DE19836997B4 - Sende/Empfangs-Schaltkreis und Sende/Empfangs-Verfahren für einen Wandler - Google Patents

Sende/Empfangs-Schaltkreis und Sende/Empfangs-Verfahren für einen Wandler Download PDF

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Abstract

Schaltkreis mit einem Sender (10) zum Senden eines Sendesignals (40) zu einem Wandler (30) und mit einem Empfänger (20) zum Empfangen eines Empfangssignals (50) von dem Wandler (30), bei dem
– der Sender (10) über einen ersten nichtlinearen Zweipol (Z1) und der Empfänger (20) über einen zweiten nichtlinearen Zweipol (Z2) mit dem Wandler (30) verbunden sind,
– ein dritter nichtlinearer Zweipol (Z3) parallel zu einem Eingang (21) des Empfängers (20) geschaltet ist, wobei
– der erste und der dritte nichtlineare Zweipol (Z1, Z3) als Zweipole mit bipolarer Spannungsbegrenzung ausgebildet sind und
– der zweite nichtlineare Zweipol (Z2) als Zweipol mit bipolarer Strombegrenzung ausgebildet ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Schaltkreis mit einem Sender zum Senden eines Sendesignals zu einem Wandler und mit einem Empfänger zum Empfangen eines Empfangssignals von dem Wandler. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Senden eines Sendesignals zu einem Wandler und zum Empfangen eines Empfangssignals von dem Wandler.
  • Insbesondere betrifft die Erfindung auch einen Sende/Empfangs-Schaltreis sowie ein Sende/Empfangs-Verfahren für einen Ultraschall-Wandler.
  • Ultraschall-Wandler werden üblicherweise im sogenannten Puls-Echo-Verfahren betrieben. Solche Wandler müssen demzufolge in der Lage sein, abwechselnd zu senden und zu empfangen. Ein derartiger Ultraschall-Wandler kann aus einem oder mehreren piezoelektrischen Einzelelementen aufgebaut sein, die beipielsweise in einem linearen oder auch in einem zweidimensionalen Array angeordnet sind. Im Sendebetrieb werden diese Einzelelemente über elektrische Sendesignale, die für jedes Einzelelement gegebenenfalls in ihrer Phasenlage zueinander versetzt sein können, zu hochfrequenten Schwingungen angeregt. Dadurch wird ein Ultraschallpuls erzeugt, der in ein abzubildendes Untersuchungsobjekt abgestrahlt wird. Der genaue Fokusbereich dieses Ultraschallpulses im Untersuchungsobjekt kann durch die Ansteuerung der piezoelektrischen Einzelelemente des Ultraschall-Wandlers variiert. werden. Der Ultraschallpuls wird innerhalb des Untersuchungsobjektes in Richtung des Ultraschall-Wandlers reflektiert. Diese Reflexion kann beispielsweise an Diskontinuitäten im Untersuchungsmedium wie z.B. Grenzschichten zwischen Materialien mit unterschiedlicher akustischer Impedanz auftreten. Diese Echo-Pulse. bzw. reflektierten Pulse werden von dem Wandler bzw. den Einzelelementen empfangen und in ein entsprechendes elektrisches Empfangssignal umgewandelt. Dieses wird einem Empfänger zugeführt, der mit einem sehr empfindlichen Vorverstärker ausgestattet ist, um den in der Regel sehr niedrigen Signalpegel des Empfangssignals anzuheben. Das verstärkte Empfangssignal kann dann an einen Signalprozessor zur Bewertung des Informationsgehalts und zur Generierung einer bildlichen Darstellung weitergeleitet werden. Um eine effiziente Funktionsweise zu gewährleisten, müssen das Sendesignal und das Empfangssignal voneinander getrennt werden. Deshalb ist jedes Wandler-Element mit einem Sende/Empfangs-Schaltkreis verbunden, der das Wandlerelement selektiv entweder mit dem Sender oder dem Empfänger elektrisch verbindet. So ein Sende/Empfangs-Schaltkreis wird auch als Sende/Empfangs-Weiche bezeichnet.
  • Die Entkopplung des Senders von dem Empfänger ist prinzipiell wünschenswert, da die Amplituden des gesendeten und des empfangenen Signals sehr stark voneinander abweichen. Ein Wandlerelement wird typischerweise mit einem Signalpegel von mehr als 100 V angeregt. Ein aus dem Untersuchungsobjekt reflektiertes Empfangssignal weist dagegen eine sehr niedrige Spannungsamplitude im mV-Bereich auf. Der Sende/Empfangs-Schaltkreis entkoppelt Empfänger und Sender voneinander, um während des Sendebetriebs eine Schädigung des empfindlichen Vorverstärkers im Empfänger durch das leistungsstarke Sendesignal zu vermeiden. Außerdem verhindert die Entkopplung während des Sendebetriebs eine unerwünschte Beeinflussung des Sendesignals, beispielsweise in Form einer Verzerrung, durch den Empfänger. Auf der anderen Seite ist eine Entkopplung von Empfänger und Sender auch während des Empfangsbetriebs wünschenswert, um Sender-Rauschen vom Empfänger fernzuhalten.
  • Es sind verschiedene Sende/Empfangs-Schaltkreise bekannt. Die Umschaltung und Entkopplung kann ein Schaltkreis entweder aktiv, d.h. gesteuert durch ein Schaltsignal, oder auch passiv, d.h. automatisch, vornehmen. In einem aktiven Sende/ Empfangs-Schaltkreis sind normalerweise mehrere aktive Bauteile wie Transistoren enthalten, die ihre Eigenschaften in Abhängigkeit des Schaltsignals, das an einem Steuereingang anliegt, variiert. Ein aktiver Sende/Empfangs-Schaltkreis benötigt jedoch stets eine gesonderte Steuerleitung für jedes einzelne Element des Ultraschall-Wandlers, über die das Schaltsignal übertragen wird. Außerdem wird ein zusätzlicher Steuerschaltkreis benötigt, der die Umschaltung und Entkopplung auf die Sende- und Empfangssignale synchronisiert. Falls die Synchronisation ausfällt, besteht die Gefahr der Zerstörung empfindlicher Baugruppen im Empfänger. Passive Realisierungen eines Sende-/Empfangs-Schaltkreises sind üblicherweise entweder in ihrem Dynamikbereich begrenzt oder sie beinhalten aufwendige Bauelemente, wie beispielsweise Transformatoren mit mehreren Wicklungen und Abgriffen.
  • Mit der DE 195 14 330 A1 wird ein Sende/Empfangs-Schaltkreis für ein Ultraschallabbildungssystem offenbart, bei dem ein Wandler wahlweise in einem Sendebetrieb mit einem Sender und in einem Empfangsbetrieb mit einem Empfänger elektrisch verbunden ist. Dazu enthält der Sende/Empfangs-Schaltkreis mindestens eine Kapazitätsdiode, die in Sperrichtung für das Sendesignal des Senders zwischen dem Wandler und dem Empfänger geschaltet ist. Anstelle einer einzigen Kapazitätsdiode kann auch eine antiserielle Schaltung zweier Kapazitätsdioden vorgesehen sein. Bei Verwendung einer Kapazitätsdiode kann jedoch insbesondere bei einem steilen Anstieg des Sendesignals ein hoher Stromimpuls in den Empfänger eingekoppelt werden. Dieser kann dann zu einer Beschädigung des Empfängers führen.
  • Es ist nun Aufgabe der Erfindung, einen Schaltkreis sowie ein Verfahren der eingangs bezeichneten Art anzugeben, die sich im Vergleich zu den beschriebenen bekannten Realisierungen mit einfacheren Mitteln aufbauen lassen. Dabei sollen insbesondere keine aufwendigen Komponenten wie gesonderte Steuerleitungen oder auch Transformatoren zum Einsatz kommen.
  • Außerdem soll der Empfänger sicher vor dem leistungsstarken Sendesignal geschützt werden.
  • Zur Lösung der den Schaltkreis betreffenden Aufgabe wird ein Schaltkreis entsprechend den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 1 angegeben.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Schaltkreis mit einem Sender zum Senden eines Sendesignals zu einem Wandler und mit einem Empfänger zum Empfangen eines Empfangssignals von dem Wandler handelt es sich um einen Schaltkreis, bei welchem
    • – der Sender über einen ersten nichtlinearen Zweipol und der Empfänger über einen zweiten nichtlinearen Zweipol mit dem Wandler verbunden sind,
    • – ein dritter nichtlinearer Zweipol parallel zu einem Eingang des Empfängers geschaltet ist, wobei
    • – der erste und der dritte nichtlineare Zweipol als Zweipole mit bipolarer Spannungsbegrenzung ausgebildet sind und
    • – der zweite nichtlineare Zweipol als Zweipol mit bipolarer Strombegrenzung ausgebildet ist.
  • Zur Lösung der das Verfahren betreffenden Aufgabe wird außerdem ein Verfahren entsprechend den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs 14 angegeben.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Senden eines Sendesignals zu einem Wandler und zum Empfangen eines Empfangssignals von dem Wandler handelt es sich um ein Verfahren, bei welchem
    • – das Sendesignal eines Senders über einen ersten nichtlinearen Zweipol zu dem Wandler gekoppelt und durch einen zweiten und einen dritten nichtlinearen Zweipol von einem Empfänger entkoppelt wird, und
    • – das Empfangssignal des Wandlers über den zweiten und den dritten nichtlinearen Zweipol zu dem Empfänger gekoppelt wird und durch den ersten nicht-linearen Zweipol von dem Sender entkoppelt wird, wobei
    • – eine an dem ersten nichtlinearen Zweipol anstehende Spannung und eine an dem dritten nichtlinearen Zweipol anstehende Spannung bipolar begrenzt werden und
    • – ein durch den zweiten nichtlinearen Zweipol fließender Strom bipolar begrenzt wird.
  • Die Erfindung beruht dabei auf der Erkenntnis, daß sich ein Sende/Empfangs-Schaltkreis auf einfache Weise durch eine Zusammenschaltung dreier nichtlinearer Zweipole und des Wandlers realisieren läßt. Unter der Parallelschaltung des dritten nichtlinearen Zweipols zum Eingang des Empfängers ist hierbei zu verstehen, daß der dritte nichtlineare Zweipol parallel zu einem Eingangswiderstand des Empfängers geschaltet ist. Der erste und der dritte nichtlineare Zweipol stellen dann für große Signalamplituden quasi einen Kurzschluß und für kleine Signalamplituden quasi einen Leerlauf dar. Der zweite nichtlineare Zweipol stellt dagegen für kleine Signalamplituden quasi einen Kurzschluß und für große Signalamplituden quasi einen Leerlauf dar. Ein Leerlauf bedeutet in diesem Zusammenhang einen sehr hochohmigen Zustand.
  • Durch das beschriebene nichtlineare Verhalten der drei Zweipole wird nun erreicht, daß der Sender und der Empfänger abwechselnd mit dem Wandler gekoppelt und jeweils voneinander entkoppelt sind. Während des Sendebetriebs ist nur der Wandler mit dem Sender gekoppelt, wohingegen der Empfänger vom Sender entkoppelt ist. Dadurch wird vermieden, daß die empfindliche Eingangselektronik zur Verstärkung von kleinen Signalamplituden im Empfänger durch die hohen Signalamplituden des Sendesignals zerstört wird. Andererseits wird auch eine unerwünschte, das Sendesignal unter Umständen verzerrende Rückwirkung des Empfängers auf den Sender durch die Entkopplung vermieden. Während des Empfangsbetriebes bewirken die drei nichtlinearen Zweipole dagegen, daß der Wandler nur mit dem Empfänger gekoppelt ist und vom Sender entkoppelt ist. Das Empfangssignal mit ohnehin sehr niedriger Signalamplitude wird dadurch nur an den bestimmungsgemäßen Zielort, den Empfänger, geleitet. Es geht praktisch kein Anteil der niedrigen empfangenen Leistung in dem Zweig des Schaltkreises verloren, der zum Sender führt. Dies verbessert den Wirkungsgrad des Schaltkreises.
  • Der erste und der dritte nichtlineare Zweipol bewirken jeweils eine Spannungsbegrenzung. Bevorzugt ist außerdem auch eine Ausführungsform, in der der zweite nichtlineare Zweipol eine Strombegrenzung bewirkt. In beiden Ausführungsformen ist die Spannungs- bzw. Strombegrenzung jeweils bipolar ausgebildet. Darunter ist zu verstehen, daß der erste und der dritte nichtlineare Zweipol die Spannung bei positiven Stromwerten auf eine positive Begrenzungsspannung und bei negativen Stromwerten auf eine negative Begrenzungsspannung, die bis auf das Vorzeichen im wesentlichen der positiven Begrenzungsspannung entspricht, begrenzen. Umgekehrt bewirkt der zweite nichtlineare Zweipol bei einer Spannung größer Null eine Begrenzung auf einen positiven Begrenzungsstrom und bei einer Spannung kleiner Null eine Begrenzung auf einen negativen Begrenzungsstrom.
  • Ein Übergangsbereich zwischen positiver und negativer Begrenzungsspannung bzw. positivem und negativem Begrenzungsstrom ist dabei jeweils möglichst steil ausgebildet, um Verluste beim Wechsel zwischen positiver und negativer Signalamplitude möglichst gering zu halten.
  • Die Spannungs- bzw. Strombegrenzung der drei nichtlinearen Zweipole ist so ausgebildet, daß die Signalamplitude des Sendesignals jenseits der Begrenzungsspannung bzw. des Begrenzungsstroms und die Signalamplitude des Empfangssignals innerhalb eines Intervalls liegen, das durch die positive und negative Begrenzungsspannung bzw. den positiven und negativen Begrenzungsstrom gebildet wird. Sowohl im Sende- als auch im Empfangsbetrieb ergibt sich damit die vorstehend beschriebene automatische Entkopplung von Sender und Empfänger. Der Wandler ist außerdem ebenfalls automatisch jeweils mit dem rich tigen Schaltungsteil, d.h. dem Sender oder dem Empfänger, gekoppelt. Eine aktive Umschaltung mittels eines Steuersignals wird dafür nicht benötigt.
  • Unter einem Wandler wird in diesem Zusammenhang jedes Bauteil verstanden, das über ein Signal mit hohem Signalpegel angesteuert wird und darauf indirekt mit einem Antwortsignal mit vergleichsweise kleiner Signalamplitude reagiert. Das Antwortsignal wird dabei durch diese Ansteuerung bewirkt. Der Unterschied zwischen dem Signalpegel des Ansteuerungssignals (=Sendesignal) und dem Antwortsignal (=Empfangssignal) beträgt hierbei wengistens zwei Größenordnungen. Ein elektroakustischer Wandler, eine Sende/Empfangs-Antenne für elektromagnetische Strahlung und auch ein Resonator sind Beispiele für Bauteile, die in die oben beschriebene Kategorie fallen.
  • Besondere Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Schaltkreises und des Verfahrens nach der Erfindung ergeben sich aus den jeweils abhängigen Unteransprüchen.
  • Bevorzugt ist insbesondere eine Ausführungsform, bei der der Wandler als Ultraschall-Wandler ausgeführt ist. Ein solcher Ultraschall-Wandler emittiert akustische Wellen in ein Untersuchungsgebiet, und empfängt aus diesem reflektierte Signale, aus denen dann Rückschlüsse über die Beschaffenheit des Untersuchungsgebietes gezogen werden können. Ein Ultraschall-Wandler wird mit Sendesignalen hoher Signalamplitude angesteuert und liefert Empfangssignale mit niedriger Signalamplitude, so daß eine entsprechende Entkopplung von Schaltungsteilen, die für den jeweiligen Betriebsfall bestimmt sind, vorteilhaft ist. Der Ultraschall-Wandler kann dabei sowohl aus einem einzigen schallemittierenden Element oder auch aus mehreren solcher Einzelelemente aufgebaut sein. Dabei kann dann insbesondere für jedes Einzelelement ein gesonderter Sende/Empfangs-Schaltkreis zur Zuführung des jeweiligen Sendesignals und zur Abführung des jeweiligen Empfangssignals vorgesehen sein.
  • Vorteilhaft ist eine weitere Ausführungsform, in der der Wandler, insbesondere der Ultraschall-Wandler, einen Kontakt aufweist, der an eine Systemmasse angeschlossen ist. Durch diese Variante läßt sich die Anzahl der benötigten Anschlußkontakte und -leitungen reduzieren. Bevorzugt kann dann nämlich bei einem Ultraschall-Wandler mit mehreren Einzelelementen einer der beiden Kontakte jedes Einzelelementes an einen gemeinsamen Masseanschluß gelegt werden. Dieser ist dann insbesondere als eine sich über alle Einzelelemente erstreckende Kontaktschicht ausgebildet. Dadurch vereinfacht sich der Aufbau des Ultraschall-Wandlers. Im Unterschied dazu sind bei einem schwimmenden, d.. h. erdfreien Anschluß des Ultraschall-Wandlers innerhalb des Schaltkreises für jedes Wandlerelement zwei separate Anschlußkontakte und Leitungen vorgesehen. Damit resultiert eine praktisch doppelt so große Anzahl von Anschlußkontakten und -leitungen wie bei der Variante mit einseitiger Erdung.
  • In einer besonders vorteilhaften Variante sind die drei nichtlinearen Zweipole rein passiv ausgebildet. Darunter ist zu verstehen, daß die drei nichtlinearen Zweipole keinerlei Verbindung zu einer Versorgungsspannung und insbesondere auch nicht zur Systemmasse aufweisen. Eine derartige Verbindung führt andernfalls zu einer Masseschleife, die einen unerwünschten Kreisstrom zur Folge haben könnte. Dies würde aber das Gesamtverhalten des Sende/Empfangs-Schaltkreises verschlechtern.
  • Vorteilhaft ist eine weitere Ausführungsform, in der ein vierter nichtlinearer Zweipol an einem Ausgang des Senders vorgesehen ist. Dieser vierte nichtlineare Zweipol ist parallel zu dem Ausgang geschaltet, d.h. parallel zu einem Ausgangswiderstand des Senders. Diese Ausführungsform bietet insbesondere dann Vorteile, wenn auch der vierte nichtlineare Zweipol mit bipolarer Strombegrenzung ausgeführt wird. Innerhalb des Senders kann nämlich am Ausgang ein Transformator hohen Signalpegel transformiert. Der vierte nichtlineare Zweipol leitet dann einen Strom, der nach Aussenden des Sendesignals noch in einer Sekundärwicklung des Transformators gespeichert ist, ab. Dadurch wird die Abklingzeit des Sendesignals erheblich reduziert. Es gibt jedoch auch andere Ausführungsformen des Senders, bei denen am Ausgang kein Transformator vorgesehen wird. Hier kann dann auch der vierte nichtlineare Zweipol am Ausgang des Senders entfallen.
  • Zu den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen des Schaltkreises existieren jeweils korrespondierende Ausgestaltungen des Verfahrens. Dementsprechend weisen die Ausgestaltungen des Verfahrens auch die gleichen Vorteile wie die jeweils korrespondierenden Ausführungsformen des Schaltkreises auf.
  • Eine weitere Ausführungsform des Schaltkreises bezieht sich auf die Ausbildung des zweiten und des vierten nichtlinearen Zweipols jeweils als bipolarer Strombegrenzer. In dieser Ausbildung umfaßt der Zweipol mit bipolarer Strombegrenzung zwei selbstleitende MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), wobei von jedem MOSFET ein Gate-Kontakt über einen Widerstand auf einen Source-Kontakt zurückgekoppelt ist. Durch diese Rückkopplung wirkt jeder der beiden MOSFETs als unipolarer Strombegrenzer. Man könnte die so rückgekoppelten MOSFETs auch als unipolare Stromquellen bezeichnen. Durch eine Reihenschaltung der beiden rückgekoppelten MOSFETs mit zueinander entgegengesetzter Polarität ergibt sich dann, ein nichtlinearer Zweipol, bei dem der eine rückgekoppelte MOSFET für eine erste Spannungspolarität eine Strombegrenzung auf einen positiven Begrenzumgsstrom durchführt und der andere rückgekoppelte MOSFET für die entgegengesetzte Spannungspolarität eine Strombegrenzung auf einen negativen Begrenzumgsstrom durchführt. Insgesamt liegt dann die gewünschte bipolare Strombegrenzung vor. Der Begrenzungsstrom wird über den Widerstand eingestellt.
  • Die beschriebene Reihenschaltung der beiden MOSFETs ist unter anderem auch deshalb in der Lage, den Strom bipolar zu begrenzen, weil der jeweils gerade nicht als Strombegrenzer betriebene MOSFET den Begrenzungsstrom des anderen Transistors über eine Rückwärtsdiode führt. Diese Rückwärtsdiode ist ein inhärenter Bestandteil der selbstleitenden MOSFETs.
  • Für die hohen Signalpegel des Sendesignals kommt die strombegrenzende Wirkung der beiden MOSFETs zum Tragen. Die niedrigen Signalpegel des Empfangssignals steuern die beiden MOSFETs jedoch jeweils nur innerhalb eines kleinen Bereichs um den Nullpunkt im Ausgangskennlinienfeld aus. In diesem kleinen Aussteuerbereich wirkt ein selbstleitender MOSFET sowohl für positive als auch negative Signalamplituden prak tisch als linearer Widerstand. Damit erklärt sich die entkoppelnde Wirkung der Zusammenschaltung.
  • Obwohl die beschriebene Ausbildung des zweiten bzw. vierten nichtlinearen Zweipols mit den beiden selbstleitenden MOSFETs an und für sich aktive Bauelemente beinhaltet, handelt es sich dennoch um einen passiven Zweipol. Beide MOSFETs werden nämlich passiv betrieben. Es wird an keiner Stelle über eine Zuleitung eine Betriebs- oder Versorgungsspannung, beispielsweise für eine Arbeitspunkteinstellung, zugeführt. Außerdem beinhaltet der nichtlineare Zweipol auch keine Verbindung zur Systemmasse. Diese Ausbildung des zweiten nichtlinearen Zweipols ist somit sowohl passiv als auch erdfrei (schwimmend).
  • Vorteilhaft ist eine Ausgestaltung, bei der nur ein einziger Rückkopplungs-Widerstand für beide selbstleitende MOSFETs vorgesehen ist. Dieser befindet sich sowohl im Rückkopplungszweig des ersten als auch des zweiten MOSFETs. Über ihn werden der positive und auch der negative Begrenzungsstrom eingestellt. Da der Rückkopplungs-Widerstand auch die Steilheit der Kennlinie des nichtlinearen Zweipols in dem Übergangsbereich zwischen positivem und negativem Begrenzungsstrom maßgeblich mit beeinflußt, ist es vorteilhaft, anstelle von jeweils einem Widerstand für den positiven und den negativen Begrenzungsstrom nur einen einzigen für beide Polaritäten zu verwenden. Damit erhöht sich die Steilheit der Kennlinie in dem Übergangsbereich, womit gleichzeitig eine Reduzierung von Verlusten einhergeht.
  • Je nachdem, in welchem Frequenzbereich der nichtlineare Zweipol zur Strombegrenzung betrieben werden soll, kann der Rückkopplungs-Widerstand bevorzugt als ohmscher Widerstand, als Induktivität, als Kapazität oder als beliebig komplexer Widerstand ausgeführt sein. Für breitbandige Anwendungen ist dabei eine rein ohmsche Ausbildung besser geeignet, wohingegen für Schmalbandanwendungen eine reaktive bzw. komplexe Ausbildung des Widerstands bevorzugt ist.
  • In einer weiteren Ausführungsvariante beinhaltet der nichtlineare Zweipol zur Strombegrenzung außer den beiden selbstleitenden MOSFETs kein weiteres Bauteil, insbesondere auch keinen gesonderten Widerstand. Die beiden selbstleitenden MOSFETs sind in dieser Ausführungsvariante jeweils über einen Drain-Source-Widerstand des jeweils anderen MOSFETs zurückgekoppelt. Diese Ausführungsvariante kommt somit mit einem minimalen Einsatz an Bauteilen aus.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele werden nunmehr anhand der Zeichnung näher erläutert. Zur Verdeutlichung ist die Zeichnung nicht maßstäblich ausgeführt und gewisse Merkmale sind schematisiert dargestellt. Im einzelnen zeigen
  • 1 einen Sende/Empfangs-Schaltkreis mit drei nichtlinearen Zweipolen und einem Wandler,
  • 2 eine idealisierte Kennlinie des ersten und dritten nichtlinearen Zweipols,
  • 3 eine idealisierte Kennlinie des zweiten nichtlinearen Zweipols,
  • 4 ein Ersatzschaltbild des Sende/Empfangs-Schaltkreises gemäß 1 während des Sendebetriebs,
  • 5 ein Ersatzschaltbild des Sende/Empfangs-Schaltkreises gemäß 1 während des Empfangsbetriebs,
  • 6 eine Ausführungsform des zweiten nichtlinearen Zweipols,
  • 7 eine weitere Ausführungsform des zweiten nichtlinearen Zweipols,
  • 8 eine Ausführungsform des ersten bzw. dritten nichtlinearen Zweipols und
  • 9 einen weiteren Sende/Empfangs-Schaltkreis mit vier nichtlinearen Zweipolen.
  • Einander entsprechende Teile sind in den 1 bis 9 mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • In 1 ist ein Schaltkreis zum Senden eines Sendesignals 40 zu einem Wandler 30 und zum Empfangen eines Empfangssignals 50 von dem Wandler 30 dargestellt. Das Sendesignal 40 wird dazu von einem Sender 10 über einen ersten nichtlinearen Zweipol Z1 dem Wandler 30 zugeführt, der einseitig geerdet ist. Der Wandler 30 ist ein piezoelektrischer Ultraschall-Wandler, der infolge des elektrischen Sendesignals 40 zu akustischen Schwingungen und somit zur Emission von Schallwellen in ein nicht dargestelltes Untersuchungsgebiet angeregt wird. Die emittierten Schallwellen werden in dem nicht dargestellten Untersuchungsgebiet reflektiert und von dem Wandler 30 in ein elektrisches Empfangssignal 50 zurückverwandelt.
  • Der Wandler 30 kann als einelementiger Ultraschall-Wandler oder auch als mehrelementiges Ultraschall-Wandler-Array ausgebildet sein. Im letztgenannten Fall kann für jedes Wandlerelement ein eigener Schaltkreis entsprechend der Darstellung von 1 vorgesehen sein.
  • Das empfangene Signal 50 wird über einen zweiten nichtlinearen Zweipol Z2 zu einem Empfänger 20 übertragen. Da das Empfangssignal 50 nur einen sehr niedrigen Signalpegel aufweist, enthält der Empfänger 20 einen nicht dargestellten empfindlichen Eingangsverstärker, der den Signalpegel entsprechend anhebt. Danach schließt sich in dem Empfänger 20 eine ebenfalls nicht dargestellte weitere Signalverarbeitung und gegebenenfalls eine Einheit zur bildlichen Darstellung des Empfangssignals 50 an.
  • Die Signalpegel des Sendesignals 40 und des Empfangssignals 50 unterscheiden sich erheblich. Während das Sendesignal 40 als bipolarer Sendepuls mit Spannungsspitzenwerten von einigen 100 V, hier von ± 200 V, vorliegt, nimmt der absolute Signalpegel des Empfangssignals 50 einen maximalen Wert von einigen Volt beispielsweise nur einigen Millivolt an. Ent sprechend sind auch die Leistungsunterschiede des Sende- und Empfangssignals 40 bzw. 50.
  • Der in 1 dargestellte Schaltkreis sorgt deshalb auch dafür, daß das leistungsstarke Sendesignal 50 nicht in den Empfänger 20 gelangt, wo es andernfalls den empfindlichen Eingangsverstärker beschädigen würde. Andererseits wird der Sender 10 vom Wandler 30 entkoppelt, wenn ein Empfangssignal 50 von dem Wandler 30 geliefert wird. Zum sicheren Schutz vor dem leistungsstarken Sendesignal 40 ist an einem Eingang 21 des Empfängers 20 ein dritter nichtlinearer Zweipol Z3 parallel geschaltet. Er bewirkt für hohe Signalpegel quasi einen Kurzschluß des Eingangs 21.
  • Der erste und der dritte nichtlineare Zweipol Z1 bzw. Z3 sind jeweils als bipolarer Spannungsbegrenzer, der nichtlineare Zweipol Z2 dagegen als bipolarer Strombegrenzer ausgeführt. Zur Verdeutlichung zeigen die 2 und 3 idealisierte Kennlinien der bipolaren spannungsbegrenzenden Zweipole Z1 und Z3 bzw. des bipolar strombegrenzenden Zweipols Z2. Gemäß 2 wird eine an den nichtlinearen Zweipolen Z1 und Z3 anstehende Spannung U auf eine Begrenzungsspannung U0 beschränkt. An dem nichtlinearen Zweipol Z1 bzw. Z3 fällt bei einem positiven Strom I die positive Begrenzungsspannung U0 und bei einem negativen Strom I die negative Begrenzungsspannung -U0 ab. Umgekehrt bewirkt der zweite nichtlineare Zweipol Z2 gemäß der in 3 dargestellten Kennlinie eine bipolare Begrenzung eines Stroms I auf einen Begrenzungsstrom I0. Bei einer positiven Spannung U fließt ein positiver Begrenzungsstrom I0 und bei einer negativen Spannung U fließt ein negativer Begrenzungsstrom -I0.
  • Ein Übergang zwischen positiver und negativer Begrenzungsspannung +U0 bzw. -U0 sowie zwischen positivem und negativem Begrenzungsstrom +I0 bzw. -I0 ist bei dem in den 2 und 3 dargestellten idealisierten Kennlinien abrupt. Die abrupten Übergänge entsprechen hierbei einem verschwindenden Übergangsleitwert bzw. Übergangswiderstand. Diese verschwindenden Werte sind in der Praxis selbstverständlich nicht zu erzielen. Bei der praktischen Realisierung wird jedoch ein Übergangsbereich angestrebt, der dem Verlauf der idealisierten Kennlinie möglichst nahekommt.
  • Unter Berücksichtigung des strom- bzw. spannungsbegrenzenden Verhaltens der drei nichtlinearen Zweipole Z1 bis Z3 lassen sich nun Ersatzschaltbilder für den Schaltkreis gemäß 1 für den jeweiligen Betriebsfall angeben. In 4 ist der Sendebetrieb dargestellt, wohingegen in 5 der Empfangsbetrieb gezeigt ist. Während des Sendebetriebs generiert der Sender 10 an einem Ausgang das Sendesignal 40. Der Signalpegel des Sendesignals 40 ist dabei deutlich höher als die Begrenzungsspannung U0 des ersten und des dritten nichtlinearen Zweipols Z1 bzw. Z3. Diese Begrenzungsspannung U0 liegt je nach verwendeten Bauteilen und letztendlich wirksamen Signalpegeln des Sendesignals 40 zwischen etwa 0,7 und etwa 1 V. Der erste und der dritte nichtlineare Zweipol Z1 bzw. Z3 stellen somit für das hochpegelige Sendesignal 40 quasi einen Kurzschluß dar. Der zweite nichtlineare Zweipol Z2 hingegen bewirkt eine Begrenzung des über ihn fließenden Stromes auf den Begrenzungsstrom I0, der im Anschluß über den dritten nichtlinearen Zweipol Z3 nach Masse abgeleitet wird. Der Eingang 21 des Empfängers 20 ist somit vom Sender 10 entkoppelt.
  • Für Stromamplituden, die größer als der Begrenzungsstrom I0 sind, stellt der zweite nichtlineare Zweipol Z2 einen Leerlauf dar, so daß der größte Anteil des Sendesignals 40 in den Wandler 30 geleitet und dort in akustische Strahlung umgewandelt wird. Offensichtlich wirkt sich ein möglichst niedriger Begrenzungsstrom I0 positiv auf die Verluste aus. Denn je niedriger der Begrenzungsstrom I0 eingestellt wird, desto niedriger ist der Anteil des Sendesignals 40, der an dem Wandler 30 vorbeigeleitet wird. Durch die beschriebene Entkopplung kann auch der Empfänger 20 keinen verzerrenden Einfluß auf das Sendesignal 40 ausüben.
  • Während des in 5 dargestellten Empfangsbetriebs, bei dem der Wandler 30 ein elektrisches Empfangssignal 50 mit sehr niedrigem Signalpegel, insbesondere unter der Begrenzungsspannung U0 und unter dem Begrenzungsstrom I0, generiert, stellen der erste und der dritte nichtlineare Zweipol Z1 bzw. Z3 praktisch einen Leerlauf dar. Während des Empfangsbetriebs sind die Signalamplituden, insbesondere die Spannungsamplituden, so klein, daß der zweite nichtlineare Zweipol Z2 gerade in dem Übergangsbereich der in 3 dargestellten Kennlinie betrieben wird. Im Idealfall stellt dieser Übergangsbereich einen Kurzschluß dar, in der Realität wird hierbei zumindest ein sehr niedriger Übergangs- bzw. Durchlaßwiderstand angestrebt. Je steiler die Kennlinie an dieser Stelle ausgebildet ist, desto niedriger fallen wiederum die Verluste aus.
  • In 6 ist eine mögliche Realisierung des zweiten nichtlinearen Zweipols Z2 dargestellt. Er besteht im wesentlichen aus einem ersten selbstleitenden MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) T1 mit einem ersten Gate-Kontakt G1, einem ersten Source-Kontakt S1 und einem ersten Drain-Kontakt D1 sowie einem zweiten selbstleitenden MOSFET T2 mit einem zweiten Gate-Kontakt G2, einem zweiten Source-Kontakt S2 und einem zweiten Drain-Kontakt D2. Die beiden MOSFETs T1 und T2 sind jeweils vom gleichen Leitungstyp, im vorliegenden Fall vom n-Typ. Die strombegrenzende Wirkung des zweiten nichtlinearen Zweipols Z2 wird dadurch erreicht, daß sowohl der erste Gate-Kontakt G1 über einen Rückkopplungs-Widerstand ZF auf den ersten Source-Kontakt S1 als auch der zweite Gate-Kontakt G2 über den gleichen Rückkopplungs-Widerstand ZF auf den zweiten Source-Kontakt S2 zurückgeführt werden. Dabei bewirkt der erste MOSFET T1 eine Strombegrenzung bei positiven Spannungswerten und der zweite MOSFET T2 eine Strombegrenzung bei negativen Spannungswerten.
  • Der erste und der zweite MOSFET T1 bzw. T2 sind über den Rückkopplungs-Widerstand ZF in Reihe geschaltet. Dazu ist der erste Source-Kontakt S1 des ersten MOSFETs T1 und der zweite Source-Kontakt S2 des zweiten MOSFETs T2 jeweils mit einem der beiden Anschlüsse des Rückkopplungs-Widerstands ZF verbunden. Die beiden MOSFETs T1 und T2 sind somit mit zueinander entgegengesetzter Polarität innerhalb der Reihenschaltung des zweiten nichtlinearen Zweipols Z2 angeordnet.
  • Verglichen mit einer anderen Schaltungsvariante, bei der jedem der beiden MOSFETs T1 bzw. T2 ein eigener Rückkopplungs-Widerstand ZF zugeordnet ist, weist die in 6 dargestellte Variante einen niedrigeren Übergangs- bzw. Durchlaßwiderstand auf. Gemäß den obigen Ausführungen ist dies für den hier vorliegenden Anwendungsfall besonders vorteilhaft.
  • Der positive sowie der negative Begrenzungsstrom +I0 bzw. -I0 werden jeweils durch den gleichen Rückkopplungs-Widerstand ZF eingestellt. Für den ersten und den zweiten MOSFET T1 bzw. T2 kommt im gezeigten Beispiel jeweils ein Transistor des Typs BSP 149 der Firma Siemens zum Einsatz. Alternativ könnte jedoch auch beispielsweise der Siemens-Transistor BSS 149 verwendet werden. Der Rückkopplungs-Widerstand ZF ist rein ohmsch und hat einen Wert von 5,1 Ω, Dadurch wird ein absoluter Begrenzungsstrom |I0| von ungefähr 100 mA eingestellt.
  • Der Übergangs- bzw. Durchlaßwiderstand des dargestellten zweiten nichtlinearen Zweipols Z2 ergibt sich als Reihenschaltung eines ersten Drain-Source-Widerstands, des Rückkopplungs-Widerstands ZF und eines zweiten Drain-Source-Widerstands, wobei erster und zweiter Drain-Source-Widerstand jeweils einen Innenwiderstand des ersten bzw. zweiten MOSFETs T1 bzw. T2 darstellen. Für kleine Signalpegel, die innerhalb des Übergangsbereichs liegen, werden die beiden MOSFETs T1 und T2 jeweils in einem praktisch symmetrischen Aussteuerungsbereich um den Nullpunkt des Ausgangskennlinienfelds der beiden MOSFETs T1 und T2 betrieben. Für kleine Signalpegel haben die Kennlinien des Ausgangskennlinienfelds der beiden MOSFETs T1 und T2 jeweils eine lineare Steigung, welche dem bereits angesprochenen Drain-Source-Widerstand entspricht. Im vorliegenden Fall ergibt sich dann ein gesamter Übergangswiderstand von etwa 10 Ω.
  • Für große Signalpegel jenseits des Übergangsbereichs, wie sie beispielsweise bei dem Sendesignal 40 vorliegen, verhalten sich die beiden MOSFETs T1 und T2 nicht mehr symmetrisch. Je nach Signalpolarität wirkt stets einer als Strombegrenzer, und der jeweils andere aufgrund der Rückwärtsdiode, die integraler Bestandteil des jeweiligen selbstleitenden MOSFETs T1 bzw. T2 ist, als Diode im Durchlaßbereich. Bei einem positivem Spannungswert des Sendesignals 40 wirkt der erste MOSFET T1 als Strombegrenzer, während der zweite MOSFET T2 über seine Rückwärtsdiode betrieben wird und den Begrenzungsstrom I0 ungehindert passieren läßt. Für einen negativen Spannungswert des Sendesignals 40 kehren sich die Verhältnisse genau um.
  • Die maximale Spannung, mit der der nichtlineare Zweipol Z2 belastet werden kann, richtet sich nach der maximalen Spannung, die zwischen dem jeweiligen Drain-Kontakt D1 oder D2 und dem jeweiligen Source-Kontakt 51 oder S2 der beiden MOSFETs T1 bzw. T2 bauartbedingt angelegt werden darf. Bei dem gewählten Transistortyp beträgt diese Spannung etwa 200 V.
  • In 7 ist eine alternative Ausführungsform für den zweiten nichtlinearen Zweipol Z2 dargestellt. Im Unterschied zu der Ausführungsform von 6 beinhaltet die Variante von 7 keinen gesonderten Rückkopplungs-Widerstand ZF. Der erste Gate-Kontakt G1 wird hier vielmehr über einen Drain-Source-Widerstand des zweiten MOSFETs T2 auf den ersten Source-Kontakt S1 zurückgekoppelt, und der zweite Gate-Kontakt G2 wird über einen Drain-Source-Widerstand des ersten MOSFETs T1 auf den zweiten Source-Kontakt 52 zurückgekoppelt.
  • Durch den Wegfall des Rückkopplungs-Widerstands ZF wird einerseits die Steigung der Kennlinie gemäß 3 im Übergangsbereich erhöht, d.h. der Übergangs- bzw. Durchlaßwiderstand erniedrigt, andererseits kann der zweite nichtlineare Zweipol Z2 gemäß 7 jedoch nur mit einer maximalen Spannung von etwa 20 V betrieben werden.
  • Die Ursache für die niedrigere Betriebsspannung liegt hierbei in der maximal zulässigen Gate-Source-Spannung der verwendeten MOSFETs T1 und T2, die gerade bei dem genannten Spannungswert liegt. Die am zweiten nichtlinearen Zweipol Z2 anliegende Spannung fällt praktisch vollständig bei einem der beiden Transistoren T1 oder T2 zwischen dem Gate-Kontakt G1 bzw. G2 und dem Source-Kontakt S1 bzw. S2 ab. Diese zwischen Gate und Source abfallende Spannung wird dabei lediglich um den Spannungsabfall an der Rückwärtsdiode des jeweils anderen MOSFETs T1 bzw. T2 reduziert. Bauartbedingt ist eine maximale Spannung von etwa 20 V zwischen Gate und Source zulässig.
  • In 8 ist eine Realisierung des ersten bzw. dritten nichtlinearen Zweipols mit einer Kennlinie gemäß 2 dargestellt. Es handelt sich um eine Antiparallelschaltung von zwei baugleichen Dioden DD1 und DD2. Vorliegend wurden hierfür die Siemens-Dioden mit der Bezeichnung BAV 99 eingesetzt.
  • Neben dem in 1 gezeigten Schaltkreis mit insgesamt drei nichtlinearen Zweipolen Z1 bis Z3 ist auch eine Ausführungsvariante mit insgesamt vier nichtlinearen Zweipolen möglich. Die in 9 gezeigte Variante des Sende/Empfangs-Schaltkreises enthält einen vierten nichtlinearen Zweipol Z4, der parallel zu einem Ausgang 11 des Senders 10 parallelgeschaltet ist.
  • Der vierte nichtlineare Zweipol besitzt analog zu dem zweiten nichtlinearen Zweipol Z2 ein bipolar strombegrenzendes Verhalten. Er ist insbesondere dann von Vorteil, wenn der Sender 10 eine induktive Ausgangsimpedanz besitzt. Dies ergibt sich, wenn der endgültige Signalpegel des Sendesignals 40 mittels eines nicht dargestellten Transformators eingestellt wird. Der Transformator befindet sich zu diesem Zweck unmittelbar am Ausgang 11 des Senders 10. Bei dieser Ausführungsform kann es nun vorkommen, daß ein Stromfluß in einer Sekundärwicklung des Transformators noch nicht abgeklungen ist, obwohl das Sendesignal 40 bereits über den ersten nichtlinearen Zweipol Z1 übertragen worden ist, und dieser schon wieder seinen hochohmigen Zustand angenommen hat. Die in dem Transformator noch gespeicherte Energie kann dann nur noch in begrenztem Umfang abfließen, wodurch eine verhältnismäßig lange Abklingdauer des Sendesignals 40 resultiert. Die Parallelschaltung des vierten nichtlinearen Zweipols Z4 am Ausgang 11 des Senders 10 eröffnet einen zusätzlichen Pfad für die im Transformator gespeicherte Energie und trägt somit zu einer Reduzierung der Abklingzeit des Sendesignals 40 bei.

Claims (19)

  1. Schaltkreis mit einem Sender (10) zum Senden eines Sendesignals (40) zu einem Wandler (30) und mit einem Empfänger (20) zum Empfangen eines Empfangssignals (50) von dem Wandler (30), bei dem – der Sender (10) über einen ersten nichtlinearen Zweipol (Z1) und der Empfänger (20) über einen zweiten nichtlinearen Zweipol (Z2) mit dem Wandler (30) verbunden sind, – ein dritter nichtlinearer Zweipol (Z3) parallel zu einem Eingang (21) des Empfängers (20) geschaltet ist, wobei – der erste und der dritte nichtlineare Zweipol (Z1, Z3) als Zweipole mit bipolarer Spannungsbegrenzung ausgebildet sind und – der zweite nichtlineare Zweipol (Z2) als Zweipol mit bipolarer Strombegrenzung ausgebildet ist.
  2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Wandler (30) als Ultraschall-Wandler ausgebildet ist.
  3. Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Wandler (30) einseitig geerdet ist.
  4. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, zweite und dritte nichtlineare Zweipol (Z1, Z2, Z3) als passive Zweipole ausgebildet sind.
  5. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein vierter nichtlinearer Zweipol (Z4), der insbesondere passiv ausgebildet ist, parallel zu einem Ausgang (11) des Senders (10) geschaltet ist.
  6. Schaltkreis nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der vierte nichtlineare Zweipol (Z4) als Zweipol mit bipolarer Strombegrenzung ausgebildet ist.
  7. Schaltkreis nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Zweipol (Z2 oder Z4) mit bipolarer Strombegrenzung als eine Reihenschaltung umfassend einen ersten selbstleitenden MOSFET (T1) mit einem ersten Gate-Kontakt (G1), einem ersten Source-Kontakt (S1) und einem ersten Drain-Kontakt (Dl) sowie einen zweiten selbstleitenden MOSFET (T2) mit einem zweiten Gate-Kontakt (G2), einem zweiten Source-Kontakt (S2) und einem zweiten Drain-Kontakt (D2) ausgebildet ist, wobei der erste und der zweite MOSFET (T1, T2) mit zueinander entgegengesetzter Polarität innerhalb der Reihenschaltung angeordnet sind, und wobei der erste und der zweite Gate-Kontakt (G1, G2) über einen Widerstand auf den ersten bzw. zweiten Source-Kontakt (S1, S2) zurückgekoppelt sind.
  8. Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Gate-Kontakt (G1, G2) über einen gemeinsamen Rückkopplungs-Widerstand (ZF), der zwischen den ersten und den zweiten Source-Kontakt (S1, S2) geschaltet ist, auf den ersten bzw. den zweiten Source-Kontakt (S1, S2) zurückgekoppelt sind (6).
  9. Schaltkreis nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Rückkopplungs-Widerstand (ZF) ohmsch ist.
  10. Schaltkreis nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Rückkopplungs-Widerstand (ZF) induktiv ist.
  11. Schaltkreis nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Rückkopplungs-Widerstand (ZF) kapazitiv ist.
  12. Schaltkreis nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Rückkopplungs-Widerstand (ZF) komplex ist.
  13. Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Gate-Kontakt (G1) mit dem zweiten Drain-Kontakt (D2) und der zweite Gate-Kontakt (G2) mit dem ersten Drain-Kontakt (D1) elektrisch leitend verbunden sind, so daß der erste und der zweite Gate-Kontakt (G1, G2) jeweils über einen Drain-Source-Widerstand des jeweils anderen MOSFET (T1, T2) auf den ersten bzw, den zweiten Source-Kontakt (S1, S2) zurückgekoppelt sind (7).
  14. Verfahren zum Senden eines Sendesignals (40) zu einem Wandler (30) und zum Empfangen eines Empfangssignals (50) von dem Wandler (30), bei dem – das Sendesignal (40) eines Senders (10) über einen ersten nichtlinearen Zweipol (Z1) zu dem Wandler (30) gekoppelt und durch einen zweiten und einen dritten nichtlinearen Zweipol (Z2, Z3) von einem Empfänger (20) entkoppelt wird, und – das Empfangssignal (50) des Wandlers (30) über den zweiten und den dritten nichtlinearen Zweipol (Z2, Z3) zu dem Empfänger (20) gekoppelt wird und durch den ersten nicht-linearen Zweipol (Z1) von dem Sender (10) entkoppelt wird, wobei – eine an dem ersten nichtlinearen Zweipol (Z1) anstehende Spannung und eine an dem dritten nichtlinearen Zweipol (Z2) anstehende Spannung bipolar begrenzt werden und – ein durch den zweiten nichtlinearen Zweipol (Z2) fließender Strom bipolar begrenzt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Wandler (30) durch das Sendesignal (40) zur Emission von Ultraschall angeregt wird.
  16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Wandler (30) mit einer Systemmasse verbunden wird.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der erste, der zweite und der dritte nichtlineare Zweipol (Z1, Z2, Z3) jeweils als rein passiver Zweipol vorgesehen werden.
  18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß eine Abklingzeit des Sendesignals (40) am Sender (10) über einen vierten nichtlinearen Zweipol (Z4) verkürzt wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gegennzeichnet, daß ein durch den vierten nichtlinearen Zweipol (Z4) fließender Strom bipolar begrenzt wird.
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