DE19830476B4 - Halbleitervorrichtung insbesondere Sensor - Google Patents
Halbleitervorrichtung insbesondere Sensor Download PDFInfo
- Publication number
- DE19830476B4 DE19830476B4 DE19830476A DE19830476A DE19830476B4 DE 19830476 B4 DE19830476 B4 DE 19830476B4 DE 19830476 A DE19830476 A DE 19830476A DE 19830476 A DE19830476 A DE 19830476A DE 19830476 B4 DE19830476 B4 DE 19830476B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- movable plate
- finger
- movement
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 210000003811 finger Anatomy 0.000 claims 8
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000002996 emotional effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0051—For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
Abstract
Halbleitervorrichtung
(10) mit:
einem Substrat (12) mit einer Oberfläche (35);
einer beweglichen Platte (16), welche über dem Substrat (12) liegt, wobei die bewegliche Platte (16) eine Öffnung (18) aufweist, und
einem Bewegungsstopper (19), welcher das Substrat (12) kontaktiert und durch zumindest einen Bereich der Öffnung (18) in der beweglichen Platte (16) läuft,
dadurch gekennzeichnet, dass die bewegliche Platte (16) in jede Richtung in einer Ebene beweglich ist, die im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche (35) des Substrats (12) ist, und der Bewegungsstopper (19) die Bewegung der beweglichen Platte (16) in der Ebene begrenzt, die im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche (35) des Substrats (12) ist.
einem Substrat (12) mit einer Oberfläche (35);
einer beweglichen Platte (16), welche über dem Substrat (12) liegt, wobei die bewegliche Platte (16) eine Öffnung (18) aufweist, und
einem Bewegungsstopper (19), welcher das Substrat (12) kontaktiert und durch zumindest einen Bereich der Öffnung (18) in der beweglichen Platte (16) läuft,
dadurch gekennzeichnet, dass die bewegliche Platte (16) in jede Richtung in einer Ebene beweglich ist, die im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche (35) des Substrats (12) ist, und der Bewegungsstopper (19) die Bewegung der beweglichen Platte (16) in der Ebene begrenzt, die im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche (35) des Substrats (12) ist.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen Halbleitervorrichtungen, und insbesondere Sensorvorrichtungen mit einer beweglichen Struktur.
- Übliche Beschleunigungssensoren enthalten typischerweise eine Masse, welche sich ansprechend auf das Anlegen einer externen Beschleunigung bewegt. Die Bewegung wird dann umgewandelt in eine elektrische Antwort, so dass die Größe der Beschleunigung bestimmt werden kann. Ein Problem bei solchen Strukturen besteht darin, dass die bewegliche Masse beschädigt werden kann, falls eine zu starke Beschleunigung angelegt wird.
- Puffer entlang des äußeren Umfanges der beweglichen Masse sind ein Verfahren zur Veränderung einer Beschädigung, welche auftreten kann, falls sich die bewegliche Masse zu weit bewegt. Jedoch sind Puffer insofern nicht ideal, als dass sie eine signifikante Menge an Oberflächenbereich in dem Sensor verbrauchen, und sie nur die Bewegung entlang einer von zwei orthogonalen Achsen stoppen können.
- Aus der Druckschrift
US 5 181 156 A ist eine Halbleitervorrichtung gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1 und ein Sensor gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 5 bekannt. Die bewegliche Platte dieser Druckschrift ist senkrecht zur oberen Ebene eines darunterliegenden Substrates, also nur in eine Richtung, beweglich. Ferner ist in dieser Druckschrift ein Bewegungsstopper beschrieben, der die Bewegung des Substrates in einer Vertikalrichtung begrenzt. - Dementsprechend besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine flexibel einsetzbare Halbleitervorrichtung zu schaffen, deren Sensitivität gegenüber dem Stand der Technik verbessert sein soll.
- Diese Aufgabe wird durch eine Halbleitervorrichtung, wie sie im Anspruch 1 definiert ist, und einen Sensor nach Anspruch 5 gelöst.
- Dabei besteht der Vorteil der Erfindung darin, dass die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung und der Sensor empfindlicher und hilfreich bei Anwendungen sind, wo eine Bewegung in mehr als einer einzigen Richtung gemessen werden soll.
- Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
- Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen näher erläutert.
- In den Figuren zeigen:
-
1 eine vergrößerte Oberansicht eines Bereichs einer Halbleitervorrichtung mit einem Sensor, der in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung gebildet ist; -
2 eine vergrößerte Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung; und -
3 eine vergrößerte Oberansicht eines Sensors zum Illustrieren alternativer Ausführungsformen der Bildung eines Bewegungsstoppers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung. - Man wird erkennen, dass aus Gründen der Einfachheit und Klarheit der Illustration die in den Figuren illustrierten Elemente nicht notwendigerweise skaliert sind. Beispielsweise sind die Dimensionen von einigen der Elemente relativ zu anderen Elementen aus Klarheitsgründen übertrieben. Weiterhin wurden, wo es als geeignet erschien, die Bezugszeichen in den Figuren wiederholt, um entsprechende oder analoge Elemente zu bezeichnen.
-
1 ist eine vergrößerte Oberansicht eines Bereichs einer Halbleitervorrichtung10 , welche in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung gebildet ist. Insbesondere illustriert1 einen Bereich eines Sensors oder Sensorelements11 der Halbleitervorrichtung10 . Man sollte verstehen, dass die Halbleitervorrichtung10 eine integrierte Schaltung, ein Mikroprozessor, ein Mikrocontroller oder dergleichen sein kann. Zusätzlich kann die Halbleitervorrichtung10 eine diskrete Sensorvorrichtung, wie z.B. ein Beschleunigungsmesser, ein chemischer Sensor, ein Mikroaktuator oder ein Mikroventil sein. - Bei dem in
1 illustrierten Beispiel ist das Sensorelement11 ein Beschleunigungsmesser, welcher in der Lage ist, die Größe und Richtung einer externen Beschleunigung zu messen. Jedoch sollte man verstehen, dass die vorliegende Erfindung nicht auf Anwendungen begrenzt ist, die oben aufgezählt sind, denn die vorliegende Erfindung kann bei einer beliebigen Sensorvorrichtung verwendet werden, welche ein bewegliches Element aufweist. - Das Sensorelement
11 enthält eine bewegliche Platte oder eine Platte16 , welche über einem Substrat12 unter Verwendung einer üblichen Einrichtung, die im Stand der Technik bekannt ist (nicht gezeigt), aufgehängt ist. Die Platte16 definiert eine Ebene, welche im Wesentlichen parallel zur Oberfläche des Substrats12 verläuft, und die Platte16 bewegt sich innerhalb dieser Ebene, wenn eine externe Beschleunigung an die Halbleitervorrichtung10 angelegt ist. Natürlich hängt die tatsächliche Bewegung der Platte16 innerhalb dieser Ebene von der Größe und der Richtung der an die Halbleitervorrichtung10 angelegten Kraft ab, so dass die Bewegung der Platte16 nicht exakt parallel zur Oberfläche des Substrats12 verlaufen kann. - Das Sensorelement
11 enthält ebenfalls einen Finger17 , welcher an der Platte16 angebracht ist, und Finger13 bis14 , welche an dem Substrat12 angebracht oder dadurch gehaltert sind. Das Sensorelement11 ist derart gebildet, dass, wenn keine externe Beschleunigung an die Platte16 angelegt ist (d.h. die Platte16 stationär in ihrer neutralen Position ist), der Finger17 von den Fingern13 bis14 um einen vorbestimmten Abstand, der in1 mit Pfeilen21 bezeichnet ist, separiert ist. Der Finger17 ist kapazitiv mit den Fingern13 bis14 verbunden und wird zum Bereitstellen eines elektrischen Signals verwendet, wenn sich die Platte16 als Resultat des Anlegens einer externen Beschleunigung bewegt. - Wenn beispielsweise eine externe Beschleunigung an die Halbleitervorrichtung
10 in der mit einem Pfeil26 bezeichneten Richtung angelegt wird, bewegt sich die Platte16 in der mit einem Pfeil25 bezeichneten Richtung relativ zu den Fingern13 bis14 . Dies wiederum bewirkt, dass sich der Finger17 zu dem Finger13 hin und von dem Finger14 weg bewegt. Falls die externe Beschleunigung, welche angelegt ist, zu groß ist, kann der Finger17 den gesamten Abstand zwischen dem Finger17 und dem Finger13 (Pfeil21 ) laufen und mit dem Finger13 kollidieren. Dies kann eine strukturelle Beschädigung verursachen, welche das Sensorelement11 und somit die Halbleitervorrichtung10 vollständig betriebsunfähig machen könnte. Sogar falls eine permanente Beschädigung nicht auftreten würde, könnte der Kontakt zwischen dem Finger17 und dem Finger13 Partikel erzeugen, welche die Empfindlichkeit und die Funktionstüchtigkeit des Sensorelements11 ändern könnten. - Um zu verhindern, dass der Finger
17 die Finger13 oder14 kontaktiert, ist ein Bewegungsstopper bzw. Bewegungsanschlag19 derart gebildet, dass er zumindest teilweise durch eine Öffnung18 in der Platte16 läuft. Bei der bevorzugten Ausführungsform, wie sie in1 gezeigt ist, sind sowohl die Öffnung18 in der Platte16 als auch der Rand des Bewegungsstoppers19 kreisförmig. Der Rand des Bewegungsstoppers19 ist von dem Rand der Öffnung18 , welcher durch einen Pfeil20 angezeigt ist, separiert, um einen maximalen Bewegungsstopperabstand vorzusehen. Beispielsweise kann der Bewegungsstopper19 von dem Rand der Öffnung18 in der Platte16 um einen Abstand von weniger als 100 Mikrometer separiert sein. Zusätzlich könnte dies einen temporären elektrischen Kurzschluss erzeugen, welcher mit der kapazitiven Kopplung dieser Elemente interferieren würde. - Der tatsächliche Abstand zwischen dem Bewegungsstopper
19 und der Platte16 kann variieren, aber es ist beabsichtigt, dass er geringer als der Abstand zwischen dem Finger17 und den Fingern13 bis14 (Pfeil21 ) ist. Dies verhindert, dass der Finger17 entweder den Finger13 oder14 kontaktiert, wenn eine große externe Beschleunigung angelegt wird, da die Platte16 den Bewegungsstopper19 zuerst kontaktiert, was jegliche weitere Bewegung der Platte16 verhindert. Die Bildung des Bewegungsstoppers19 und der Öffnung18 in der Platte16 in einer kreisförmigen Konfiguration weist einige Vorteile auf. Zunächst hat, egal in welche Richtung sich die Platte16 bewegt, die Platte16 denselben maximalen Bewegungsweg, bevor sie den Bewegungsstopper19 kontaktiert. Zweitens kontaktiert die Platte16 den Bewegungsstopper19 , wenn sie dies tut, an einem einzelnen Punkt. Dies minimiert die Wahrscheinlichkeit, dass die Platte16 an dem Bewegungsstopper19 aufgrund elektrostatischer oder interatomarer Kräfte anhaftet und reduziert die Wahrscheinlichkeit, dass Partikel beim Kontakt erzeugt werden. Schließlich ermöglicht die kreisförmige Konfiguration, dass der Bewegungsstopper19 in einer omnidirektionalen Art und Weise arbeitet. Mit anderen Worten kann der Bewegungsstopper die Bewegung der Platte16 stoppen, wobei gleichgültig ist, in welche Richtung sich die Platte16 bewegt. - Bezug nehmend auf
2 ist ein Verfahren zum Bilden des Sensorelements11 vorgesehen.2 ist eine vergrößerte Querschnittsansicht des Sensorelements11 , aufgenommen entlang der Schnittlinien 2-2, wie in1 gezeigt. Zu Be ginn wird eine Schicht aus Material (nicht gezeigt), wie z.B. Polysilizium, über einer Oberfläche35 des Substrats12 gebildet. Das Material wird dann strukturiert, um eine Basis30 vorzusehen, welche als ein unterer Bereich für den Bewegungsstopper19 dient. Eine Opferschicht32 wird dann über der Basis30 und der Oberfläche35 des Substrats12 gebildet. Die Opferschicht32 kann eine Schicht aus dotiertem Siliziumdioxid oder Phosphorsilikat-Siliziumglas (PSG) sein, welche unter Verwendung üblicher Techniken abgeschieden wird. Eine Öffnung wird dann in der Opferschicht32 gebildet, um einen Bereich der Basis30 , wie in2 gezeigt, freizulegen. - Eine Schicht aus Material, wie z.B. einkristallinem Silizium, Polysilizium, amorphem Silizium, Metall, Metallsilizid oder dergleichen wird dann gebildet und, wie in
2 gezeigt, strukturiert. Dieses Material wird verwendet, um den Finger17 , die bewegliche Platte16 und den oberen Bereich36 des Bewegungsstoppers19 zu bilden. Da der Bewegungsstopper und die Platte16 aus demselben Material gebildet werden, haben sie eine Dicke, welche im Wesentlichen die gleiche für normale Variationen in den Abscheidungsprozessen ist. Somit kann der Bewegungsstopper19 ohne irgendwelche zusätzlichen Prozessschritte gebildet werden und ohne Erhöhung der Größe des Erfassungselements11 , da der Bewegungsstopper19 innerhalb des Oberflächenbereichs der Platte16 gebildet ist. Nachdem der Bewegungsstopper19 strukturiert ist, wird ein Nassätzprozess verwendet, um die Opferschicht32 zu beseitigen, so dass die Platte16 frei beweglich ist. - Bezug nehmend auf
3 sind alternative Konfigurationen zum Bilden der Bewegungsstopper51 bis56 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung vorgesehen. Abhängig von dem photolitographischen Prozess, der zum Strukturieren der beweglichen Platte und des Bewegungsstoppers eines Sensorelements verwendet wird, können einige alternative Formen für die Bewegungsstopper aufgrund von Beschränkungen des Herstellungsprozesses erwünscht sein. Beispielsweise können einige photolitographische Prozesse eine Minimalauflösung aufweisen, welche es schwieriger macht, wiederholt kleine kreisförmige Bilder im Vergleich zu geraden Rändern zu bilden. In diesem Fall können einige der alternativen Konfigurationen, welche in3 gezeigt sind, leichter herstellbar und somit erwünschter sein. -
3 ist eine vergrößerte Oberansicht einer beweglichen Platte50 , welche die Bewegungsstopper51 bis56 aufweist. Insbesondere ist der Bewegungsstopper51 in einer quadratischen Konfiguration und der Bewegungsstopper52 in einer oktaedrischen Konfiguration angeordnet. Die Muster zum Definieren der Bewegungsstopper53 bis56 umfassen eine Vielzahl von Segmenten, von denen manche gleich in der Länge sind, welche in verschiedenen kreuzförmigen Mustern angeordnet sind. Jeder der Bewegungsstopper51 bis56 kann der bevorzugte sein, und zwar abhängig von den Beschränkungen der kritischen Dimension (CD) der photolitographischen Prozesse und Ätzprozesse, welche verwendet werden, um die Halbleitervorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zu bilden. Es sollte verstanden werden, dass ein Erfassungselement derart gebildet werden kann, dass es eine Vielzahl von Bewegungsstoppern über der beweglichen Platte angeordnet aufweist, so dass eine Beschädigung durch eine Rotationsbewegung verhindert werden kann. - Jetzt sollte man verstehen, dass die vorliegende Erfindung eine Sensorstruktur und ein entsprechendes Herstellungsverfahren schafft, welche eine Beschädigung verhindern, wenn eine zu starke externe Beschleunigung auf den Sensor angewendet wird. Die Verwendung des Bewegungsstoppers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ist zuverlässiger, omnidirektional und weniger kostenträchtig herzustellen als weitere Strukturen, welche im Stand der Technik bekannt sind. Ferner sind die erfindungsgemäße Halbleitervorrichtung und der Sensor empfindlicher und hilfreich bei Anwendungen, wo eine Bewegung in mehr als einer einzigen Richtung gemessen werden soll.
Claims (5)
- Halbleitervorrichtung (
10 ) mit: einem Substrat (12 ) mit einer Oberfläche (35 ); einer beweglichen Platte (16 ), welche über dem Substrat (12 ) liegt, wobei die bewegliche Platte (16 ) eine Öffnung (18 ) aufweist, und einem Bewegungsstopper (19 ), welcher das Substrat (12 ) kontaktiert und durch zumindest einen Bereich der Öffnung (18 ) in der beweglichen Platte (16 ) läuft, dadurch gekennzeichnet, dass die bewegliche Platte (16 ) in jede Richtung in einer Ebene beweglich ist, die im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche (35 ) des Substrats (12 ) ist, und der Bewegungsstopper (19 ) die Bewegung der beweglichen Platte (16 ) in der Ebene begrenzt, die im Wesentlichen parallel zu der Oberfläche (35 ) des Substrats (12 ) ist. - Halbleitervorrichtung (
10 ) nach Anspruch 1, wobei der Bewegungsstopper (19 ) aufweist: einen ersten Bereich (30 ), welcher die Oberfläche (35 ) des Substrats (12 ) kontaktiert; und einen zweiten Bereich (36 ), welcher über dem ersten Bereich (30 ) liegt, wobei die bewegliche Platte (16 ) aus demselben Material, wie der zweite Bereich (36 ) des Bewegungsstoppers (19 ) hergestellt ist und eine Dicke hat, die im Wesentlichen gleich der des, zweiten Abschnitts (36 ) des Bewegungsstoppers (19 ) ist. - Halbleitervorrichtung (
10 ) nach Anspruch 1, des Weiteren mit: einem ersten Finger (14 ), welcher in der Ebene angeordnet ist, welche im Wesentlichen parallel zur Oberfläche (35 ) des Substrats (12 ) ist, und über dem Substrat (12 ) liegt; und einem zweiten Finger (17 ), welcher an der beweglichen Platte (16 ) und in der Ebene angebracht ist, welche im Wesentlichen parallel zur Oberfläche (35 ) des Substrats (12 ) ist, wobei der erste Finger (14 ) und der zweite Finger (17 ) um einen ersten Abstand separiert sind, wenn die bewegliche Platte (16 ) stationär ist. - Halbleitervorrichtung (
10 ) nach Anspruch 3, wobei der Bewegungsstopper (19 ) einen Rand aufweist, welcher von der beweglichen Platte (16 ) um einen zweiten Abstand getrennt ist, und wobei der erste Abstand größer als der zweite Abstand ist. - Sensor (
11 ) mit: einem Substrat (12 ); einer beweglichen Platte (16 ), welche über dem Substrat (12 ) liegt, wobei die bewegliche Platte (16 ) eine Öffnung (18 ) aufweist; einem ersten Finger (14 ), welcher mit dem Substrat (12 ) verbunden ist; einem zweiten Finger (17 ), welcher mit der beweglichen Platte (16 ) verbunden ist, wobei der erste Finger (14 ) und der zweite Finger (17 ) um einen Abstand getrennt sind; und einem Bewegungsstopper (19 ), welcher über dem Substrat (12 ) liegt und durch zumindest einen Bereich der Öffnung (18 ) in der beweglichen Platte (16 ) läuft, dadurch gekennzeichnet, dass die bewegliche Platte (16 ) in einer Ebene in jede Richtung beweglich ist, welche parallel zu einer oberen Oberfläche (35 ) des Substrats (12 ) ist, und der Bewegungsstopper (19 ) an einem einzigen Punkt in Kontakt mit der beweglichen Platte (16 ) kommt, um die Wahrscheinlichkeit zu minimieren, dass die bewegliche Platte (16 ) und der Bewegungsstopper (19 ) zusammenkleben.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/903,087 US5914521A (en) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | Sensor devices having a movable structure |
US08/903,087 | 1997-07-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19830476A1 DE19830476A1 (de) | 1999-02-04 |
DE19830476B4 true DE19830476B4 (de) | 2007-07-05 |
Family
ID=25416922
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19830476A Expired - Fee Related DE19830476B4 (de) | 1997-07-30 | 1998-07-08 | Halbleitervorrichtung insbesondere Sensor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5914521A (de) |
JP (1) | JP4262327B2 (de) |
KR (1) | KR100489157B1 (de) |
CN (1) | CN1145800C (de) |
DE (1) | DE19830476B4 (de) |
TW (1) | TW368677B (de) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6037211A (en) * | 1997-05-05 | 2000-03-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method of fabricating contact holes in high density integrated circuits using polysilicon landing plug and self-aligned etching processes |
US6228275B1 (en) * | 1998-12-10 | 2001-05-08 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a sensor |
DE19949605A1 (de) * | 1999-10-15 | 2001-04-19 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
US6677225B1 (en) | 2000-07-14 | 2004-01-13 | Zyvex Corporation | System and method for constraining totally released microcomponents |
DE10055421A1 (de) * | 2000-11-09 | 2002-05-29 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Erzeugung einer mikromechanischen Struktur und mikromechanische Struktur |
KR100418624B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2004-02-11 | (주) 인텔리마이크론즈 | 자이로스코프 및 그 제조 방법 |
US6931928B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-08-23 | Tokyo Electron Limited | Microstructure with movable mass |
US7232701B2 (en) * | 2005-01-04 | 2007-06-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Microelectromechanical (MEM) device with a protective cap that functions as a motion stop |
JP2011174881A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 静電容量型加速度センサ |
CN104145185B (zh) * | 2011-11-09 | 2017-07-11 | 罗伯特·博世有限公司 | 具有弯曲接触表面的质量块定位结构 |
FR3000484B1 (fr) * | 2012-12-27 | 2017-11-10 | Tronic's Microsystems | Dispositif micro-electromecanique comprenant une masse mobile apte a se deplacer hors du plan |
US9638712B2 (en) * | 2015-01-22 | 2017-05-02 | Nxp Usa, Inc. | MEMS device with over-travel stop structure and method of fabrication |
JP2020024098A (ja) * | 2018-08-06 | 2020-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、センサーデバイス、電子機器、および移動体 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4882933A (en) * | 1988-06-03 | 1989-11-28 | Novasensor | Accelerometer with integral bidirectional shock protection and controllable viscous damping |
US5181156A (en) * | 1992-05-14 | 1993-01-19 | Motorola Inc. | Micromachined capacitor structure and method for making |
US5542295A (en) * | 1994-12-01 | 1996-08-06 | Analog Devices, Inc. | Apparatus to minimize stiction in micromachined structures |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4309917A1 (de) * | 1992-03-30 | 1993-10-07 | Awa Microelectronics | Verfahren zur Herstellung von Siliziummikrostrukturen sowie Siliziummikrostruktur |
JP3385688B2 (ja) * | 1993-12-13 | 2003-03-10 | 株式会社デンソー | 半導体ヨーレートセンサおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-07-30 US US08/903,087 patent/US5914521A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-21 TW TW087107899A patent/TW368677B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-07-06 JP JP20723598A patent/JP4262327B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-08 DE DE19830476A patent/DE19830476B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-29 CN CNB98116658XA patent/CN1145800C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-30 KR KR1019980030781A patent/KR100489157B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4882933A (en) * | 1988-06-03 | 1989-11-28 | Novasensor | Accelerometer with integral bidirectional shock protection and controllable viscous damping |
US5181156A (en) * | 1992-05-14 | 1993-01-19 | Motorola Inc. | Micromachined capacitor structure and method for making |
US5542295A (en) * | 1994-12-01 | 1996-08-06 | Analog Devices, Inc. | Apparatus to minimize stiction in micromachined structures |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1168122A (ja) | 1999-03-09 |
KR100489157B1 (ko) | 2006-05-11 |
JP4262327B2 (ja) | 2009-05-13 |
DE19830476A1 (de) | 1999-02-04 |
CN1145800C (zh) | 2004-04-14 |
TW368677B (en) | 1999-09-01 |
KR19990014288A (ko) | 1999-02-25 |
US5914521A (en) | 1999-06-22 |
CN1213778A (zh) | 1999-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0679878B1 (de) | Mikrosystem mit integrierter Schaltung und mikromechanischem Bauteil und Herstellverfahren | |
EP0805985B1 (de) | Mikromechanisches bauelement | |
DE19830476B4 (de) | Halbleitervorrichtung insbesondere Sensor | |
EP1963227B1 (de) | Mikromechanisches bauelement und herstellungsverfahren | |
EP1242826B1 (de) | Beschleunigungssensor mit eingeschränkter beweglichkeit in vertikaler richtung | |
DE4000903C1 (de) | ||
DE19930779B4 (de) | Mikromechanisches Bauelement | |
DE102011112879B4 (de) | Halbleiterherstellung | |
DE102004015237B4 (de) | Sensor mit Vorsprung und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE19540174B4 (de) | Halbleitersensor für eine physikalische Größe und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE102008063422A1 (de) | Sensor zur Erfassung einer physikalischen Grösse | |
DE19906067A1 (de) | Halbleitersensor für physikalische Größen und dessen Herstellungsverfahren | |
WO2004036952A2 (de) | Membran und verfahren zu deren herstellung | |
DE19503236A1 (de) | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat | |
DE102016208925A1 (de) | Mikromechanischer Sensor und Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensors | |
EP0679897A1 (de) | Mikromechanisches Bauteil mit einer dielektrischen beweglichen Struktur | |
DE10000368A1 (de) | Mikromechanische Struktur, insbesondere für einen Beschleunigungssensor oder Drehratensensor, und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE102017219929B4 (de) | Mikromechanischer z-Inertialsensor | |
DE19817311A1 (de) | Herstellungsverfahren für mikromechanisches Bauelement | |
DE19536228B4 (de) | Mikroelektronischer, integrierter Sensor und Verfahren zur Herstellung des Sensors | |
EP0730157B1 (de) | Beschleunigungssensor | |
DE10196538B3 (de) | Herstellungsverfahren für einen Dünnschicht-Konstruktionskörper | |
DE102010029708B4 (de) | Mikromechanisches System | |
DE19920066B4 (de) | Sensor aus einem mehrschichtigen Substrat mit einem aus einer Halbleiterschicht herausstrukturierten Federelement | |
DE102010062056B4 (de) | Mikromechanisches Bauteil |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: SCHUMACHER & WILLSAU, PATENTANWALTSSOZIETAET, 8033 |
|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8125 | Change of the main classification |
Ipc: B81B 300 |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC., AUSTIN, TEX., US |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |