DE19833391C2 - Thermoelektrisches Sensorsystem und Herstellungsverfahren - Google Patents

Thermoelektrisches Sensorsystem und Herstellungsverfahren

Info

Publication number
DE19833391C2
DE19833391C2 DE19833391A DE19833391A DE19833391C2 DE 19833391 C2 DE19833391 C2 DE 19833391C2 DE 19833391 A DE19833391 A DE 19833391A DE 19833391 A DE19833391 A DE 19833391A DE 19833391 C2 DE19833391 C2 DE 19833391C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
sensor system
legs
thermoelectric sensor
silicon
atomic percent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19833391A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19833391A1 (de
Inventor
Joachim Sonntag
Hans-Joachim Winterfeldt
Dirk Hoelting
Johannes Herrnsdorf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TE Connectivity Sensors Germany GmbH
Original Assignee
HL Planartechnik GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HL Planartechnik GmbH filed Critical HL Planartechnik GmbH
Priority to DE19833391A priority Critical patent/DE19833391C2/de
Publication of DE19833391A1 publication Critical patent/DE19833391A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19833391C2 publication Critical patent/DE19833391C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01J5/14Electrical features thereof
    • G01J5/16Arrangements with respect to the cold junction; Compensating influence of ambient temperature or other variables

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein thermoelektrisches Sensorsystem mit den Merkmalen des Oberbegriffs von Anspruch 1. Ein derartiges Sensorsystem ist aus der DE 42 44 607 A1 bekannt.
Thermoelektrische Sensorsysteme in Form von thermoelektrischen Strahlungsemp­ fängern werden für die Messung von Infrarotstrahlung, für thermoelektrische Wand­ ler, für Sensoren zur Strömungsmessung und Druckmessung sowie in manch anderen Anwendungsfeldern eingesetzt.
Thermoelektrische Sensorsysteme beruhen auf der Ausnutzung des physikalischen Seebeck-Effekts. Bringt man die Enden eines elektrischen Leiters auf unterschiedli­ che Temperaturen, so ist es möglich, an diesen eine Spannung abzugreifen, die in ihrer Größe proportional zur Temperaturdifferenz und zu einer spezifischen thermoelektri­ schen Materialkonstante, der Thermokraft α ist. Werden zwei aus verschiedenen Werkstoffen bestehende Leiter (Schenkel) zu einem Thermoelement verbunden, so ergibt der Seebeck-Effekt bei Temperaturdifferenz der Verbindungsstellen eine elek­ trische Spannung.
Die Ausnutzung des Seebeck-Effekts in Mikrostrukturen hat zu leistungsfähigen Thermopiles (besonders angeordnete Reihenschaltungen von Thermoelementen) ge­ führt. Jedes einzelne Thermoelement hat Strukturbreiten von nur wenigen Mikrome­ tern und Schichtdicken von Zehnteln von Mikrometern. Durch die Mikrotechnik ist es möglich geworden, auf kleinstem Raum eine Vielzahl solcher Einzel-Spannungs­ quellen in Reihe zu einem Thermopile zu verschalten und so die resultierende Signal­ spannung zu vervielfachen.
Wie sich aus der eingangs genannten DE 42 44 607 A1 ergibt, werden üblicherweise die thermoelektrisch relevanten Schichten auf einem Siliziumchip in Dünnschicht­ technik abgeschieden und mikrostrukturiert. Im Zentrum, also in der Meßzone, wird der Chipkörper des Siliziumchips auf eine nur mikrometerdicke Trägermembran abgedünnt. Im Stand der Technik geschieht das dadurch, daß man eine entsprechend dünne Trägermembran in einem Rahmen aus Silizium durch mikromechanische Ätzung von der Rückseite her herstellt, wobei diese Trägermembran selbst aus Silizium-Oxid-Nitrid (SiON) besteht, das bei der Ätzung von Silizium nur unwesentlich angegriffen wird. Die heißen Meß-Kon­ taktstellen werden auf der Trägermembran in der Meßzone angeordnet und mit der Abdeckschicht (Absorber) versehen, die kalten Vergleichs-Kontaktstellen liegen auf dem dicken Chiprahmen, der insgesamt eine Wärmesenke bildet.
Auf diese Weise lassen sich Temperaturdifferenzen von Hundertstel Grad mit hoher Genauigkeit bestimmen.
Es kommt im Grundsatz nicht darauf an, wie die erläuterten Temperaturdifferenzen erzeugt werden. Hier kommen unterschiedliche physikalische Effekte in Frage, insbe­ sondere die Messung von Wärmestrahlung. Diese Messung kann über große Abstän­ de und mit hoher Geschwindigkeit (Meßzeiten von wenigen Millisekunden) erfolgen. Dadurch können auch schnell bewegte Teile in ihrer Temperatur gemessen werden.
Befindet sich anstelle der Absorptionsschicht ein Dünnschichtwiderstand in der Meß­ zone, so kann man beispielsweise auch hochfrequente Wechselspannungen und -ströme hochempfindlich messen.
Thermoelektrische Sensorsysteme finden vielfältige Anwendung in der Automation und Prozeßkontrolle, in Haushaltsgeräten und im medizinischen Bereich, aber auch bei Strömungsmessungen etc.
Die Empfindlichkeit S eines thermoelektrischen Sensorsystems ist zunächst von dem Materialparameter Thermokraft α der für die Schenkel verwendeten Werkstoffe und vom thermischen Leitwert G der gesamten Anordnung abhängig. Das ergibt folgende Formel
In dieser Formel ist n die Anzahl der Thermoelemente (Schenkelpaare) und G der thermische Leitwert der Gesamtanordnung. Der thermische Leitwert G wird bestimmt durch die Wärmeabstrahlung, die Wärmeleitung über die Trägermembran und die Wärmekonvektion im Füllgas des gehäusten Sensors insgesamt.
Thermoelektrische Sensorsysteme der in Rede stehenden Art werden in Haushalt und Technik bei Umgebungstemperaturen zwischen -20°C und +120°C (250 K bis 395 K) eingesetzt. Es liegt auf der Hand, daß die Temperaturabhängigkeit der Empfind­ lichkeit S für die Meßgenauigkeit von großer Bedeutung ist. Die Temperaturabhäng­ igkeit der Empfindlichkeit S wird durch den Temperaturkoeffizienten ausgedrückt:
Wesentlich bestimmt wird der Temperaturkoeffizient TKS zunächst durch den Tempe­ raturkoeffizienten der Thermokraft selbst, nämlich:
Ferner ist der Temperaturkoeffizient des thermischen Leitwertes der Gesamtanord­ nung eine erhebliche Einflußgröße:
Aus den voranstehenden Gleichungen folgt dann
TKS = TKα - TKG
Um eine hohe Empfindlichkeit und damit hohe Signalspannungen zu erreichen, wer­ den in der Praxis ausgesuchte Materialien mit besonders hoher Thermokraft genutzt, vorzugsweise Halbmetalle (z. B. Wismut und Antimon oder Legierungen aus diesen) oder Halbleiter (z. B. dotiertes Silizium).
Dem Vorteil der großen Thermokraft steht bei vielen Materialpaarungen der Mangel gegenüber, daß der Betrag der Thermokraft mit steigender Temperatur abnimmt, d. h. TKα < 0. Mit einem positiven TKG führt das wegen TKS = TKα - TKG zu relativ großen negativen Werten für TKS.
In den zuvor erläuterten Fällen ist es in der Praxis notwendig, durch Kompensations­ schaltungen den Temperaturgang zu kompensieren. Das ist insgesamt eine sehr auf­ wendige Technik. Die in der Praxis erforderlichen Kompensationsschaltungen lassen sich dann stark vereinfachen, wenn es gelingt, TKS sehr klein werden zu lassen.
Es ist weiterhin bekannt, daß Silizium mit bestimmten Dotierungen sowohl sehr große Werte für α als auch TKα < 0 besitzt und damit TKS ~ 0 erreicht werden kann. Do­ tiertes Silizium hat aber den Mangel, daß es hochohmig ist. Durch die erforderliche Dotierung ist die Herstellung aufwendig, und sie ist auch in der Reproduzierbarkeit schwer zu beherrschen. Die Hochohmigkeit hat zur Folge, daß das Thermopile nur aus sehr wenigen Thermoelementen (Paare von Thermoschenkeln) besteht. Das läuft dem Vorteil durch große Thermokräfte entgegen. Die Widerstandswerte von dotier­ tem Silizium streuen im übrigen typischerweise sehr stark, ein wesentliches technisch­ es Problem bei diesen Systemen.
Ganz allgemein ist es seit Jahrzehnten bekannt, daß sich CrSi2 als Werkstoff für den ersten Schenkel eines Thermoelementes eignet, und zwar insbesondere in Kombina­ tion mit dem Werkstoff Konstantan für den zweiten Schenkel (DE 24 58 621 A1; US 3 072 733). Der Vorteil einer besonders großen Thermokraft bei dieser Mate­ rialpaarung ist bereits seit sehr langer Zeit bekannt. über den Temperaturgang der Thermokraft wird in diesem Stand der Technik allerdings nichts ausgesagt. Bei dem aus diesem Stand der Technik bekannten Werkstoff CrSi2 für den ersten Schenkel ei­ nes Thermoelementes handelt es sich um kompaktes, kristallines Material mit stark positivem Temperaturkoeffizienten der Thermokraft. CrSi2 ist dabei als intermetalli­ sche Verbindung vergleichsweise spröde. Aufgrund der hohen Materialspannungen in einem solchen Werkstoff eignet sich dieser Werkstoff nicht für den Einsatz in ei­ nem Sensorsystem der in Rede stehenden Art, weil die hauchdünne Membran durch das spröde, kristalline Material bereits im Herstellungsprozeß zerstört wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das bekannte, eingangs erläuterte ther­ moelektrische Sensorsystem dahingehend weiterzubilden, daß der Temperaturkoeffi­ zient der Empfindlichkeit möglichst klein ist, wobei aber dennoch niedrige und mit geringer Streuung reproduzierbare elektrische Widerstandswerte gewährleistet sind.
Die Lehre der vorliegenden Erfindung löst die zuvor aufgezeigte Aufgabe bei einem thermoelektrischen Sensorsystem mit den Merkmalen des Oberbegriffs von Anspruch 1 dadurch, daß die ersten Schenkel aus einer Legierung mit den Hauptbestandteilen Silizium und Chrom mit mindestens 70 at% (Atomprozent) Silizium und höchstens 30 at% (Atomprozent) Chrom bestehen, wodurch die Thermokraft im interessierenden Temperaturbereich einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist, daß der Werk­ stoff der ersten Schenkel eine amorphe Struktur hat und daß die zweiten Schenkel aus einem Werkstoff bestehen, dessen Thermokraft entgegengesetztes Vorzeichen zur Thermokraft der ersten Schenkel, aber ebenfalls einen positiven Temperaturkoef­ fizienten der Thermokraft aufweist.
Grundsätzlich wird bei dem erfindungsgemäßen thermoelektrischen Sensorsystem auf Silizium-Chom-Legierungen zurückgegriffen, die sich im interessierenden Tempera­ turbereich (wie oben angegeben) durch positive Werte für TKα bei gleichzeitig großer Thermokraft α auszeichnet. Dadurch kann der im allgemeinen negative Bei­ trag des thermischen Leitwertes zum Temperaturkoeffizienten der Empfindlichkeit TKS großteilig bis vollständig kompensiert werden. Erfreulich ist bei der Legierung aus Silizium und Chrom, daß der elektrische Bahnwiderstand vergleichsweise niedrig liegt, wenn man mit dotiertem Silizium vergleicht. Der Widerstandswert ist auch in­ nerhalb enger Grenzen reproduzierbar, hat also eine geringe Streuung.
Wesentlich ist der Einsatz einer Silizium-Chrom-Legierung mit einem gegenüber der normalen Verbindung CrSi2 erhöhten Anteil an Silizium, nämlich von mindestens 70 at% (Atomprozent) Silizium. Damit wird der Siliziumanteil in der Silizium-Chrom-Le­ gierung so stark erhöht, daß der Charakter der rein intermetallischen Verbindung maßgeblich verändert wird. Mit einer derartigen Legierung mit amorpher Struktur entfallen die bei reinem CrSi2 in kristalliner Form auftretenden Materialspannungen nahezu vollständig oder jedenfalls so weitgehend, daß die hauchdünne Membran des erfindungsgemäßen thermoelektrischen Sensorsystems nicht beschädigt oder zerstört wird.
Durch den Einsatz der Silizium-Chrom-Legierung sind kleine Werte für den Tempe­ raturkoeffizienten der Empfindlichkeit TKS erreichbar. Diese können durch eine ge­ eignete Temperung noch modifiziert und bis auf einen Wert nahe 0 gebracht werden. Mit der Temperung wird im übrigen auch der Betrag der Thermokraft eingestellt. Es stellt sich eine um so größere Thermokraft ein, je höher die Temperatur der Temperung ist.
Bei welcher Temperatur der Temperung sich der Wert 0 für den Temperaturkoeffizi­ enten der Empfindlichkeit TKS einstellt, hängt auch von der geometrischen Anord­ nung und Auslegung der Struktur des thermoelektrischen Sensorsystems (Thermopi­ lestruktur) sowie davon ab, welcher Werkstoff für den zweiten Schenkel verwendet wird. Als Material für den zweiten Schenkel ist ein Werkstoff vorgesehen, der eine Thermokraft α mit entgegengesetztem Vorzeichen verglichen mit der für den ersten Schenkel eingesetzten Silizium-Chrom-Legierung, jedoch ebenfalls einen positiven Temperaturkoeffizienten der Thermokraft TKα aufweist. Hier kommen insbesondere Nickel mit α ~ -20 µV/K oder Konstantan mit α ~ -40 µV/K in Frage, wobei sich diese Werte auf Raumtemperatur beziehen.
Die beigefügte Zeichnung zeigt die Anordnung eines typischen thermoelektrischen Sensorsystems. Man erkennt die sternförmig auf die Meßzone zulaufenden Thermo­ elemente bzw. deren Schenkel, die Abdeckschicht (Absorber) in der Meßzone, die Trägermembran und den außenliegenden Rahmen. Die ganze Anordnung ist natürlich miniaturisiert, hat nämlich Außenabmessungen im Millimeterbereich.
Es hat sich gezeigt, daß beispielsweise die Thermokraft von α ~ +20 µV/K (vor der Temperung) bis +100 µV/K (Temperung bei 400°C, eine Stunde) reicht.
Was die Abdeckschicht betrifft, so besteht diese vorzugsweise aus einer Schichtfolge von mindestens zwei Schichten dergestalt, daß sich unten eine Metallschicht mit guter Wärmeleitfähigkeit und darüber eine Absorptionsschicht befindet. Der Begriff "unten" bedeutet dabei unmittelbar auf den Meßkontaktstellen der Meßzone, während der Begriff "darüber" bedeutet, daß diese Schicht der zu messenden Infrarotstrahlung zugewandt ist.
Erfindungsgemäß ist der interessante Bereich für die Zusammensetzung der ersten Schenkel der Bereich mit mindestens 70 at% (Atomprozent) Silizium und höchstens 30 at% (Atomprozent) Chrom. Das kann man weiter dahingehend spezifizieren, daß ein besonders interessierender Wert mit besonders guten Ergebnissen bei 75 at% (Atomprozent) Silizium und 25 at% (Atomprozent) Chrom liegt.
Nachfolgend gibt es noch drei Beispiele für erfindungsgemäß hergestellte thermo­ elektrische Sensorsysteme:
Beispiel 1
Auf einer dünnen Membran, bestehend aus einer 1,4 µm dicken SiON-Schicht, die in einem Chiprahmen aus Silizium aufgespannt ist, sind 80 Thermoschenkelpaare strah­ lenförmig angeordnet. Die Schenkelsorte A besteht aus Si75Cr25, 0.5 µm dick, die Schenkelsorte B aus Ni, 0,3 µm dick. Auf den "heißen" Kontaktstellen in der Mitte des Chips befindet sich der Absorber, bestehend aus einer Schichtfolge Ag (0.14 µm) /Sb (0,3 µm)/Fotolack (1,6 µm).
Die Temperung erfolgt bei 300°C vier Stunden lang unter Luftsauerstoff. Die Ther­ mopilechips werden auf Sockel aufgebaut und mit modifizierten Kappen hermetisch verschlossen. In den modifizierten Kappen befinden sich kreisrunde Öffnungen mit einem Durchmesser von 3,5 mm, in die Breitbandfilter gasdicht eingeklebt sind.
Die Messung der wichtigsten Kenngrößen der so aufgebauten Sensoren lieferte fol­ gende Ergebnisse:
(T Temperatur des Thermopiles, R elektrischer Widerstand des Thermopiles, U das Meßsignal und TKU der Temperaturkoeffizient des Meßsignals; U und TKU sind di­ rekt proportional zur Empfindlichkeit S und zum Temperaturkoeffizienten TKS.)
Beispiel 2
Wie Beispiel 1, aber mit folgenden Änderungen:
Die SiON-Membran ist 0,8 µm dick; die Temperung erfolgte bei 220°C 16 Stunden unter Luftsauerstoff:
Beispiel 3
Wie Beispiel 2, aber die Temperung erfolgte bei 300°C eine Stunde unter Luftsauer­ stoff:
Die Meßbedingungen in allen Fällen waren:
500 K-Strahler, entsprechend 38 µW/mm2 auf der Höhe des Thermopiles während der Messung. Das Meßsignal wurde normiert auf einen Referenzblock, der konstant auf 25°C thermostatisiert war.

Claims (5)

1. Thermoelektrisches Sensorsystem
mit einer Vielzahl von in Reihe geschalteten Thermoelementen, die jeweils aus einem ersten Schenkel aus einem ersten Werkstoff und einem zweiten Schenkel aus einem zweiten, anderen Werkstoff bestehen,
wobei die nahe beieinander angeordneten heißen Meß-Kontaktstellen der Schenkel eine Meßzone auf einer dünnen Membran bilden und
wobei die kalten Vergleichs-Kontaktstellen der Schenkel auf einem umlaufenden,
eine Wärmesenke bildenden Rahmen angeordnet sind,
dadurch gekennzeichnet,
daß die ersten Schenkel aus einer Legierung mit den Hauptbestandteilen Silizium und Chrom mit mindestens 70 at% (Atomprozent) Silizium und höchstens 30 at% (Atomprozent) Chrom bestehen, wodurch die Thermokraft im interessierenden Tem­ peraturbereich einen positiven Temperaturkoeffizienten aufweist,
daß der Werkstoff der ersten Schenkel eine amorphe Struktur hat und
daß die zweiten Schenkel aus einem Werkstoff bestehen, dessen Thermokraft entge­ gengesetztes Vorzeichen zur Thermokraft der ersten Schenkel, aber ebenfalls einen positiven Temperaturkoeffizienten der Thermokraft aufweist.
2. Thermoelektrisches Sensorsystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Schenkel aus einer Legierung mit 75 at% (Atomprozent) Silizium und 25 at% (Atomprozent) Chrom bestehen.
3. Thermoelektrisches Sensorsystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß die zweiten Schenkel aus Nickel oder Konstantan bestehen.
4. Thermoelektrisches Sensorsystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß in der Meßzone eine Abdeckschicht aus einer Schichtfolge von mindestens zwei Schichten vorgesehen ist, wobei sich auf den Thermoelementen eine Metallschicht mit guter Wärmeleit­ fähigkeit und darüber eine Absorptionsschicht befindet.
5. Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Sensorsystems nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das thermoelektrische Sensorsystem einer Temperung mit einer Temperatur zwischen 450 K und 900 K, insbesondere zwi­ schen 470 K und 870 K, über eine Zeit von mindestens einer Stunde unterzogen wird.
DE19833391A 1998-06-09 1998-07-24 Thermoelektrisches Sensorsystem und Herstellungsverfahren Expired - Fee Related DE19833391C2 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19833391A DE19833391C2 (de) 1998-06-09 1998-07-24 Thermoelektrisches Sensorsystem und Herstellungsverfahren

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19825595 1998-06-09
DE19833391A DE19833391C2 (de) 1998-06-09 1998-07-24 Thermoelektrisches Sensorsystem und Herstellungsverfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19833391A1 DE19833391A1 (de) 1999-12-23
DE19833391C2 true DE19833391C2 (de) 2002-12-12

Family

ID=7870312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19833391A Expired - Fee Related DE19833391C2 (de) 1998-06-09 1998-07-24 Thermoelektrisches Sensorsystem und Herstellungsverfahren

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE19833391C2 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4241245B2 (ja) * 2002-10-25 2009-03-18 株式会社デンソー センサ装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3072733A (en) * 1961-07-17 1963-01-08 Sasaki Yozo Thermoelectric generator
DE2458621A1 (de) * 1973-12-12 1975-06-26 Yamatake Honeywell Co Ltd Thermoelement
DE4244607A1 (de) * 1992-12-31 1994-07-07 Hl Planartechnik Gmbh Thermoelektrischer Strahlungssensor, insbesondere für infrarotes und sichtbares Licht

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3072733A (en) * 1961-07-17 1963-01-08 Sasaki Yozo Thermoelectric generator
DE2458621A1 (de) * 1973-12-12 1975-06-26 Yamatake Honeywell Co Ltd Thermoelement
DE4244607A1 (de) * 1992-12-31 1994-07-07 Hl Planartechnik Gmbh Thermoelektrischer Strahlungssensor, insbesondere für infrarotes und sichtbares Licht

Also Published As

Publication number Publication date
DE19833391A1 (de) 1999-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69123575T2 (de) Thermischer infrarotdetektor des bolometertyps mit halbleiterfilm
DE19527861B4 (de) Massenflusssensor sowie Verfahren zur Herstellung
DE69811968T2 (de) Herstellungsverfahren für einen infrarotempfindlichen Strahlungsdetektor, insbesondere einen infrarotempfindlichen Bolometer
DE69716546T2 (de) Infrarot-Detektor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4102524C2 (de) Infrarotsensor
DE19633849B4 (de) Infrarotdetektor und Herstellungsverfahren für diesen
DE68928739T2 (de) Detecteur d&#39;humidite
DE69510432T2 (de) Infrarot-Strahlungssensor
EP0966660A1 (de) Thermopile-sensor und strahlungsthermometer mit einem thermopile-sensor
DE102005023110A1 (de) Nanokalorimetervorrichtung und zugehörige Verfahren zur Herstellung und Verwendung
DE3628513A1 (de) Duennfilmleiter und verfahren zur herstellung eines duennfilmleiters
DE2204153B2 (de) Temperaturmeßfühler für sehr tiefe Temperaturen
DE3438764A1 (de) Thermoelektrischer detektor
DE2000101A1 (de) Immersionsbolometer
DE19833391C2 (de) Thermoelektrisches Sensorsystem und Herstellungsverfahren
DE4091364C1 (de)
DE3709201A1 (de) Waermestrahlungssensor
DE102016207551B4 (de) Integrierte thermoelektrische Struktur, Verfahren zur Herstellung einer integrierten thermoelektrischen Struktur, Verfahren zum Betrieb derselben als Detektor, thermoelektrischer Generator und thermoelektrisches Peltier-Element
DE19756069C1 (de) Differenz-Thermoanalyse-Vorrichtung
DE2000088B2 (de) Anisotropes thermoelement
DE68915346T2 (de) Magnetfeldmessgerät mit einem supraleitenden magnetoresistiven Element.
DE19516480C1 (de) Mikrosensor zur Bestimmung von Wärmestromdichten und Wärmedurchgangszahlen
DE10001675A1 (de) Vorrichtung zum Analysieren und Verfahren zur genauen Temperaturmessung einer Probe mit großem Durchmesser
DE4429067C2 (de) Probenaufnehmer und Sensor für die Scanning-Kalorimetrie
DE2330810C3 (de) Temperaturempfindliches Halbleiterbauelement, Verfahren zum Herstellen und zum Betrieb

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: MEAS DEUTSCHLAND GMBH, 44227 DORTMUND, DE

8339 Ceased/non-payment of the annual fee