DE19830038A1 - Lösung und Verfahren zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen - Google Patents

Lösung und Verfahren zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen

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Description

Die Erfindung betrifft eine Lösung und ein Verfahren zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen zum nachfolgenden Bilden eines haftfesten Verbundes zwi­ schen den vorbehandelten Kupferoberflächen und Kunststoffsubstraten. Die Lösung dient vorzugsweise zum Vorbehandeln von Kupferschichten aufweisen­ den Leiterplatteninnenlagen zum Zweck der nachfolgenden Bildung eines haft­ festen Verbundes zwischen den Leiterplatteninnenlagen und Leiterplatten- Kunstharzinnenlagen sowie zum Vorbehandeln von Kupferschichten aufweisen­ den Leiterplatten zum haftfesten Verbinden der Kupferschichten mit aus Kunst­ stoffen bestehenden Resisten.
Bei der Herstellung von Leiterplatten werden verschiedene Teilprozesse durch­ geführt, bei denen Kupferoberflächen haftfest an ein organisches Substrat ge­ bunden werden müssen. In einigen Fällen muß die geforderte Haftfestigkeit der gebildeten Verbindungen auch über einen sehr langen Zeitraum gewährleistet sein. In anderen Fällen muß eine haftfeste Verbindung nur zeitweilig bestehen, beispielsweise wenn das organische Substrat nur während des Herstellprozes­ ses der Leiterplatte auf den Kupferoberflächen verbleibt. Beispielsweise muß die haftfeste Verbindung von Trockenfilmresisten, die zur Strukturierung der Leiterzüge auf Leiterplatten dienen, mit den Kupferoberflächen nur während des Leiterplattenherstellverfahrens gewährleistet sein. Nach der Bildung der Leiter­ zugstrukturen können die Resiste wieder entfernt werden.
Die einfachste Möglichkeit zur Erhöhung der Haftfestigkeit besteht darin, die Kupferoberflächen vor dem Bilden der Verbindung anzuätzen und dabei auf­ zurauhen. Hierzu werden Mikroätzlösungen, beispielsweise schwefelsaure Lö­ sungen von Wasserstoffperoxid oder Natriumperoxodisulfat, verwendet.
Ein weiteres Verfahren ist in US-A-3,645,772 beschrieben. Danach wird eine Vorbehandlungslösung für die Kupferoberflächen verwendet, die beispielsweise 5-Aminotetrazol enthält.
Eine Langzeitstabilität ist insbesondere beim Laminierprozeß für Mehrlagenlei­ terplatten erforderlich. Für diese Zwecke sind andere Vorbehandlungsverfahren für die Kupferoberflächen erforderlich.
Bei der Herstellung von Mehrlagenleiterplatten werden mehrere Leiterplattenin­ nenlagen zusammen mit isolierenden Kunstharzlagen (sogenannte prepregs: mit Glasfasernetzen verstärkte Epoxidharzfolien) laminiert. Der innere Zusam­ menhalt eines Laminats muß während der gesamten Lebensdauer der Leiter­ platte aufrechterhalten bleiben. Hierzu müssen die auf den Innenlagen auflie­ genden Kupferschichten, vorzugsweise die Leiterzugstrukturen, oberflächlich behandelt werden. Um dieses Problem zu lösen, wurden verschiedene Verfah­ ren entwickelt.
Das für die Vorbehandlung vor Laminierverfahren üblicherweise angewendete Verfahren besteht darin, eine Oxidschicht auf den Kupferoberflächen zu bilden. Bei diesem als Schwarz- oder Braunoxidverfahren bekannten Prozeß werden sehr aggressive Reaktionsbedingungen zur Oxidbildung eingestellt. Ein Nachteil des Verfahrens besteht darin, daß die die Haftfestigkeit zur Kunstharzlage ver­ mittelnde Oxidschicht nur eine geringe Beständigkeit gegen saure, insbesonde­ re salzsaure, Behandlungslösungen aufweist, so daß sie bei Nachfolgeprozes­ sen zur Metallisierung der Durchgangsbohrungen in Leiterplatten angegriffen und der Haftverbund unter Bildung von Delaminationen an den angegriffenen Stellen wieder aufgehoben wird (pink ring-Phänomen: von außen sichtbarer Angriff der Schwarzoxidschicht in unmittelbarer Umgebung eines Loches in Leiterplatten durch Verfärbung der ursprünglich schwarzen Oxidschicht, bei der die rosafarbene Kupferschicht der Innenlage als ringförmiger Defekt erkennbar wird; wedge void-Phänomen: in einem durch eine behandelte Bohrung in Leiter­ platten angefertigten Querschliff erkennbarer Defekt in Form einer Spaltbildung zwischen einer Kupferinnenlage und dem angrenzenden Leiterplattenharz durch den Angriff von sauren Behandlungslösungen auf die Schwarzoxidschicht).
Eine Lösung des vorstehend beschriebenen Problems besteht darin, die Oxid­ schicht vor dem Laminierprozeß oberflächlich zu reduzieren. Das reduzierte Schwarzoxid weist gegenüber den bei der Durchkontaktierung der Durchgangs­ löcher verwendeten Chemikalien eine höhere Stabilität auf als normales Schwarzoxid. Durch den zusätzlichen Reduktionsschritt werden jedoch erhebli­ che Kosten verursacht. Zudem sind die für die Reduktionsbehandlung verwend­ baren Chemikalien gegen Oxidation durch Luft wenig beständig, so daß die Standzeit der Bäder und die Haltbarkeit der Ergänzungschemikalien begrenzt sind. Dieses Problem soll nach JP-A-08097559 dadurch behoben werden, daß die reduzierten Kupferoxidschichten anschließend mit einer Schutzschicht ver­ sehen werden, indem diese mit einer wäßrigen Lösung behandelt werden, in der eine Aminothiazol- und/oder Aminobenzothiazol-Verbindung enthalten ist. Jedoch können damit zum einen das Kostenproblem der teuren Reduktions­ chemikalien und deren mangelnde Oxidationsbeständigkeit und zum anderen auch die Säureinstabilität der Schicht nicht vollständig behoben werden.
Eine andere Möglichkeit zur Haftvermittlung besteht darin, die Kupferoberflä­ chen mit einer wäßrigen oder alkoholischen Lösung einer Azolverbindung zu behandeln. Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus WO 96/19097 A1 bekannt. Danach werden die Kupferoberflächen mit einer Lösung behandelt, in der 0,1 bis 20 Gew.-% Wasserstoffperoxid, eine anorganische Säure, beispiels­ weise Schwefelsäure, ein organischer Korrosionsinhibitor, beispielsweise Ben­ zotriazol, und ein Netzmittel enthalten sind. Durch die Ätzwirkung von Wasser­ stoffperoxid werden die Kupferoberflächen angeätzt, so daß mikrorauhe Ober­ flächen entstehen.
Auch aus US-A-4,917,758 sind Ätzlösungen bekannt, die jedoch zum Abdün­ nen von Kupferkaschierungen auf den Leiterplattenmaterialien dienen. In die­ sen Lösungen sind ebenfalls Wasserstoffperoxid, Schwefelsäure sowie eine Stickstoff enthaltende Verbindung, vorzugsweise Aminobenzoesäure, Aminote­ trazol oder Phenylharnstoff, enthalten.
Der vorliegenden Erfindung liegt von daher das Problem zugrunde, die Nachtei­ le des Standes der Technik zu vermeiden und insbesondere eine Vorbehand­ lungslösung und ein Verfahren bereitzustellen, um eine haftfeste Verbindung von Kupferoberflächen zu Kunststoffoberflächen zu ermöglichen. Das Verfahren soll einfach, sicher in der Handhabung und billig sein. Es ist ferner wichtig, daß durch Behandlung mit der Lösung auch eine Materialverbindung erhältlich ist, die bei Nachfolgeprozessen beim Herstellen von Leiterplatten, beispielsweise bei der Metallisierung von Durchgangsbohrungen in Leiterplattenmaterial, nicht zu Problemen führt (pink ring-, wedge void-Bildung). Vorzugsweise soll die Vor­ behandlungslösung daher für die Anwendung beim Leiterplattenherstellverfah­ ren einsetzbar sein.
Gelöst wird dieses Problem durch die Lösung gemäß Anspruch 1 und das Be­ handlungsverfahren gemäß Anspruch 18.
Die erfindungsgemäße Lösung dient zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen zum nachfolgenden Bilden eines haftfesten Verbundes mit Kunststoffsubstraten und enthält
  • a. Wasserstoffperoxid,
  • b. mindestens eine Säure,
  • c. mindestens eine Stickstoff enthaltende, fünfgliedrige heterocyclische Verbindung, die kein Schwefel-, Selen- oder Telluratom im Heterocyclus aufweist, sowie
  • d. zusätzlich mindestens eine haftvermittelnde Verbindung aus der Gruppe, bestehend aus Sulfinsäuren, Seleninsäuren, Tellurinsäuren, heterocycli­ schen Verbindungen, die mindestens ein Schwefel-, Selen- und/oder Tel­ luratom im Heterocyclus enthalten, sowie Sulfonium-, Selenonium- und Telluroniumsalzen, wobei die Sulfonium-, Selenonium- und Telluronium­ salze Verbindungen mit der allgemeinen Formel A sind
    wobei A = S, Se oder Te,
    R1, R2 und R3 = Alkyl, substituiertes Alkyl, Alkenyl, Phenyl, sub­ stituiertes Phenyl, Benzyl, Cycloalkyl, substituiertes Cycloalkyl, wobei R1, R2 und R3jeweils gleich oder unterschiedlich sind, und
    X⁻ = Anion einer anorganischen oder organischen Säure oder Hydroxid,
    mit der Maßgabe, daß die für Komponente b. ausgewählte Säure nicht mit den für Komponente d. ausgewählten Sulfin-, Selenin- oder Tellurin­ säuren identisch ist.
Es sollen haftvermittelnde Verbindungen ausgewählt werden, die in der sauren, vorzugsweise schwefelsauren, Lösung eine ausreichende Löslichkeit aufwei­ sen.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens werden die Kupferober­ flächen mit der Lösung in Kontakt gebracht.
Das der Erfindung zugrunde liegende Problem wird insbesondere auch durch die Verwendungsmöglichkeiten der Lösung nach den Ansprüchen 19 und 20 gelöst. Danach dient die vorgenannte Lösung vorzugsweise zum Vorbehandeln von Kupferschichten aufweisenden Leiterplatteninnenlagen zum Bilden eines haftfesten Verbundes zwischen den Leiterplatteninnenlagen und Kunstharzla­ gen sowie zum Vorbehandeln von Kupferschichten aufweisenden Leiterplatten zum Bilden eines haftfesten Verbundes zwischen den Kupferschichten und aus Kunststoffen bestehenden Resisten.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
Bevorzugte Sulfinsäuren sind haftvermittelnde Verbindungen mit der chemi­ schen Formel B
mit R4, R5 und R6 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl, substituiertes Phenyl oder R7-(CO)- mit R7 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl, substituiertes Phenyl, wobei R4, R5 und R6 gleich oder unterschiedlich sein können,
und aromatische Sulfinsäuren.
Vorzugsweise ist Formamidinsulfinsäure als haftvermittelnde Verbindung in der Lösung enthalten. Als aromatische Sulfinsäuren können bevorzugt Benzolsulfin­ säure, Toluolsulfinsäure, Chlorbenzolsulfinsäuren, Nitrobenzolsulfinsäuren und Carboxybenzolsulfinsäuren eingesetzt werden.
Als haftvermittelnde heterocyclische Verbindungen werden vorzugsweise Thio­ phene, Thiazole, Isothiazole, Thiadiazole und Thiatriazole eingesetzt.
Geeignete Thiophene sind Verbindungen mit der chemischen Formel C
mit R8, R9, R10, R11 = Wasserstoff, Alkyl, substituiertes Alkyl, Phenyl, sub­ stituiertes Phenyl, Halogen, Amino, Alkylamino, Dial­ kylamino, Hydroxy, Alkoxy, Carboxy, Carboxyalkyl, Alkoxycarbonyl, Aminocarbonyl, R12-CONH- mit R12 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl oder substituiertes Phenyl, wobei R8, R9, R10 und R11 gleich oder unter­ schiedlich und Teil von an den Thiophenring konden­ sierten homo- oder heterocyclischen Ringen sein können.
Besonders bevorzugte Thiophene sind Aminothiophencarbonsäuren, deren Ester und Amide. Beispielsweise kann 3-Aminothiophen-2-carbonsäuremethyl­ ester vorteilhaft eingesetzt werden.
Geeignete Thiazole sind Verbindungen mit der chemischen Formel D:
mit R13, R14, R15 = Wasserstoff, Alkyl, substituiertes Alkyl, Phenyl, sub­ stituiertes Phenyl, Halogen, Amino, Alkylamino, Dial­ kylamino, Hydroxy, Alkoxy, Carboxy, Carboxyalkyl, Alkoxycarbonyl, Aminocarbonyl, R16-CONH- mit R16 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl oder substituiertes Phenyl, wobei R13, R14 und R15 gleich oder unter­ schiedlich und R14 und R15 Teil eines an den Thiazol­ ring kondensierten homo- oder heterocyclischen Ringes sein können.
Besonders geeignete Thiazole sind Aminothiazol sowie substituierte Aminothia­ zole. Ferner sind bevorzugte Thiadiazole haftvermittelnde Verbindungen aus der Gruppe, bestehend aus Aminothiadiazol und substituierten Aminothiadiazo­ len.
Ferner werden als Sulfoniumsalze vorzugsweise Trimethylsulfonium-, Triphenylsulfonium-, Methioninalkylsulfonium- und Methioninbenzylsulfonium­ salze als haftvermittelnde Verbindungen eingesetzt.
Als Stickstoff enthaltende, fünfgliedrige heterocyclische Verbindungen, die kein Schwefel-, Selen- oder Telluratom im Heterocyclus enthalten, können monocy­ clische und polycyclische kondensierte Ringsysteme eingesetzt werden. Bei­ spielsweise kann die Verbindung einen anellierten Benzol-, Naphthalin- oder Pyrimidinring enthalten. Für die Auswahl dieser Verbindungen ist zu beachten, daß diese in der sauren Lösung eine ausreichende Löslichkeit aufweisen sollen. Vorzugsweise sind Triazole, Tetrazole, Imidazole, Pyrazole und Purine bzw. deren Derivate in der Lösung enthalten.
Die Lösung enthält insbesondere Triazole mit der chemischen Formel E1
mit R17, R18= Wasserstoff, Alkyl, Amino, Phenyl, substituiertes Phenyl, Carboxyalkyl, wobei R17 und R18 gleich oder unterschiedlich und Teil eines an den Triazolring kondensierten homo- oder heterocyclischen Ringes sein können.
Besonders bevorzugt sind Benzotriazol, Methylbenzotriazol, Ethylbenzotriazol und Dimethylbenzotriazol.
Außerdem kann die Lösung Tetrazole mit der chemischen Formel E2 enthalten
mit R19 = Wasserstoff, Alkyl, Halogenalkyl, Amino, Phenyl, substitu­ iertes Phenyl, Benzyl, Carboxy, Carboxyalkyl, Alkoxycarbo­ nyl, Aminocarbonyl, R20-CONH mit R20 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl oder substituiertes Phenyl.
Als bevorzugte Tetrazolverbindung werden 5-Aminotetrazol und 5-Phenyltetra­ zol eingesetzt. Als bevorzugte Imidazolverbindung wird Benzimidazol verwen­ det. 5-Aminotetrazol, 5-Phenyltetrazol, Benzotriazol, Methylbenzotriazol und Ethylbenzotriazol sind insbesondere wegen deren guter Löslichkeit in der Vor­ behandlungslösung und wegen der leichten Verfügbarkeit bevorzugte Verbin­ dungen.
Bevorzugte Kombinationen sind Benzotriazol, Methylbenzotriazol, Ethylben­ zotriazol, 5-Aminotetrazol und 5-Phenyltetrazol als Stickstoff enthaltende hete­ rocyclische Verbindungen mit Aminothiophencarbonsäuren, deren Estern und Amiden, Aminothiazol und substituierten Aminothiazolen als heterocyclische Verbindungen.
Das erfindungsgemäße Verfahren stellt eine außerordentlich einfache Vorbe­ handlung von Kupferoberflächen für die nachfolgende haftfeste Verbindung mit Kunststoffen sicher. Im wesentlichen ist lediglich ein Verfahrensschritt erforder­ lich, nämlich die Behandlung der Kupferoberflächen mit der erfindungsgemäßen Lösung zur nachfolgenden Bildung eines Verbundes mit organischen Substra­ ten. Die Haftfestigkeit sinkt auch nach langer Zeit nicht ab. Sind die haftvermit­ telnden Verbindungen in der Lösung nicht enthalten, kann keine annähernd so hohe Haftfestigkeit des Verbundes erreicht werden. Außerdem ist die Langzeit­ stabilität des Verbundes nach Vorbehandlung mit einer Lösung, die die erfin­ dungsgemäßen haftvermittelnden Verbindungen nicht enthält, wesentlich schlechter als nach Verwendung einer Lösung, die die haftvermittelnden Ver­ bindungen enthält.
Darüber hinaus werden die im Zusammenhang mit der Metallisierung von Durchgangslöchern in Leiterplatten entstehenden Probleme, nämlich die Bil­ dung von pink ring und wedge voids, durch den Einsatz dieser zusätzlichen Verbindungen in der Vorbehandlungslösung vermieden, da die mit der erfin­ dungsgemäßen Lösung erzeugten haftvermittelnden Schichten eine ausge­ zeichnete Säurebeständigkeit aufweisen, während Black Oxide- (Schwarzoxid-) und reduzierte Black Oxide-Schichten gegen salzsaure Lösungen eine gewisse Empfindlichkeit aufweisen. Es hat sich sogar gezeigt, daß sich die Haftfestigkeit eines Verbundes mit organischen Substraten in bestimmten Fällen verbessern läßt, wenn die Kupferoberflächen nach dem Behandeln mit der erfindungsge­ mäßen Lösung und vor dem Herstellen des Verbundes mit verdünnter Säure behandelt werden. Vorzugsweise kann hierfür Salzsäure eingesetzt werden.
Die vorteilhafte Wirkung der erfindungsgemäßen Lösung war überraschend, da auch eine alleinige Verwendung der haftvermittelnden Verbindungen in der Vorbehandlungslösung nicht die erwünschte hohe Langzeit-Haftfestigkeit ergibt. Durch Anwendung beider Lösungsbestandteile verfärben sich die Kupferober­ flächen und führen zu den gewünschten Eigenschaften. Ferner wurde in Ver­ gleichsversuchen festgestellt, daß vor allem schwer oxidierbare Sulfin-, Selenin- und Tellurinsäuren als haftvermittelnde Verbindungen besonders gut geeignet sind.
Zur sicheren Vorbehandlung werden die Kupferoberflächen in der Regel zuerst gereinigt. Hierzu können alle herkömmlichen Reinigungslösungen verwendet werden. Üblicherweise werden Netzmittel und gegebenenfalls Komplexbildner, beispielsweise Triethanolamin, enthaltende wäßrige Lösungen eingesetzt.
Nach dem Spülen der gereinigten Kupferoberflächen werden diese in der erfin­ dungsgemäßen Lösung behandelt. Dabei verfärben sich die Kupferoberflächen unter Bildung einer haftvermittelnden Schicht von rosafarben in einen Braunton, je nach Art der eingesetzten Kombination von Stickstoff enthaltenden, fünfglied­ rigen heterocyclischen und haftvermittelnden Verbindungen.
Durch die Mikroätzwirkung des Wasserstoffperoxids in Verbindung mit der Säu­ re werden mikrorauhe Kupferoberflächen erhalten, die wegen der Oberflächen­ vergrößerung eine Erhöhung der Haftfestigkeit des nachfolgend gebildeten Ver­ bundes zwischen den Kupferoberflächen und dem Kunststoffsubstrat ermög­ licht. Es wird außerdem vermutet, daß die Haftfestigkeit des nachfolgend ge­ bildeten Verbundes zusätzlich zu dieser Oberflächenvergrößerung durch die Bildung einer kupferorganischen Verbindung verbessert wird, die sich wahr­ scheinlich aus Kupfer, der Stickstoff enthaltenden Verbindung und der haftver­ mittelnden Verbindung auf der Kupferoberfläche bildet. Als Säure ist in der er­ findungsgemäßen Lösung vorzugsweise anorganische Säure, besonders be­ vorzugt Schwefelsäure, enthalten. Grundsätzlich sind aber auch andere Säuren einsetzbar.
Zur Stabilisierung von Wasserstoffperoxid gegen einen Zerfall kann die Lösung zusätzliche weitere Verbindungen, beispielsweise p-Phenolsulfonsäure, und als Lösungsmittel Wasser und zusätzlich organische Lösungsmittel, wie Alkohole, enthalten, beispielsweise um die Löslichkeit der darin enthaltenen Bestandteile, insbesondere der Stickstoff enthaltenden, fünfgliedrigen heterocyclischen Ver­ bindungen und der haftvermittelnden Verbindungen, zu erhöhen.
Zusätzlich können auch weitere anorganische und organische Verbindungen in der Lösung enthalten sein, beispielsweise Kupfersulfat und Netzmittel.
Die Behandlung wird vorzugsweise bei einer Temperatur von 20 bis 60°C durchgeführt. Die Behandlungszeit beträgt bevorzugt 10 bis 600 Sekunden. Je höher die Temperatur eingestellt wird, desto schneller wirkt die Lösung. Daher können gegebenenfalls auch wesentlich kürzere Behandlungszeiten gewählt werden. Unter praktischen Gesichtspunkten wird jedoch vorzugsweise eine mittlere Temperatur gewählt, beispielsweise von 25 bis 40°C, um die Reaktion besser kontrollieren zu können. Mittlere Behandlungszeiten sind 20 bis 90 Se­ kunden. Außerdem kann sich wegen möglicher Inkompatibilitäten bestimmter Bestandteile der Lösung bei erhöhter Temperatur, beispielsweise wegen bei erhöhter Temperatur schlecht löslicher Netzmittel, das Erfordernis ergeben, eine obere Temperaturgrenze einzuhalten.
Die in der Lösung bevorzugt eingestellten Konzentrationsbereiche sind:
Schwefelsäure, konz. 10 bis 250 g/l
Wasserstoffperoxid, 30 Gew.-% 1 bis 100 g/l
fünfgliedrige Stickstoff enthaltende heterocyclische Verbindung 0,5 bis 50 g/l
AL=L<haftvermittelnde Verbindungen:
Sulfin-, Selenin- oder Tellurinsäure 0,05 bis 10 g/l
haftvermittelnde heterocyclische Verbindung 0,5 bis 25 g/l
Sulfonium-, Selenonium- oder Telluroniumsalz 0,01 bis 10 g/l
Die optimalen Konzentrationen der vorgenannten Badbestandteile hängen von der Art der eingesetzten Stickstoff enthaltenden, heterocyclischen Verbindun­ gen und der haftvermittelnden Verbindungen ab.
Nach der Behandlung in der erfindungsgemäßen Lösung werden die Kupfer­ oberflächen wieder gespült, vorzugsweise mit warmem, deionisiertem Wasser. Anschließend werden sie getrocknet, beispielsweise mit heißer Luft.
Optional können die Kupferoberflächen nach dem Spülen mit verdünnter Säure behandelt werden, vorzugsweise mit 10 Gew.-% Salzsäure oder 10 Gew.-% Schwefelsäure. Behandlungszeiten von 5 Sekunden bis 300 Sekunden sind dabei zweckmäßig. Nach der Säurebehandlung werden die Kupferoberflächen erneut gespült, vorzugsweise mit deionisiertem Wasser.
Zur Erhöhung der Haltbarkeit der erfindungsgemäßen Lösung ist es günstig, die gebrauchsfertige Behandlungslösung kurz vor der Durchführung des Verfah­ rens anzusetzen. Beispielsweise kann Wasserstoffperoxid mit einer schwefel­ sauren Lösung der Stickstoff enthaltenden, heterocyclischen und der haftver­ mittelnden Verbindungen gemischt werden oder kurz vor dem Gebrauch eine bereits angesetzte Lösung ergänzt werden, um die gewünschten Konzentratio­ nen der Einzelbestandteile einzustellen.
Die Behandlung der die Kupferoberflächen aufweisenden Werkstücke kann in üblichen Tauchanlagen durchgeführt werden. Bei der Behandlung von Leiter­ platten hat es sich als besonders günstig herausgestellt, sogenannte Durchlauf­ anlagen einzusetzen, bei denen die Leiterplatten auf einer horizontalen Trans­ portbahn durch die Anlage geführt und dabei mit den Behandlungslösungen über geeignete Düsen, beispielsweise Sprüh- oder Schwalldüsen, in Kontakt gebracht werden. Die Leiterplatten können hierzu horizontal oder vertikal oder in jeder beliebigen anderen Ausrichtung gehalten werden.
Die nachfolgenden Beispiele dienen zur weiteren Erläuterung der Erfindung:
Beispiel 1
Es wurde eine wäßrige Lösung durch Zusammenmischen folgender Bestand­ teile hergestellt:
Schwefelsäure, 96 Gew.-% 50 ml
Wasserstoffperoxid, 30 Gew.-% in Wasser 60 ml
Benzotriazol 10 g
Formamidinsulfinsäure 0,5 g
AL=L<Auffüllen mit deionisiertem Wasser auf 1 l
Die Lösung wurde auf 40°C erhitzt, und eine Kupferfolie (Leiterplattenqualität, etwa 25 µm Dicke) wurde 60 sec lang in die Lösung eingetaucht. Nach der Be­ handlung wurde die Folie mit warmem deionisiertem Wasser gespült und an­ schließend getrocknet. Die Kupferfolie wies einen braunen Farbton auf.
Die Kupferfolie wurde danach auf ein prepreg (mit Glasfasernetz verstärkte Epoxidharzfolie (FR4-Harz), Type 2125 MT, Dicke 0,1, von Firma Dielektra, DE) laminiert, indem die Kupfer- und die Prepregfolie bei einer Temperatur von 175°C bei einem Druck von 2,5.106 Pa (≘ 25 Bar) zusammen verpreßt wurden.
Die Schälfestigkeit der Kupferfolie auf der Prepregfolie wurde gemessen. Es wurden Schälfestigkeiten von 9,9 bis 10,6 N/cm ermittelt.
Beispiele 2 bis 10
Beispiel 1 wurde jeweils mit einer Lösung wiederholt, die stets folgende Be­ standteile aufwies:
Schwefelsäure, 96 Gew.-% 50 ml
Wasserstoffperoxid, 30 Gew.-% in Wasser 60 ml
und zusätzlich die in Tabelle 1 aufgeführten weiteren Bestandteile (heterocycli­ sche S-, Se- und Te-freie Verbindung und haftvermittelnde Verbindung). Die hergestellten Mischungen wurden mit deionisiertem Wasser auf 1 l aufgefüllt.
Die nach Beispiel 2 behandelte Kupferfolie wies einen rötlichen Farbton auf. Die nach den Beispielen 3 bis 10 behandelten Kupferfolien wiesen einen braunen Farbton auf.
Die Schälfestigkeit wurde in jedem Falle wie nach Beispiel 1 gemessen. Es wurden die in Tabelle 1 angegebenen Werte für die Schälfestigkeit erhalten.
Beispiel 11
Eine Kupferfolie wurde wie in Beispiel 4 behandelt, jedoch wurde die Kupferfolie vor dem Laminieren bei Raumtemperatur 20 Sekunden lang mit 10 Gew.-% Salzsäure behandelt und anschließend mit deionisiertem Wasser gespült.
Es wurde eine Schälfestigkeit ähnlich der von Beispiel 1 erhalten (11,1 bis 11,6 N/cm).
Vergleichsbeispiel
Beispiel 1 wurde wiederholt, allerdings mit einer Lösung, in der keine der haft­ vermittelnden Verbindungen enthalten war.
Es wurde lediglich eine Schälfestigkeit von 3,6 bis 4,0 N/cm erhalten.

Claims (20)

1. Lösung zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen zum nachfolgenden Bil­ den eines haftfesten Verbundes zwischen den Kupferoberflächen und Kunst­ stoffsubstraten, enthaltend
  • a. Wasserstoffperoxid,
  • b. mindestens eine Säure und
  • c. mindestens eine Stickstoff enthaltende, fünfgliedrige heterocyclische Verbindung, die kein Schwefel-, SeIen- oder Telluratom im Heterocyclus aufweist,
    dadurch gekennzeichnet, daß
  • d. zusätzlich mindestens eine haftvermittelnde Verbindung aus der Gruppe, bestehend aus Sulfinsäuren, Seleninsäuren, Tellurinsäuren, heterocycli­ schen Verbindungen, die mindestens ein Schwefel-, Selen- und/oder Telluratom im Heterocyclus enthalten, sowie Sulfonium-, Selenonium- und Telluroniumsalzen, enthalten ist, wobei die Sulfonium-, Selenonium- und Telluroniumsalze Verbindungen mit der allgemeinen Formel A sind
    wobei A = S, Se oder Te,
    R1, R2 und R3 = Alkyl, substituiertes Alkyl, Alkenyl, Phenyl, sub­ stituiertes Phenyl, Benzyl, Cycloalkyl, substituiertes Cycloalkyl, wobei R1, R2 und R3 gleich oder unterschiedlich sind, und
    X⁻ = Anion einer anorganischen oder organischen Säure oder Hydroxid,
    mit der Maßgabe, daß die für Komponente b. ausgewählte Säure nicht mit den für Komponente d. ausgewählten Sulfin-, Selenin- oder Tellurin­ säuren identisch ist.
2. Lösung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Sulfinsäuren aus der Gruppe, bestehend aus Verbindungen mit der chemischen Formel B
mit R4, R5 und R6 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl, substituiertes Phenyl, R7-(CO)- mit R7 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl oder substituiertes Phenyl, wobei R4, R5 und R6 gleich oder unterschiedlich sind,
und aromatischen Sulfinsäuren, enthalten sind.
3. Lösung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Formamidinsulfinsäure als haftvermittelnde Verbindung enthalten ist.
4. Lösung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß aromatische Sulfinsäuren aus der Gruppe, bestehend aus Benzolsulfinsäure, Toluolsulfinsäure, Chlorbenzolsulfinsäuren, Nitrobenzolsulfinsäuren und Carb­ oxybenzolsulfinsäuren, enthalten sind.
5. Lösung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine haftvermittelnde heterocyclische Verbindung aus der Gruppe, bestehend aus Thiophenen, Thiazolen, Isothiazolen, Thiadiazolen und Thiatriazolen, enthalten ist.
6. Lösung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Thiophen aus der Gruppe, bestehend aus Verbindungen mit der chemischen Formel C enthalten ist
mit R8, R9, R10, R11 = Wasserstoff, Alkyl, substituiertes Alkyl, Phenyl, sub­ stituiertes Phenyl, Halogen, Amino, Alkylamino, Dial­ kylamino, Hydroxy, Alkoxy, Carboxy, Carboxyalkyl, Alkoxycarbonyl, Aminocarbonyl, R12-CONH- mit R12 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl oder substituiertes Phenyl, wobei R8, R9, R10 und R11 gleich oder unter­ schiedlich und Teil von an den Thiophenring konden­ sierten homo- oder heterocyclischen Ringen sein können.
7. Lösung nach einem der Ansprüche 5 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Thiophen aus der Gruppe, bestehend aus Aminothiophencar­ bonsäuren, deren Estern und deren Amiden, enthalten ist.
8. Lösung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Thiazol aus der Gruppe, bestehend aus Verbindungen mit der chemischen Formel D enthalten ist
mit R13, R14, R15 = Wasserstoff, Alkyl, substituiertes Alkyl, Phenyl, sub­ stituiertes Phenyl, Halogen, Amino, Alkylamino, Dial­ kylamino, Hydroxy, Alkoxy, Carboxy, Carboxyalkyl, Alkoxycarbonyl, Aminocarbonyl, R16-CON H- mit R16 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl oder substituiertes Phenyl, wobei R13, R14 und R15 gleich oder unter­ schiedlich und R14 und R15 Teil eines an den Thiazol­ ring kondensierten homo- oder heterocyclischen Ringes sein können.
9. Lösung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Thiazol aus der Gruppe, bestehend aus Aminothiazol und sub­ stituierten Aminothiazolen, enthalten ist.
10. Lösung nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Thiadiazol aus der Gruppe, bestehend aus Aminothiadiazol und substituierten Aminothiadiazolen, enthalten ist.
11. Lösung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Sulfoniumsalz aus der Gruppe, bestehend aus Trimethyl­ sulfoniumsalzen, Triphenylsulfoniumsalzen, Methioninalkylsulfoniumsalzen und Methioninbenzylsulfoniumsalzen, enthalten ist.
12. Lösung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Stickstoff enthaltende, fünfgliedrige heterocyclische Ver­ bindung aus der Gruppe, bestehend aus Triazolen, Tetrazolen, Imidazolen, Pyrazolen und Purinen, enthalten ist.
13. Lösung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Triazol mit der chemischen Formel E1 enthalten ist
mit R17, R18= Wasserstoff, Alkyl, Amino, Phenyl, substituiertes Phenyl, Carboxyalkyl, wobei R17 und R18 gleich oder unterschiedlich und Teil eines an den Triazolring kondensierten homo- oder heterocyclischen Ringes sein können.
14. Lösung nach einem der Ansprüche 12 und 13, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Triazol aus der Gruppe, bestehend aus Benzotriazol, Me­ thylbenzotriazol, Ethylbenzotriazol und Dimethylbenzotriazol, enthalten ist.
15. Lösung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Tetrazol mit der chemischen Formel E2 enthalten ist
mit R19 = Wasserstoff, Alkyl, Halogenalkyl, Amino, Phenyl, substitu­ iertes Phenyl, Benzyl, Carboxy, Carboxyalkyl, Alkoxycarbo­ nyl, Aminocarbonyl oder R20-CONH mit R20 = Wasserstoff, Alkyl, Phenyl oder substituiertes Phenyl.
16. Lösung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Tetrazol aus der Gruppe, bestehend aus 5-Aminotetrazol und 5-Phenyltetrazol, enthalten ist.
17. Lösung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für Komponente b. in der Lösung Schwefelsäure als Säure ausgewählt ist.
18. Verfahren zum Vorbehandeln von Kupferoberflächen zum nachfolgenden Bilden eines haftfesten Verbundes der Kupferoberflächen mit Kunststoffsub­ straten, bei dem die Kupferoberflächen mit der Lösung nach einem der Ansprü­ che 1 bis 17 in Kontakt gebracht werden.
19. Verwendung der Lösung nach einem der Ansprüche 1 bis 17 zum Vorbe­ handeln von Kupferschichten aufweisenden Leiterplatteninnenlagen zum Bilden eines haftfesten Verbundes zwischen den Leiterplatteninnenlagen und Kunst­ harzlagen.
20. Verwendung der Lösung nach einem der Ansprüche 1 bis 17 zum Vorbe­ handeln von Kupferschichten aufweisen den Leiterplatten zum Bilden eines haft­ festen Verbundes zwischen den Kupferschichten und aus Kunststoffen beste­ henden Resisten.
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