DE19825994A1 - Thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes, mit diesem Material abgedichtete Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes, mit diesem Material abgedichtete Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

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Description

Diese Erfindung betrifft eine recyclefähige Halbleitervorrichtung, die mit einem Harz abgedichtet ist. Z.B. ist ein Halbleiterelement, das auf einem Leitungsrahmen befestigt ist, mit einem thermoplastischen Harz abgedichtet.
Halbleitervorrichtungen, die durch ein wärmehärtendes Harz bedeckt sind, können entsprechend den folgenden Verfahren hergestellt werden.
Ein auf einem Leitungsrahmen gebundenes Halbleiterelement wird in einen Hohlraum, der durch eine Form definiert wird, angeordnet. Das Halbleiterelement wird mit einem Leitungsrahmen durch Binden von Drähten, die sich aus einem leitenden Material (Cu, Fe-Ni-Legierung) zusammensetzen, verbunden. Der Hohlraum hat einen Eingußkanal, der das thermoplastische Harz in den Hohlraum gießt.
Das Epoxyharz (wärmehärtendes Harz) wird von dem Eingußkanal gegossen. Das Epoxyharz wird auf die Formtemperatur durch Erwärmen der Form erwärmt, und das Epoxyharz härtet. Das Epoxyharz dichtet das Halbleiterelement, die Bindedrähte und einen Teil des Leitungsrahmens ab. Das gehärtete Harz wird Packung genannt. Schließlich kühlt die Form auf eine Temperatur unterhalb der Formtemperatur des Epoxyharzes.
Wie oben erwähnt, wird im Hinblick auf die Fließfähigkeit und Adhäsion das wärmehärtbare Harz aufgebracht, um die Halbleitervorrichtungen herzustellen.
Im Durchschnitt sind etwa 60 s zum Härten des wärmehärtenden Harzes wegen des Kühlschrittes der Form erforderlich. Die erforderliche Härtungszeit vermindert die Produktivität der Halbleitervorrichtungen.
Allgemein gesprochen hat weiterhin das wärmehärtende Harz eine hohe Fluidität, wobei diese Eigenschaft der Grund für ein leicht erzeugtes Überlaufen ist.
Weiterhin kann die Packung nicht recycelt werden, weil das wärmebehandelte, wärmehärtende Harz keine Fließfähigkeit wie vorher aufweist. Somit muß nicht benutztes Verpackungsmaterial auf einer Müllhalde abgeladen werden. Nicht benutztes Material resultiert vom Abtrennen des Halbleiterelementes von der Elementplatte, Abteilen der Packung von dem Halbleiterelement und Zerstören der Packung durch Feuer.
Wenn ein thermoplastisches Harz das wärmehärtende Harz ersetzt, sind im Durchschnitt etwa 10 s zum Härten des thermoplastischen Harzes erforderlich. Das thermoplastische Harz kann ebenfalls recycelt werden, weil die Fließfähigkeit nach der Wärmebehandlung wieder auftritt. Somit kann Abfallmaterial vorteilhafterweise wiedergewonnen und wiederverwendet werden.
Das thermoplastische Harz hat jedoch eine niedrigere Adhäsion als das wärmehärtende Harz. Diese Eigenschaft ermöglicht, daß feuchte Luft in die Halbleitervorrichtung durch die Grenzfläche zwischen der Packung und dem Leitungsrahmen eintritt. Daher gibt es das Problem der Feuchtigkeitsbeständigkeit (oder Naßbeständigkeit). Daher wurde das thermoplastische Harz nicht verwendet.
Ein Ziel dieser Erfindung liegt darin, eine recyclefähige Halbleitervorrichtung anzugeben. Diese Erfindung stellt ein wiederverwendbares Packmaterial für Halbleitervorrichtungen zur Verfügung. Die neue Packung von Halbleitervorrichtungen wird aus einem thermoplastischen Harz gebildet. Dieses thermoplastische Harz hat eine gute Fließfähigkeit und gute Adhäsion. Die neue Packung ist recycelfähig, weil das Härtverfahren des thermoplastischen Harz es einer reversiblen Änderung unterliegt.
Um das oben erwähnte Ziel zu erreichen, wird ein thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes mit einem linearen, thermischen Expansionsvermögen bei etwa 150 bis 200°C von 4,5 × 10-5 [1/°C] oder weniger angegeben.
Diese Erfindung gibt weiterhin ein thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes an, das durch ein Verhältnis von B1 zu A1 von 0,55 oder mehr im Hinblick auf das lineare, thermische Expansionsvermögen gekennzeichnet ist, wobei A1 in der Fließrichtung des thermoplastischen Materials ist und B1 in der Normalen der Fließrichtung des thermoplastischen Material ist. Diese Bedingung kann mit einem Verhältnis von A1 zu B1 von 0,55 oder mehr ersetzt werden.
Weiterhin gibt diese Erfindung eine Halbleitervorrichtung an, umfassend: ein Halbleiterelement, eine Packung, die durch das thermoplastische Material zum Abdichten des Halbleiterelementes gebildet ist, und einen Leiter zum Verbinden des Halbleiterelementes mit einem externen Element.
Weiterhin gibt diese Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung an, umfassend die folgenden Schritte: elektrisches Verbinden des Halbleiterelementes mit dem einem Ende des leitenden Mittels, und Abdichten des Halbleiterelementes und des einen Endes des leitenden Mittels mit einem thermoplastischen Material.
In den Zeichnungen bedeuten:
Fig. 1A und 1B perspektivische Ansichten, die eine bipolare Transistorvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung zeigen;
Fig. 2 ein Diagramm, das die Beziehung der Biegefestigkeit einer Halbleiterpackung in der vertikalen Achse und des Zugabeverhältnisses, bezogen auf Gewicht, des Zugabemittels gegenüber dem thermoplastischen Harz in der horizontalen Achse zeigt;
Fig. 3 ein Diagramm, das die Inzidenz des Substandardgegenstandes gemäß dem TCT als vertikale Achse und das lineare, thermische Expansionsvermögen in der Fließrichtung des thermoplastischen Materials als horizontale Achse zeigt;
Fig. 4 eine Querschnittsansicht, die ein CCD gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung zeigt; und
Fig. 5 eine Querschnittsansicht, die ein IOU gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung zeigt.
Ein Halbleiter-Packmaterial ist aus einem thermoplastischen Material hergestellt. Im wesentlichen wird kein wärmehärtendes Material in das thermoplastische Material gemischt. Das thermoplastische Material ist recycelfähig, und kann zu industriellem Abfall kleingeschnitten werden. Das bevorzugte thermoplastische Material ist im wesentlichen frei von Glasfasern, ein Füllstoff wie Silica kann in einer Menge von bis zu 75 Gew.-% zugegeben werden, aber das thermoplastische Material kann im wesentlichen frei von Silica-Füllstoffen sein.
Gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel zeigen die Fig. 1A und 1B eine Halbleitervorrichtung 10.
Die Halbleitervorrichtung 10 umfaßt ein Halbleiter-Chip 14, einen Leitungsrahmen 11, eine Packung 20, Bindedrähte 15 und Anschlüsse 16 und 17. Der Halbleiter-Chip 14 ist ein integrierter Schaltkreis, umfassend eine große Anzahl von bipolaren Leistungstransistoren zum Verstärken. Die Packung 20 ist ein fester Körper, der durch ein thermoplastisches Material verfestigt ist. Die Packung 20 verbindet alle Komponenten der Halbleitervorrichtung fest, sicher und unbeweglich miteinander.
Der leitende Leitungsrahmen 11 besteht aus zwei Elementen, einem Unterlageteil 12 und einem Anschlußteil 13. Der Halbleiter-Chip 14 ist mit dem Unterlageteil 12 verbunden, und das Anschlußteil 13 erstreckt sich von einem Ende der Packung 20 heraus. Das Unterlageteil 12 umfaßt unebene Irregularitäten auf seiner Oberfläche. Die Irregularitäten bilden einen Vertäuungspunkt zum Verhindern, daß die Packung 20 abgleitet. Das Unterlageteil 12 erstreckt sich ebenfalls von der Packung 20 nach außen, zum Kühlen des Halblei­ ter-Chips 14. Wenn das Kühlen des Halbleiter-Chips 14 nicht erforderlich ist, kann das Unterlageteil 12 vollständig abgedichtet sein.
Der Halbleiter-Chip 14 wird mit einer Polyimid-Beschichtung mit Ausnahme der Elektrodenteile zum elektrischen Verbinden mit den Anschlüssen bedeckt. Das Unterlageteil 12 wird von dem Halbleiter-Chip 14 durch die Polyimid-Beschichtung isoliert. Die Polyimid-Beschichtung schafft die Feuchtigkeitsbeständigkeit und Naßbeständigkeit der Halbleitervorrichtung 10. Die Polyimid-Beschichtung verstärkt die mechanische Stärke des Halbleiter-Chips 14. Die Polyimid-Be­ schichtung verbessert ebenfalls die Schlagresistenz der Halbleitervorrichtung 10.
Die Anschlüsse 16 und 17 sind in paralleler Ausrichtung zu dem Anschlußteil 13 und zueinander angeordnet. Die Anschlußenden 16a und 17a der Anschlüsse 16 und 17 sind mit einem Input/Output-Terminalteil des Halbleiter-Chips 14 mit dem Bindedraht 15 verbunden. Der Bindedraht 15 besteht aus einem gut leitenden Material (z. B. einem feinem Metall aus Au oder Al), und der Durchmesser beträgt etwa 200 µm.
Ein zusätzliches Mittel wird zu dem thermoplastischen Material gegeben, das die Packung 20 ausmacht, um die Adhäsion zu intensivieren. Ein Beispiel für ein Zugabemittel ist ein saures, wasserfreies Phosphorat-Elastomer, z. B. das Copolymer von Acrylsäure und Maleinsäureanhydrid. Das bevorzugte saure, wasserfreie Phosphorat-Elastomer hat zumindest eine polare Gruppe -COH. Auf der anderen Seite sind polare -OH-Gruppen an dem Leitungsrahmen, der aus Cu oder 42-Le­ gierung oder dgl. besteht, auf der Oberfläche befestigt. Die polaren -COH-Gruppen und die polaren -OH-Gruppen verbessern die Adhäsion des thermoplastischen Materials, weil die polaren Gruppen eine polare Bindung aus H-COOH erzeugen. Wie oben erwähnt, kann man wie bei dem Fall der Anwendung als Zugabemittel davon ausgehen, daß das Zugabemittel die Adhäsion durch Wechselwirkung der polaren Gruppen auf der Oberfläche verbessert.
Körnige Teilchen als Füllstoffe werden zu dem thermoplastischen Material bevorzugt zugegeben. Eine wesentliche Menge an körnigen Teilchen kann verwendet werden. Feinkörniges Silica als Teilchen ist wirksam gegen die Inhibition der Anisotropie des linearen thermischen Expansionsvermögens des thermoplastischen Materials und die Verminderung des absoluten Wertes des linearen thermischen Expansionsvermögens des thermoplastischen Materials. Die Anisotropie des linearen thermischen Expansionsvermögens beeinflußt die Adhäsion des thermoplastischen Materials nachteilig. Das feinkörnige Silica hat im Durchschnitt einen Durchmesser von 10 µm. Andere Materialien, die als Füllstoffe nützlich sind, sind feinkörniges Silicat, Keramiken oder Mica.
Ein faseriges Material wird nicht zu der Packung 20 gegeben, die durch das thermoplastische Material gebildet ist. Der Grund ist, daß das faserige Material (z. B. eine Glasfaser) gegen die Förderung der Anisotropie des linearen thermischen Expansionsvermögens des thermoplastischen Materials wirksam ist. Insbesondere löst sich durch das Vorhandensein des Sodaglases, das in der Glasfaser vorhanden ist, dieses in dem thermoplastischen Material auf. Na- und Cl-Ionen sind in der aufgelösten Glasfaser enthalten. Dies ist ein Faktor für die Verminderung der Lebensdauer. Auf der anderen Seite umfaßt beim Recyclen der Packung 20 ein Recycelverfahren das Kneten des thermoplastischen Materials. Das faserige Material wird bei diesem Schritt aufgerissen. Daher gibt es kein Bedürfnis, das faserige Material zu verwenden. Das faserige Material kann, falls erforderlich zugegeben werden, solange dieses die Recyclefähigkeit nach dem Knetschritt nicht verdirbt. Das Material wird für die Halbleiterpackung mehr geeignet, weil sich das Verhältnis für das lineare thermische Expansionsvermögen in der Fließrichtung des thermoplastischen Materials und in der Normalenrichtung des Fließens des thermoplastischen Materials 1,0 nähert.
Das bevorzugte thermoplastische Teil des thermoplastischen Materials ist ein Polyphenylensulfid (PPS). Ein wärmehärtendes Harz ist bevorzugt nicht in dem Packungsmaterial enthalten. Das thermoplastische Material ist zum Abschirmen von Licht schwarz gefärbt. Die Packung 20 wird durch ein Spritzgußverfahren gebildet. Die Spritzgußbedingungen sind: Formtemperatur 130°C; die Temperatur des löslichen Materials 330°C; hypothetische Viskosität zum Zeitpunkt des Durchlaufens durch den Eingußkanal ist 300 [Pa.s]; und der Haltedruck ist 120 [MPa].
Die Halbleitervorrichtung 10 wird durch die folgenden Schritte gebildet: ein Schritt zum Binden des Halblei­ ter-Chips 14 auf dem Leitungsrahmen 11; ein Schritt zum Verbinden des Halbleiter-Chips 14 mit dem Leitungsrahmen 11 durch den Bindedraht 15; ein Schritt zum Anordnen des Leitungsrahmens 11 auf dem Hohlraum der Form; ein Schritt zum Injizieren des thermoplastischen Materials in die Form; und ein Schritt zum Kühlen der Form, zum Verfestigen des thermoplastischen Materials.
Die physikalische Eigenschaft der Halbleitervorrichtung, die mit dem thermoplastischen Material gebildet ist, wird nachfolgend erläutert.
Die Packung wird mit thermoplastischen Material gebildet, das ein Zugabemittel umfaßt. Im allgemeinen vermindert sich bei der Zugabe des Zugabemittels die mechanische Festigkeit des thermoplastischen Materials. Wenn die mechanische Festigkeit des thermoplastischen Materials erniedrigt ist, wird die Packung 20 durch Ziehen des Leitungsteils häufig gebrochen.
Ein Leitungsteil-Zugtest wird durchgeführt. Der Leitungsteil­ zugtest war der Test zum Messen der Zugfestigkeit der Leitung zu dem Zeitpunkt, wenn das Leitungsteil durch Ziehen mit einer Zuggeschwindigkeit von 10 mm/min unter Festhalten der Packung 20 zerstört wird. Die Packung, die eine Biegestärke von mehr als 74 [MPa] aufweist, wird für die praktische Verwendung als Ergebnis dieser Versuche als passend angesehen. Daher ist das erlaubbare Volumen des Zugabemittels die Menge, die einer Biegefestigkeit von 74 [MPa] oder mehr entspricht.
Die Beziehung des Mischverhältnisses, bezogen auf das Gewicht, zwischen dem thermoplastischen Harz und dem Zugabemittel wird untersucht, weil die Zugabemenge des Silica für die Änderung der Biegestärke irrelevant ist. Fig. 2 zeigt das Ergebnis der Untersuchung. Die Packung 20 hält die Biegefestigkeit über 74 [MPa], bis die Zugabemenge des Zugabemittels 0,28 oder weniger als Mischungsverhältnis, bezogen auf das Gewicht, ist. Daher ist die obere Begrenzung des Mischungsverhältnisses, bezogen auf das Gewicht, des thermoplastischen Harzes und des Zugabemittels 0,28.
Fig. 3 zeigt die experimentellen Ergebnisse des Temperaturzyklus-Tests (TCT). Der TCT gibt den Temperaturzyklus (-65 (30 min), 25 (5 min), 150 (30 min)) der Halbleitervorrichtung. Nach Wiederholen einer vorbestimmten Anzahl von Zyklen wird die Halbleitervorrichtung mit dem Original verglichen. Die Halbleitervorrichtung wird als schlecht ausgewertet, wenn sich die elektrischen Eigenschaften um ca. 5% gegenüber dem Original verändern.
Die Adhäsion des thermoplastischen Materials wird bei einer Temperatur von -65°C nicht leicht abgebaut. Aber bei einer Temperatur von 150°C wird die Adhäsion des thermoplastischen Materials leicht abgebaut. Wir stellten fest, daß sich die Abnahme der Adhäsion bei hoher Temperatur auf das lineare thermische Expansionsvermögen in dem thermoplastischen Material bezieht. Insbesondere ist es bei der hohen Temperatur (in der Nähe des Schmelzpunktes) wichtig, daß das Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens A1 in der Fließrichtung des thermoplastischen Materials zu dem linearen thermischen Expansionsvermögen B1 in der Norma­ len-Richtung der Fließrichtung des thermoplastischen Materials 0,55 oder mehr ist.
Die Glasübergangstemperatur des thermoplastischen Harzes (PPS) ist etwa 100°C. Daher wird angenommen, daß der Biegepunkt des linearen thermischen Expansionsvermögens von PPS ebenfalls bei etwa 100°C liegt. Jedoch kann der Biegepunkt nicht klar bestimmt werden. Das lineare, thermische Expansionsvermögen in dem Temperaturbereich von mehr als 150°C kann klar bestimmt werden. Beim Messen des linearen thermischen Expansionsvermögens wurde eine Sonde verwendet, die auf das thermoplastische Material gegeben ist. Aber die Sonde weist den nicht-möglichen Meßbereich der Empfindlichkeitsänderung des thermoplastischen Materials auf, weil sie bei Temperaturen von mehr als 200°C in das thermoplastische Material sinkt. Daher wird davon ausgegangen, daß der regulierbare Temperaturbereich des thermoplastischen Materials in dem Bereich von 150 bis 200°C liegt.
Unter dieser Überlegung wurde ein TCT für das thermoplastische Material mit einem linearen thermischen Expansionsvermögen von 6,4 × 10-5 [1/°C) oder weniger bei einer Temperatur von 150 bis 200°C durchgeführt. Die folgenden zwei Fakten ergeben sich aus Fig. 2.
  • (i) Bei einem linearen thermischen Expansionsvermögen des thermoplastischen Materials von 4,75 × 10-5 [1/°C] oder mehr bei einer Temperatur von 150 bis 200°C wird dieses ein Substandardprodukt.
  • (ii) Bei einem linearen thermischen Expansionsvermögen des thermoplastischen Materials von 2,5 × 10-5 [1/°C] bei einer Temperatur von 150 bis 200°C treten keine Probleme auf.
Tabelle 1 zeigt die experimentellen Ergebnisse des TCT, der den Standards von JIS C 7021 : A-4, JIS C 7022 : A-4, MIL-STD-750 : 1051 oder MIL-STD-883 : 1010 entspricht. Proben dieses Experimentes beinhalten unterschiedliche Mischungsverhältnisse, bezogen auf das Gewicht, des Zugabemittels und des PPS usw. Ein Beispiel besteht aus 10 Proben mit gleicher Bedingung. 7 Beispiele werden in dem TCT untersucht (ein Mischungszustand pro einem Beispiel). Der TCT gibt den Temperaturzyklus (-65 (30 min), 25 (5 min), 150 (30 min)) den Halbleitervorrichtungen. Nach Wiederholen von 100, 200 und 300 Zyklen wurden die Halbleitervorrichtungen mit dem Original verglichen. Die Halbleitervorrichtungen werden als schlecht angesehen, wenn sich die elektrische Eigenschaft etwa um 5% gegenüber dem Original veränderte. Die Proben werden in die folgenden beiden Gruppen gemäß der Größe des abgedichteten Halbleiterelementes unterteilt. Die Elementgröße der Gruppe A ist 3,8 mm2. Die Elementgröße der Gruppe B ist 6,5 mm2.
Der Mängelanteil der Gruppe B ist höher als der von der Gruppe A. Wir verstehen dies so, daß zumindest die Proben 1 und 2 nicht die notwendige Adhäsion erreichen. Weiterhin hängt die Menge der notwendigen Adhäsion von der Größe des abgedichteten Halbleiterelementes bei der Probe 2 ab.
In Abhängigkeit davon, daß das Experiment mit den verschiedenen Probenbedingungen durchgeführt wurde, kommen wir zu dem folgenden Schluß.
Das thermoplastische Material sollte vorzugsweise ein Verhältnis von B1 zu A1 für das lineare thermische Expansionsvermögen von 0,55 oder mehr haben, wobei A1 in der Fließrichtung des thermoplastischen Materials ist und B1 in der Normalen zur Fließrichtung das thermoplastischen Materials ist. Dieser Test ist etwa B1/A1, wenn A1 größer ist als B1; wenn B1 größer ist als A1, sollte das thermoplastische Material bevorzugt ein Verhältnis von A1/B1 von 0,55 oder mehr haben. Mit anderen Worten ist bevorzugt, daß B1/A1 oder A1/B1 nahezu 1,0 ist.
Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, werden 30 bis 75 Gew.-% Silica zu dem thermoplastischen Material gegeben. Die Menge an Silica kann jedoch auch nur 0% sein. Die in Tabelle 1 gezeigten Proben wurden für den Vergleich ausgewählt. Wenn mehr als 75% zugegeben sind, kann das Material ggf. nicht angemessen geknetet werden.
Allgemein gesprochen werden die Füllstoffe zugegeben, um die mechanische Stärke der Packung zu erhöhen. Dies wird in Tabelle 1 gezeigt. Das faserige Material als Füllstoff hat die größere Wirkung als das Silica. Daher kann die Menge an Silica in den Proben 1 und 2 kleiner sein.
Das Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens bei den Proben 1 und 2, bei denen das Silica-Mischverhältnis 33 Gew.-% ist, ist gering. Aber die Probe 7, worin das Silica-Mischverhältnis 75 Gew.-% ist, hat ebenfalls ein niedriges lineares thermisches Expansionsverhältnis im Vergleich zu den anderen Proben. Daher ist das Mischverhältnis des Silica offensichtlich nicht mit der Erhöhung des Verhältnisses des linearen, thermischen Expansionsvermögens verbunden. Bei der Tabelle ist offenbar nur die Glasfaser mit der Erhöhung des linearen Expansionsverhältnisses verbunden. Das Silica selbst hat keine Viskosität. Auf der anderen Seite hat das Harz selbst eine geringe Viskosität. Die Biegefestigkeit wird durch Zugabe der Glasfaser erhöht. Jedoch ist bei dieser Bedingung die Packung mit der Änderung des Leitungsrahmens nicht elastisch. Somit ist die Menge, bezogen auf das Gewicht, von PPS bei der Probe 1 und 2 größer als bei den anderen Proben, wodurch die Adhäsion verbessert wird. Wenn die Menge an Silica größer ist als bei der Probe 1, oder wenn die Menge an PPS kleiner ist als bei der Probe 1, erhöht sich die Fehlerrate dieses Materials.
Als nächstes wird ein Zuverlässigkeitstest für lange Lebensdauer durchgeführt. Tabelle 2 zeigt die experimentellen Ergebnisse des TCT- und Druckkoch-Tests (PCT), die den Standards von EIAJ SD-121 : 18 oder EIAJ IC-121 : 18 entsprechen. Proben dieses Experimentes unterscheiden sich bezüglich Mischungsverhältnis, bezogen auf das Gewicht, des Zugabemittels und des PPS usw., wie in Tabelle 2 gezeigt ist. Ein Beispiel besteht aus 25 Proben gleicher Bedingungen. Sieben Beispiele werden im TCT PCT untersucht (ein Mischungszustand pro Beispiel). Der PCT erfordert, daß die Halbleitervorrichtung 500 h unter 1 [atm] und 121 [°C] steht. Der TCT gibt den Temperaturzyklus (-65 (30 min), 25 (5 min), 150 (30 min)) der Halbleitervorrichtung. Nach Wiederholen von 500 und 1000 Zyklen wurde die Halbleitervorrichtung mit dem Original verglichen. In jedem Fall wurde die Halbleitervorrichtung als schlechter Gegenstand ausgewertet, wenn sich die elektrischen Eigenschaften um etwa 5% gegenüber dem Original geändert haben.
Die folgenden beiden Fakten werden durch die Daten von Tabelle 2 verifiziert.
  • (i) Es war korrekt, das thermoplastische Material bis zu diesem Punkt zu betrachten.
  • (ii) Wenn das Zugabemittel nicht zu dem thermoplastischen Material gegeben wird, erhöht es bei dein Zuverlässigkeitstest für lange Lebensdauer (PCT) ein Substandardprodukt.
Von den oben beschriebenen Daten sind die folgenden Bedingungen für ein thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes bevorzugt.
  • (i) Im Hinblick auf die Naßbeständigkeit ist ein thermoplastisches Material mit einem linearen thermischen Expansionsvermögen von 4,75 × 10-5 [1/°C] oder weniger bei einer Temperatur von 150 bis 200°C bevorzugt. Ein thermoplastisches Material sollte bevorzugt ein Verhältnis von B1 zu A1 für das lineare thermische Expansionsvermögen von 0,55 oder mehr haben, wobei A1 in der Fließrichtung des thermoplastischen Materials ist und B1 in der Normalen Richtung ist. Es ist bevorzugt, daß das Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens nahezu 1,0 ist. Daher ist es nicht erwünscht, daß ein faseriges Material zu dem thermoplastischen Material gegeben wird. Es ist erlaubt, daß das Verhältnis für das lineare thermische Expansionsvermögen 1,0 oder mehr ist.
  • (ii) Im Hinblick auf die langdauernde Zuverlässigkeit wird das Zugabemittel zu dem thermoplastischen Material unter der Bedingung zugegeben, daß die obere Begrenzung des Mischungsverhältnisses des thermoplastischen Harzes und des Zugabemittels, bezogen auf das Gewicht, 0,28 ist. Diese Bedingung erfüllt die Biegefestigkeit von 74 [MPa] oder mehr als geeignetes thermoplastisches Material zum Abdichten der Halbleitervorrichtung.
Das zweite Ausführungsbeispiel ist in Fig. 4 gezeigt, worin eine CCD-(ladungsgekoppelte Speicher-)Anlage 10B gezeigt ist. Der CCD 10B umfaßt ein CCD-Element 15B, einen Leitungsrahmen, eine hohle Packung 20B, Verbindungsdrähte 16B und Leitungen 14B. Die hohle Packung 20B ist ein fester Körper, der durch ein thermoplastisches Material verfestigt ist. Die Packung 20 verbindet alle Halbleitervorrichtungs-Kom­ ponenten fest, sicher und unbewegbar. Das hohle Teil besteht aus der transparenten Glasplatte 17B und dem festen Körper.
Der leitende Anschlußrahmen besteht aus den folgenden drei Elementen: einem Unterlageteil 12B, einem inneren Leitungsteil 13B und einem äußeren Leitungsteil 14B. Das CCD-Ele­ ment 15B als Halbleiterelement ist an das Unterlageteil 12B gebunden. Die Größe des CCD-Elementes ist 1,8 mm × 3,0 mm. Das CCD-Element 15B und das Unterlageteil 12B sind in dem hohlen Teil der hohlen Packung 20B angeordnet. Die Lichtaufnahmeebene des CCD-Elementes 15B ist zu der Glasplatte 17B gerichtet. Die inneren Leitungen 13B sind mit einem Input/Output-Terminalteil des CCD-Elementes 15B mit dem Bindedraht 16B verbunden. Der Bindedraht 16B besteht aus einem guten, leitenden Material (z. B. Au/Al), und der Durchmesser ist etwa 25 µm. Die äußeren Leitungen 14B sind mit einem Input/Output-Terminalteil einer anderen Komponente verbunden.
Du bevorzugte thermoplastische Teil des thermoplastischen Materials ist PPS. Ein wärmehärtendes Material ist bevorzugt nicht in dem Packungsmaterial enthalten. Das thermoplastische Material ist schwarz gefärbt, um Licht abzuschirmen. Die Packung 20B wird durch ein Spritzgußverfahren gebildet. Die Bedingungen des Spritzgusses sind: Formtemperatur 155°C; Temperatur des löslichen Materials 340°C; hypotetische Viskosität zum Zeitpunkt des Durchleitens durch das Tor 300 [Pa.s]; und der Haltedruck ist 120 [MPa).
Die CCD-Anlage 10B wird durch die folgenden Schritte gebildet: Binden des CCD-Elementes 15B auf den Leitungsrahmen, Verbinden des CCD-Elementes 15B mit dem Leitungsrahmen durch den Bindedraht 16B, Setzen des Leitungsrahmens auf den Hohlraum der Form, Injizieren des thermoplastischen Materials in die Form, Kühlen der Form zum Verfestigen des thermoplastischen Materials, und Anordnen einer Glasplatte 17B auf den festen Körper.
Das thermoplastische Material erfüllt die folgenden Merkmale:
  • i) ein thermoplastisches Material mit einem linearen thermischen Expansionsvermögen von 4,75 × 10-5 [1/°C] oder weniger bei einer Temperatur von 150 bis 200°C;
    ii) ein thermoplastisches Material mit einem Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens von 0,55 oder mehr;
    iii) ein Zugabemittel ist zu dem thermoplastischen Material so zugegeben, daß das Mischverhältnis des thermoplastischen Harzes und des Zugabemittels, bezogen auf das Gewicht, 0,28 ist. Die Bedingung iii) erfüllt die Biegestärke von 74 [MPa] oder mehr als geeignetes thermoplastisches Material zum Abdichten der Halbleitervorrichtung.
Tabelle 3 zeigt die experimentellen Ergebnisse des TCT- und Hochtemperaturvernachlässigungs-Tests (HTN). Ein Beispiel besteht aus drei gleichen Proben. Sechs Beispiele werden bei dem TCT untersucht (eine Mischungsbedingung pro Beispiel). Der TCT gibt den Temperaturzyklus (-65 (30 min), 25 (5 min), 150 (30 min)) der Halbleitervorrichtung. Nach Wiederholung von 150 Zyklen wurde die Halbleitervorrichtung mit dem Original verglichen. Die Halbleitervorrichtung wird ausgewertet, indem die Änderungen der elektrischen Eigenschaften um etwa 5% gegenüber dem Original ermittelt werden. Der HTN-Test erfordert, daß die Halbleitervorrichtungen 400 h bei 60°C und 90% Feuchtigkeit stehen. Die Halbleitervorrichtungen werden nach 150 h und 400 h beobachtet. Sie werden als gut (O) bewertet, wenn keine Taukondensate zwischen der Leitung und der Packung auftauchen, oder sie werden als schlecht bewertet (x), wenn Taukondensate zwischen der Leitung und der Packung auftreten.
Wie in Tabelle 3 angegeben ist, funktioniert das thermoplastische Material gut als ein Abdichtmaterial, und wenn ein Zugabemittel nicht zu dem thermoplastischen Material gegeben ist, kann das Material die Naßbeständigkeit unter extremen Bedingungen für eine lange Zeit nicht aufrecht erhalten.
Das zweite Ausführungsbeispiel dieser Erfindung umfaßt eine IOU (Integrierte optische Einheit) 10C, die in Fig. 5 gezeigt ist. Die IOU 10C umfaßt eine Laserdiode 15B, einen Leitungsrahmen, eine Hohlpackung 20C, Bindedrähte 15C und eine Photodiode 14C. Die Hohlpackung 20B ist ein fester Körper, der das thermoplastische Material verfestigt. Die Packung 20 verbindet alle Halbleitervorrichtungskomponenten fest, sicher und unbewegbar. Das hohle Teil besteht aus der transparenten Glasplatte 16C und dem festen Körper.
Ein leitender Anschlußrahmen besteht aus den folgenden beiden Elementen: einem Unterlageteil 12C und einem Leitungsteil 11C. Die Laserdiode 13C als Halbleiterelement ist auf dem Unterlageteil 12C befestigt. Die Größe der Laserdiode ist 0,3 mm × 0,8 min. Die Laserdiode 13C und das Unterlageteil 12C sind in dem hohlen Teil der hohlen Packung 20C angeordnet. Die Lichtaufnahmeebene der Photodiode 14C ist zu der Glasplatte 16C gerichtet. Die Größe der Photodiode ist 3,8 min × 6,0 min.
Die Laserdiode 13C strahlt einen Laserstrahl L. Der austretende Strahl L wird durch den Reflektor, z. B. einer optischen Scheibe reflektiert. Der reflektierte Strahl wird ein einfallender Strahl L'. Der einfallende Strahl L' bildet auf dem Lichtaufnahmeende der Photodiode 14C durch die Glasplatte 16C ein Bild. Die Photodiode 14C erzeugt ein elektrisches Signal als Antwort auf das Bild. Das elektrische Signal wird durch Transmission in den Leitungen 11C und Bindedraht 15C ausgestoßen. Die Leitungen 11C binden an ein Input/Output-Terminalteil der Laserdiode 13C und der Photodiode 14C mit dem Bindedraht 15C. Der Bindedraht 15C besteht aus einem guten leitenden Material (z. B. einem feinen Metall aus Au oder Al), und der Durchmesser ist etwa 25 µm. Das Ende der Leitungen 11C wird mit einem Input/Output Terminalteil einer anderen Komponente elektrische verbunden.
Das bevorzugte thermoplastische Teil des thermoplastischen Materials ist PPS. Ein wärmehärtendes Material ist bevorzugt nicht enthalten. Das thermoplastische Material ist zum Abschirmen von Licht schwarz gefärbt. Die Packung 20C wird durch ein Spritzgußverfahren gebildet. Die Spritzgußbedingungen sind wie folgt: Formtemperatur 155°C; Temperatur des löslichen Materials 340°C; hypotetische Viskosität zum Zeitpunkt des Durchleitens durch das Tor 300 [Pa.s]; und der Haltedruck ist 120 [MPa]. Die IOU 10C wird durch die folgenden Schritte gebildet: Binden der Laserdiode 13C und der Photodiode 14C auf dem Leitungsrahmen; elektrisches Verbinden der Laserdiode 13C und Photodiode 14C mit dem Leitungsrahmen durch den Bindedraht 15C; Setzen des Leitungsrahmens auf den Hohlraum der Form; Injizieren des thermoplastischen Materials in die Form; Kühlen der Form zum Verfestigen des thermoplastischen Materials; und Auflegen einer Glasplatte 16C auf den festen Körper.
Das thermoplastische Material erfüllt die folgenden Bedingung:
  • i) ein thermoplastisches Material mit einem linearen thermischen Expansionsvermögen von 4,75 × 10-5 [1/°C] oder weniger bei einer Temperatur von 150 bis 200°C;
  • ii) ein thermoplastisches Material mit einem Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens von 0,55 oder mehr; und
  • iii) ein Zugabemittel wird zu dem thermoplastischen Material so zugegeben, daß das Mischungsverhältnis des thermoplastischen Harzes und des Zugabemittels, bezogen auf das Gewicht 0,28 ist. Die Bedingung iii) genügt der Biegestärke von 74 [MPa] oder mehr als geeigneten thermoplastisches Material zum Abdichten der Halbleitervorrichtung.
Die IOU 10C ist für den Kopf eines optischen Disk-Players oder Recorders zum Reproduzieren der optischen Daten geeignet. Im Hinblick auf die Produktivität oder Produktionskosten ist die durch das thermoplastische Material gebildete Packung besser als eine aus Metall gebildete Packung. Wie in dem obigen Fall erhöht die Halbleitervorrichtung, die durch ein thermoplastisches Material abgedichtet ist, die Produktivität der Anwendungsprodukte.
Gemäß dieser Erfindung können Modifizierungen gemacht werden.
Z.B. können als Ersatz des thermoplastischen Materials LCP (flüssigkristallines Polymer), PEEK (Polyetheretherketons), PEN (Polyethernitril) und PES (Polyethersulfon) genannt werden.
Auf der anderen Seite ist das Halbleiterelement zum Rechnen, Strahlen, Empfangen eines Lichtes, Verstärken, Speichern oder ähnliches verwendbar.
Auf der anderen Seite ist es möglich, daß das Zugabemittel nicht zugegeben wird, wenn das Produkt für Produkte mit verhältnismäßig kurzer Lebensdauer verwendet wird (z. B. Personalcomputer, elektronischer Rechner, Thermometer). Es ist erwünscht, daß das Zugabemittel zugegeben wird, wenn das Produkt auf dem Gebiet der Leistungselektronik verwendet wird (z. B. Schalter, Verstärker, Elektrizitätswerk).
Auf der anderen Seite kann der Leitungsrahmen durch ein Flip- Chip-Packungsverfahren durch Lötkugeln als leitendes Mittel zum elektrischen Verbinden des Halbleiterelementes mit den anderen elektrischen Komponenten ersetzt werden.
Auf der anderen Seite können das wärmehärtende Harz oder die faserigen Materialien in das thermoplastische Material dieser Erfindung gemischt werden, wenn die thermoplastischen Materialien die oben erwähnten Bedingungen beibehalten, nämlich den Bereich des linearen thermischen Expansionsvermögens und das Verhältnis dieser in den beiden Richtungen, und wenn sich die thermoplastischen Eigenschaften der Materialien nicht in wärmehärtende Eigenschaften nach dem Mischen verändern.
Wie oben erwähnt sind die folgenden Bedingungen für ein thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes bevorzugt:
  • (i) ein thermoplastisches Material mit einem linearen thermischen Expansionsvermögen von 4,75 × 10-5 [1/°C] oder weniger bei einem Hochtemperaturbereich;
  • (ii) ein thermoplastisches Material mit einem Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens von 0,55 oder mehr. Es ist mehr bevorzugt, daß das lineare thermische Expansionsvermögensverhältnis nahezu 1,0 ist. Daher ist es nicht erwünscht, daß ein faseriges Material zu dem thermoplastischen Material gegeben wird;
  • (iii) ein Zugabemittel wird zu dem thermoplastischen Material derart zugegeben, daß die obere Begrenzung des Mischungsverhältnisses des thermoplastischen Material und des Zugabemittels 0,28, bezogen auf das Gewicht, ist. Diese Bedingung erfüllt die Biegestärke von 74 µMPa) oder mehr, und
  • (iv) Packungen, die aus diesem thermoplastischen Material gebildet sind, sind recyclefähig.
Wenn wärmehärtende Materialien oder faserige Materialien mit einem thermoplastischen Material vermischt werden, erreicht das thermoplastische Material den erwarteten Zweck und die Wirksamkeit, wenn es die oben erwähnten Bedingungen erfüllt.
Nach Auswahl eines Transistorelementes aus der Gruppe der Halbleitervorrichtungen haben wir den elektrischen Strom Iceo des Transistorelementes zum Testen der elektrischen Eigenschaften gemessen. In einem anderen Fall haben wir die Spannungen Vcbo, Vceo, Vebo, etc. anstelle des elektrischen Stromes Iceo zum Testen gemessen, weil diese Spannungsparameter sensitiver sein können als Stromparameter. Daher kann in Abhängigkeit davon, wie der Standardparameter gewählt wird, die erforderliche Bedingung des thermoplastischen Materials dieser Erfindung zu dem oberen oder unteren Bereich der oben erwähnten Bedingung verschoben werden.
Wir haben die Biegestärke der Materialien unserer Erfindung gemäß JIS K-7171 gemessen. Die Größe der gegossenen Probe war 127 mm (Länge) × 12,6 mm (Breite) × 3,2 mm (Dicke). Die Längenrichtung der gegossenen Probe war die Fließrichtung des Materials dieser Erfindung. Zunächst wurden die gegossenen Proben bei 23°C (Temperatur) und 50% Rh (Feuchtigkeit) 24 h lang stehen gelassen. Dann wurde die Biegestärke der gegossenen Proben bei der gleichen Temperatur und Feuchtigkeit unter Verwendung der experimentellen Anlage ABM/RTA-500, hergestellt von Orientec Corporation, gemessen. Andere Meßbedingungen war 5 min (der Abrundungsradius der Drucksonde der Anlage), 50 mm (das Intervall zwischen den Drehpunkten) und 2,5 mm/min (Druckgeschwindigkeit auf die Probe beim Testen). Die Probe wurde durch ein Paar Hebelpunkte an den Enden der Probe auf ihrer Rückseite getragen. Die Abrundung der Drucksonde wurde in der Mitte der Probe heruntergedrückt.
Die Biegestärke der Materialien dieser Erfindung wurde gemäß JIS K-7197 gemessen. Die Größe der gegossenen Probe war 7 mm (Länge) × 12 mm (Breite) × 3,2 mm (Dicke). Die gegossene Probe wurde von den Güssen, die mit der Gießmaschine mit einem Eingußkanal hergestellt waren, losgelöst, worin die gegossene Probe von einem Guß 80 mm von dem Eingußkanal weggeschnitten wurde. Das lineare thermische Expansionsvermögen der gegossenen Proben wurde in der Atmosphäre unter Verwendung der Wärme/Moment/Beanspruchung-Meß­ anlage TMA-120, hergestellt von Seiko Instruments Inc. und einer Aluminiumstange zur Längenkorrektur gemessen. Die Größe der Aluminiumstange war 5 mm (Durchmesser) × 10 min (Länge). Die oben erwähnte Bedingung des linearen thermischen Expansionsvermögens ist der Durchschnitt von drei gegossenen Proben, worin die drei gegossenen Proben statistisch aus den Massenproben gezogen wurden.

Claims (27)

1. Thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes (14), im wesentlichen bestehend aus:
einem thermoplastischen Harz, dadurch gekennzeichnet, daß das thermoplastische Material ein lineares thermisches Expansionsvermögen von etwa 4,5 × 10-5 [1/°C] oder weniger bei etwa 150 bis 200°C hat.
2. Thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes (14), im wesentlichen bestehend aus:
einem thermoplastischen Harz, dadurch gekennzeichnet, daß das thermoplastische Material ein Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens von B1 zu A1 von 0,55 oder mehr hat, wobei A1 in der Fließrichtung des thermoplastischen Materials und B1 in der Normalen-Rich­ tung der Fließrichtung des thermoplastischen Materials nach dem Härten ist.
3. Thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes (14), im wesentlichen bestehend aus:
einem Polyphenylensulfid, dadurch gekennzeichnet, daß das thermoplastische Material ein lineares thermisches Expansionsvermögen von etwa 4,5 × 10-5 [1/°C] oder weniger bei etwa 150 bis 200°C hat,
worin das thermoplastische Material ein Verhältnis des linearen thermischen Expansionsvermögens von B1 zu A1 von 0,55 oder mehr hat, worin A1 in der Fließrichtung des thermoplastischen Material und B1 in der Normalen Richtung der Fließrichtung des thermoplastischen Materials nach dem Härten ist, worin das thermoplastische Harz im wesentlichen frei ist von wärmehärtenden Harzen und worin das faserige Material im wesentlichen frei ist von wärmehärtenden Materialien.
4. Thermoplastisches Material nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Biegestärke des thermoplastischen Material etwa 74 [MPa] oder mehr ist.
5. Thermoplastisches Material nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Biegefestigkeit des thermoplastischen Materials etwa 74 [MPa] oder mehr ist.
6. Thermoplastisches Material nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Biegestärke des thermoplastischen Materials etwa 74 [MPa] oder mehr ist.
7. Halbleitervorrichtung (10), umfassend ein Halbleiterelement (14), eine Packung (20), die aus dem thermoplastischen Material zum Abdichten des Halbleiterelementes (14) nach Anspruch 1 gebildet ist, und einen Leiter (13, 16, 17) zum Verbinden des Halbleiterelementes (14) mit einem externen Element.
3. Halbleitervorrichtung (10), umfassend ein Halbleitereiterelement (14), eine Packung (20), die aus dem thermoplastischen Material zum Abdichten des Halbleiterelementes (14) nach Anspruch 2 gebildet ist, und einen Leiter (13, 16, 17) zum Verbinden des Halbleiterelementes mit einem externen Element.
9. Halbleitervorrichtung (10), umfassend ein Halbleitereiterelement (14), eine Packung (20), die aus dem thermoplastischen Material zum Abdichten des Halbleiterelementes (14) nach Anspruch 3 gebildet ist, und einen Leiter (13, 16, 17) zum Verbinden des Halbleiterelementes mit einem externen Element.
10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (10), gekennzeichnet durch elektrisches Verbinden eines Halbleiterelementes (14) mit einem Ende eines Leiters (13, 16, 17) und Abdichten des Halbleiterelementes (14) und des einen Endes des Leiters (13, 16, 17) mit einem thermoplastischen Material nach Anspruch 1.
11. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (10), gekennzeichnet durch elektrisches Verbinden eines Halbleiterelementes (14) mit einem Ende eines Leiters (13, 16, 17) und Abdichten des Halbleiterelementes (14) und des einen Endes des Leiters (13, 16, 17) mit einem thermoplastischen Material nach Anspruch 2.
12. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (10), gekennzeichnet durch elektrisches Verbinden eines Halbleiterelementes (14) mit einem Ende eines Leiters (13, 16, 17) und Abdichten des Halbleiterelementes (14) und des einen Endes des Leiters (13, 16, 17) mit einem thermoplastischen Material nach Anspruch 3.
13. Thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes, umfassend ein thermoplastisches Harz und körnige Teilchen in dem thermoplastischen Harz, worin das thermoplastische Material ein lineares thermisches Expansionsvermögen von etwa 4,5 × 10-5 [1/°C] oder weniger hat.
14. Thermoplastisches Material zum Abdichten eines Halbleiterelementes (14), umfassend ein thermoplastisches Harz und körnige Teilchen in dem thermoplastischen Harz; worin das Verhältnis des linearen Expansionsvermögens des thermoplastischen Materials in der Fließrichtung zu dem linearen Expansionsvermögen in der Normalen-Richtung zu der Fließrichtung etwa 0,55 oder mehr ist.
15. Thermoplastisches Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis des linearen Expansionsvermögens des thermoplastischen Materials in der Fließrichtung zu dem linearen Expansionsvermögen in der Normalen-Richtung zu der Fließrichtung etwa 0,55 oder mehr ist.
16. Thermoplastisches Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das thermoplastische Material im wesentlichen frei von wärmehärtenden Materialien ist.
17. Thermoplastisches Material nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das thermoplastische Material im wesentlichen frei von wärmehärtenden Materialien ist.
18. Thermoplastisches Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das faserige Material im wesentlichen frei von wärmehärtenden Materialien ist.
19. Thermoplastisches Material nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das faserige Material im wesentlichen frei von wärmehärtenden Materialien ist.
20. Thermoplastisches Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Biegefestigkeit des thermoplastischen Materials etwa 74 MPa oder mehr ist.
21. Thermoplastisches Material nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Biegefestigkeit des thermoplastischen Materials etwa 74 MPa oder mehr ist.
22. Thermoplastisches Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin ein Adhäsionsmittel mit zumindest einer polaren Gruppe in dem Harz umfaßt.
23. Thermoplastisches Material nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin ein Adhäsionsmittel mit zumindest einer polaren Gruppe in dem Harz umfaßt.
24. Thermoplastisches Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin ein Adhäsionsmittel mit zumindest einer polaren Gruppe in dem Harz umfaßt und worin das Verhältnis des Gewichtsverhältnisses des Adhäsionsmittels zu dem thermoplastischen Harz und des Gewichtsverhältnisses des thermoplastischen Harzes zu dem thermoplastischen Material etwa 0,28 oder weniger ist.
25. Thermoplastisches Material nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß es weiterhin ein Adhäsionsmittel mit zumindest einer polaren Gruppe in dem Harz umfaßt und worin das Verhältnis des Gewichtsverhältnisses des Adhäsionsmittels zu dem thermoplastischen Harz und des Gewichtsverhältnisses des thermoplastischen Harz es zu dem thermoplastischen Material etwa 0,28 oder weniger ist.
26. Thermoplastisches Material nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die körnigen Teilchen einen durchschnittlichen Durchmesser von etwa 10 µm oder weniger haben.
27. Thermoplastisches Material nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die körnigen Teilchen einen durchschnittlichen Durchmesser von etwa 10 µm oder weniger haben.
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