DE19810060A1 - Verfahren zur Verbindung eines Bauelements mit einem Substrat und eine damit hergestellte elektrische Schaltung - Google Patents
Verfahren zur Verbindung eines Bauelements mit einem Substrat und eine damit hergestellte elektrische SchaltungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
Verbindung eines Bauelements mit einem Substrat und auf eine
elektrische Schaltung, die unter Verwendung dieses Verfah
rens erzeugt wurde. Insbesondere bezieht sich die Erfindung
auf ein Verfahren zur Verbindung eines Bauelements mit einem
Substrat in Flip-Chip-Technologie.
Bei der bekannten Flip-Chip-Technologie werden die Chips
bzw. Bauelemente mit der aktiven Seite nach unten auf einem
Substrat angebracht. Zur Erhöhung der Zuverlässigkeit wird
ein Unterfüller bzw. Underfiller in den Spalt zwischen dem
Bauelement und dem Substrat eingebracht, wobei das hierfür
verwendete Epoxid-Harz direkt an dem Rand des Bauelements
abgesetzt oder "dispenst" wird, und dasselbe infolge der Ka
pillarkräfte unter den Spalt fließt, bis dieser komplett ge
füllt ist.
Ein Nachteil dieser Technologie besteht darin, daß Gassenso
ren, Feuchtesensoren und Sensoren, die eine direkte atmos
phärische Einwirkung für ihre Funktion benötigen, nicht in
Flip-Chip-Technologie unter Verwendung eines Unterfüllers
eingesetzt werden können. Diese werden ohne Unterfüller di
rekt auf das Substrat, z. B. ein Siliziumsubstrat, gesetzt,
oder in konventioneller Drahtbondtechnik mit der aktiven
Seite nach oben angebracht.
Ein weiterer Nachteil dieser Technologie besteht darin, daß
bei der Reinigung des Spalts zwischen dem Bauelement und dem
Substrat mittels eines Reinigungsmittels die Reinigung un
vollständig ist, da der Spalt zu eng ist, und daher ledig
lich ein ungenügender Durchfluß von Reinigungsmittel er
folgt. Dies gilt ebenso für das Trockenblasen nach der Rei
nigung.
Wiederum ein weiterer Nachteil dieser Technologie besteht
darin, daß beim Absetzen oder "Dispensen" des Unterfüllers
an den Rand des Bauelements und beim Eindringen des Unter
füllers in den Spalt durch Kapillarkräfte das Fließen des
Unterfüllers sehr viel Zeit in Anspruch nimmt, und somit die
Prozeßzeit verlängert wird.
Ein anderer Nachteil der bekannten Flip-Chip-Technologie be
steht darin, daß Lufteinschlüsse durch unterschiedlich
schnelles Fließen des Unterfüllers oder aufgrund des Ab
setzens des Unterfüllers an allen Chipkanten, so daß die
Luft, die sich unter dem Chip befindet, unter Umständen
nicht mehr vollständig entweichen kann, entstehen können.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein
Verfahren zur Verbindung eines Bauelements mit einem Sub
strat und eine elektrische Schaltung, die unter Verwendung
dieses Verfahrens erzeugt wird, zu schaffen, wobei die dem
Substrat zugewandte Seite des Bauelements vorübergehend oder
dauerhaft zugänglich ist, und ein verbessertes Reinigen und
Unterfüllen des Spalts zwischen Bauelement und Substrat er
möglicht wird.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren zur Verbindung eines
Bauelements mit einem Substrat gemäß Anspruch 1 und eine
elektrische Schaltung gemäß Anspruch 24 gelöst.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde,
daß durch das Vorsehen einer Öffnung in dem Substrat, die
optional eine Barriere an ihrem Rand aufweist, eine verbes
serte Reinigung des Spalts zwischen Bauelement und Substrat
erfolgen kann, und daß Gassensoren, Feuchtesensoren und Sen
soren, die eine direkte atmosphärische Einwirkung für ihre
Funktion benötigen, dadurch in Flip-Chip-Technologie aufge
baut werden können.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß
ein Reinigen des Zwischenraums oder Spalts zwischen dem
Bauelement und dem Substrat von Flußmittelrückständen und
ein Trockenblasen desselben durch Zuführen des Reinigungs
mittels bzw. der Luft, z. B. Stickstoff, in die Öffnung von
der Rückseite des Substrats erfolgen kann. Dies geschieht in
vorteilhafter Weise z. B. durch Einspritzen des Reinigungs
mittels von der Unterseite des Substrats und/oder durch An
saugen desselben von der Oberseite.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht dar
in, daß an der Öffnung ein Unterdruck angelegt werden kann,
um die Fließgeschwindigkeit des Unterfüllers zu erhöhen,
oder darin, daß der Unterfüller durch die Öffnung eingepreßt
oder von oben angesaugt werden kann, wodurch Lufteinschlüsse
minimiert werden.
Wiederum ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung be
steht darin, daß an allen Kanten des Bauelements Unterfüller
abgesetzt werden kann, da die durch den Unterfüller ver
drängte Luft über die Öffnung in dem Substrat entweichen
kann, womit die Gefahr von Lufteinschlüssen verringert wird.
Ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht dar
in, daß durch das schnellere Fließen des Unterfüllers, oder
dadurch, daß der Unterfüller bedingt durch den Bereich der
Öffnung nicht mehr unter den gesamten Chip fließen muß, die
Prozeßzeiten mehr als halbiert werden.
Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht weiterhin
darin, daß über der Öffnung in dem Substrat Bauelemente an
geordnet werden können, die Luft (Dielektrizitätskonstante
1) als umgebendes Medium, wie z. B. HF-Bauelemente, oder ei
ne direkte atmosphärische Einwirkung für ihre Funktion benö
tigen.
Bevorzugte Weiterbildungen sind in den Unteransprüchen defi
niert.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Substrat und ein Bauelement, die gemäß der vor
liegenden Erfindung verbunden wurden;
Fig. 2 die Anordnung von Fig. 1 nach dem Schritt des Un
terfüllens;
Fig. 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Anordnung
mit einem optisch transparenten Unterfüller mit in
tegrierter Linse;
Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel einer Anordnung eines Sub
strats und eines Bauelements, bei der das Substrat
eine Barriere aufweist;
Fig. 5 ein Ausführungsbeispiel einer Anordnung eines Sub
strats und eines Bauelements, bei der das Bauele
ment eine Barriere aufweist;
Fig. 6 ein Ausführungsbeispiel einer Anordnung eines Sub
strats und eines Bauelements, bei der das Substrat
eine eingesteckte Hülse aufweist;
Fig. 7 eine optische Anordnung, die gemäß der vorliegenden
Erfindung hergestellt wurde;
Fig. 8 eine optische Anordnung aus einem LED-Bauelement,
einem Substrat und einer Linse;
Fig. 9 eine optische Anordnung aus einem optischen Bauele
ment und einem daran angekoppelten Faserstecker;
Fig. 10 eine Anordnung mit einem optischen Bauelement und
einer Kugellinse;
Fig. 11 eine Anordnung mit einem Bauelement und einem
Schutzgitter;
Fig. 12 eine Anordnung mit einem Bauelement und einer gas
durchlässigen Membran;
Fig. 13 eine Anordnung mit einem Bauelement und einer bieg
samen Membran;
Fig. 14 eine Anordnung mit einem Bauelement und einer che
misch aktiven Füllung in der Öffnung im Substrat;
Fig. 15 eine weitere Anordnung mit einem Bauelement und ei
ner wärmeleitenden Füllung in der Öffnung im Sub
strat;
Fig. 16 eine Anordnung, bei der das Bauelement eine Ab
deckung aufweist; und
Fig. 17 eine Anordnung eines Substrats und eines EPROMs.
In der nachfolgenden Beschreibung sind gleiche Elemente und
Teile in den Zeichnungen mit gleichen Bezugszeichen verse
hen.
Fig. 1 zeigt ein Bauelement 100 und ein Substrat 102, die
gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verbunden
wurden, wobei der Schritt des Unterfüllens noch nicht ausge
führt ist.
Bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung wird zunächst
das Substrat 102 bereitgestellt, das eine Öffnung 104 auf
weist, die sich von einer ersten Hauptoberfläche 106 des
Substrats 102 zu einer zweiten Hauptoberfläche 108 des Sub
strats 102 erstreckt. Der Durchmesser der Öffnung 104 im
Substrat 102 liegt im Bereich von 50 µm bis zu mehreren Mil
limetern, abhängig von der Größe der nicht mit Lötperlen
oder Bumps versehenen Fläche unter dem Bauelement 100 oder
dem Chip. Das Bauelement 100 wird mit dem Substrat 102 mit
tels eines Lotmaterials 110 derart verbunden, daß das Bau
element 100 über der Öffnung 104 in dem Substrat 102 ange
ordnet ist, so daß sich zwischen dem Bauelement 100 und dem
Substrat 102 ein Zwischenraum 112 einstellt. Das Bauelement
100 weist auf einer ersten Hauptoberfläche 116 Anschlußflä
chen 114 auf. Das Substrat 102 weist auf der ersten Haupt
oberfläche 106 um die Öffnung 104 herum Anschlußflächen 118
auf, deren Anordnung der Anordnung der Anschlußflächen 114
auf dem Bauelement 100 entspricht. Beim Verbinden des Bau
elements 100 mit dem Substrat 102 wird das Lotmaterial 110
auf die Anschlußflächen 114, 118 des Bauelements 100 und des
Substrats 102 aufgebracht, wobei das Bauelement 100 vor dem
Verbinden mit dem Substrat 102 ausgerichtet wird. An
schließend wird der Zwischenraum 112 bzw. der Spalt zwischen
dem Bauelement 100 und dem Substrat 102 von Flußmittelrück
ständen durch Zuführen eines Reinigungsmittels über die
Öffnung 104, z. B. von der zweiten Hauptoberfläche 108 des
Substrats 102 aus, gereinigt, und anschließend wird der Zwi
schenraum 112 trockengeblasen.
Optional kann die Öffnung 104 eine Metallisierung oder eine
Durchkontaktierung 120 einer Innenkante 122 aufweisen, die
sich bis auf die zweite Hauptoberfläche 108 des Substrats
102 erstreckt.
Die Öffnung 104 dient zum Reinigen des Zwischenraums 112, um
Flußmittelrückstände zu entfernen, zum Trocknen nach dem
Reinigen und zum Unterfüllen.
Beim dem Schritt des Reinigens und Trockenblasens wird das
Reinigungsmittel in vorteilhafter Weise z. B. durch Ein
spritzen durch die Öffnung 104 von der zweiten Hauptoberflä
che 108 des Substrats 102 und/oder durch Ansaugen von der
ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 zugeführt, so
daß ein besserer Durchfluß des Reinigungsmittels erfolgt.
Fig. 2 zeigt die Anordnung aus Fig. 1 nach den Schritten des
Reinigens und Trocknens des Zwischenraums 112 zwischen dem
Bauelement 100 und dem Substrat 102 und nach dem Einbringen
eines Unterfüllers 124 in den Zwischenraum 112 und in die
Öffnung 104. Die Öffnung 104 im Substrat 102 ist nach dem
Unterfüllen geschlossen.
Beim dem Schritt des Unterfüllens wird an die Öffnung 104
ein Unterdruck angelegt, um die Fließgeschwindigkeit des Un
terfüllers 124 zu erhöhen. Anstelle des Anlegens eines Un
terdrucks an die Öffnung 104 kann der Unterfüller 124 durch
die Öffnung 104 eingepreßt werden, oder der Unterfüller 124
kann von der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102
aus durch einen Randspalt 126, 128 zwischen einer Kante 130,
132 der Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 und der er
sten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 angesaugt werden.
Dies minimiert die Bildung von Lufteinschlüssen.
Nach dem Unterfüllen des Bauelements 104 bildet der Unter
füller 124 in dem Bereich des Randspalts 126 bzw. 128 einen
ersten und einen zweiten Randbereich 133a, 133b, die sich
von der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 zu der
ersten Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 erstrecken,
wobei der erste Randbereich 133a einen ersten Winkel mit der
ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 bildet, und der
zweite Randbereich 133b einen zweiten Winkel mit der ersten
Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 bildet.
Wird ein optisch transparenter Unterfüller 124 verwendet,
kann die Öffnung 104 für die Integration von Linsen 134, wie
es in der Fig. 3 dargestellt ist, und anderen optisch passi
ven Bauelementen genutzt, und mit dem Unterfüller 124 ver
schlossen werden. Die Öffnung 104 kann außerdem unter Ver
wendung eines optisch transparenten Unterfüllers 124 für das
Löschen von EPROMs mittels UV-Licht verwendet werden, um
diese neu zu programmieren, wobei dabei die aktive erste
Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 bzw. des EPROMs 100
über der Öffnung 104 angeordnet ist. Ist die Innenkante 122
der Öffnung 104 metallisiert oder durchkontaktiert, so kann
die Öffnung 104 zusätzlich zur elektrischen Kontaktierung
aber auch zur Wärmeleitung dienen.
Die Randbereiche 133a, 133b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 2 ausgebildet.
In Fig. 4 ist ein mit dem Substrat verbundenes Bauelement
dargestellt. Zwischen dem Bauelement 100 und dem Substrat
102 ist benachbart zu einem Rand 138 der Öffnung 104 eine
Barriere angeordnet, und der Unterfüller 124 wird von der
ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 durch die Rand
spalten 126, 128 eingebracht. Die Öffnung 104 im Substrat
102 wird durch den Unterfüller 124 nicht gefüllt.
Die Öffnung 104 dient wie oben zum Reinigen und Trocken
blasen von Flußmittelrückständen und zum Unterfüllen. Wei
terhin dient die Öffnung 104 dazu, daß Bauelemente, wie z. B.
Gassensoren, Feuchtesensoren und Sensoren, die eine di
rekte atmosphärische Einwirkung für ihre Funktion nach der
Verbindung mit dem Substrat 102 benötigen, oder Bauelemente
100, für die als umgebendes Medium Luft mit einer Dielektri
zitätskonstante von Eins vorteilhaft ist, wie z. B. Bauele
mente für HF-Anwendungen, derart aufgebaut werden können,
daß deren aktiver Bereich dem Substrat 102 bzw. der Öffnung
104 zugewandt ist. Solche Bauelemente können gemäß der vor
liegenden Erfindung in der Flip-Chip-Technologie aufgebracht
werden.
Die Barriere 136 verhindert das Fließen des Unterfüllers 124
in einen Raum 140, der durch die Öffnung 104, durch die Bar
riere 136, und durch die erste Hauptoberfläche 116 des Bau
elements 100 begrenzt wird. Dadurch wird die aktive erste
Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 nicht durch den Un
terfüller 124 bedeckt, was den Aufbau der oben erwähnten
Bauelemente ermöglicht.
Beim Unterfüllen wird der Unterfüller 124 von der ersten
Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 aus von einer, mehre
ren oder allen Seiten in die Randspalten 126, 128 zugeführt
bzw. in der Nähe derselben abgesetzt oder dispenst. Der Un
terfüller 124 fließt dabei in den Zwischenraum 112, und
füllt denselben bis zu der Barriere 136, die ein weiteres
Fließen des Unterfüllers 124 in den Raum 140 verhindert.
Der Unterfüller 124 kann von allen Seiten in die Randspalten
126, 128 zugeführt werden. Die dabei eingeschnürte Luft kann
über die Barriere 136 und damit nach außen über die Öffnung
104 entweichen. Die Gefahr von Lufteinschlüssen wird damit
verringert, und die Prozeßzeiten werden mehr als halbiert,
da der Unterfüller 124 nicht mehr in den gesamten Zwischen
raum 112 bzw. in den durch die Barriere 136 verkleinerten
Zwischenraum 112 fließt. Obwohl der Raum 140 nicht gefüllt
wird, werden die Vorteile des Unterfüllens dadurch nicht be
einflußt.
Die Barriere 136 kann durch Legen eines Damms um die Öffnung
104 auf dem Substrat 102 oder der Leiterplatte, z. B. durch
Dispensen von Epoxid-Harzen, erzeugt werden. Die Barrieren
höhe ist dabei kleiner als die Höhe des Lotmaterials 110
bzw. der Lötperlen.
Nach dem Unterfüllen des Bauelements 100 bildet der Unter
füller 124 in dem Bereich des Randspalts 126 bzw. 128 einen
dritten und einen vierten Randbereich 139a, 139b, die sich
von der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 zu der
ersten Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 erstrecken,
wobei der dritte Randbereich 139a einen dritten Winkel mit
der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 bildet, und
der vierte Randbereich 139b einen vierten Winkel mit der er
sten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 bildet.
Anstelle der in der Fig. 4 dargestellten Anordnung der Bar
riere 136, kann die Barriere 136 bzw. der Damm auf dem
Bauelement 100, das ein Sensor, ein Aktor oder ein anderes Bau
element ist, z. B. durch Dispensen von Epoxid-Harzen, be
nachbart zu dem Rand 138 der Öffnung 104 aufgebracht werden,
wie es in Fig. 5 dargestellt ist.
Die Randbereiche 139a, 139b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 4 ausgebildet.
Die Barriere 136 kann im Fertigungsprozeß des Substrats 102,
z. B. einer Leiterplatte, durch galvanische Abscheidung er
zeugt werden.
Die Barriere 136 kann auch durch eine Oberflächenbeschich
tung oder -behandlung des Randbereichs um die Öffnung 104
geschaffen werden, so daß die Oberflächenspannung zu dem Un
terfüller 124 derart vergrößert wird, daß dieser die Bar
riere 136 nicht benetzt.
Andere Formen der Barrierenbildung sind möglich. Die Barrie
re 136, die die Öffnung 104 umgibt, muß z. B. nicht fortlau
fend ausgebildet sein, sondern sie kann durch kleine Zwi
schenräume unterbrochen sein, oder sie kann aus eng beab
standeten Höckern bestehen.
Wie in Fig. 6 gezeigt ist, kann die Barriere 136 durch vor
gefertigte Hülsen 142, die z. B. in das Substrat 102 ge
steckt oder eingelötet werden, gebildet werden. Die Hülse
142 wird dabei an der zweiten Hauptoberfläche 108 des Sub
strats 102 in die Öffnung 104 eingebracht, derart, daß ein
Flansch 144 der Hülse auf der zweiten Hauptoberfläche 108
des Substrats 102 aufliegt und zu dem Flansch 144 senkrechte
Seitenwände 148, 150 der Hülse 142 sich von der zweiten
Hauptoberfläche 108 des Substrats 102 bis kurz vor die erste
Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 erstrecken und so
die Barriere bilden. Die Hülse 142 kann ein Innengewinde
oder andere Anschlußelemente aufweisen, die zur Anbringung
von weiteren Bauelementen auf der zweiten Hauptoberfläche
108 des Substrats 102 dienen.
Die Randbereiche 133a, 133b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 2 ausgebildet.
Ferner existieren zusätzliche Anwendungen, bei denen ein Zu
gang zu der aktiven Chipoberfläche 116 erwünscht ist. Die
aktive Chipoberfläche 116 ist gemäß der vorliegenden Erfin
dung bei einer Flip-Chip-Befestigung nicht vollständig ver
borgen bzw. nach dem Unterfüllen nicht vollständig abge
deckt. Nachfolgend werden weitere bevorzugte Ausführungsbei
spiele beschrieben.
In Fig. 7 ist eine optische Anordnung dargestellt, die aus
einer LED 100a, einer PIN-Diode 100b und dem Substrat 102
besteht. Die LED 100a ist mit dem Substrat 102 über eine
Lotverbindung 110a und einen Unterfüller 124a verbunden. Auf
der ersten Hauptoberfläche 116a der LED 100a sind Anschluß-
flächen 114a und auf der ersten Hauptoberfläche 106 des Sub
strats 102 sind Anschlußflächen 118a vorgesehen. Weiterhin
ist auf der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 ei
ne Barriere 136a benachbart zu einem ersten Rand 138a der
Öffnung 104 gebildet. Symmetrisch zu dem Substrat 102 ist
die PIN-Diode 100b über eine Lotverbindung 110b und einen
Unterfüller 124b mit der zweiten Hauptoberfläche 108 des
Substrats 102 verbunden. Auf der ersten Hauptoberfläche 116b
der PIN-Diode 100b sind Anschlußflächen 114b und auf der
zweiten Hauptoberfläche 108 des Substrats 102 sind Anschluß-
flächen 118b gebildet. Eine Barriere 136b ist auf der zwei
ten Hauptoberfläche 108 des Substrats 102 benachbart zu ei
nem zweiten Rand 138b der Öffnung 104 gebildet. Pfeile in
der Fig. 7 beschreiben die Übertragung von Licht von der LED
100a zu der PIN-Diode 100b.
Die Verbindung und der elektrische Kontakt der LED 100a mit
dem Substrat 102 wird durch die Anschlußflächen 114a, durch
die Anschlußflächen 118a und durch die Lotverbindungen 110a
gebildet. Die Verbindung und der elektrische Kontakt der
PIN-Diode 100b mit dem Substrat 102 wird durch die
Anschlußflächen 114b, durch die Anschlußflächen 118b und durch die
Lotverbindungen 110b gebildet.
Die Barrieren 136a, 136b verhindern das Fließen der Unter
füller 124a, 124b in einen Raum 152, der durch die Barrieren
136a, 136b, durch die Innenkante 122 der Öffnung 104, durch
die erste Hauptoberfläche 116a des Bauelements 100a und
durch die erste Hauptoberfläche 116b des Bauelements 100b
begrenzt ist. Der Raum 152 ermöglicht, daß das von der LED
100a ausgesandte Licht, wie z. B. durch pfeile in Fig. 7
gezeigt, ungehindert auf die PIN-Diode 100b treffen kann.
Die Anordnung dient zur galvanischen Trennung der LED 100a
und der PIN-Diode 100b bzw. als Optokoppler.
Die Randbereiche 139a, 139b des Unterfüllers 124a und die
Randbereiche 151a, 151b des Unterfüllers 124b sind ähnlich
zu der Fig. 4 ausgebildet.
Fig. 8 zeigt eine Anordnung, bei der das Bauelement 100 als
LED (Licht-Emittierende-Diode) ausgeführt ist. Das Substrat
102 umfaßt die Barriere 136 und eine Linse 154. Die Linse
154 ist mit zwei Halteelementen 156, 158, die an einer Hal
terung 160 vorgesehen sind, befestigt, wobei die Halterung
160 auf der zweiten Hauptoberfläche 108 des Substrats 102 um
die Öffnung 104 herum, z. B durch Löten, angebracht ist, und
die Halteelemente 156, 158 und die Linse 154 leicht in den
Raum 140 hineinragen. Alternativ kann die Halterung 160 z. B.
in der Form einer Hülse in die Öffnung 104 eingesteckt
werden. Anstelle der Linse 154 oder zusätzlich dazu können
Linsen, Blenden, halbdurchlässige Spiegel, Strichgitter,
Prismen, Polarisatoren, optische Filter oder andere optische
Bauelemente verwendet werden.
Anwendungen dieser Anordnung liegen dabei insbesondere in
der Kombination von Linsen, Blenden etc. mit LEDs, Laser
dioden, insbesondere vertikal emittierende Laserdioden, z. B.
bei der Kopplung einer LED oder eines Lasers an eine
Faser oder allgemeiner zur Auskopplung von erzeugtem Licht,
wie z. B. durch die Pfeile in Fig. 8 dargestellt, aus einer
Lichtquelle und bei der Aufteilung des Lichts bezüglich der
Intensität, Wellenlänge, der Polarisation etc. Weitere An
wendungen liegen in der Kombination von Linsen, Blenden etc.
mit PIN-Dioden, z. B. zur Einkopplung von zu erfassendem
Licht in die PIN-Diode, und in der Kombination mit anderen
optisch aktiven und passiven Bauelementen.
Die Randbereiche 139a, 139b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 4 ausgebildet.
Fig. 9 zeigt eine Anordnung, bei der das Bauelement 100 eine
LED oder einer PIN-Diode ist, die mit einer optischen Faser
162 oder einem Faserstecker 163, der eine optische Faser 162
aufweist, gekoppelt ist. Die Hülse 142 ist ähnlich wie bei
der in Fig. 6 gezeigten Anordnung in die Öffnung von der
zweiten Hauptoberfläche 108 des Substrats 102 aus, z. B.
durch Löt- oder Stecktechniken, eingebracht. Die Faser 162
bzw. der Faserstecker 163 ist ferner in die Hülse 142 einge
bracht, und mit derselben, z. B. durch ein Innengewinde oder
durch Anschlußelemente, verbunden. Die Faser 162 ist nahe
der und zentriert zu der aktiven Oberfläche 116 des Bauele
ments 100 positioniert, um z. B. eine effektive Einkopplung
der emittierten LED-Strahlung in die Faser 162 zu ermögli
chen. Anwendungen liegen dabei insbesondere in der Kombina
tion mit LEDs, Laserdioden (insbesondere vertikal emittie
rende Laserdioden), PIN-Dioden und anderen optisch aktiven
und passiven Bauelementen.
Die Randbereiche 133a, 133b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 2 ausgebildet.
Fig. 10 zeigt eine Anordnung eines optischen Bauelements
100, z. B. einer LED, mit einer Kugellinse 164. Die Kugel
linse 164 ist in die Öffnung 104 in dem Substrat 102 einge
bracht und erstreckt sich in den Zwischenraum 112 zwischen
dem Substrat 102 und dem Bauelement 100 und berührt die ak
tive erste Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100. Die Linse 164
ist mit der aktiven Hauptoberfläche 116 des Bau
elements 100 ausgerichtet, und dieselbe ist mit dem Unter
füller 124, z. B. einem optisch transparenten Unterfüller,
mechanisch fixiert.
Die Linse 164 dient zur Auskopplung von emittiertem Licht,
wie durch die Pfeile 165 dargestellt, aus dem Bauelement 100
sowie zur Bildung einer Barriere für den Unterfüller 124.
Alternativ können andere Elemente, wie z. B. Linsen, op
tische Filter, Prismen etc. eingebracht werden, und ferner
als Barriere für den Unterfüller 124 dienen.
Nach dem Unterfüllen des Bauelements 104 bildet der Unter
füller 124 in dem Bereich des Randspalts 126 bzw. 128 einen
fünften und einen sechsten Randbereich 166a, 166b, die sich
von der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 zu der
ersten Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 erstrecken,
wobei der fünfte Randbereich 166a einen fünften Winkel mit
der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 bildet, und
der sechste Randbereich 166b einen sechsten Winkel mit der
ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 bildet.
Der Unterfüller 124 bildet ferner Grenzflächen 167a, 167b
zwischen der ersten Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100
und der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102 benach
bart zu der Linse 164, wobei die Grenzfläche 167a einen
siebten Winkel zu der ersten Hauptoberfläche 106 des Sub
strats und die Grenzfläche 167b einen achten Winkel zu der
ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats bildet.
Bezugnehmend auf Fig. 11 wird eine Anordnung beschrieben,
die das Bauelement 100, z. B. einen Chip, Sensor oder Aktor,
und die Hülse 142 mit einem Schutzgitter 168 umfaßt. Die
Hülse 142 wird dabei auf der zweiten Hauptoberfläche 108 des
Substrats 102 in die Öffnung im Substrat 102 eingebracht,
derart, daß der Flansch 144 auf der zweiten Hauptoberfläche
108 des Substrats 102 aufliegt und die zu demselben senk
rechten Seitenwände 148, 150 der Hülse 142 sich von der
zweiten Hauptoberfläche 108 des Substrats 102 bis kurz vor
die erste Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 er
strecken. Das Schutzgitter 168 liegt ausgerichtet zu der
aktiven Oberfläche 116 des Bauelements 100 in einer Ebene
mit dem Flansch 144 und ist mit demselben verbunden.
Die Seitenwände 148, 150 der Hülse 142 dienen als Barriere
für den Unterfüller 124. Das Gitter 168 dient dem mechani
schen Schutz der aktiven Oberfläche 116 des Bauelements 100,
z. B. von Gas-, Druck-, Feuchte-, Temperatursensoren und
ferner von HF-Bauelementen, die ein Dielektrikum mit einer
Dielektrizitätszahl von 1 benötigen.
Die Randbereiche 133a, 133b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 2 ausgebildet.
Fig. 12 und 13 zeigen eine Anordnung mit dem Bauelement 100,
z. B. einen Chip, einen Sensor oder einen Aktor, das mit dem
Substrat 102, das die Hülse 142 wie bei der Fig. 11 in der
Öffnung im Substrat 102 aufweist, verbunden ist. Die Hülse
142 wird dabei auf der zweiten Hauptoberfläche 108 des Sub
strats 102 in die Öffnung 104 eingebracht, derart, daß der
Flansch 144 auf der zweiten Hauptoberfläche 108 des Sub
strats 102 aufliegt, und die zu demselben senkrechten Sei
tenwände 148, 150 der Hülse 142 sich von der zweiten Haupt
oberfläche 108 des Substrats 102 bis kurz vor die erste
Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 erstrecken. Bei der
in Fig. 12 dargestellten Anordnung weist der Flansch 144 ei
nen Vorsprung 170 hin zu einer Öffnung 172 der Hülse 142
auf, an dem ausgerichtet mit der Öffnung 172 eine Membran
174 befestigt ist. Bei der in Fig. 13 dargestellten Anord
nung ist eine Membran 176 mit ihrem Rand 177 zwischen den
Seitenwänden 148, 150 der Hülse 142 und der ersten Haupt
oberfläche 116 des Bauelements 100 angeordnet, derart, daß
sich dieselbe in einer Berührung oder benachbart und ausge
richtet zu der aktiven ersten Hauptoberfläche 116 des Bau
elements 100 befindet.
Die Seitenwände 148, 150 dienen als Barriere für denn Unter
füller 124. In Fig. 12 kann die Membran 174 eine gasdurch
lässige oder teildurchlässige Membran sein, die zur selekti
ven Detektion bestimmter Gase dient. In Fig. 13 kann die
Membran 176 eine bewegliche oder biegsame Membran sein, die
der Detektion schneller Druckänderungen dient, wobei eine
kapazitive oder induktive Messung über den Sensorchip bzw.
das Bauelement 100 erfolgt.
Die Randbereiche 133a, 133b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 2 ausgebildet.
Fig. 14 zeigt eine Anordnung, bei der das Bauelement 100, z. B.
ein Chemo-Sensor, mit dem Substrat 102 verbunden ist, und
in der Öffnung im Substrat 102 ist ähnlich wie bei der An
ordnung in Fig. 12 eine Hülse 142 mit Seitenwänden 148, 150
eingebracht, z. B. eingesteckt oder eingelötet. An dem Vor
sprung 170 des Flanschs 144 ist optional ein Verschluß 178
mit einem Ventilationsloch oder einer Düse 180 befestigt.
Der durch die Seitenwände 148, 150 der Hülse 142, den Ver
schluß 178 und die erste Hauptoberfläche 116 des Bauelements
100 begrenzte Bereich bildet einen Raum 182, der ein Depot
bildet, das mit verschiedensten aktiven oder passiven Stof
fen, wie z. B. Trockenmittel, Aktivkohle, Gele, Chemikalien,
Arzneistoffe etc., gefüllt sein kann.
Die Seitenwände 148, 150 der Hülse 142 dienen wiederum als
Barriere für den Unterfüller 124. Das Sensor- oder Aktorbau
element bzw. das Bauelement 100 kann als aktives Element
bestimmte Stoffe durch Aufheizen freisetzen (Chemo-Aktor)
oder durch Eindiffusion in das Depot messen (Chemo-Sensor).
Die Randbereiche 133a, 133b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 2 ausgebildet.
Fig. 15 zeigt eine Anordnung des Bauelements 100, z. B. ei
nes Chips, eines Sensors oder eines Aktors, mit dem Substrat
102, bei der wie bei der Anordnung in Fig. 6 eine Hülse 142
mit Seitenwänden 148, 150 in die Öffnung im Substrat 102
eingebracht, z. B. eingesteckt oder eingelötet, ist. Der
durch die Seitenwände 148, 150 der Hülse 142 und die erste
Hauptoberfläche 116 des Bauelements 100 begrenzte Bereich
bildet wiederum einen Raum 182, der mit einer Füllung aus
wärmeleitenden Material, wie z. B. Kupfer, Lot oder anderen
Materialien gefüllt ist. Anstelle der Füllung kann auch ein
Kühlfinger verwendet werden.
Die Seitenwände 148, 150 der Hülse 142 dienen als Barriere
für den Unterfüller 124. Die wärmeleitende Füllung bzw. der
Kühlfinger ermöglichen neben der Erfassung einer Temperatur
ferner eine effektive thermische Ableitung von Wärme auf die
zweite Oberfläche 108 des Substrats 102.
Die Randbereiche 133a, 133b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 2 ausgebildet.
Andere Substanzen mit spezifischen physikalischen Eigen
schaften können in die Öffnung im Substrat 102 und den Raum
182 und somit in die unmittelbare Nähe der aktiven Bauele
mentoberfläche, z. B. eines Sensors oder eines Aktors, ge
bracht werden, wie z. B. Weich- oder Permanentmagnete für
Strom oder Magnetsensoren und optisch anisotrope Materialien
für optische Anwendungen.
Andere Substanzen zur Unterstützung der Sensorikfähigkeit,
wie z. B. Diffusionsschichten, Kontaktmittel für Sensoren
auf der Haut, etc., können in die Öffnung im Substrat 102
und den Raum 182 eingebracht werden.
Bezugnehmend auf Fig. 16 wird eine Anordnung beschrieben,
bei der das Bauelement 100, z. B. ein Chip, ein Sensor, ein
Aktor, eine Laserdiode, eine Empfangsdiode etc., mit dem
Substrat 102 mittels des Lotmaterials 110 und des Unterfül
lers 124 oder einer Füllung verbunden ist. Das Substrat 102
weist Anschlußflächen 184 auf der zweiten Hauptoberfläche
108 des Substrats 102 auf, auf die ein Lotmaterial 186 bzw.
Lotkugeln aufgebracht sind. Eine Kappe 188, die mit dem Un
terfüller 124, z. B. Silikon etc., gefüllt oder nicht ge
füllt ist, oder eine Verkapselungsmasse, wie z. B. Globtop,
oder durch Transfermolding oder Spritzguß gebildet, deckt
eine zweite Hauptoberfläche 190 des Bauelements 100 und
einen Teil der ersten Hauptoberfläche 106 des Substrats 102,
der nicht zwischen dem Bauelement 100 und dem Substrat 102
liegt, ab. Es können ferner Löcher in der Kappe 188 oder in
dem Unterfüller 124, z. B. für Differenzdrucksensoren, vor
gesehen werden.
Die Kappe 188 dient zum mechanischen Schutz des Bauelements
100 und der gesamten Verbindung zwischen dem Bauelement 100
und dem Substrat 102. Das Lotmaterial 186 bzw. die Lotver
bindungen dienen zur elektrischen Verbindung der gesamten
Anordnung mit externen Bauelementen oder Vorrichtungen.
Durch die Kappe 188 und die Lotverbindungen 186 kann das
Substrat 102 mit dem Bauelement 100 vereinzelt werden, um
ein BGA-Gehäuse oder ein CSP-Gehäuse zu erzeugen.
Die Fig. 17 zeigt eine Anordnung des Bauelements 100, z. B.
eines EPROMs, mit dem Substrat 102 mittels der Lotverbindung
110 und dem Unterfüller 124. Die Barriere 136 dient dazu, um
das Fließen des Unterfüllers 124 in den Raum 140 zu verhin
dern. Dadurch bleibt der Raum 140 frei von Unterfüller 124,
und es kann z. B. UV-Licht 192 zur Löschung des EPROMs 100
verwendet werden, um denselben neu zu programmieren.
Die Randbereiche 139a, 139b des Unterfüllers 124 sind ähn
lich zu der Fig. 4 ausgebildet.
Die in den Ausführungsbeispielen beschriebene Öffnung in dem
Substrat kann eine beliebige, vom jeweiligen Anwendungsbe
reich der Anordnung abhängige Form aufweisen. Die Öffnung in
dem Substrat kann z. B. rechteckig, oval oder rund sein.
Claims (28)
1. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102), mit folgenden Schritten:
- a) Bereitstellen des Substrats (102), das eine Öff nung (104) aufweist, die sich von einer ersten Hauptoberfläche des Substrats (106) zu einer zwei ten Hauptoberfläche des Substrats (108) erstreckt; und
- b) Verbinden des Bauelements (100) und des Substrats (102) mittels eines Lotmaterials (110), derart, daß das Bauelement (100) über der Öffnung (104) in dem Substrat (102) angeordnet ist, so daß sich zwischen dem Bauelement (100) und dem Substrat (102) ein Zwischenraum (112) einstellt.
2. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 1, bei dem das Bau
element (100) Anschlußflächen (114) auf einer ersten
Hauptoberfläche (116) aufweist, und bei dem das Sub
strat (102) Anschlußflächen (118) auf der ersten Haupt
oberfläche (106) um die Öffnung (104) herum aufweist,
deren Anordnung der Anordnung der Anschlußflächen (114)
auf dem Bauelement (100) entspricht, und wobei der
Schritt b) folgende Teilschritte umfaßt:
- b1) Aufbringen von Lotmaterial (110) auf die Anschluß- flächen (114, 118) des Bauelements (100) und/oder des Substrats (102); und
- b2) Ausrichten von Bauelement (100) und Substrat (102).
3. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 1 oder 2, mit fol
gendem Schritt:
- c) Reinigen und/oder Trocknen des Zwischenraums (112) durch Zuführen eines Reinigungsmittels über die Öffnung (104) in dem Substrat (102).
4. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 3, bei dem die Zu
fuhr des Reinigungsmittels über die Öffnung (104) von
der zweiten Hauptoberfläche (108) des Substrats (102)
aus erfolgt, wobei das Reinigungsmittel dort einge
spritzt und/oder von der ersten Hauptoberfläche (106)
des Substrats (102) aus angesaugt wird.
5. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4,
mit folgendem Schritt:
- d) Einbringen eines Unterfüllers (124) in den Zwi schenraum (112) zwischen dem Bauelement (100) und dem Substrat (102).
6. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 5, bei dem der
Schritt d) das Einbringen des Unterfüllers (124) in
Randspalten (126, 128), die zwischen Kanten (130, 132)
des Bauelements (100) und der ersten Hauptoberfläche
(106) des Substrats (102) gebildet sind, und das Erzeu
gen eines Unterdrucks an der Öffnung (104) in dem Sub
strat (102) zur Erhöhung der Fließgeschwindigkeit des
Unterfüllers (124) aufweist.
7. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 5, bei dem der
Schritt d) das Einpressen des Unterfüllers (124) über
die Öffnung (104) im Substrat (102) von der zweiten
Hauptoberfläche (108) des Substrats (102) aus und/oder
das Ansaugen des Unterfüllers (124) von der ersten
Hauptoberfläche (106) des Substrats (102) aus aufweist.
8. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 5 oder
6, bei dem der Schritt d) folgende Teilschritte auf
weist:
- d1) Vorsehen einer Barriere (136) zwischen dem Bauele ment (100) und dem Substrat (102) benachbart zu einem Rand (138) der Öffnung (104); und
- d2) Einbringen des Unterfüllers (124) von der ersten Hauptoberfläche (106) des Substrats (102) aus.
9. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 8, bei dem die Bar
riere (136) auf der ersten Hauptoberfläche (106) des
Substrats (102) und/oder der ersten Hauptoberfläche
(116) des Bauelements (100) vorgesehen ist, oder durch
die Öffnung (104) eingebracht wird.
10. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 9, bei dem die Bar
riere (136) ein Damm um die Öffnung ist, der aus Epo
xid-Harzen, einer Hülse (142), einer galvanischen Ab
scheidung, einer Oberflächenbeschichtung oder einer
Oberflächenbehandlung besteht.
11. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß Anspruch 9 oder 10, bei dem
die Barriere (136) eine Höhe aufweist, die kleiner als
die Höhe des Zwischenraums (112) zwischen Substrat
(102) und Bauelement (100) ist.
12. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7,
bei dem der Schritt d) das Füllen der Öffnung (104) in
dem Substrat (102) aufweist.
13. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis
12, mit folgendem Schritt:
- e) vollständiges oder teilweises Vorsehen einer Me tallisierung (120) der Innenkante (122) der Öff nung (104) in dem Substrat (102).
14. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüchen 1 bis
13, mit folgenden Schritten:
- f) Bereitstellen eines weiteren Bauelements (100b); und
- g) Verbinden des weiteren Bauelemente (100b) mit der zweiten Hauptoberfläche (108) des Substrats (102);
15. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis
14, bei dem das Bauelement (100) ein optisches Bauele
ment, ein Chemo-Sensor, ein Sensor, ein Aktor oder ein
Speicherbauelement ist.
16. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis
15, bei dem eine Hülse (142) mit einem Schutzgitter
(168), einer gasdurchlässigen Membran (174), einer
biegsamen Membran (176), einem Faserstecker (163), mit
einer chemisch aktiven Substanz (182) gefüllt oder mit
einem wärmeleitenden Material (182) gefüllt in die Öff
nung (104) und einen Teil des Zwischenraums (112), der
sich zwischen der Öffnung (104) und der ersten Haupt
oberfläche (116) des Bauelements (100) befindet, einge
bracht wird.
17. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß den Ansprüchen 1 bis 15, bei
dem eine Kugellinse (164), die gleichzeitig als Barrie
re dienen kann, in die Öffnung (104) in dem Substrat
(102) eingebracht wird.
18. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis
15, bei dem eine Linse (154) vor der Öffnung (104) auf
der zweiten Hauptoberfläche (108) des Substrats (102)
mittels einer Halterung (160) angebracht wird.
19. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 5 bis
18, bei dem der Unterfüller (124) ein Epoxid-Harz ist.
20. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 5 bis
19, bei dem der Unterfüller (124) optisch transparent
ist.
21. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis
20, bei dem das Bauelement (100) mit der aktiven Seite
nach unten zeigt.
22. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis
21, bei dem die Öffnung (104) im Substrat (102) zylin
drisch ist, und der Durchmesser der Öffnung (104) ab
hängig von der Größe der nicht mit Lotmaterial (110)
versehenen ersten Hauptoberfläche (106) des Substrats
(102) ist.
23. Verfahren zur Verbindung eines Bauelements (100) mit
einem Substrat (102) gemäß einem der Ansprüche 1 bis
22, bei dem der Durchmesser der Öffnung (104) im Sub
strat (102) im Bereich von 50 µm bis zu mehreren Milli
metern liegt.
24. Elektrische Schaltung mit folgenden Merkmalen:
einem Substrat (102) mit einer Öffnung (104) und An schlußflächen (118), die auf einer ersten Hauptoberflä che (106) des Substrats (102) um die Öffnung (104) her um angeordnet sind,
einem Bauelement (100) mit Anschlußflächen (114), die auf einer ersten Hauptoberfläche (116) des Bauelements (100) angeordnet sind, wobei deren Anordnung der Anord nung der Anschlußflächen (118) auf dem Substrat (102) entspricht,
wobei das Bauelement (100) und das Substrat (102) über ein Lotmaterial (110) verbunden sind, und das Bauele ment (100) über der Öffnung (104) angeordnet ist, was einen Zwischenraum (112) zwischen Bauelement (100) und Substrat (102) bildet.
einem Substrat (102) mit einer Öffnung (104) und An schlußflächen (118), die auf einer ersten Hauptoberflä che (106) des Substrats (102) um die Öffnung (104) her um angeordnet sind,
einem Bauelement (100) mit Anschlußflächen (114), die auf einer ersten Hauptoberfläche (116) des Bauelements (100) angeordnet sind, wobei deren Anordnung der Anord nung der Anschlußflächen (118) auf dem Substrat (102) entspricht,
wobei das Bauelement (100) und das Substrat (102) über ein Lotmaterial (110) verbunden sind, und das Bauele ment (100) über der Öffnung (104) angeordnet ist, was einen Zwischenraum (112) zwischen Bauelement (100) und Substrat (102) bildet.
25. Elektrische Schaltung gemäß Anspruch 24, bei der der
Zwischenraum (112) mit einem Unterfüller (124) gefüllt
ist.
26. Elektrische Schaltung gemäß einem der Ansprüche 24 bis
25, bei der eine Barriere (136, 142, 164) zwischen dem
Bauelement (100) und dem Substrat (102) benachbart zu
einem Rand (138) der Öffnung (104) in dem Substrat
(102) angeordnet ist, wobei ein Raum (140), der durch
die Öffnung (104), durch die Barriere (136) und durch
die erste Hauptoberfläche (116) des Bauelements (100)
begrenzt wird, nicht mit dem Unterfüller (124) gefüllt
ist.
27. Elektrische Schaltung gemäß einem der Ansprüche 24 bis
26, bei der eine Innenkante (122) der Öffnung (104) in
dem Substrat (102) eine Metallisierung (120) aufweist,
die sich von der ersten Hauptoberfläche (106) des Sub
strats (102) bis auf die zweite Hauptoberfläche (108)
des Substrats (102) erstreckt.
28. Elektrische Schaltung gemäß den Ansprüchen 24 bis 27,
bei der ein weiteres Bauelement (100b) auf der zweiten
Hauptoberfläche (108) des Substrats (102) mit einem
Lotmaterial (110b) und einem Unterfüller (124b) ange
bracht ist.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19810060A DE19810060B4 (de) | 1997-05-07 | 1998-03-09 | Verfahren zur Verbindung eines Bauelements mit einem Substrat und eine damit hergestellte elektrische Schaltung |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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DE19719370.6 | 1997-05-07 | ||
DE19810060A DE19810060B4 (de) | 1997-05-07 | 1998-03-09 | Verfahren zur Verbindung eines Bauelements mit einem Substrat und eine damit hergestellte elektrische Schaltung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19810060A1 true DE19810060A1 (de) | 1998-11-12 |
DE19810060B4 DE19810060B4 (de) | 2005-10-13 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19810060A Expired - Lifetime DE19810060B4 (de) | 1997-05-07 | 1998-03-09 | Verfahren zur Verbindung eines Bauelements mit einem Substrat und eine damit hergestellte elektrische Schaltung |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19810060B4 (de) |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19852967A1 (de) * | 1998-11-17 | 2000-05-18 | Micronas Intermetall Gmbh | Meßeinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung |
DE19902450A1 (de) * | 1999-01-22 | 2000-08-03 | Festo Ag & Co | Miniaturisiertes elektronisches System und zu dessen Herstellung geeignetes Verfahren |
DE19908474A1 (de) * | 1999-02-26 | 2000-09-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips auf einer Tragschicht sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE19826426C2 (de) * | 1998-06-16 | 2003-08-21 | Elbau Elektronik Bauelemente G | Miniaturisiertes elektronisches System und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE10205047A1 (de) * | 2002-02-07 | 2003-08-28 | Hella Kg Hueck & Co | Sensor, insbesondere zur Messung an oder in Flüssigkeiten sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
FR2848303A1 (fr) * | 2002-12-09 | 2004-06-11 | Commissariat Energie Atomique | Arrangement optique a deux entrees/sorties optiques et un procede de fabrication |
DE10332294A1 (de) * | 2003-07-16 | 2005-02-17 | Siemens Ag | Sensorchip, Optiksensor etc. nebst Verfahren zu seiner Herstellung sowie Erfassungseinrichtung |
US6977686B2 (en) | 2000-10-13 | 2005-12-20 | Renesas Technology Corp. | Solid-state image pickup apparatus limiting adhesive intrusion |
EP1622204A1 (de) * | 2004-07-28 | 2006-02-01 | Infineon Technologies Fiber Optics GmbH | Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls |
DE102005016751B3 (de) * | 2005-04-11 | 2006-12-14 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung gehäuster elektronischer Bauelemente |
WO2007012992A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Nxp B.V. | A package and manufacturing method for a microelectronic component |
WO2007017328A1 (de) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung mit einem sensorbauelement und einem träger und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung |
CN100416811C (zh) * | 2005-10-24 | 2008-09-03 | 南茂科技股份有限公司 | 光电芯片封装构造、制造方法及其芯片承载件 |
EP2182497A1 (de) | 2008-10-30 | 2010-05-05 | Novar GmbH | Gasdetektor |
WO2011060558A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Sensirion Ag | Sensor mounted in flip-chip technology on a substrate |
DE102010023003A1 (de) * | 2010-06-08 | 2012-05-10 | Markus Gruber | Halbleiter-Bauteil mit integrierter Kammer für ein Kühlmittel sowie Methode zum Herstellen eines Halbleiter-Bauteils mit integrierter Kammer für ein Kühlmittel und Aufnahme-Vorrichtung zur Aufnahme eines derartigen Halbleiter-Bauteils |
CN102790145A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-21 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体光源模块、其制造方法及其基板结构 |
FR2977369A1 (fr) * | 2011-06-30 | 2013-01-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'hybridation flip-chip pour la formation de cavites hermetiques et systemes obtenus par un tel procede |
CN102903644A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 致伸科技股份有限公司 | 决定摄像模块的植球数量的方法 |
US8736002B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-05-27 | Sensirion Ag | Sensor mounted in flip-chip technology at a substrate edge |
CN104843632A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-08-19 | 南茂科技股份有限公司 | 微机电芯片封装及其制造方法 |
DE102015002099A1 (de) * | 2015-02-23 | 2016-08-25 | Jenoptik Polymer Systems Gmbh | Leuchtdiodenvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenvorrichtung |
DE102005020016B4 (de) * | 2005-04-29 | 2017-12-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
DE102005038752B4 (de) | 2005-08-17 | 2018-04-19 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
CN110419270A (zh) * | 2017-03-22 | 2019-11-05 | 罗伯特·博世有限公司 | 接触装置 |
DE102019204358A1 (de) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Robert Bosch Gmbh | Lichtemittierendes Halbleiterbauelement |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4143456A (en) * | 1976-06-28 | 1979-03-13 | Citizen Watch Commpany Ltd. | Semiconductor device insulation method |
CH660551GA3 (de) * | 1982-12-27 | 1987-05-15 | ||
DD213792A1 (de) * | 1983-02-11 | 1984-09-19 | Werk Fernsehelektronik Veb | Verfahren zur erhoehung des einkoppelwirkungsgrades von elektrooptischen bauelementen |
DE3337131A1 (de) * | 1983-10-12 | 1985-04-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Glasfaserdurchfuehrung durch eine wandoeffnung eines gehaeuses |
US5311059A (en) * | 1992-01-24 | 1994-05-10 | Motorola, Inc. | Backplane grounding for flip-chip integrated circuit |
WO1994018701A1 (en) * | 1993-02-05 | 1994-08-18 | W.L. Gore & Associates, Inc. | Stress-resistant semiconductor chip-circuit board interconnect |
-
1998
- 1998-03-09 DE DE19810060A patent/DE19810060B4/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19826426C2 (de) * | 1998-06-16 | 2003-08-21 | Elbau Elektronik Bauelemente G | Miniaturisiertes elektronisches System und Verfahren zu seiner Herstellung |
US6413474B1 (en) | 1998-11-17 | 2002-07-02 | Micronas Gmbh | Measuring device |
EP1003035A2 (de) * | 1998-11-17 | 2000-05-24 | Micronas Intermetall GmbH | Messeinrichtung |
DE19852967A1 (de) * | 1998-11-17 | 2000-05-18 | Micronas Intermetall Gmbh | Meßeinrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung |
DE19852967B4 (de) * | 1998-11-17 | 2004-05-27 | Micronas Gmbh | Messeinrichtung mit einer Halbleiteranordnung |
EP1003035A3 (de) * | 1998-11-17 | 2000-11-29 | Micronas GmbH | Messeinrichtung |
DE19902450B4 (de) * | 1999-01-22 | 2006-04-20 | Festo Ag & Co. | Miniaturisiertes elektronisches System und zu dessen Herstellung geeignetes Verfahren |
DE19902450A1 (de) * | 1999-01-22 | 2000-08-03 | Festo Ag & Co | Miniaturisiertes elektronisches System und zu dessen Herstellung geeignetes Verfahren |
US6534345B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-03-18 | Infineon Technologies Ag | Method for mounting a semiconductor chip on a carrier layer and device for carrying out the method |
DE19908474C2 (de) * | 1999-02-26 | 2001-02-15 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips auf einer Tragschicht |
DE19908474A1 (de) * | 1999-02-26 | 2000-09-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage eines Halbleiterchips auf einer Tragschicht sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE10128419B4 (de) * | 2000-10-13 | 2006-09-21 | Mitsubishi Denki K.K. | Festkörper-Bildaufnahmeeinrichtung mit Mikrolinse und Unterfüllung |
US6977686B2 (en) | 2000-10-13 | 2005-12-20 | Renesas Technology Corp. | Solid-state image pickup apparatus limiting adhesive intrusion |
DE10205047A1 (de) * | 2002-02-07 | 2003-08-28 | Hella Kg Hueck & Co | Sensor, insbesondere zur Messung an oder in Flüssigkeiten sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
DE10205047B4 (de) * | 2002-02-07 | 2006-01-05 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Sensor, insbesondere zur Messung an oder in Flüssigkeiten sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
US7349603B2 (en) | 2002-12-09 | 2008-03-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Optical arrangement with two optical inputs/outputs and production methods |
EP1429166A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-16 | Commissariat A L'energie Atomique | Optische Anordnung mit zwei optischen Eingängen/Ausgängen und ein Herstellungsverfahren |
FR2848303A1 (fr) * | 2002-12-09 | 2004-06-11 | Commissariat Energie Atomique | Arrangement optique a deux entrees/sorties optiques et un procede de fabrication |
DE10332294A1 (de) * | 2003-07-16 | 2005-02-17 | Siemens Ag | Sensorchip, Optiksensor etc. nebst Verfahren zu seiner Herstellung sowie Erfassungseinrichtung |
DE10332294B4 (de) * | 2003-07-16 | 2005-07-28 | Siemens Ag | Optiksensor nebst Verfahren zu seiner Herstellung sowie Erfassungseinrichtung |
US7442559B2 (en) | 2004-07-28 | 2008-10-28 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method for producing an optical or electronic module provided with a plastic package |
EP1622204A1 (de) * | 2004-07-28 | 2006-02-01 | Infineon Technologies Fiber Optics GmbH | Verfahren zum Herstellen eines mit einem Kunststoffgehäuse versehenen optischen oder elektronischen Moduls |
DE102005016751B3 (de) * | 2005-04-11 | 2006-12-14 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung gehäuster elektronischer Bauelemente |
DE102005020016B4 (de) * | 2005-04-29 | 2017-12-21 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
WO2007012992A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Nxp B.V. | A package and manufacturing method for a microelectronic component |
WO2007017328A1 (de) * | 2005-08-11 | 2007-02-15 | Robert Bosch Gmbh | Sensoranordnung mit einem sensorbauelement und einem träger und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung |
DE102005038752B4 (de) | 2005-08-17 | 2018-04-19 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und entsprechende Halbleiterchipanordnung |
CN100416811C (zh) * | 2005-10-24 | 2008-09-03 | 南茂科技股份有限公司 | 光电芯片封装构造、制造方法及其芯片承载件 |
EP2182497A1 (de) | 2008-10-30 | 2010-05-05 | Novar GmbH | Gasdetektor |
US8736002B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-05-27 | Sensirion Ag | Sensor mounted in flip-chip technology at a substrate edge |
WO2011060558A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-26 | Sensirion Ag | Sensor mounted in flip-chip technology on a substrate |
US8791532B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-07-29 | Sensirion Ag | Sensor mounted in flip-chip technology on a substrate |
DE102010023003A1 (de) * | 2010-06-08 | 2012-05-10 | Markus Gruber | Halbleiter-Bauteil mit integrierter Kammer für ein Kühlmittel sowie Methode zum Herstellen eines Halbleiter-Bauteils mit integrierter Kammer für ein Kühlmittel und Aufnahme-Vorrichtung zur Aufnahme eines derartigen Halbleiter-Bauteils |
FR2977369A1 (fr) * | 2011-06-30 | 2013-01-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'hybridation flip-chip pour la formation de cavites hermetiques et systemes obtenus par un tel procede |
US8664778B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-03-04 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Method of flip-chip hybridization for the forming of tight cavities and systems obtained by such a method |
EP2571045A3 (de) * | 2011-06-30 | 2013-07-31 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Flip-Chip-Hybridisierungsverfahren für die Bildung von hermetisch abgeschlossenen Hohlräumen, und durch dieses Verfahren erzielte Systeme |
CN102903644B (zh) * | 2011-07-29 | 2015-05-20 | 致伸科技股份有限公司 | 决定摄像模块的植球数量的方法 |
CN102903644A (zh) * | 2011-07-29 | 2013-01-30 | 致伸科技股份有限公司 | 决定摄像模块的植球数量的方法 |
CN102790145A (zh) * | 2012-08-21 | 2012-11-21 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 半导体光源模块、其制造方法及其基板结构 |
CN104843632A (zh) * | 2014-02-14 | 2015-08-19 | 南茂科技股份有限公司 | 微机电芯片封装及其制造方法 |
DE102015002099A1 (de) * | 2015-02-23 | 2016-08-25 | Jenoptik Polymer Systems Gmbh | Leuchtdiodenvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdiodenvorrichtung |
CN110419270A (zh) * | 2017-03-22 | 2019-11-05 | 罗伯特·博世有限公司 | 接触装置 |
CN110419270B (zh) * | 2017-03-22 | 2022-05-31 | 罗伯特·博世有限公司 | 接触装置 |
DE102019204358A1 (de) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Robert Bosch Gmbh | Lichtemittierendes Halbleiterbauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19810060B4 (de) | 2005-10-13 |
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