DE19753186C2 - Verfahren und Anordnung zur Feststellung der elektrischen Feldstärke in TEM-Zellen - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Anordnung zur Erfassung der elektri­ schen Feldstärke in TEM-Zellen oder Absorberkammern sowie deren Abweichung von vorgegebenen Standardwerten.

Zur Feststellung der Einstrahlfestigkeit elektrischer Produkte im Rahmen der Untersu­ chung auf elektromagnetische Verträglichkeiten und Einhaltung normierter Störfestig­ keiten werden diese Produkte in TEM-Zellen oder Absorberkammern eingebracht und einem in dieser Einrichtung erzeugten elektrischen Feld ausgesetzt. Hierzu ist es er­ forderlich, daß das in der TEM-Zelle oder Absorberkammer erzeugte Feld bestimmten Qualitätsanforderungen genügt. Insbesondere ist erforderlich, daß das elektrische Feld in der TEM-Zelle oder Absorberkammer hinreichend homogen ist.

Zur Feststellung der Qualität des elektrischen Feldes in Absorberkammern wurde in einer Druckschrift (Genz, Kolberg: Qualität und Kompatibilität von Absorbermeßhal­ len, ELEKTRIE 1994, Heft 7) bereits vorgeschlagen, diese mit Antennen zu bestüc­ ken, welche ein in der Absorberkammer erzeugtes elektrisches Feld in seiner Stärke aufnehmen und zuleitungsgeführt zu einer Auswerteeinheit außerhalb der Absorber­ kammer übermitteln, so daß nach Auswertung Schlußfolgerungen über die Brauch­ barkeit der Absorberkammer zur Durchführung von Untersuchungen auf elektromag­ netische Verträglichkeiten gezogen werden können. Wegen der räumlichen Ausdeh­ nung der benötigten Antennen muß dieses Verfahren aber auf Höhenvariation dieser Antennen beschränkt bleiben. Im Weiteren ist das Verfahren wegen der ausgedehn­ ten reflektierenden Flächen der Antennen geeignet, das zu messende elektrische Feld wesentlich zu beeinflussen und die Meßgenauigkeit herabzusetzen.

In einer weiteren Druckschrift (Geromiller, Ristau, Weiss: Schwankungen; Frequenz und ortsabhängig: Das elektrische Feld in einer GTEM-Zelle 1750; Elektronikpraxis 1997, Heft 1, S. 58-59) wurde vorgeschlagen, das elektrische Feld in einer TEM-Zelle mittels Sensor in seiner Stärke aufzunehmen und zuleitungsgeführt zu einer Auswer­ teeinheit außerhalb der TEM-Zelle zu übermitteln.

Im Gegensatz zu den in den Druckschriften erwähnten Verfahren wird in der folgend beschriebenen Erfindung die Erfassung des elektrischen Feldes in einer TEM-Zelle oder Absorberkammer mit einer Einrichtung realisiert, welche nach Erfassung dieses elektrischen Feldes die Information über die Stärke desselben zuleitungslos zu einer außerhalb der TEM-Zelle oder Absorberkammer befindlichen Einrichtung übermittelt.

Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine An­ ordnung zur Signalisierung der in einer TEM-Zelle oder Absorberkam­ mer auftretenden elektrischen Feldstärke und/oder deren Abweichung zu entwickeln, in dem unter Bezugnahme auf ein vorgegebenes weiter gespanntes Frequenzband die Über- oder Unterschreitung der elektrischen Feldstärke von vorgebenen Werten detektiert wird. Zugleich ist die Objektivierung gemessener Größen zu verbessern. Die Abmessungen einer erfindungsgemäßen Anord­ nung und damit ebenfalls deren innerer Aufbau sind gering zu halten, um einen universellen Einsatz auch unter ungünstigen Bedingungen zu ermöglichen, die in einer TEM-Zelle oder Absorberkammer ohnehin gegeben sind.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß bezüglich des Verfahrens durch die im Anspruch 1 und bezüglich der Anordnung durch die im Anspruch 4 angegebenen Merkmale gelöst.

Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Das auf seine Feldstärke zu untersuchende elektrische Feld in der TEM-Zelle oder Absorberkammer, das durch Signale von außen initiiert ist, wird von einem elektrischen Dipol auf HF-IN durchgeschleift. Das Gehäuse der erfindungsgemäßen Einrichtung besteht deshalb aus vorzugsweise kegel­ stumpfartig ausgebildeten Hälften mit elektrisch leitender Oberfläche, die als Dipol wirkend ausgebildet sind und alternativ ebenfalls kugelkalottenartig oder in jeder beliebigen anderen räumlichen Form ausgeführt sein können. Diesem Dipol nachgeordnet ist ein Eingangsspannungsbegrenzer, der die Amplitude so begrenzend ausgebildet, daß die Spitzenspannung unterhalb der Verträg­ lichkeitsspannung der nachfolgend angeordneten Gleichrichtereinheit bleibt. Diese nachfolgend angeordnete Gleichrichtereinheit ist nach dem Prinzip der Einweggleichrichtung wirkend und für hohe Frequenzen geeignet ausgebildet. Das an HF-IN anliegende Signal bewirkt damit eine Gleichspannung, die den Arbeitspunkt der Gleichrichterdiode in der Gleichrichtereinheit zu kleineren Werten hin verschiebt. Dem Gleichrichter nachgeordnet ist ein RC-Tiefpaß, der die Spannung der in der Gleichrichtereinheit angeordneten Gleichrichterdiode dem invertierenden Eingang eines nachfolgenden Komparators zuführt. Des­ sen Funktion erfordert an seinem nichtinvertierenden Eingang eine Vergleichs­ spannung, welche von der stabilisierten Betriebsspannung abgeleitet ist und deshalb über der im Referenzspannungteiler befindlichen Gleichrichterdiode abgegriffen wird. Zur Gewährleistung niedriger Schwellenspannungen und ho­ her Breitbandigkeit wurden die in der Gleichrichtereinheit und im nachfolgend angeordneten Referenzspannungsteiler befindlichen Dioden als Schottkydio­ den ausgelegt. Beide Dioden sind vorzugsweise Bestandteile einer integrierten Schaltung, sodaß Temperaturänderungen auf beide Dioden wirken. Damit wer­ den Flußspannungsunterschiede vermieden.

Der über der im Referenzspannungsteiler befindlichen Diode ist zunächst im Referenzspannungsteiler ein erster Eingangswiderstand nachgeordnet, dem ein weiterer nach Masse geschaltener zweiter Widerstand folgt. Damit wird die abgegriffene Referenzspannung auf den für den nachfolgend angeordneten Komparator benötigten Wert geteilt, sodaß damit die Eingangsspannungsem­ pfindlichkeit beeinflußt wird.

Bei wachsender Eingangsspannung an HF-IN fällt damit die Gleichrichterspan­ nung am invertierenden Eingang des Komparators ab und unterschreitet schließlich den Wert der Vergleichsspannung am nichtinvertierenden Eingang. Am Ausgang des Komparators kippt der Pegel von Low nach High.

Der Einbindung des zweiten Widerstandes im Referenzspannungsteiler folgt ein Operationsverstärker, dem ein bekannter ODER-Schalter folgt. Parallel zum erwähnten Operationsverstärker befindet sich ein Rückkopplungswiderstand, der den Ausgang des Operationsverstärkers auf den nichtinvertierenden Ein­ gang des Operationsverstärkers zurückkoppelt. Damit wird das Potential am nichtinvertierenden Eingang des Komparators zu höheren Werten hin geändert.

Alternativ ist es ebenfalls möglich, die genannten drei Widerstände regelbar auszuführen. Damit ergibt sich eine Einstellbarkeit des Empfindlichkeitsberei­ ches.

Eine abnehmende Eingangsspannung an HF-IN bewirkt demzufolge einen An­ stieg der Spannung über der Gleichrichterdiode.

Übersteigt die Spannung die nunmehr etwas erhöhte Vergleichsspannung am nichtinvertierenden Eingang des Komparators, so nimmt der Komparatoraus­ gang wieder Low-Pegel an.

Das Detektionssignal wird mit einem Quarzoszillator erzeugt und aufbereitet. Hierzu ist ein Schwingquarz mit zu Invertern geschalteten NAND-Gattern ver­ schalten. Anschwinghilfe wird zweckmäßigerweise über einen in den Quarzos­ zillator integrierten Widerstand geleistet, wobei ebenso eine Entlastung des Schwingquarzes über einen Kondensator erfolgt.

Der ODER-Schalter ist wiederum mit einem im Quarzoszillator vorhandenen NAND-Gatter und einem Endverstärker, beide bei Vorhandensein eines Signals einschaltend, verbunden, wobei der Endverstärker dem Quarzoszillator nach­ geordnet ist, der das vom Quarzoszillator bereitgestellte Signal verstärkt, wenn am Ausgang der Komparatoren ein H-Signal anliegt. Dem Quarzoszillator folgt eine Ferritantenne, über die die ermittelten Größen nach einem außerhalb der TEM-Zelle oder Absorberkammer befindlichen Empfänger wei­ tergegeben werden. Die Ferritantenne ist zur Minimierung von Wirbelströmen in den Gehäusehalbschalen vorzugsweise so angeordnet, daß die Ferritkernach­ se senkrecht auf der Dipolachse steht.

Die Schaltung aller Komponenten wurde in SMD-Bauweise realisiert, um die Abmessungen gering zu halten und einen kapazitäts- und induktivitätsarmen Aufbau zu gewährleisten. Alle Komponenten sind vorzugsweise auf einer dop­ pelseitigen Platine mit einseitig durchgehender Massefläche angeordnet, um HF-mäßig eindeutige Massebezüge einzuhalten.

Durch den Vergleich an verschiedenen Punkten in der TEM-Zelle oder Absorberkammer gemessener Werte und deren drahtlose Übermittlung nach außen lassen sich Störungen erkennen und eliminieren, und ein später zu bewertender Prüfling läßt sich an der definierbaren Stelle oder an deren mehreren positionieren, an denen eine Verfälschung nicht erfolgt. Das Verfahren läßt sich in definierten Höhen fortführen, um so die Güte der TEM- Zellen oder Absorberkammern und die relative Größe von Störwerten in Quasi-Scheiben zu ermitteln und die Prüfstellung ebenfalls in der dritten Dimension festzulegen. Das Raster für die Messung in allen 3 Di­ mensionen wird hier ganz entscheidend von der Größe der Einrichtung be­ stimmt, die zum Empfang und zur Bewertung zu messender Werte zur Verfü­ gung steht. Mit Hilfe der erfindungsgemäßen Einrichtung wird dem Zellenan­ schluß eine Spannung variabler Amplitude und Frequenz zugeführt, sodaß in­ nerhalb der TEM-Zelle oder Absorberkammer eine elektrische Feldstärke variabel in Größe und Frequenz erzeugt wird. Innerhalb des Prüfvo­ lumens der TEM-Zellen oder Absorberkammern ist der Detektor lagevariant plaziert. Je Lagepunkt des Detektors wird die Feldstärke in der TEM- Zelle oder Absorberkammer solange variiert, bis der Detektor die obere Schaltschwelle (beziehungsweise später die untere Schwelle) erreicht und zuleitungslos ein daraus resultierendes Signal einer außerhalb der TEM- Zellen oder Absorberkammern befindlichen Meßeinrichtung zu­ führt. Ziel der Messung ist somit ebenfalls die Erfassung der Inhomogenitäten des Übertragungsverhaltens innerhalb des Prüfvolumens der TEM-Zellen oder Absorberkammern. Damit ist durch die zuleitungslose Übertra­ gung festgestellter Detektionssignale zunächst nicht nur eine durch Störfakto­ ren in Form von Verzerrungen unbeeinflußte Übertragung festgestellter Größen gegeben, vielmehr ist durch die Größe der erfindungsgemäßen Einrichtung diese sehr variabel in der TEM-Zelle oder Absorberkammer positionierbar. Dazu ist die Feststellung von Über- und Unterschreitungen der Feldstärkeamplituden in einem breiten Frequenzband möglich.

Die Erfindung soll im folgenden an einem Ausführungsbeispiel näher erläutert werden.

In der zugehörigen Zeichnung zeigen

Fig. 1 das Blockschaltbild einer erfindungsgemäß aufgebauten Einrichtung,

Fig. 2 den Stromlaufplan einer erfindungsgemäß aufgebauten Einrichtung.

Eine zweckmäßig gestaltete Einrichtung zur Realisierung des erfindungsgemäß vorgeschlagenen Verfahrens ist so aufgebaut, daß die Spannungsversorgung einer in einer TEM-Zelle oder Absorberkammer vorhandenen De­ tektionssignaleinheit über einen Akkumulator 1 zur internen Stromversorgung verfügt. Beispielhaft besteht dieser Akkumulator 1 aus einer Reihenschaltung von zwei NiMH-Akkus mit einer Akkumulatornennspannung von jeweils 3,6 Volt. Dem Akkumulator nachgeschaltet ist ein Spannungsstabilisator 2, der vorzugsweise als Low-Drop-Spannungsregler 3 ausgeführt ist, um die Span­ nungsversorgung der Schaltkreise auch bei nahezu entladenen Akkus zu ge­ währleisten. Des weiteren ist ein Unterspannungsindikator 4 nachgeordnet, der an seinem Ausgang auf H-Pegel schaltet, sobald die Akkumulatorspannung einen bestimmten Wert erreicht. Dieser H-Pegel bewirkt ein dauerhaftes Durchschleifen des Detektionssignals auf den Ausgang. Insoweit können be­ triebsspannungsbedingte Schaltschwellenänderungen festgestellt werden.

Die für den Operationsverstärker 5 des Komparators erforderliche Referenz­ spannung wird über Widerstände 6 und 7 von der stabilisierten Betriebsspan­ nung abgeleitet.

Das auf seine Feldstärke zu untersuchende elektrische Feld in der TEM-Zelle oder Absorberkammer, das durch Signale von außen initiiert ist, wird von einem elektrischen Dipol auf HF-IN durchgeschleift. Das Gehäuse der erfindungsgemäßen Einrichtung besteht deshalb aus beispielhaft kegelstumpf­ artig ausgebildeten metallischen Hälften, die als Dipol wirkend ausgebildet sind. Diesem Dipol nachgeordnet ist ein Eingangsspannungsbegrenzer 8, der die Amplitude auf 0,3 V begrenzend ausgebildet ist, so daß die Spitzenspannung unterhalb der Verträglichkeitsspannung der nachfolgend angeordneten Gleich­ richtereinheit 9 bleibt. Für niedrigere Frequenzen bildet der Widerstand 12 den wesentlichsten Anteil am Eingangswiderstand der Gleichrichtereinheit 9. Diese nachfolgend angeordnete Gleichrichtereinheit 9 ist über den Kondensator 10 und die Gleichrichterdiode 11 nach dem Prinzip der Einweggleichrichtung wir­ kend und für hohe Frequenzen geeignet ausgebildet. Das an HF-IN anliegende Signal bewirkt damit am Kondensator 10 eine Gleichspannung, die den Arbeits­ punkt der Gleichrichterdiode 11 in der Gleichrichtereinheit 9 zu kleineren Wer­ ten hin verschiebt. Der Gleichrichtereinheit 9 nachgeordnet ist ein RC-Tiefpaß, bewirkt durch die Anordnung des Widerstandes 29 und des Kondensators 30, der die Spannung der in der Gleichrichtereinheit 9 angeordneten Gleichrichter­ diode 11 dem invertierenden Eingang eines nachfolgenden Komparators 13 zuführt. Dessen Funktion erfordert an seinem nichtinvertierenden Eingang eine Vergleichsspannung, welche von der stabilisierten Betriebsspannung abgeleitet ist und deshalb über die im Referenzspannungsteiler befindliche Gleichrichter­ diode 14 abgegriffen wird. Zur Gewährleistung niedriger Schwellenspannungen und hoher Breitbandigkeit wurden die in der Gleichrichtereinheit 9 und im nach­ folgend angeordneten Referenzspannungsteiler 28 befindlichen Gleichrichterdi­ oden 11 und 14 als Schottkydioden ausgelegt. Beide Dioden 11 und 14 sind Bestandteile einer integrierten Schaltung, so daß Temperaturänderungen auf beide Dioden 11 und 14 wirken. Damit werden Flußspannungsunterschiede vermieden.

Zur Vermeidung schleichender Arbeitspunkte beider Dioden 11 und 14 weist der Komparator 13 eine schmale Hysterese auf, so daß die Unterschreitung der Mindestreglerlängsspannung von 0,5 Volt signalisiert wird. Der über der im Re­ ferenzspannungsteiler 28 befindlichen Diode 14 ist zunächst im Referenzspan­ nungsteiler 28 ein erster Eingangswiderstand 15 nachgeordnet, dem ein weite­ rer nach Masse geschaltener zweiter Widerstand 16 folgt. Damit wird die abge­ griffene Referenzspannung auf den für den nachfolgend angeordneten Kompa­ rator 13 benötigten Wert geteilt, so daß damit die Eingangsspannungsempfind­ lichkeit beeinflußt wird.

Bei wachsender Eingangsspannung an HF-IN fällt damit die Gleichrichterspan­ nung am invertierenden Eingang des Komparators 13 ab und unterschreitet schließlich den Wert der Vergleichsspannung am nichtinvertierenden Eingang. Am Ausgang des Komparators 13 kippt der Pegel von Low nach High.

Der Einbindung des zweiten Widerstandes 16 im Referenzspannungsteiler 28 folgt ein Operationsverstärker, dem ein bekannter ODER-Schalter 33 folgt. Pa­ rallel zum erwähnten Operationsverstärker befindet sich ein Rückkopplungswi­ derstand 17, der den Ausgang des Operationsverstärkers auf den nichtinver­ tierenden Eingang des Operationsverstärkers zurückkoppelt. Damit wird das Potential am nichtinvertierenden Eingang des Komparators zu höheren Werten hin geändert.

Eine abnehmende Eingangsspannung an HF-IN bewirkt demzufolge einen An­ stieg der Spannung über der Diode 14. Beispielhaft wurden die genannten Wi­ derstände 15, 16 und 17 als Festwiderstände ausgeführt.

Übersteigt die Spannung die nunmehr etwas erhöhte Vergleichsspannung am nichtinvertierenden Eingang des Komparators 13, so nimmt der Komparator­ ausgang wieder Low-Pegel an.

Das Detektionssignal wird mit einem Quarzoszillator 18 erzeugt und aufbereitet. Hierzu ist ein Schwingquarz 19 mit Invertern 20; 21 verschaltet, die beispielhaft als NAND-Gatter geschaltet sind. Anschwinghilfe wird zweckmäßigerweise über einen in den Quarzoszillator 18 integrierten Widerstand 22 geleistet, wobei ebenso eine Entlastung des Schwingquarzes 19 über einen Kondensator 23 er­ folgt.

Dem Quarzoszillator 18 ist ein Endverstärker 24 nachgeordnet, der das vom Quarzoszillator 18 bereitgestellte Signal empfängt, wenn am Ausgang des Komparators ein H-Signal anliegt. Ein hier angeordneter Transistor 25 ist in Emitterschaltung arbeitend ausgebildet und ist mit dem Widerstand 26 hinsicht­ lich des Gleichstromes gegengekoppelt in B-Betrieb arbeitend angeordnet. Sein Kollektorruhestrom ist auf etwa 1 mA eingestellt.

Dem Quarzoszillator folgt eine Ferritantenne 27, über die ermittelte Größen nach einem außerhalb der Abschirmzelle oder Absorberkammer befind­ lichen Empfänger weitergegeben werden. Die Ferritantenne 27 ist zur Minimie­ rung von Wirbelströmen in den Gehäusehalbschalen so angeordnet, daß die Ferritkernachse senkrecht auf der Dipolachse steht.

Bezugszeichenliste

1

Akkumulator

2

Spannungsstabilisator

3

Low-Drop-Spannungsregler

4

Unterspannungsindikator

5

;

31

Operationsverstärker

6

;

7

;

12

;

16

;

22

;

26

;

29

Widerstand

8

Eingangsspannungsbegrenzer

9

Gleichrichtereinheit

10

;

23

;

30

Kondensator

11

;

14

Gleichrichterdiode

13

Komparator

15

Eingangswiderstand

17

Rückkopplungswiderstand

18

Quarzoszillator

19

Schwingquarz

20

;

21

;

32

Inverter

24

Endverstärker

25

Transistor

27

Ferritantenne

28

Referenzspannungsteiler

Claims (12)

1. Verfahren zur Prüfung von TEM-Zellen oder Absorberkam­ mern, bei dem punktweise aufeinanderfolgend in einem breiten Fre­ quenzband harmonische Signale mit wählbarem Frequenzabstand

• 1. von außen nach innen übermittelt,
• 2. diese im Inneren der TEM-Zelle oder Absorberkam­ mer detektiert werden,
• 3. hierzu der Wert der detektierten Feldstärke bei unterschiedlichen Frequenzen unter Anwendung eines fiktiven Rasters
• 4. auf einen konstanten Wert des in die TEM-Zelle oder Ab­ sorberkammer eingespeisten Signals bezogen wird,
• 5. die Detektion ermittelter Werte zuleitungslos unverfälscht einem außerhalb der TEM-Zelle oder Absorberkam­ mer befindlichen Meßpunkt übertragen wird,
• 6. am Meßpunkt ein Vergleich ermittelter Werte mit der initiierten Eingangsfeldstärke erfolgt,
• 7. durch Korrelation Schlußfolgerungen auf die Güte der TEM-Zelle oder Absorberkammer gezogen werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die rasterartige Anordnung der Meßpunkte

• 1. flächenhaft erfolgt.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem die rasterartige Anordnung der Meßpunkte

• 1. in mehr als einem definierten Höhenhorizont fortgesetzt wird.

4. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der eine in einer TEM-Zelle oder Absorberkammer vorhandene Detektionssignaleinheit über einen

• 1. Akkumulator (1) zur internen Stromversorgung verfügt, dem Akkumulator (1) ein Spannungsstabilisator (2) nachge­ schaltet ist,
• 2. in der Anordnung ein Unterspannungsindikator (4) folgt,
• 3. dieser bei Unterschreitung einer Akkumulatormindestspannung ein dauerhaftes Durchschleifen des Detektionssignals auf den Ausgang bewirkend ausgestaltet ist,
• 4. das Gehäuse der erfindungsgemäßen Einrichtung als Dipol wir­ kend aus sich zu einem räumlichen Körper ergänzenden Hälften mit leitender Oberfläche besteht,
• 5. dem Dipol ein die Amplitude begrenzender Eingangsspannungs­ begrenzer (8) nachgeordnet ist,
• 6. eine nachfolgend angeordnete Gleichrichtereinheit (9) nach dem Prinzip der Einweggleichrichtung wirkend und für hohe Frequen­ zen geeignet ausgebildet ist,
• 7. der Gleichrichtereinheit (9) ein die Spannung über der in der Gleichrichtereinheit (9) angeordneten Gleichrichterdiode (11) übernehmender RC-Tiefpaß (29; 30) und diese dem invertie­ renden Eingang eines nachfolgenden Komparators (13) zur Er­ zeugung eines Signals in Abhängigkeit von der Überschreitung der vorgegebenen Eingangsfeldstärke (13) zuführend folgt,
• 8. der nichtinvertierende Eingang des Komparators (13) zur Erzeu­ gung eines Signals in Abhängigkeit von der Überschreitung der vorgegebenen Eingangsfeldstärke eine von der stabilisierten Be­ triebsspannung zugeführte Vergleichsspannung übernehmend ausgebildet ist,
• 9. zur Gewährleistung niedriger Schwellenspannungen und hoher Breitbandigkeit die in der Gleichrichtereinheit (9) und im parallel dazu angeordneten Referenzspannungsteiler (28) befindlichen Gleichrichterdioden (11; 14) als Schottkydioden ausgelegt sind,
• 10. der über der im Referenzspannungsteiler (28) befindlichen Gleich­ richterdiode (14) ein erster Eingangswiderstand (15) nachgeord­ net ist,
• 11. dem ein weiterer nach Masse geschalteter zweiter Widerstand (16) folgt,
• 12. der Einbindung des zweiten Widerstandes (16) im Referenzspan­ nungsteiler (28) ein Operationsverstärker (31) nachgeordnet ist, dem ein bekannter ODER-Schalter folgt,
• 13. parallel zum erwähnten Operationsverstärker (31) sich ein Rück­ kopplungswiderstand (17) befindet, der den Ausgang des Opera­ tionsverstärkers (31) auf den nichtinvertierenden Eingang des Operationsverstärkers (31) zurückkoppelnd eingebunden ist,
• 14. ein ein Detektionssignal erzeugender und aufbereitender Quarz­ oszillator (18) folgt, in diesem
• 15. ein Schwingquarz (19) mit Invertem (20; 21) verschaltet ist,
• 16. im weiteren ein Anschwinghilfe leistender Widerstand (22) und
• 17. ein eine Entlastung des Schwingquarzes (19) herbeiführender Kondensator (23) vorhanden ist,
• 18. der ODER-Schalter mit einem im Quarzoszillator (18) vorhande­ nen Inverter (32) und einem Endverstärker (24), beide bei Vorhan­ densein eines Signals, einschaltend verbunden ist,
• 19. der Quarzoszillator (18) ausgangsseitig mit dem Endverstärker (24) verbunden ist,
• 20. dem eine ermittelte Größe nach einem außerhalb der TEM-Zelle oder Absorberkammer befindlichen Empfänger wei­ tergebende Ferritantenne (27) folgend angeordnet ist.

5. Anordnung nach Anspruch 4, bei der

• 1. der Spannungsstabilistor (2) als Low-Drop-Spannungsregler (3) ausgeführt ist.

6. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 oder 5, bei der

• 1. beide Gleichrichterdioden (11; 14) Bestandteile einer integrierten Schaltung sind.

7. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 6, bei der

• 1. der im Referenzspannungsteiler (28) vorhandene erste Ein­ gangswiderstand (15) regelbar ausgeführt ist.

8. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 7, bei der

• 1. der nach Masse geschaltene Widerstand (16) regelbar ausgeführt ist.

9. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 8, bei der

• 1. der Rückkopplungswiderstand (17) regelbar ausgeführt ist.

10. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 9, bei der

• 1. die Ferritkernachse senkrecht auf der Dipolachse stehend ausgebildet ist.

11. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 10, bei der

• 1. alle Komponenten in SMD-Bauweise realisiert sind.

12. Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 11, bei der

• 1. die Bauteile tragende Platine doppelseitig mit einseitig durchgehender Massefläche ausgebildet ist.