DE19815906A1 - Gehäuse für Leistungshalbleiter - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Bauelement, das einen Chip (2) auf einem Leadframe (1) mit mehreren Leads (4) umfaßt, wobei der Chip (2) mit einem oder mehreren Bonddrähten (3a, 3b) mit einzelnen der Leads (4) verbunden ist. DOLLAR A Um in dem Bauelement eine größere Oberfläche für Halbleiterchips zur Verfügung zu stellen, wird das gattungsgemäße Gehäuse erfindungsgemäß so weitergebildet, daß sowohl auf einer ersten (7) als auch auf einer zweiten Oberfläche (8) des Leadframes (1) jeweils mindestens ein Chip (9, 10) angeordnet ist.
Description
Die Erfindung betrifft ein Bauelement, das einen Chip auf ei
nem Leadframe mit mehreren Leads umfaßt, wobei der Chip mit
einem oder mehreren Bonddrähten mit einzelnen der Leads ver
bunden ist.
Bauelemente der genannten Art sind z. B. in ein TO220-Gehäuse
eingebaute Leistungshalbleiter. Bei diesem Gehäuse wird ein
Halbleiter-Chip mit auf einem "Leadframe" aufgelötet bzw.
aufgeklebt. Das Leadframe besteht aus mehreren "Leads", die
einerseits als elektrischer Anschluß des Chips nach außen
dienen und andererseits als mechanische Halterung für den
Chip dienen. Die Leads des Leadframes bestehen aus Cu oder
Cu-Legierungen. Nach dem Befestigen des Chips auf dem Lead
frame werden ein oder mehrere Drähte (Al, Cu oder Au etc.)
auf Kontaktflächen auf dem Chip, d. h. auf die Chippad's und
die entsprechenden Leads des Leadframes gebondet.
Ein Bauelement in einem TO220-Gehäuse ist in Fig. 2 im Quer
schnitt dargestellt. Das Leadframe ist mit 1 bezeichnet. Es
umfaßt mehrere Leads 4, die voneinander isoliert sind. Auf
dem Leadframe 1 ist ein Chip 2 angeordnet. Der Chip 2 ist mit
Bonddrähten 3a mit einzelnen der Leads 4 verbunden, die den
elektrischen Anschluß des Chips 2 nach außen darstellen. Zum
Schutz des Chips 2 und der feinen Bonddrähte 3a wird am Ende
des Herstellungsprozesses des Bauelements der Aufbau aus
Leadframe 1, Chip 2 und Bonddrähten 3a in einer Preßmasse 5
umhüllt.
Das Leadframe 1 dient neben der elektrischen Verbindung des
Chips 2 nach außen und der mechanischen Stabilisierung des
Aufbaus außerdem auch als Wärmesenke, in die die von dem Chip
2 erzeugte Wärme abfließt. Daher ist das Leadframe 1 mit ei
nem Kühlkörperfortsatz 11 versehen, mit dem eine Befestigung
des Leadframes 1 auf einem größeren Kühlkörper möglich ist.
Die Befestigung kann mittels Verschraubung oder Anklemmen er
folgen. Zur Vergrößerung der wärmeabstrahlenden Oberfläche
und zu Befestigungszwecken ist in dem Kühlkörperfortsatz 11
eine Bohrung 6 vorgesehen.
Die maximale Chipgröße des Chips 2 ist damit einerseits durch
die Größe des "heatsink" des Leadframes 1 bestimmt. Als
Grundfläche für den Chip 2 kann aber andererseits auch deswe
gen nicht die gesamte Oberfläche des Leadframes 1 ausgenutzt
werden, weil noch Metalloberfläche z. B. für die Haftung der
Preßmasse benötigt wird. Wird diese Oberfläche für die Haf
tung der Preßmasse auf dem Leadframe zu klein gewählt, so be
steht die Gefahr, daß sich die Preßmasse von dem Leadframe
löst und das Gehäuse zerstört wird. In einem Gehäuse vom Typ
TO220 z. B. haben Chips daher nur bis zu einer maximalen Grö
ße von etwa 25mm2 Platz.
Die Einschränkung der in dem Bauelement verfügbaren Fläche
für Chips ist nachteilig und verhindert den Einsatz von Halb
leiter-Chips mit größerer Oberfläche für höhere Leistungen
oder mit zusätzlichen Funktionen.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, das gattungs
gemäße Bauelement so weiterzubilden, daß in dem Bauelement
eine größere Oberfläche für Halbleiter-Chips zur Verfügung
steht.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch ein Bauelement
mit den Merkmalen nach Anspruch 1. Bevorzugte Ausführungsfor
men des erfindungsgemäßen Bauelements sind Gegenstand der Un
teransprüche.
Die Lösung beruht im wesentlichen darauf, daß nicht nur eine
Seite des Leadframes für die Chips verwendet wird, sondern
auch die zweite Seite. Durch die Ausnutzung beider Seiten des
Leadframes wird einerseits an sich bereits eine Verdopplung
der zur Verfügung stehenden Oberfläche erreicht. Andererseits
ergibt sich aus der erforderlichen beidseitigen Umpressung
des Leadframes mit den Chips, daß die für die Haftung der
Preßmasse auf dem Metall des Leadframes erforderliche Ober
fläche auf dem Leadframe reduziert werden kann. Mit anderen
Worten, die auf einer Seite des Leadframes zur Verfügung ste
hende Oberfläche kann zu einem höheren Grad ausgenutzt werden
als beim Stand der Technik.
Bei dem gattungsgemäßen Bauelement wird erfindungsgemäß so
wohl auf einer ersten als auch auf einer zweiten Oberfläche
des Leadframes jeweils mindestens ein Chip angeordnet.
Dabei können bei dem erfindungsgemäßen Bauelement mehrere
Chips auf jeweils einer Oberfläche des Leadframes angeordnet
werden. Dadurch kann das Bauelement für mehrere unterschied
liche Funktionen ausgelegt werden und an verschiedene Anfor
derungen angepaßt werden.
Der Vorteil des Bauelements liegt darin, daß die Montageflä
che für Halbleiter-Chips verdoppelt wird. Außerdem ist bei
Bauelementen mit symmetrisch umpreßten Gehäusen eine Umstel
lung der Werkzeuge für die Montage der Bauelemente für die
Weiterverarbeitung nicht erforderlich.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus
der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels,
bei der Bezug genommen wird auf die beigefügten Zeichnungen.
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bau
elements im Querschnitt.
Fig. 2 zeigt das bereits beschriebene Bauelement in einem
Aufbau nach dem Stand der Technik im Querschnitt.
In Fig. 1 ist eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bau
elements dargestellt. Gleiche Komponenten in der Darstellung
in Fig. 1 wie in der Darstellung in Fig. 2 sind mit den glei
chen Bezugszeichen versehen.
Das erfindungsgemäße Bauelement nach Fig. 1 unterscheidet
sich von dem Bauelement nach dem Stand der Technik in Fig. 2
dadurch, daß sich auf der oberen Seite und der unteren Seite
in der Figur jeweils ein Chip 9 und 10 befindet. Mit anderen
Worten, durch die Anordnung von Halbleiter-Chips sowohl auf
einer ersten Oberfläche 7 des Leadframes 1 als auch auf einer
zweiten Oberfläche 8 des Leadframes 1 wird die für die Posi
tionierung von Halbleiter-Chips verfügbare Fläche des Lead
frames 1 verdoppelt. Es können statt nur eines Chips 2 auf
dem Leadframe 1 zwei Chips 9 und 10 angeordnet werden.
Der Chip 9 auf der Oberseite des Leadframes 1 in Fig. 1 wird
wie beim Stand der Technik über Bonddrähte 3a je nach Ver
drahtungs- und Anschlußplan des Bauelements mit einigen der
Leads 4 verbunden. Der Chip 10 auf der Unterseite des Lead
frames 1 in Fig. 1 wird über Bonddrähte 3b je nach Funktion
des Chips mit den entsprechenden Leads 4 verbunden. Die Rei
henfolge des Bondens, also ob erst der obere Chip 9 und dann
der untere Chip 10 verdrahtet wird oder umgekehrt, hängt von
dem Montageverfahren der Chips bei der Herstellung des Bau
elements ab.
Der Einbau der Halbleiter-Chips 9 und 10 in das Gehäuse des
erfindungsgemäßen Bauelements erfordert gegenüber den Stand
der Technik keine wesentliche Modifikation des Herstellungs
verfahrens. Es kann z. B. eine Seite komplett montiert werden,
d. h. der Chip 9 auf dem Leadframe 1 positioniert werden und
gegebenenfalls das Drahtbonden bereits durchgeführt werden,
und anschließend kann das gleiche Verfahren auf der Rückseite
durchgeführt werden - wobei das Lot auf der Vorderseite 7 u. U.
nochmals aufgeschmolzen wird. Die Chips 9 und 10 werden
beim Aufschmelzen des Lots jedoch durch die Oberflächenspan
nung festgehalten. Auch beim Umdrehen des Leadframes, um nach
dem ersten Chip 9 den zweiten Chip 10 auf den Leadframe 1 zu
positionieren, kann damit der erste Chip 9 nicht verrutschen
oder herunterfallen, wobei davon ausgegangen wurde, daß sich
der erste Chip 9 sich beim Löten des zweiten Chips 10 auf der
Unterseite des Leadframes befindet. Beim Kleben der Chips 9
und 10 tritt das Problem der Haftung der Chips auf dem Lead
frame ohnehin nicht auf.
Die Reihenfolge der Montage (Löten, Kleben) der beiden Chips
9 und 10 und des Bondens der Drähte 3a und 3b ist beliebig
und stellt keine Einschränkung bei der Herstellung des erfin
dungsgemäßen Bauelements dar. Dem Fachmann sind darüber hin
aus mögliche Abänderungen des Herstellungsverfahrens für Bau
elemente mit dem gattungsgemäßen Aufbau zur Verbesserung beim
"Clamping" der Kontaktflächen und beim Drahtbonden der Leads
4 bekannt, die daher hier nicht weiter erläutert zu werden
brauchen.
Nach dem Umpressen des Leadframes 1 mit den darauf montierten
Chips 9 und 10, das nach dem Vorbild des Fullpack erfolgt,
ist eine geringe Wärmeabfuhr der von einem oder beiden der
Chips 9 und 10 erzeugten Wärme wie im Standardgehäuse nach
dem Stand der Technik möglich. Wegen der höheren zur Verfü
gung stehenden Chipfläche beim erfindungsgemäßen Bauelement
gegenüber dem Bauelement nach den Stand der Technik ist für
alle Anwendungen mit hohem Strom, die keine zusätzliche Küh
lung brauchen, das erfindungsgemäße Bauelement aber sehr gut
einsetzbar. Dabei sind Bauelemente, die keine zusätzliche
Kühlung benötigen, z. B. Bauelemente mit kleinem Einschaltwi
derstand.
Auch symmetrisch umpreßte Gehäuse, z. B. PDSO, brauchen für
die hier beschriebene Anwendung nicht geändert zu werden; der
Kunde, der kundenspezifische Chips 9 und 10 auf dem Leadframe
1 anbringt, braucht sein Montageequipment für die Anordnung
der Chips auf dem Leadframe 1 also nicht umzustellen.
In der Beschreibung wurde jeweils ein Chip 9 und 10 auf jeder
der Oberflächen des Leadframes 1 erläutert. Es können jedoch
selbstverständlich auch mehrere Chips auf jeder Oberfläche
angeordnet werden. Dadurch läßt sich das erfindungsgemäße
Bauelement an spezielle Anforderungen anpassen.
1
Leadframe
2
Chip
3
a Bonddraht oben
3
b Bonddraht unten
4
Lead/Draht
5
Preßmasse
6
Bohrung
7
erste Oberfläche des Leadframes
8
zweite Oberfläche des Leadframes
9
erster Chip
10
zweiter Chip
11
Kühlkörperfortsatz
Claims (3)
1. Bauelement, das einen Chip (2) auf einem Leadframe (1) mit
mehreren Leads (4) umfaßt, wobei der Chip (2) mit einem oder
mehreren Bonddrähten (3a, 3b) mit einzelnen der Leads (4)
verbunden ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
sowohl auf einer ersten (7) als auch auf einer zweiten Ober
flache (8) des Leadframes (1) jeweils mindestens ein Chip (9,
10) angeordnet ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
mehrere Chips (9, 10) auf jeweils einer Oberfläche (7, 8) des
Leadframes (1) angeordnet werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19815906A DE19815906A1 (de) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | Gehäuse für Leistungshalbleiter |
Applications Claiming Priority (1)
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DE19815906A DE19815906A1 (de) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | Gehäuse für Leistungshalbleiter |
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DE19815906A1 true DE19815906A1 (de) | 1999-10-14 |
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ID=7864086
Family Applications (1)
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DE19815906A Withdrawn DE19815906A1 (de) | 1998-04-08 | 1998-04-08 | Gehäuse für Leistungshalbleiter |
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---|---|
DE (1) | DE19815906A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10315532A1 (de) * | 2003-04-04 | 2004-11-11 | Infineon Technologies Ag | Stromsensorvorrichtung in integrierter Ausführung |
DE102010047128A1 (de) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Infineon Technologies Ag | Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes |
US9368434B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-06-14 | Infineon Technologies Ag | Electronic component |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996013855A1 (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-09 | National Semiconductor Corporation | A leadframe for an integrated circuit package which electrically interconnects multiple integrated circuit die |
US5640044A (en) * | 1994-04-15 | 1997-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing said semiconductor device |
-
1998
- 1998-04-08 DE DE19815906A patent/DE19815906A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5640044A (en) * | 1994-04-15 | 1997-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method of producing said semiconductor device |
WO1996013855A1 (en) * | 1994-10-27 | 1996-05-09 | National Semiconductor Corporation | A leadframe for an integrated circuit package which electrically interconnects multiple integrated circuit die |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10315532A1 (de) * | 2003-04-04 | 2004-11-11 | Infineon Technologies Ag | Stromsensorvorrichtung in integrierter Ausführung |
DE10315532B4 (de) * | 2003-04-04 | 2014-08-14 | Infineon Technologies Ag | Stromsensorvorrichtung in integrierter Ausführung und Verfahren zum Herstellen |
DE102010047128A1 (de) | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Infineon Technologies Ag | Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes |
US20120081109A1 (en) * | 2010-09-30 | 2012-04-05 | Infineon Technologies Ag | Hall sensor arrangement for the redundant measurement of a magnetic field |
US9151809B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-10-06 | Infineon Technologies Ag | Hall sensor arrangement for the redundant measurement of a magnetic field |
US9368434B2 (en) | 2013-11-27 | 2016-06-14 | Infineon Technologies Ag | Electronic component |
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