reaktionszone (13, 15) eine erstarrte eutektischen Schmelze des Metalls enthält, aus welchem das Metallblech (11, 16) im wesentlichen besteht, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallblech (11, 16) ein Silberblech ist.

2. Kompositplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallblech (11, 16) aus reinem Silber besteht.

3. Kompositplatte nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Metallblech (11, 16) zu über 90% aus Silber besteht und einige Prozente eines zweiten Metalls enthält.

4. Kompositplatte nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass als zweites Metall ein Metall aus der Reihe Au, Pd, Mg und Ni verwendet wird.

5. Kompositplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn zeichnet, dass die Reaktionszone (13, 15) aus Ag und CuO besteht und vor zugsweise eine stöchiometrische Zusammensetzung von etwa 99 Mol-% Ag und 1 Mol-% CuO aufweist.

6. Kompositplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn zeichnet, dass die Keramikplatte (10) im wesentlichen aus einer elektrisch isolie renden Keramik besteht.

7. Kompositplatte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Keramikplatte (10) im wesentlichen aus einer Oxydkeramik, insbesondere aus der Reihe Al₂O₃, ZrO₂, ZnO, MgO, MgAl₂O₄ und BaTiO₃, besteht.

8. Kompositplatte nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Keramikplatte (10) im wesentlichen aus einer AIN-Keramik besteht.

9. Kompositplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn zeichnet, dass die Keramikplatte (10) im wesentlichen aus einer elektrisch leiten den Keramik, insbesondere aus einer LaNiO₃-Keramik, besteht.

10. Kompositplatte (17) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch ge kennzeichnet, dass die Keramikplatte (10) auf beiden Seiten durch eine Reakti onszone (13 bzw. 15) mit einem als Silberblech ausgebildeten Metallblech (11 bzw. 16) stoffschlüssig verbunden ist.

11. Verfahren zum Herstellen einer Kompositplatte nach Anspruch 1, da durch gekennzeichnet, dass zwischen einer Keramikplatte (10) und einem als Sil berblech ausgebildeten Metallblech (11, 16) eine CuO enthaltende und/oder beim Erhitzen CuO bildende, flächige Hilfsschicht (11) angeordnet wird, dass die Ke ramikplatte (10) und das Metallblech (11, 16) unter Zwischenliegen der Hilfs schicht (12) flächig aufeinandergelegt werden, dass der Stapel aus Keramikplatte (10), Hilfsschicht (12) und Metallblech (11, 16) auf eine Temperatur erhitzt wird, bei welcher das CuO der Hilfsschicht (12) und das Ag aus dem Metallblech (11, 16) eine eutektische Schmelze bildet, und dass nach dem Ausbilden der eutekti schen Schmelze der Stapel wieder auf Raumtemperatur abgekühlt wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass es an Luft unter Normaldruck durchgeführt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhit zung auf eine Temperatur von 947 ± 2°C erfolgt, und dass der Stapel vor dem Ab kühlen einige Minuten, vorzugsweise zwischen 5 und 15 Minuten, auf dieser Tem peratur gehalten wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeich net, dass der Stapel während des Erhitzens mit einem Druck senkrecht zur Plattenebene, vorzugsweise durch Auflegen einer Al₂O₃-Keramikplatte auf den Stapel, belastet wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeich net, dass zum Erzeugen der Hilfsschicht (12) das Metallblech (11, 16) auf seiner der Keramikplatte (10) zugewandten Seite mit einer CuO enthaltenden Schicht beschichtet wird.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass zum Be schichten mit der CuO enthaltenden Schicht eine Suspension von CuO-Pulver, vorzugsweise mit einer mittleren Partikelgrösse von d_mittel < 1,0 µm, mit Ethanol und einem Bindemittel verwendet wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeich net, dass zum Erzeugen der Hilfsschicht (12) das Metallblech (11, 16) auf seiner der Keramikplatte (10) zugewandten Seite mit einer beim Erhitzen CuO bildenden Schicht beschichtet wird.

18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass zum Be schichten mit der CuO bildenden Schicht eine Schicht aus Cu, insbesondere durch Aufdampfen, Aufsputtern oder chemische oder elektrochemische Abscheidung, aufgebracht wird.

19. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass zum Be schichten mit der CuO bildenden Schicht eine Schicht aus einer chemischen Ver bindung von Cu aufgebracht wird, welche sich beim Erhitzen unter Luft in CuO umsetzt.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass als chemi sche Verbindung von Cu eine Verbindung aus der Reihe Cu(NO₃)₂, Cu-Acetat oder Cu-Oxalat verwendet wird.

21. Verwendung einer Kompositplatte (14, 17) nach einem Ansprüche 1 bis 8 als Montageplatte für elektronische Module, insbesondere der Leistungselektro nik.