DE102010047128A1 - Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes - Google Patents

Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes Download PDF

Info

Publication number
DE102010047128A1
DE102010047128A1 DE201010047128 DE102010047128A DE102010047128A1 DE 102010047128 A1 DE102010047128 A1 DE 102010047128A1 DE 201010047128 DE201010047128 DE 201010047128 DE 102010047128 A DE102010047128 A DE 102010047128A DE 102010047128 A1 DE102010047128 A1 DE 102010047128A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
hall sensor
magnetic field
semiconductor substrate
sensor arrangement
hall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE201010047128
Other languages
English (en)
Inventor
Berthold Astegher
Helmut Wietschorke
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Priority to DE201010047128 priority Critical patent/DE102010047128A1/de
Priority to US13/249,301 priority patent/US9151809B2/en
Publication of DE102010047128A1 publication Critical patent/DE102010047128A1/de
Priority to US14/831,898 priority patent/US9678174B2/en
Priority to US15/472,343 priority patent/US10324143B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/09—Magnetoresistive devices
    • G01R33/093—Magnetoresistive devices using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B90/00—Instruments, implements or accessories specially adapted for surgery or diagnosis and not covered by any of the groups A61B1/00 - A61B50/00, e.g. for luxation treatment or for protecting wound edges
    • A61B90/08—Accessories or related features not otherwise provided for
    • A61B2090/0818—Redundant systems, e.g. using two independent measuring systems and comparing the signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

Eine Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) weist einen ersten Hallsensor (120) auf einer Oberseite eines ersten Halbleitersubstrats (110), einen zweiten Hallsensor (220) auf einer Oberseite eines zweiten Halbleitersubstrats (210) und einen Träger (330) mit einer Oberseite und einer Unterseite auf. Der erste Hallsensor (120) ist auf der Oberseite des Trägers (330) angeordnet, der zweite Hallsensor (220) ist auf der Unterseite des Trägers (330) angeordnet. Die Hallsensoren (120, 220) überlappen sich derart teilweise bis vollständig, dass die Hallsensoren (120, 220) dieselben Magnetfeldlinien messen.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes.
  • Magnetfeldsensoren haben ein weites Einsatzgebiet. Magnetfeldsensoren werden in Kombination mit Magnetfelderzeugern, wie einfachen Magneten, oft dazu verwendet Positionen von mechanischen Komponenten zu bestimmen. Im Automobil werden Magnetfeldsensoren oft dazu verwendet, Positionen rotatorischer Komponenten, wie Wellen oder translatorischer Komponenten, wie Ventilen zu bestimmen. Hallsensoren zeichnen sich, im Vergleich zu GMR-Sensoren, dadurch aus, dass Hallsensoren die Magnetfeldkomponente messen, die senkrecht zum Hallsensor ist.
  • Ein Einsatz in sicherheitsrelevanten Anwendungen erfordert eine höchste Betriebssicherheit der eingesetzten Komponenten, also auch eine höchste Betriebsicherheit bei Magnetfeldsensoren. Als Beispiel für die Anforderungen an sicherheitsrelevante Systeme, beziehungsweise Komponenten, sei die IEC 61508 zitiert, die in der Automobilindustrie ihre Anwendung findet.
  • Takehashi et al. zeigt in US 5783463 eine Anordnung und eine Methode ein Multi-Chip-Gehäuse zu realisieren, um ein leichteres und kleineres Gehäuse zu erhalten. Dieses Gehäuse ermöglicht kleinere und leichtere elektronische Maschinen.
  • Strack et al. zeigt in DE 19815906 ein Gehäuse für einen Leistungshalbleiter, in dem Bauelement eine größere Oberfläche für Halbleiterchips zur Verfügung steht.
  • Außerlechner zeigt in DE 10315532 eine Stromsensorvorrichtung in integrierter Ausführung. Eine stromdurchflossende Struktur erzeugt hierbei ein Magnetfeld, sodass ein Strom indirekt über das vom Strom erzeugte Magnetfeld gemessen wird. Die GMR-Sensoren sind über eine elektrische Verbindung miteinander verbunden. Da die durch den Strom erzeugten magnetischen Feldlinien den Stromleiter umschließen, ist ein Magnetfeldsensor erforderlich, der auf waagerechte magnetische Feldlinien in Bezug zum Magnetfeldsensor reagiert, so dass die Verwendung von GMR-Sensoren hier erforderlich ist.
  • Das Datenblatt des MLX90277 von Melexis beschreibt einen „Dual Programmable Linear Hall Effect Sensor" bei dem zwei diskrete CMOS ICs in einem einzigen Gehäuse elektrisch isoliert und unabhängig programmierbar angeordnet sind.
  • Der Einsatz von Magnetfeldsensoren in einem sicherheitsrelevanten Bereich, wie beispielsweise im Automobil, erfordert den Verzicht auf Komponenten, die Lebensdauer eines Magnetfeldsensors negativ beeinflussen können, wie beispielsweise feuchtigkeitssensitive Substanzen in einen Halbleitergehäuse.
  • Der Einsatz von Magnetfeldsensoren in einem sicherheitsrelevanten Bereich, wie beispielsweise im Automobil, erfordert zudem redundante bzw. teilweise redundante Systeme.
  • Trotz der hohen Anforderungen an Sicherheit, Zuverlässigkeit und Redundanz müssen Magnetfeldsensoren, insbesondere im Automobil, preisgünstig sein.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Magnetfeldsensor bereitzustellen, der redundant, zuverlässig, sicher und preisgünstig ist.
  • Diese Aufgabe wird durch eine Hallsensoranordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
  • Eine Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes weist einen ersten Hallsensor auf einer Oberseite eines ersten Halbleitersubstrats, einen zweiten Hallsensor auf einer Oberseite eines zweiten Halbleitersubstrats und einen Träger mit einer Oberseite und einer Unterseite auf. Der erste Hallsensor ist auf der Oberseite des Trägers angeordnet, der zweite Hallsensor ist auf der Unterseite des Trägers angeordnet. Die Hallsensoren sind derart angeordnet, dass die senkrecht auf den Träger projezierte messende Fläche des ersten Hallsensors sich zumindest teilweise mit der senkrecht auf den Träger projezierten messenden Fläche des zweiten Hallsensors überlappt.
  • Die Hallsensoren sind somit derart angeordnet dass die Hallsensoren dieselben Magnetfeldlinien eines von außen angelegten Magnetfeldes messen. Hallsensoren messen den senkrechten Anteil der Magnetfeldlinien, die die Hallsensoren durchdringen. Die Hallsensoranordnung bewirkt, dass die Hallsensoren nahezu dasselbe magnetische Feld messen, so dass die Messergebnisse der beiden Hallsensoren nahezu redundant zueinander sind. Je nachdem, wie weit sich die die senkrecht auf den Träger projezierten messenden Flächen des ersten Hallsensors und des zweiten Hallsensors überlappen, liegt eine teilweise oder vollständige Redundanz vor.
  • Ein Vorteil von Hallsensoren ist, dass Hallsensoren ohne großen Aufwand mit einer bestehenden Halbleitertechnologie gefertigt werden können, so dass es möglich ist einen Hallsensor mit einer komplexen integierten Schaltung in einem Halbleitersubstrat zu integrieren. Ein GMR-Sensor wird im Gegensatz dazu auf einer integrierten Schaltung aufgebracht, nachdem diese durch geeignete Mittel passiviert wurde. Der GMR-Sensor an sich muss durch weitere geeignete Mittel passiviert werden. Diese Passivierungsschichten haben den Nachteil, dass diese empfindlicher auf Feuchtigkeit reagieren als die abschließende Passivierung des Halbleitersubstarts.
  • Die erfindungsgemäße Hallsensoranordnung hat den weiteren Vorteil, dass die Hallsensoren mit ihren zumindest teilweise überlappenden Hallsensoren dieselben Magnetfeldanteile eines außerhalb angelegten Magnetfeldes messen, da ein von außen angelegtes Magnetfeld beide Hallsensoren gleichermaßen durchströmt. Die Hallsensoranordnung hat daher den Vorteil, dass eine vollständige Redundanz der Hallsensoren erreicht werden kann. Die Hallsensoranordnung weist den Vorteil auf, dass das Gehäuse zur Aufnahme der Hallsensoranordnung klein und kompakt ist. Ein kleines Gehäuse erweitert die Verwendbarkeit, mit Hinblick auf die zunehmende Miniaturisierung von elektronischen Platinen und Baugruppen, stark. Ein kleines Gehäuse ist, allein durch seine Größe, kleinen mechanischen Belastungen, wie Scher- und Biegekräften, ausgesetzt, was die Zuverlässigkeit einer solchen Hallsensoranordnung erhöht.
  • Ein weiterer Vorteil der Hallsensoranordnung besteht darin, dass zwischen den beiden Hallsensoren keine Folie aufgebracht werden muss, da beide Hallsensoren fest auf einem Substrat aufgebracht werden können. Durch den Verzicht auf Montagehilfen, ergibt sich ein flaches und in der Gesamtheit ausgewogenes Gehäuse.
  • Feuchtigkeitsensive Substanzen, wie beispielsweise Die-Attach-Folien, Poly-Immide als Passivierungsschichten können die Zerstörung eines Gehäuses begünstigen. Durch den Verzicht auf solche beispielhaften Montagehilfen ergibt sich als weiterer Vorteil, dass die Hallsensoranordnung unempfindlich gegenüber Feuchtigkeit ist, da es nur keine Gehäusebestandteile gibt, die Feuchtigkeit aufnehmen oder empfindlich gegenüber Feuchtigkeit sind. Durch diesen Verzicht bleibt das Gehäuse der Hallsensoranordnung klein und kompakt. Ein weiterer Vorteil der Hallsensoranordnung ergibt sich daraus, dass zur elektrischen Verbindung des oberen Hallsensors mit den Kontakten des Gehäuses nur kurze Bonddrähte nötig sind. Ein weiterer Vorteil einer erfindungsgemäßen Hallsensoranordnung ist, dass ein diese Hallsensoranordnung sehr gut ausbalanciert und nicht unwuchtig ist, was sich positiv auf das thermomechanische Verhalten auswirkt und damit auch positiv auf die Zuverlässigkeit auswirkt.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel der Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes können die Hallsensoren von einer Pressmasse vollständig umschlossen sein. Als besonderer Vorteil ergibt sich, dass neben der standardmäßigen Passivierung der Hallsensoren, z. B. Oxid-, Nitrid-, Immid-Passivierungen auf dem Halbleitersubstrat verwendeten Passivierungen, keine weiteren Passivierungen verwendet werden müssen. Als weiterer besonderer Vorteil ergibt sich, dass neben einer standardmäßigen Pressmasse, weder eine besondere Pressmasse noch ein besonderes Verfahren zur Umschließung der Hallsensoranordnung verwendet werden muss.
  • Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel können das erste und das zweite Halbleitersubstrat der Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes eine integrierte Schaltung aufweisen.
  • Das erste und das zweite Halbleitersubstrat der Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes können gegeneinander verdreht angeordnet sein.
  • Die Halbleitersubstrate der Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes weisen eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite auf, wobei Halbleitersubstrate mit ihren Unterseiten auf dem Träger angeordnet sein können.
  • Die Unterseiten der Halbleitersubstrate der Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes können mit einem isolierenden Kleber auf dem Träger befestigt sein.
  • Die Hallsensoranordnung kann Kontaktstreifen aufweisen und die Hallsensoren können elektrische Kontakte zum Bereitstellen eines Hallsignals aufweisen. Die elektrischen Kontakte des ersten und des zweiten Hallsensors sind an eigene Kontaktstreifen angeschlossen. Durch diese Anordnung können die Hallsensoren unabhängig voneinander angeschlossen werden, so dass auch die Messwerte der Hallsensoren unabhängig voneinander ausgelesen werden können. Die Hallsensoren können also redundant ausgelesen werden. Eine integrierte Schaltung kann die Betriebsparameter der Hallsensoren einstellen. Das erste Halbleitersubstrat kann lediglich einen Hallsensor aufweisen, während das zweite Halbleitersubstrat eine integrierte Schaltung zur Ansteuerung des ersten und des zweiten Hallsensors aufweist.
  • Die Halbleitersubstrate können elektrische Kontakte zum Bereitstellen elektrischer Signale aufweisen, wobei die elektrischen Kontakte des ersten und des zweiten Halbleitersubstrats an eigene Kontaktstreifen angeschlossen sind. Durch diese Anordnung können nicht nur die Hallsensoren, sondern auch die integrierten Schaltungen unabhängig voneinander angeschlossen werden, so dass sowohl die Messwerte der Hallsensoren als die Einstellungen der Hallsensoren unabhängig voneinander ausgelesen und eingestellte werden können. Die Halbleitersubstrate mit den Hallsensoren und den integrierten Schaltungen können identisch sein. Durch diese Anordnung wird eine vollständige Redundanz erreicht.
  • Die Kontaktstreifen zur elektrischen Verbindung des ersten und des zweiten Halbleitersubstrats sind auf gegenüberliegenden Seiten des Trägers angeordnet. Dadurch entsteht eine symmetrische Kontaktieranordnung und die Abmessungen des Gehäuses sind etwas kleiner als bei einer einseitigen Herausführung der Kontaktstreifen. Außerdem entsteht so ein echtes SMD konformes Bauteil. Die Anordnung aller Kontakte auf einer Seite kann beim Auflöten eines Bauteiles dazu führen, das sich der Gehäusekörper aufstellt (Tombstone Effekt), was bei der niedrigen Einbauhöhe zu Problemen beim Kunden führen kann.
  • Ausführungsformen werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen näher erläutert, in denen
  • 1 eine Aufsicht einer bekannten Anordnung von Hallsensoren zeigt,
  • 2 eine Seitenansicht im Schnitt einer bekannten Anordnung von Hallsensoren zeigt,
  • 3 eine Aufsicht einer Hallsensorenanordnung zeigt,
  • 4 eine Seitenansicht im Schnitt einer Hallsensoranordnung zeigt.
  • 1 und 2 zeigen zwei Hallsensoren 120, 220 auf zwei Halbleitersubstraten 110, 210 die auf einer Seite eines Trägers 330 angeordnet sind. Die Hallsensoren 120, 220 messen nicht dasselbe Magnetfeld 500, so dass diese Anordnung nur nahezu redundant ist. Diese Anordnung weist den Nachteil auf, dass das Gehäuse 320 zur Aufnahme beider Hallsensoren 120, 220 entsprechend größer, als bei einem einzelnen Hallsensor gewählt werden muss. Ein großes Gehäuse 320 schränkt, auch mit Hinblick auf die zunehmende Miniaturisierung von elektronischen Platinen und Baugruppen, die Verwendbarkeit stark ein. Ein größeres Gehäuse 320 ist zudem, allein durch seine Größe, größeren mechanischen Belastungen, wie Scher- und Biegekräften, ausgesetzt, was die Zuverlässigkeit einer solchen Hallsensoranordnung herabsetzt.
  • 3 und 4 zeigen eine Aufsicht und eine Seitenansicht im Schnitt eines Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Hallsensoranordnung. Das Ausführungsbeispiel einer Hallsensoranordnung weist einen Träger 330 auf, auf dem die Halbleitersubstrate 110, 210 mit ihren Rückseiten angeordnet sind. Auf den Oberseiten der Halbleitersubstrate 110, 210 sind Hallsensoren 120, 220 angeordnet. In der Seitenansicht in 4 ist gezeigt, dass die Hallsensoren 120, 220 zum Messen eines Magnetfeldes 500 überlappend angeordnet sind. Die Halbleitersubstrate 110, 210 werden von einer Pressmasse umschlossen, welches die Außenmaße des Gehäuses 320 bestimmt.
  • Zur elektrischen Verbindung sind Kontaktstreifen 310 vorgesehen, die mit Bonddrähten 330 mit den Halbeleitersubstraten 110, 210 verbunden sind.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 5783463 [0004]
    • DE 19815906 [0005]
    • DE 10315532 [0006]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • IEC 61508 [0003]
    • Datenblatt des MLX90277 von Melexis beschreibt einen „Dual Programmable Linear Hall Effect Sensor” [0007]

Claims (10)

  1. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500), umfassend: einen ersten Hallsensor (120) auf einer Oberseite eines ersten Halbleitersubstrats (110), einen zweiten Hallsensor (220) auf einer Oberseite eines zweiten Halbleitersubstrats (210), einen Träger (330) mit einer Oberseite und einer Unterseite, wobei der erste Hallsensor (120) auf der Oberseite des Trägers (330) angeordnet ist und der zweite Hallsensor (220) auf der Unterseite des Trägers (330) angeordnet ist und wobei die senkrecht auf den Träger projezierte messende Fläche des ersten Hallsensors (120) sich zumindest teilweise mit der senkrecht auf den Träger projezierten messenden Fläche des zweiten Hallsensors (220) überlappt.
  2. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach Anspruch 1, die senkrecht auf den Träger projezierte messende Fläche des ersten Hallsensors (120) sich im wesentlichen vollständig mit der senkrecht auf den Träger projezierten messenden Fläche des zweiten Hallsensors (220) überlappt.
  3. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach einen der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine Pressmasse, den ersten Hallsensor (120) und den zweiten Hallsensor (220) vollständig umschließt
  4. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach einen der vorhergehenden Ansprüche, wobei die das erste (110) und das zweite Halbleitersubstrat (210) eine integrierte Schaltung aufweisen.
  5. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach einen der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste (110) und das zweite Halbleitersubstrat (210) gegeneinander verdreht angeordnet sind.
  6. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach einen der vorhergehenden Ansprüche, wobei das erste (110) und das zweite Halbleitersubstrat (210) eine der Oberseite gegenüberliegende Unterseite aufweisen, wobei das erste (110) und das zweite Halbleitersubstrat (210) mit ihren Unterseiten auf dem Träger (330) angeordnet sind.
  7. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach einen der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Unterseiten des ersten (110) und des zweiten Halbleitersubstrats (210) mit einem isolierenden Kleber auf dem Träger (330) befestigt sind.
  8. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach einen der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Hallsensoranordnung (320) Kontaktstreifen (310) aufweist und das erste und das zweite Halbleitersubstrat (110, 210) elektrische Kontakte zum Bereitstellen eines Hallsignals aufweisen, wobei die elektrischen Kontakte des ersten und des zweiten Halbleitersubstrats (110, 210) zum Bereitstellen elektrischer Signale, an eigene Kontaktstreifen (310) angeschlossen ist
  9. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach einen der vorhergehenden Ansprüche, das erste und das zweite Halbleitersubstrate (110, 210) elektrische Kontakte zum Bereitstellen elektrischer Signale aufweisen, wobei die elektrischen Kontakte des ersten und des zweiten Halbleitersubstrats (110, 210) zum Bereitstellen elektrischer Signale, an eigene Kontaktstreifen (310) angeschlossen sind.
  10. Hallsensoranordnung (320) zum redundanten Messen eines Magnetfeldes (500) nach Anspruch 8 oder 9, wobei die Kontaktstreifen (310) des ersten Halbleitersubstrats (110) den Kontaktstreifen des zweiten Halbleitersubstrats (210) auf dem Gehäuse (320) gegenüberliegend angeordnet sind.
DE201010047128 2010-09-30 2010-09-30 Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes Withdrawn DE102010047128A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201010047128 DE102010047128A1 (de) 2010-09-30 2010-09-30 Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes
US13/249,301 US9151809B2 (en) 2010-09-30 2011-09-30 Hall sensor arrangement for the redundant measurement of a magnetic field
US14/831,898 US9678174B2 (en) 2010-09-30 2015-08-21 Method for redundantly measuring a magnetic field
US15/472,343 US10324143B2 (en) 2010-09-30 2017-03-29 Apparatus for redundantly measuring a magnetic field

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201010047128 DE102010047128A1 (de) 2010-09-30 2010-09-30 Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102010047128A1 true DE102010047128A1 (de) 2012-04-05

Family

ID=45832508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201010047128 Withdrawn DE102010047128A1 (de) 2010-09-30 2010-09-30 Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes

Country Status (2)

Country Link
US (3) US9151809B2 (de)
DE (1) DE102010047128A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016128175A3 (de) * 2015-02-10 2016-10-13 Robert Bosch Gmbh Sensorgehäuse für eine radsensorvorrichtung, radsensorvorrichtung und deren anbindungskomponente
WO2017178216A1 (de) * 2016-04-15 2017-10-19 Continental Teves Ag & Co. Ohg Raddrehzahlsensor
WO2017178215A1 (de) * 2016-04-15 2017-10-19 Continental Teves Ag & Co. Ohg Raddrehzahlsensor und befestigungssystem zur montage eines raddrehzahlsensors
CN107402094A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 株式会社捷太格特 传感器单元、集磁模块以及传感器装置
CN113608152A (zh) * 2016-12-16 2021-11-05 迈来芯电子科技有限公司 磁传感器

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202014103355U1 (de) * 2014-07-22 2014-08-19 Infineon Technologies Ag Eine Vorrichtung und ein System zum Detektieren einer physikalischen Größe
DE102014016565B3 (de) * 2014-11-11 2015-11-12 Micronas Gmbh Schaltkreisgehäuse
WO2018012272A1 (ja) 2016-07-12 2018-01-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 磁気センサとこれを用いた検出装置
DE102017124542B4 (de) * 2017-10-20 2023-12-21 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensoranordnung und verfahren zum messen eines externen magnetfelds
JP6809442B2 (ja) * 2017-11-27 2021-01-06 Tdk株式会社 センサシステム、センサモジュールおよびセンサシステムの実装方法
US11112273B2 (en) 2018-10-25 2021-09-07 KSR IP Holdings, LLC Two magnet sensor systems
JP2021064780A (ja) * 2019-10-11 2021-04-22 メレキシス テクノロジーズ エス エーＭｅｌｅｘｉｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＳＡ 積層ダイアセンブリ
DE102021120054A1 (de) 2021-08-02 2023-02-02 Infineon Technologies Ag Sensor-chip mit einer mehrzahl an integrierten sensorschaltkreisen
CN113759295A (zh) * 2021-08-06 2021-12-07 苏州矩阵光电有限公司 集成式霍尔磁传感器及其制造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5783463A (en) 1994-04-15 1998-07-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of producing said semiconductor device
DE19815906A1 (de) 1998-04-08 1999-10-14 Siemens Ag Gehäuse für Leistungshalbleiter
EP1382935A1 (de) * 2002-07-19 2004-01-21 Fernsteuergeräte Kurt Oelsch GmbH Redundanter Drehwinkelsensor mit zwei magnetoresistiven Sensorelementen
DE10315532A1 (de) 2003-04-04 2004-11-11 Infineon Technologies Ag Stromsensorvorrichtung in integrierter Ausführung
DE102005060713A1 (de) * 2005-12-19 2007-06-21 Austriamicrosystems Ag Magnetfeldsensoranordnung und Verfahren zur berührungslosen Messung eines Magnetfeldes
DE102006032277A1 (de) * 2006-07-12 2008-01-17 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensorbauelement

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02192781A (ja) * 1989-01-20 1990-07-30 Mitsubishi Electric Corp ホール素子および磁気センサシステム
KR930010072B1 (ko) * 1990-10-13 1993-10-14 금성일렉트론 주식회사 Ccd패키지 및 그 제조방법
DE19817356A1 (de) * 1998-04-18 1999-10-21 Bosch Gmbh Robert Winkelgeber und Verfahren zur Winkelbestimmung
JP3522177B2 (ja) * 2000-02-21 2004-04-26 株式会社三井ハイテック 半導体装置の製造方法
DE20018538U1 (de) * 2000-10-27 2002-03-07 Mannesmann Vdo Ag Sensormodul
JP4637380B2 (ja) * 2001-02-08 2011-02-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
EP1717195B1 (de) * 2001-11-09 2011-09-14 WiSpry, Inc. MEMS-Schalter mit dreischichtigem Biegebalken und diesbezügliche Verfahren
US6777926B2 (en) * 2002-08-02 2004-08-17 Honeywell International Inc. Phase stability of non-sinusoidal signals utilizing two differential halls
US20070040803A1 (en) * 2005-08-17 2007-02-22 Sauer-Danfoss Inc. Method of joining a sintered magnet to a pivot arm
WO2007023852A1 (ja) * 2005-08-24 2007-03-01 Fujitsu Limited 半導体装置及びその製造方法
US7116101B1 (en) * 2005-12-20 2006-10-03 Honeywell International Inc. Specific location of hall chips for sensing redundant angular positions
US7768083B2 (en) * 2006-01-20 2010-08-03 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for an integrated sensor
DE102006046984A1 (de) * 2006-10-04 2008-04-10 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements mit einem Winkelsensor
US8093670B2 (en) * 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
KR101956406B1 (ko) * 2011-07-14 2019-03-08 콘티넨탈 테베스 아게 운트 코. 오하게 전류를 측정하기 위한 디바이스
DE202014103355U1 (de) * 2014-07-22 2014-08-19 Infineon Technologies Ag Eine Vorrichtung und ein System zum Detektieren einer physikalischen Größe

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5783463A (en) 1994-04-15 1998-07-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method of producing said semiconductor device
DE19815906A1 (de) 1998-04-08 1999-10-14 Siemens Ag Gehäuse für Leistungshalbleiter
EP1382935A1 (de) * 2002-07-19 2004-01-21 Fernsteuergeräte Kurt Oelsch GmbH Redundanter Drehwinkelsensor mit zwei magnetoresistiven Sensorelementen
DE10315532A1 (de) 2003-04-04 2004-11-11 Infineon Technologies Ag Stromsensorvorrichtung in integrierter Ausführung
DE102005060713A1 (de) * 2005-12-19 2007-06-21 Austriamicrosystems Ag Magnetfeldsensoranordnung und Verfahren zur berührungslosen Messung eines Magnetfeldes
DE102006032277A1 (de) * 2006-07-12 2008-01-17 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensorbauelement

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Datenblatt des MLX90277 von Melexis beschreibt einen "Dual Programmable Linear Hall Effect Sensor"
IEC 61508

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016128175A3 (de) * 2015-02-10 2016-10-13 Robert Bosch Gmbh Sensorgehäuse für eine radsensorvorrichtung, radsensorvorrichtung und deren anbindungskomponente
US10509050B2 (en) 2015-02-10 2019-12-17 Robert Bosch Gmbh Sensor housing for a wheel sensor device, wheel sensor device and connecting component thereof
WO2017178216A1 (de) * 2016-04-15 2017-10-19 Continental Teves Ag & Co. Ohg Raddrehzahlsensor
WO2017178215A1 (de) * 2016-04-15 2017-10-19 Continental Teves Ag & Co. Ohg Raddrehzahlsensor und befestigungssystem zur montage eines raddrehzahlsensors
US10890597B2 (en) 2016-04-15 2021-01-12 Continental Teves Ag & Ohg Wheel rotational-speed sensor and fastening system for mounting a wheel rotational-speed sensor
CN107402094A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 株式会社捷太格特 传感器单元、集磁模块以及传感器装置
CN107402094B (zh) * 2016-05-19 2021-11-16 株式会社捷太格特 传感器单元、集磁模块以及传感器装置
CN113608152A (zh) * 2016-12-16 2021-11-05 迈来芯电子科技有限公司 磁传感器
CN113608152B (zh) * 2016-12-16 2022-08-02 迈来芯电子科技有限公司 磁传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US9678174B2 (en) 2017-06-13
US9151809B2 (en) 2015-10-06
US20170269171A1 (en) 2017-09-21
US20120081109A1 (en) 2012-04-05
US20150355292A1 (en) 2015-12-10
US10324143B2 (en) 2019-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102010047128A1 (de) Hallsensoranordnung zum redundanten Messen eines Magnetfeldes
WO2015082333A1 (de) Verbindung elektrischer leitungen mit elektrischen kontakten
DE102007032139A1 (de) Steuervorrichtung mit Positionssensor
DE102007044620A1 (de) Anordnung mit einer Verbindungseinrichtung und mindestens einem Halbleiterbauelement
EP3292593B1 (de) Elektrische verbindungsanordnung
EP3109951A1 (de) Elektrische baueinheit, verbindungseinheit mit mindestens einer elektrischen baueinheit, fahrzeug damit und verfahren zum herstellen einer elektrischen baueinheit
EP2765840A2 (de) Schaltungsanordnung
DE102012203281A1 (de) Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul, mit einer Treibereinrichtung und einer Elektronikplatine hierin
DE102017006406B4 (de) Gehäustes IC-Bauelement
DE102007031562B4 (de) Gehäuse mit einem elektrischen Modul
DE112006000196B4 (de) Rotationsdetektor
DE102013202898B4 (de) Sensorkomponente für einen Drucksensor
DE102011055223B3 (de) Unmittelbare Kontaktierung eines Energiespeichers oder einer Last mittels eines elektronischen Lastschalters
EP2332396B1 (de) Gehäuse für eine elektrische schaltung
WO2019120691A1 (de) Steuergerät für eine elektrische maschine
DE10123198A1 (de) Anordnung aus einem Gehäuse und einem Schaltungsträger
DE102007016536B4 (de) Vorrichtung zur Messung eines in einem Druckmedium herrschenden Drucks
DE102008000889A1 (de) Wegbausensor und Verfahren zur Herstellung eines Wegbausensors mittels Einlegen und kraft-/formschlüssiger Verbindung
DE102015222266A1 (de) Elektromechanischer Stellantrieb mit redundantem elektronischen Teilsystem
EP1816440B1 (de) Elektronische Baugruppe
EP3250893B1 (de) Sensor mit symmetrisch eingebetteten sensorelementen
DE102019205038A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Lichtquelle für eine Sensoreinheit einer Positionsmesseinrichtung sowie eine Positionsmesseinrichtung
DE102015218171B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Komponente und elektronische Komponente
DE102012111334A1 (de) Potentialausgleich in einem Steuergerät für ein Kraftfahrzeug
DE102004061099B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit ESD-Schutzbeschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20130403