DE19804515B4 - Ortsauflösender γ-Detektor - Google Patents

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Abstract

Ortsauflösender γ-Detektor mit einer Metallfolie, in der einfallende γ-Strahlen durch einen photoelektrischen Effekt absorbiert werden, wobei an die Metallfolie wenigstens eine Streifendiode grenzt und die Streifendiode durch eine dünne Isolationsschicht elektrisch von der Metallfolie getrennt ist, und dabei die Oberfläche mit den Streifen der Streifendiode der Metallfolie zugewandt ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen ortsauflösenden γ-Detektor.
  • Ein ortsauflösender γ-Detektor ist aus der Druckschrift EP 0 537 762 B1 sowie aus der Druckschrift IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE Bd. 33, Nr. 1, Februar 1986, NEW YORK, US, Seiten 464 – 467, bekannt. Es handelt sich hierbei um einen ortsauflösenden Photomultiplier mit vorgeschaltetem Szintillator. Mit dem bekannten γ-Detektor kann eine γ-Strahlung mit einer Ortsauflösung von 1 mm gemessen werden.
  • Eine ortsauflösende Messung einer harten γ-Strahlung im Bereich von 0,5 MeV wird beispielsweise bei der aus der Druckschrift EP 0 537 762 B1 bekannten Positronenemissionstomographie (PET) vorgenommen.
  • Aus EP 0 239 808 B1 ist ein Festkörper-Strahlungsdetektor bekannt, bei dem die Detektorzellenteile im wesentlichen senkrecht gestapelt sind, um einfallende Stahlen zu empfangen.
  • Aus DE 195 32 415 A1 ist ein Neutronendektor mit 6LiF zur Konvertierung von Neutronen in ionisierende Strahlung bekannt.
  • Aus US 4,937,453 ist eine Vorrichtung zur Detektion von Röntgenstrahlung mit einer Quelle für Röntgenstrahlen und einem Halbleiterdetektor für Röntgenstrahlen bekannt.
  • Für eine γ-Strahlung im Bereich von 0,5 MeV werden Szintillatoren von 1 – 2 cm Durchstrahlungsdicke eingesetzt. Die Ortsauflösung solcher Detektoren beträgt bestenfalls 2 mm. In vielen Fällen ist es jedoch wünschenswert, PET-Untersuchungen mit besserer Ortsauflösung von deutlich weniger als 1 mm durchführen zu können. Dies ist zum Beispiel bei einer PET-Untersuchung von Kleintieren der Fall.
  • Ortsauflösende γ-Detektoren werden ferner bei einer Werkstoffprüfung verwendet. Hochenergetische γ-Strahlen mit Quantenenergieen von typischerweise 1 MeV vermögen große Untersuchungsobjekte zu durchstrahlen. Durch die Detektion der durchdrungenen Strahlung wird ein Absorptionsdiagramm erzeugt, das Aufschluß über Fehler im Material gibt. In der Regel sind viele solche Aufnahmen aus unterschiedlichen Richtungen erforderlich, um einen Materialfehler zu lokalisieren und seine Größe zu bestimmen. Bei der Detektion der Strahlung ist die Ortsauflösung des Detektors von entscheidender Bedeutung. Sie bestimmt die Minimalgröße der noch beobachtbaren Materialfehler. Des weiteren soll der Detektor bei solchen Untersuchungen hohe Zählraten verarbeiten können und einen niedrigen Untergrund aufweisen (großer Dynamikbereich), damit die lokal recht unterschiedlichen γ-Raten (Teilchen pro Zeit) im Detektor verarbeitet werden können. Der Detektor muß zwischen der direkten γ-Strahlung und der durch Compton-Streuung abgelenkten weicheren γ-Strahlung unterscheiden können, damit die dadurch entstehende Hintergrundstrahlung im Absorptionsdiagramm unterdrückt werden kann. Bei der Detektion der harten γ-Strahlung werden auch hier Szintillatoren verwendet, die mehrere Zentimeter dick sind, um die γ-Strahlung zu absorbieren. Das durch einfallende γ-Strahlung erzeugte Szintillatorlicht wird dann mit Photomultipliern oder Halbleiterdioden nachgewiesen.
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines γ- Detektors, mit dem eine harte γ-Strahlung ortsauflösend in verbesserter Weise gemessen werden kann. Aufgabe der Erfindung ist ferner die Schaffung eines Verfahrens zum Betreiben des γ-Detektors.
  • Die Aufgabe wird durch einen ortsauflösenden γ-Detektor mit den Merkmalen des Hauptanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
  • Die anspruchsgemäße Vorrichtung weist eine Metallfolie auf, in der einfallende γ-Strahlen durch den photoelektrischen Effekt absorbiert werden. Es entstehen dann Elektronen, die Photoelektronen genannt werden. Die metallische Folie wird im folgenden auch Konverterfolie genannt. An die Metallfolie grenzt wenigstens eine Streifendiode. Die Seite mit den Streifen der Streifendiode ist der Metallfolie zugewandt. Die Streifen befinden sich also in unmittelbarer Nähe der Metallfolie.
  • Eine Streifendiode besteht beispielsweise aus einer Mehrzahl parallel in einer Ebene angeordneter Metallstreifen. An die Unterseite der Metallstreifen grenzen Streifen, die aus einem p+-dotierten Halbleiter bestehen. Die aus einem p+-dotierten Halbleiter bestehenden Streifen fungieren als Elektrode. Die Metallstreifen und die als Elektrode fungierenden Streifen befinden sich in oder auf der Oberfläche eines Substrates, das aus einem n-dotiertem Halbleiter besteht. Die Metallstreifen sind offen zugänglich. Die zu den Metallstreifen entgegengesetzte Oberfläche des Substrates ist n+-dotiert und fungiert als Gegenelektrode. Silizium wird als Halbleitermaterial bevorzugt. Die beschriebene Streifendiode wird auch Halbleiter-Streifendiode genannt.
  • Die Streifenbreite begrenzt die mögliche Ortsauflösung. Durch Wahl der Streifenbreite kann also die maximal erreichbare Ortsauflösung vorgegeben werden. Je kleiner die Streifenbreiten sind, desto größere Ortsauflösungen sind grundsätzlich möglich.
  • Verfahrensgemäß wird der anspruchsgemäße γ-Detektor so in eine γ-Strahlung hineingestellt, daß die γ-Strahlen parallel zu den Streifen der Streifendiode in den γ-Detektor einfallen. Ein in die Metallfolie einfallender γ-Strahl wird in der Metallfolie durch den photoelektrischen Effekt absorbiert. Es entsteht dann in der metallischen Konverterfolie ein energiereiches Elektron, das mit einer Restenergie die Konverterfolie verläßt. Der größte Teil der Elektronenenergie wird abhängig von der Länge der Spur in der Konverterfolie deponiert. Wenn die Elektronenreichweite sehr viel größer als die Dicke der Folie ist, verlassen praktisch alle Elektronen die Konverterfolie. Gelangt ein solches Elektron zur Streifendiode, so wird hier ein elektrisches Signal bei geeignet angelegter Spannung an der Diode in Sperrichtung ortsabhängig erzeugt. Das elektrische Signal gibt den gesuchten Meßwert wieder.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform des γ-Detektors besteht die Metallfolie aus Blei oder Gold. Blei und Gold weisen eine hinreichend hohe Ordnungszahl auf. In Materialien, die eine hinreichend hohe Ordnungszahl wie Blei oder Gold aufweisen, werden γ-Strahlen von 0,5 MeV überwiegend durch einen photoelektrischen Effekt absorbiert. Der Anteil konkurrierender Absorptionsmechanismen wie Paarbildung oder Compton-Streuung ist dann vergleichsweise klein. Gleichwirkend zu Gold oder Blei sind daher Metalle, die eine so große Ordnungszahl aufweisen, daß der photoelektrische Effekt bei der Absorption einer solchen γ-Strahlung dominiert.
  • In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Vorrichtung ist die Metallfolie dünner als 500 μm. Die Metallfolie ist insbesondere 50 μm – 200 μm dünn. Dann ist bei harten γ-Strahlen die Reichweite der Photoelektronen regelmäßig sehr viel größer als die Dicke der Metallfolie. So ist sichergestellt, daß praktisch alle Photoelektronen die Konverterfolie verlassen und folglich ein elektrisches Signal in einer angrenzenden Streifendiode auslösen können.
  • Die Tiefe der Metallfolie ist vorzugsweise so zu wählen, daß die γ-Strahlen hinreichend gut absorbiert werden. Die Länge der Streifen sowie die Tiefe der angrenzenden Metallfolie beträgt daher in einer vorteilhaften Ausführungsform regelmäßig 1 – 5 cm. Je nach Material der Metallfolie sowie nach Energie der zu messenden γ-Strahlen variiert die zu wählende Streifenlänge bzw. Tiefe der Metallfolie. Unter Tiefe der Metallfolie wird die Ausdehnung entlang der Streifen der Streifendiode verstanden.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung befinden sich zu beiden Seiten der Metallfolie Streifendioden. Die Zahl der Photoelektronen, die von einer Streifendiode registriert werden, wird so verdoppelt.
  • In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird eine Halbleiterdiode als Streifendiode vorgesehen, bei der über die Sperrspannung die Tiefe einer Verarmungszone an beweglichen Ladungsträger unterhalb der streifenförmigen Elektroden eingestellt werden kann. Diese Einstellung kann bei niedrig dotierten Si-Halbleitern über die Sperrspannung an der Diode in weiten Bereichen von 1 μm bis zur Dicke des verwendeten Substrates (Wafer) von z. B. 0,5 mm vorgenommen werden.
  • Verfahrensgemäß wird dann die Tiefe der Verarmungszone so eingestellt, daß sie in etwa der Streifenbreite der Halbleiterdiode entspricht. Dann wird die Ortsauflösung des γ-Detektors kleiner als zwei Streifenbreiten. Ursächlich für diesen Zusammenhang ist folgender Sachverhalt.
  • Von einem energiereichen Photoelektron, das in der dünnen Konverterfolie durch γ-Absorption entstanden ist und in den Halbleiter gelangt, werden Elektronen- und Lochpaare erzeugt. Nur die in der Verarmungszone entstehenden Ladungspaare tragen zu einem elektrischen Ladungsimpuls an den darüberliegenden Streifen bei. Bei senkrecht (zum Streifen) einfallendem Photoelektron ist das nur ein Streifen. Bei schräg einfallendem Photoelektron können es mehrere sein. In dem Fall wird das Ereignis dem Streifen zugeordnet, das den größten Ladungsimpuls erfährt. Auf diese Weise wird die Ortsauflösung des linearen Detektors kleiner als zwei Streifenbreiten.
  • Mit der eingestellten Tiefe der Verarmungszone wird gleichzeitig die Größe des Ladungsimpulses begrenzt. In einer Schicht von 100 μm Dicke deponiert ein hochenergetisches Elektron bei senkrechtem Einfall eine Energie von etwa 50 keV und erzeugt damit ca. 15.000 Ladungsträger. Der generierte Ladungspuls ist dann 50 mal größer als das vom Sperrstrom erzeugte Rauschsignal. Der Ladungsimpuls ist dann leicht beobachtbar, wenn jeder Streifen mit einem Verstärker oder einer Verstärkerkette (Vor- und Hauptverstärker), einem Pulshöhendiskriminator und einem entsprechenden Zähler verbunden ist.
  • Die bisher beschriebenen anspruchsgemäßen γ-Detektoren ermöglichen Ortsauflösungen, die bis etwa zweimal der Streifenbreite sein können. Es können Auflösungen bis ca. 100 μm realisiert werden.
  • Die Dicke der Metallfolie grenzt den Bereich des γ-Detektors ein, der auf γ-Strahlen reagiert. Diese Beschränkung wird im folgenden vertikale Auflösung genannt.
  • Für einen γ-Detektor mit einer Blei- oder Goldfolie und für γ-Energien von 0,5 bis 1 MeV liegt die bevorzugte Dicke der Metallfolie zwischen 50 und 200 μm. Die Dicke soll kleiner als die Reichweiten der Photoelektronen in diesen Materialien sein. Wenn die Reichweite nicht groß gegen die Foliendicke ist, treten zu viele Photoelektronen auf, die kein Signal in der Streifendiode auslösen. Demnach wäre die vertikale Auflösung regelmäßig auf 50 und 200 μm beschränkt.
  • Zur Lösung dieses Problems ist in einer weiteren Ausführungsform der Erfindung die Metallfolie wellen- oder zickzackartig geformt. Die Wellenkämme bzw. die Zickzackkanten liegen während der Messung senkrecht zur Einstrahlrichtung der γ-Strahlen. So wird die vertikale Auflösung trotz Verwendung dünner Folien erhöht. Die vertikale Auflösung wird durch den Höhenunterschied zwischen Wellental und Wellenberg festgelegt. Dieser Höhenunterschied wird im folgenden (effektive) Konverterhöhe genannt.
  • Es zeigen
  • 1 Gamma-Detektor mit Konverterfolie und einer Halbleiterstreifendiode auf der Unterseite der Folie.
    1: Konverterfolie, 2: Metallstreifen, 3: p+-Streifenkontakt,
    4: n-dotierter Halbleiter, 5: n+-dotierte Gegenelektrode,
    t: Tiefe des Detektors bzw. Länge der Streifen.
  • 2 Querschnitt des Gamma-Detektors, bestehend aus Konverterfolie und zwei Halbleiter-Streifendioden auf der Ober – und Unterseite der Konverterfolie
    dK: Dicke der Konverterfolie, dH: Dicke des Halbleiterwafers (-substrates) 4
    b: Breite des Detektors, H: Gesamthöhe des Detektors und 6: Verarmungszone mit einer Tiefe, die etwa gleich der Streifenbreite ist.
    Die Dicken der Metallstreifen, der p+- und n+-Schichten sind kleiner als 1 μm und deshalb nicht maßstabsgetreu gezeichnet. Die dünne Isolationsschicht zwischen den Metallstreifen und der metallischen Konverterfolie ist nicht eingezeichnet.
  • 3 Dreidimensionale Darstellung einer zickzackartig geformten Konverterfolie,
    L: Gesamtlänge in Einstrahlrichtung
    h: (Effektive) Konverterhöhe δ: Dicke der Metallfolie
    p: Periodenabstand (Abstand zwischen zwei „Wellentälern")
  • 4 Reichweite R der Photoelektronen in Abhängigkeit von ihrer Energie
  • Wenn der Periodenabstand p bei einer wellenartig oder zickzackartig geformten Konverterfolie groß gegenüber der Schichtdicke der Konverterfolie ist, so wird die effektive Absorptionstiefe (Absorptionstiefe Strecke in der Folie, entlang der γ-Strahlen absorbiert werden) unabhängig von dem Periodenabstand. Mit den Größen, wie sie in 3 gezeigt sind, ist die effektive Absorptionstiefe tabs dann gegeben durch
    Figure 00100001
  • Bei dieser Ausgestaltung der Konverterfolie kann die vertikale Auflösung der horizontalen angepaßt werden oder mit dünneren Folien eine größere Nachweiswahrscheinlichkeit erzielt werden.
  • Zur Optimierung der Detektoreigenschaften können die folgenden Parameter variiert werden:
    • 1. Die Tiefe t des Streifendetektors: Mit langen Streifen wird die Absorptionswahrscheinlichkeit der zu detektierenden Gammas erhöht, während der vertikale Akzeptanzwinkel (Akzeptanzwinkel: Auftreffwinkel einer Gammastrahlung auf die Metallfolie, bei dem die Gammastrahlen die Folie so durchlaufen, daß sie dabei absorbiert werden) verringert wird.
    • 2. Das Material der Metallfolie: Favorisierte Materialien sind Pb und Au, die, auf das Atom bezogen, vergleichbar stark mit den Gammas von 0.5 bzw. 1 MeV wechselwirken. Die Dichte ist bei Au etwa doppelt so groß, was kürzere Absorptionslängen, aber auch kürzere Elektronenreichweiten zur Folge hat.
    • 3. Die Wellblech- oder Zickzackstruktur der Metallfolie: Mit dünnen Folien kann die Nachweiswahrscheinlichkeit erhöht werden. Bei Vorsehen einer großen Detektortiefe t kann die vertikale Auflösung von ihrem Minimalwert von 100 μm bis zu 1mm geändert werden.
    • 4. Streifenbreite: Mit breiter werdenden Streifen wird die horizontale Auflösung größer. Optimal ist eine Konverterhöhe, die gleich der Streifenbreite ist.
    • 5. Verarmungszone im Halbleiter-Streifendetektor: Zu bevorzugen sind Verarmungszonen, deren Ausdehnungen mindesten 50 μm und der Streifenbreite angepaßt sind.
  • Beispielhaft seien folgenden Detektordaten genannt:
    Figure 00120001
    Tabelle 1: Bevorzugte Detektorparameter

Claims (8)

  1. Ortsauflösender γ-Detektor mit einer Metallfolie, in der einfallende γ-Strahlen durch einen photoelektrischen Effekt absorbiert werden, wobei an die Metallfolie wenigstens eine Streifendiode grenzt und die Streifendiode durch eine dünne Isolationsschicht elektrisch von der Metallfolie getrennt ist, und dabei die Oberfläche mit den Streifen der Streifendiode der Metallfolie zugewandt ist.
  2. Ortsauflösender γ-Detektor nach vorhergehendem Anspruch, bei dem die Metallfolie aus Blei oder Gold besteht.
  3. Ortsauflösender γ-Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Metallfolie dünner als 0,5 mm ist.
  4. Ortsauflösender γ-Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Länge der Streifen sowie die Tiefe der Metallfolie 1 – 5 cm beträgt.
  5. Ortsauflösender γ-Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich zu beiden Seiten der Metallfolie Streifendioden zur Registrierung von Photoelektronen befinden, die aus der Metallfolie austreten.
  6. Ortsauflösender γ-Detektor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Halbleiterdiode als Streifendiode vorgesehen ist, bei der über die Sperrspannung die Größe einer Verarmungszone an beweglichen Ladungsträgern unterhalb der Streifen der Streifendiode einstellbar ist.
  7. Verfahren zum Betreiben des γ-Detektors nach einem der vorhergehenden Ansprüche, indem der γ-Detektor so in eine zu registrierende γ-Strahlung hineingestellt wird, daß die γ-Strahlen parallel zu den Streifen der Streifendiode des γ-Detektors in den γ-Detektor einfallen.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem eine Halbleiterdiode als. Streifendiode vorgesehen wird, bei der über die Sperrspannung die Größe einer Verarmungszone an beweglichen Ladungsträgern unterhalb der Streifen der Streifendiode einstellbar ist, und bei der die Tiefe der Verarmungszone so eingestellt wird, daß sie in etwa der Streifenbreite der Halbleiterdiode entspricht.
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