DE19817482A1 - Verfahren zur Herstellung von Dickschichten aus ferroelektrischen Keramiken - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Dickschichten aus ferroelektrischen KeramikenInfo
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Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Elektrotechnik/Elektronik und betrifft Dickschichten aus ferroelektrischen Keramiken, die beispielsweise als Aktoren zur Anwendung kommen können. DOLLAR A Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren anzugeben, mit dem Dickschichten hergestellt werden, die eine gute Haftfestigkeit aufweisen. DOLLAR A Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren bei dem eine organo-metallische Sol-Gel-Lösung hergestellt wird, in die eine Menge von mehr als 90 Gew.-% von dieser Lösung eines ferroelektrischen Keramikpulvers eingebracht wird, die mit ferroelektrischem Keramikpulver versehene Sol-Gel-Lösung gemischt und dispergiert wird und danach auf ein Substrat aufgebracht wird, wobei als erste Schicht auf dem Substrat eine reine Sol-Gel-Lösung ohne Zumischung eines ferroelektrischen Keramikpulvers aufgebracht wird, danach eine Erwärmung erfolgt und anschließend eine Schicht aus der Dispersion aufgebracht wird, und der Schichtverbund dann gesintert wird.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf die Gebiete der Elektrotechnik/Elektronik und der
Keramik und betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dickschichten aus
ferroelektrischen Keramiken, die beispielsweise als Aktoren, Sensoren,
Kondensatoren, Vibratoren, Speicherelemente oder für ferroelektrische
Druckprozesse zur Anwendung kommen können.
Nach dem Siegeszug der ferroelektrischen Kompaktkeramiken insbesondere der
Piezoelektrika (PZT) und der Relaxorferroelektrika (Beispiel PMN) für Resonatoren,
Aktoren, Sensoren, Kondensatoren u. a. sind Schichten auf der Basis dieser
Materialien besonders interessant geworden. Die Gründe für diese Anwendungen
sind insbesondere die bessere Integrationsfähigkeit, niedrige Ansteuerspannungen,
mechanische Stabilität bei großen dünnen Flächen, aber auch völlig neue
Anwendungsfelder, wie z. B. ferroelektrische Druckverfahren.
Für die große Gruppe der ferroelektrischen Bleiperowskite haben sich in den letzten
Jahren zwei grundlegende Verfahren herausgebildet:
1. Dünne Schichten
hergestellt durch Sol-Gel-Verfahren, bei denen nach einer Substrat-Beschichtung (meist Spin-Coating) und anschließender Erhitzung auf der Unterlage dichte Schichten gebildet werden.
hergestellt durch Sol-Gel-Verfahren, bei denen nach einer Substrat-Beschichtung (meist Spin-Coating) und anschließender Erhitzung auf der Unterlage dichte Schichten gebildet werden.
Die Dicke der Schichten liegt bei etwa 1 µm, durch Mehrfachbeschichtung kann die
Dicke noch etwas gesteigert werden.
Dazu ist ein breiter Stand der Technik bekannt. Der Stand der Technik ist eine
ferroelektrische Schicht aus PZT, die durch ein Sol-Gel-Verfahren hergestellt wird.
Dabei wird ein Sol-Gel aus Bleiazetat, Titanisopropoxid und Zirkonpropoxid in
Essigsäure mit Ethylenglycol oder Acetylaceton eingesetzt (WO 96/29447).
Dicke Schichten sind nach diesem Verfahren nicht herstellbar.
2. Dicke Schichten
hergestellt aus niedrig sinternden PZT-Pulvern mit Plastifikatoren, die zu einer Paste oder einem Schlicker verarbeitet werden. Über Druck oder über Aufschlickern wird eine Schicht auf eine Unterlage aufgebracht, die über Flüssigphasensintern zu einer dichten Schicht verarbeitet wird.
hergestellt aus niedrig sinternden PZT-Pulvern mit Plastifikatoren, die zu einer Paste oder einem Schlicker verarbeitet werden. Über Druck oder über Aufschlickern wird eine Schicht auf eine Unterlage aufgebracht, die über Flüssigphasensintern zu einer dichten Schicht verarbeitet wird.
Auch hierzu ist ein breiter Stand der Technik bekannt. Der Stand der Technik ist ein
Verfahren, durch das dichte Schichten bis 200 µm auf Al2O3-Substraten hergestellt
werden können (DE 44 16 245 02).
Nachteilig bei diesen Verfahren ist, daß nur niedrig sinternde PZT-Pulver verwendet
werden können. Für alle anderen PZT-Pulver ist die Sintertemperatur zur
Dichtsinterung zu hoch.
Weiterhin ist die Homogenität der Schichten für viele Anwendungen nicht
ausreichend.
Ein besonderer Nachteil der bekannten Verfahren zur Herstellung von dicken
Schichten aus PZT ist der, daß aufgrund der hohen Sintertemperaturen PZT-
Dickschichten nicht auf Si-Substraten hergestellt werden können.
In neuerer Zeit sind Anstrengungen unternommen worden, die beiden
grundsätzlichen Verfahren zu "verschmelzen", indem keramische Pulver in Sol-Gel-
Lösungen eingebracht und nach der Deponierung auf entsprechenden Substraten
gesintert worden sind (WO 96/29447). Durch dieses Verfahren sind Schichten mit
einer Dicke bis zu 10 µm herstellbar. Eine Erhöhung dieser Schichtdicke auf 20-60
µm ist durch die Wiederholung des Beschichtungsvorganges (Spin-Coating)
möglich.
Nach diesem Verfahren ist bekannt, daß polykristalline Keramikschichten auf einem
Substrat hergestellt werden, indem eine ausgewählte organo-metallische Sol-Gel-
Lösung mit bis zu 90 Gew.-% dieser Lösung von einem ausgewählten feinzerteilten
Keramikpulver zu einer einheitlichen stabilen Dispersion gemischt werden. Diese
Dispersion wird so auf ein ausgewähltes Substrat aufgebracht, daß eine Schicht mit
einer Dicke von bis zu 6 µm entsteht. Danach wird das beschichtete Substrat auf
eine Temperatur von bis zu 1000°C erwärmt, so daß die organischen Bestandteile
ausbrennen und stabile rißfreie polykristalline Metalloxidschichten auf dem Substrat
entstehen.
Eine Variante dieses Verfahrens besteht darin, daß so auch polykristalline
Kompositkeramikschichten auf einem Substrat hergestellt werden, indem eine erste
organo-metallische Sol-Gel-Lösung mit bis zu 90 Gew.-% von einem zerteilten
keramischen Pulver zu einer ersten gleichmäßigen stabilen Dispersion gemischt
werden. Weiterhin wird eine zweite organo-metallische Sol-Gel-Lösung mit bis zu 90
Gew.-% der Lösung von einem zweiten ausgewählten feinzerteilten Keramikpulver
gemischt und zu einer zweiten stabilen gleichmäßigen Dispersion verarbeitet. Dann
wird eine Schicht aus der ersten und zweiten Dispersion auf ein Substrat
aufgebracht und die Erwärmung auf Temperaturen von bis zu 1000°C durchgeführt.
Danach wird eine zweite Schicht aus der ersten und zweiten Dispersion aufgebracht
und wieder erwärmt. Dies kann mehrfach wiederholt werden. Auf diese Art und
Weise wird eine polykristalline Kompositkeramikschicht von wenigstens 10 µm Dicke
erreicht.
Weiterhin ist nach diesem Verfahren bekannt, daß als keramische Pulver auch PZT-
Pulver eingesetzt werden können. Dabei wird eine Sol-Gel-Lösung vom Typ
Pb(ZrxTi1-x)O3 verwendet. In diese Lösung werden bis zu 90 Gew.-% der Lösung von
einem PZT-Pulver zugemischt. Aus dieser Dispersion wird durch spin-coating eine
Schicht auf ein Substrat aufgebracht und zuerst bei 400°C und nach wiederholtem
Aufbringen von Schichten jeweils anschließend bei 650°C eingebrannt. Dadurch
werden rißfreie Schichten mit einer Dicke von 9-60 µm erhalten.
Die Nachteile dieser, so hergestellten Schichten sind folgende:
Durch den ungenügenden PZT-Pulver-Gehalt (< 90%) im Schlicker sind die Schichten zu dünn und werden ungenügend verdichtet. Die Haftfestigkeit der Schichten auf polierten Si-Substraten ist ungenügend. In vielen Fällen fällt die Schicht bereits nach dem Einbrand vom Substrat ab. Bei der Beschichtung von insbesondere großen Flächen neigen diese Schichten sehr stark zu lateralen Abschwindungen, was zu Rißbildung führt. Bei einer Mehrfachbeschichtung spaltet sich die Schicht oft an den Trennschichten in die Einzelschichten auf, wodurch der gesamte Schichtverbund keinen Zusammenhalt hat. Auch der Einsatz von unmodifiziertem PZT ist nachteilig, da es sehr schwer dichtsintert und die Schichten eine große Anzahl an Poren aufweisen. Weiterhin sind die elektrischen Daten nicht ausreichend, was sich insbesondere in niedrigen d-Werten, Pr-Werten und εT 33- Werten niederschlägt. Diese Materialien sind ungenügend für "schnelles" Schalten geeignet.
Durch den ungenügenden PZT-Pulver-Gehalt (< 90%) im Schlicker sind die Schichten zu dünn und werden ungenügend verdichtet. Die Haftfestigkeit der Schichten auf polierten Si-Substraten ist ungenügend. In vielen Fällen fällt die Schicht bereits nach dem Einbrand vom Substrat ab. Bei der Beschichtung von insbesondere großen Flächen neigen diese Schichten sehr stark zu lateralen Abschwindungen, was zu Rißbildung führt. Bei einer Mehrfachbeschichtung spaltet sich die Schicht oft an den Trennschichten in die Einzelschichten auf, wodurch der gesamte Schichtverbund keinen Zusammenhalt hat. Auch der Einsatz von unmodifiziertem PZT ist nachteilig, da es sehr schwer dichtsintert und die Schichten eine große Anzahl an Poren aufweisen. Weiterhin sind die elektrischen Daten nicht ausreichend, was sich insbesondere in niedrigen d-Werten, Pr-Werten und εT 33- Werten niederschlägt. Diese Materialien sind ungenügend für "schnelles" Schalten geeignet.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung von
Dickschichten aus ferroelektrischen Keramiken anzugeben, mit dem Dickschichten
hergestellt werden, die eine gute Haftfestigkeit aufweisen und mit dem Dickschichten
auch auf Si-Substraten hergestellt werden können.
Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung.
Weiterbildungen sind Gegenstand der Unteransprüche.
Durch die erfindungsgemäße Lösung wird es erstmals möglich, PZT-Dickschichten
über ein modifiziertes Sol-Gel-Verfahren herzustellen, die eine Schichtdicke von ca.
100 µm aufweisen können. Diese Dickschichten weisen eine gute Haftfestigkeit auf.
Insbesondere auf Si-Substraten wird eine gute Haftfestigkeit erreicht, wenn auf das
Substrat zuerst eine Schicht aus reinem Sol-Gel-PZT aufgebracht worden ist und
anschließend die erfindungsgemäße Schicht, bestehend aus Sol-Gel-PZT und
keramischem PZT aufgebracht wird.
Weiterhin wird die laterale Abschwindung nahezu verhindert, so daß "rißfreie"
Schichten entstehen. Dies wird erreicht durch den Einsatz von Pulvern, die eine
genügende Vorverdichtung aufweisen und damit eine geringe Schwindung beim
Sintern zeigen. Diese hohe Vorverdichtung kann beispielsweise durch zerkleinertes
bereits gesintertes PZT-Pulver (Glattscherben) erreicht werden.
Es wird durch das erfindungsgemäße Verfahren möglich, PZT-Dickschichten
herzustellen, die bei einem Mehrschichtaufbau keine Aufspaltung zwischen den
Einzelschichten aufweisen. Dies wird erreicht, indem zwischen den
erfindungsgemäßen Schichten jeweils Schichten aus einem reinen Sol-Gel-PZT
aufgebracht werden, wobei die unterste Schicht unmittelbar auf dem Substrat jeweils
eine Schicht aus reinem Sol-Gel-PZT sein muß. Der jeweils notwendige
Zwischenbrand kann bei niedrigeren Temperaturen durchgeführt werden und erst
beim abschließenden Sintern wird dann der gesamte Schichtaufbau dicht gesintert.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es auch möglich, Komplex-PZT-Pulver
einzusetzen. Dadurch wird die Dichtheit der Schicht und ihre elektrischen
Eigenschaften verbessert. Besonders vorteilhaft sind dabei PZT-Pulver von Typ
PZT-Pb[B2++1 B3+ 2 B5+6+ 3]O3 in stöchiometrischer und elektroneutraler
Zusammensetzung, deren Anionenanteile quasi die Wertigkeit 4⁺ ergeben. Dabei
kann durchaus B1 aus zwei verschiedenen zweiwertigen Ionen bestehen besonders
günstig sind die bekannten Varianten:
B2+ 1: Mg2+, Ni2+, Zn2+
B3+ 2: Sb3+, Fe3+
B5+6+ 3: Nb5+, Ta5+, W6+.
B3+ 2: Sb3+, Fe3+
B5+6+ 3: Nb5+, Ta5+, W6+.
Aber auch andere Kombinationen sind geeignet.
Da dicke Schichten erreicht werden sollen, ist ein Zusatz an Pulver von
grundsätzlich < 90 Gew.-% notwendig.
Von Interesse sind auch Werkstoffsysteme mit Relaxorferroelektrika, da diese
Werkstoffe insbesondere für elektrostriktive Aktoren und Kondensatoren mit hohen
DK-Werten eingesetzt werden können. In diesem Fall sind die Keramikpulver aus
zwei oder drei verschiedenen Komplexperowskiten zusammengesetzt. Über die
Anteile der Perowskite mit Tc-Temperaturen im negativem Temperaturbereich oder
positivem Temperaturbereich kann die Lage der Curiepunkte gesteuert werden.
Besonders interessant sind beispielsweise Kombinationen aus folgenden
Grundperowskiten komplexer Natur:
negativer Bereich von Tc
Pb[Ni1/3Nb2/3]O3
Pb[Mg1/3Nb2/3]O3
Pb[Fe2/3W1/3]O3
Pb[Ni1/3Nb2/3]O3
Pb[Mg1/3Nb2/3]O3
Pb[Fe2/3W1/3]O3
positiver Bereich von Tc
Pb[Fe1/2Nb1/2]O3
Pb[Zn1/3Nb2/3]O3
Pb[Fe1/2Nb1/2]O3
Pb[Zn1/3Nb2/3]O3
zusammen mit Anteilen von PbTiO3.
Die Herstellung der Schichten ist übereinstimmend. Die Sol-Gel-Lösung besteht
ebenfalls aus den Bestandteilen für Relaxorferroelektrika. Für Kondensatoren kann
außerdem noch SrTiO3 und BaTiO3 unter der gleichen Beachtung der
erfindungsgemäßen Verfahrensschritte eingesetzt werden.
Eine besondere Variante der Erfindung besteht darin, daß die erfindungsgemäßen
Schichten auf arteigenen Schichten abgeschieden werden können. Dies könnte
beispielsweise als "Oberflächenveredelung" eingesetzt werden, wodurch sich die
Eigenschaften der Schichten insgesamt verbessern. Insbesondere wird die
Durchschlagsfestigkeit der vorhandenen Schicht verbessert. Auch eine Erhöhung
der "Homogenität" an der Oberfläche einer PZT-Dickschicht zur Steuerung eines
gleichmäßigen Oberflächenpotentials für die Zwecke des ferroelektrischen Druckes
und zur Vermeidung von Fehlbetonerungen kann erreicht werden. Bei starken
Diffussionsproblemen zwischen der Unterlage und der Schicht ist mit der arteigenen
Zwischenschicht eine Abpufferung möglich. Auch kann damit ein Gradient eingestellt
werden.
Insgesamt spielt die Form des Substrates keine Rolle. Lediglich die Art der
Aufbringung der Schicht wird verändert. Das Prinzip bleibt jedoch bestehen. Unter
bestimmten Umständen muß eine Variation der Dispergierung und die weitere
Zugabe von Plastifikatoren erfolgen. Wichtig ist nur, daß ein gleichmäßiger Auftrag
ohne Entmischungen erfolgt.
Im weiteren wird die Erfindung an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Zur Herstellung eines Soles der Zusammensetzung Pb1,055(Zr0,55Ti0,45)O3,055 werden
2,3013 g Zirkonium-n-propoxid und 1,2799 g Titanium-n-propoxid mit 1,1068 g
Acetylaceton komplexiert und mit 4,0143 g Propandiol sowie 4,002 g
Pb(OH3OOOH)2 × 3 H2O umgesetzt. 10 g dieser Lösung werden mit 14,4 g PZT-
Pulver und 4 g Ethylenglykol zur Herstellung einer Dispersion vermischt. Das PZT-
Pulver ist vom Typ PbTiO3-PbZrO3-Pb[Mg1/3Nb2/3]O3 mit einem Curiepunkt bei
215°C. Vor dem Einsatz in der Dispersion wurden aus dem Pulver Preßlinge
hergestellt und bei 1240°C 2 h gesintert. Danach wurden diese Sinterkörper zu
Pulver zerkleinert (Glattscherben) und in der Dispersion eingesetzt.
Der Siliciumwafer mit einem Elektrodenaufbau Si/SiO2/Ti/Pt wird zuerst mittels Spin-
Coating mit einer Sol-Gel-Lösung beschichtet. Die Schicht- und Phasenbildung
erfolgt in einem RTA-Ofen bei einer Endtemperatur von 700°C. Diese Sol-Gel-
Beschichtung wird analog wiederholt, bevor als nächstes eine Schicht unter
Verwendung der Dispersion aufgetragen wird, die ebenfalls bei 700°C getempert
wird. Auf diese Dispersionsschicht werden wiederum zwei reine Sol-Gel-
Beschichtungen aufgetragen, auf die wiederum eine Dispersionschicht folgt. Der
Schichtverbund wird abschließend 10 min bei 750°C getempert.
Die Schichtdicke nach Aufbringen von 5 Dispersionsschichten beträgt 20 µm. Diese
Schicht hat eine Dielektrizitätskonstante von 1388, einen Isolationswiderstand von 4
× 1010 Ωcm und eine remanente Polarisation von 16,2 µC/cm2 bei 6 kV/mm.
Werden Schichten mit größerer Dicke gewünscht, so müssen die Vorgänge
entsprechend oft wiederholt werden, wobei der Dickenzuwachs je Vorgang ca. 4-6
µm beträgt. Das ist bis zu einer Gesamtdicke von ca. 100 µm möglich, was ca. 20
Schichtfolgen erfordert.
Zur Herstellung eines Soles der Zusammensetzung Pb3(Mg0,5Ni0,3Nb1,6Ti0,6)O9
werden 5,95 ml einer Niobcitratlösung (1,345 mol/l Nb2O3) unter Zugabe von
Wasserstoffperoxid, 1,7053 g Titan-isopropoxid, 0,3561 g NiCO3, 0,4216 g MgCO3
und 8, 0163 g PbCO3 gelöst. Der pH-Wert wird mit Ammoniak auf 7-8 eingestellt.
5 g dieser Lösung werden mit 7,25 g Bleiperowskitpulver vom Typ
Pb3(Mg0,5Ni0,3Nb1,6Ti0,6)O9 und 3 g Ethylenglykol zur Herstellung einer Dispersion
vermischt. Vor dem Einsatz in der Dispersion wurden aus dem Pulver Preßlinge
hergestellt und bei 1150°C 2 h gesintert. Danach wurden diese Sinterkörper zu
Pulver zerkleinert und in der Dispersion eingesetzt.
Die Schichtherstellung erfolgt auf einem mit einer Goldelektrode versehenen Al2O3-
Substrat. Zuerst werden 2 Sol-Gel-Schichten mittels spin-coating und Temperung in
einem RTA-Ofen bei Temperaturen von 750°C aufgebracht. Auf diese Schicht folgt
eine Schicht unter Verwendung der Dispersion, die ebenfalls bis auf 750°C
aufgeheizt wird, gefolgt von 2 weiteren Sol-Gel-Schichten. Die Schichtdicke nach
Aufbringen von 5 Dispersionsschichten beträgt 25 µm. Dies Schicht weist eine
Dielektrizitätskonstante an der Curietemperatur von 12000 auf.
Es wird die Oberfläche einer auf einem Al2O3-Substrat bereits aufgebrachten
gesinterten PZT-Dickschicht veredelt. Dazu wird entsprechend Beispiel 1 eine Sol-
Gel-Lösung hergestellt und gleichfalls entsprechend Beispiel 1 die Dispersion. Das
Aufbringen der Schichten erfolgt ebenfalls entsprechend Beispiel 1.
Die Eigenschaften der veredelten PZT-Dickschicht weisen ein gleichmäßigeres
Oberflächenpotential auf und führen damit zu weniger Fehlern beim
ferroelektrischen Druck. Gleichzeitig ist die Durchschlagsfestigkeit um den Faktor
1,3 erhöht.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung von Dickschichten aus ferroelektrischen Keramiken auf
Substraten, bei dem eine organo-metallische Sol-Gel-Lösung hergestellt wird, in die
eine Menge von mehr als 90 Gew.-% von dieser Lösung eines ferroelektrischen
Keramikpulvers eingebracht wird, wobei das ferroelektrische Keramikpulver aus
PbTiO3-PbZrO3-Bleikomplexperowskit oder aus einer Mischung aus
Bleikomplexperowskiten oder aus einer Mischung aus Bleikomplexperowskiten und
PbTiO3 besteht, die mit ferroelektrischem Keramikpulver versehene Sol-Gel-Lösung
gemischt und dispergiert wird und danach auf eine Substrat aufgebracht wird, wobei
als erste Schicht auf dem Substrat eine reine Sol-Gel-Lösung ohne Zumischung
eines ferroelektrischen Keramikpulvers aufgebracht wird, danach eine Erwärmung
erfolgt und anschließend eine Schicht aus der Dispersion aufgebracht wird, und der
Schichtverbund dann gesintert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem Substrate aus Si, Al2O3, ZrO2 oder Edelstahl
eingesetzt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem eine Schicht aus der Dispersion auf eine
bereits eingebrannte arteigene Schicht aufgebracht und gemeinsam gesintert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Schicht zwischen zwei Elektroden
angeordnet ist oder nur auf einer Grundelektrode angeordnet ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Aufbringen der zwei unterschiedlichen
Schichten im Wechsel mehrmals wiederholt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem bei einem Mehrschichtaufbau
unterschiedliche Materialien eingesetzt werden, so daß ein Eigenschaftsgradient
entsteht.
7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ferroelektrische Keramikpulver in einer
Menge von 150 bis 500 Gew.-% von der Lösung eingebracht werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das ferroelektrische Keramikpulver aus
Glattscherben hergestellt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Erwärmung bei Temperaturen um 500°C
erfolgt.
10. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Sinterung bei Temperaturen um 700°C
durchgeführt wird.
Priority Applications (1)
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DE19817482A DE19817482C2 (de) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Verfahren zur Herstellung von Dickschichten aus ferroelektrischen Keramiken |
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DE19817482A DE19817482C2 (de) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Verfahren zur Herstellung von Dickschichten aus ferroelektrischen Keramiken |
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DE19817482A1 true DE19817482A1 (de) | 1999-10-21 |
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DE19817482A Expired - Lifetime DE19817482C2 (de) | 1998-04-20 | 1998-04-20 | Verfahren zur Herstellung von Dickschichten aus ferroelektrischen Keramiken |
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DE (1) | DE19817482C2 (de) |
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DE19817482C2 (de) | 2003-07-03 |
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