DE19748324A1 - Optoelektronisches Sensormodul - Google Patents
Optoelektronisches SensormodulInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein optoelektronisches Sensor
modul, insbesondere zur Verwendung in magnetischen Schreib-/Le
se-Köpfen in magnetischen Aufnahme- und/oder Wiedergabe-Ge
räten.
Aufgrund zunehmender Komplexität der verfügbaren Computerpro
gramme und der immer größer werdenden zu speichernden Daten
mengen, ist es erforderlich, Speichermedien mit immer größe
rer Speicherkapazität zu entwickeln. Eine Möglichkeit, bei
spielsweise die Speicherkapazität der bekannten, auf einem
magnetischen Speicherverfahren basierenden Floppydisk zu er
höhen, besteht darin, die Spuren, auf denen die Informationen
auf dem magnetischen Speichermedium der Floppydisk gespei
chert sind, enger zusammenzuführen.
Bei derzeit verfügbaren Floppydisk-Laufwerken beträgt bei me
chanischer Führung des magnetischen Schreib-/Lese-Kopfes der
Spurabstand auf dem Speichermedium etwa 100 µm. Eine deutli
che Verringerung dieses Abstandes, z. B. um den Faktor 100
(dadurch würde die Speicherkapazität des magnetischen Spei
chermediums um das 100fache erhöht), ist mit einer herkömm
lich verwendeten magnetomechanischen Spurführung nicht mög
lich. Eine entsprechend präzisere Spurführung ist aber opto
mechanisch möglich und wird seit Jahren bei Compakt-Disk(CD)-
Laufwerken erfolgreich eingesetzt. Hierbei wird ein Laser
strahl auf die entsprechende Disk-Oberfläche fokussiert und
von dieser wieder auf einen geeigneten Detektor reflektiert.
Entsprechend einem Strich- oder Punktmuster auf der Disk, das
das Reflexionsverhalten der Disk entsprechend ändert, ent
steht ein moduliertes elektrisches Signal am Detektor, das
neben dem Datentransfer auch zur Spurerkennung und -führung
benutzt werden kann. Mit diesem Verfahren sind Spurabstände
im µm-Bereich realisierbar.
Halbleiterlaser-Bauelemente für die Verwendung in optischen
Schreib-/Leseköpfen von optischen Aufnahme- und Wiedergabe-
Geräten sind beispielsweise aus der EP 199 565 bekannt. Bei
den hierin beschriebenen Bauelementen sind jeweils zwei Foto
detektoren, ein Signaldetektor zur Aufnahme der von einer CD
reflektierten optischen Signale und ein Monitordetektor zur
Überwachung der Ausgangsleistung eines zugehörigen Halblei
terlaserchips, in einer Silizium-Platte integriert.
Die beiden Fotodetektoren sind in Abstrahlrichtung des Halb
leiterlaserchips gesehen, hintereinander angeordnet und lie
gen auf der Strahlachse des vom Halbleiterlaserchip abge
strahlten Laserstrahles. Über dem Signaldetektor ist ein
teildurchlässiger Umlenkspiegel angeordnet, der einen kleinen
Teil der von dem Halbleiterlaserchip ausgesandten Strahlung
zum Monitordetektor hin durchläßt und den größeren Teil der
Laserstrahlung durch Reflexion um 90° in Richtung von der Si
lizium-Platte weg umlenkt. Die reflektierte Laserstrahlung
trifft auf die CD, wird dort entsprechend dem auf dieser an
gebrachten Reflexionsmuster wieder zum Halbleiterlaser-
Bauelement hin zurückreflektiert, tritt durch den teildurch
lässigen Umlenkspiegel hindurch und trifft auf den darunter
angeordneten Signaldetektor auf.
Diese Anordnung hat jedoch die Nachteile, daß erstens eine am
teildurchlässigen Umlenkspiegel gestreute Laserstrahlung vom
Halbleiterlaserchip kommend direkt auf den Signaldetektor
trifft und das vom optischen Datenspeicher reflektierte opti
sche Signal stört und zweitens die Herstellung von teildurch
lässigen Spiegeln mit hinreichenden Eigenschaften für diese
Anwendung sehr schwierig ist.
Ein bekannter Vorschlag, eine optomagnetische Spurführung mit
einem magnetischen Schreib-/Lese-Kopf eines magnetischen
Speichergeräts zu verbinden, besteht darin, die Laserquelle
als diskretes Bauelement in Form eines Halbleiter-Laserchips
in einem metallischen TO-Gehäuse (Durchmesser etwa 5 mm) zu
sammen mit den notwendigen diskreten Strahlformungs- und
Strahlführungs-Optiken und den zugehörigen Detektoren, die
ebenfalls in diskreten metallischen TO-Gehäusen montiert
sind, nebeneinander auf dem mechanisch bewegten Trägerarm des
magnetischen Schreib-/Lese-Kopfes zu befestigen. Dieser Auf
bau der Laserquelle mit den zugehörigen Detektoren und den
optischen Komponenten auf dem Trägerarm des magnetischen
Schreib-/Lese-Kopfes vergrößert jedoch sowohl dessen Bauform
als auch dessen Masse erheblich. Dies hat zwei entscheidende
Nachteile zur Folge:
Erstens wird durch die größere träge Masse des Armes, die hö here Beschleunigungskräfte zur Bewegung des Armes notwendig macht, dessen Beweglichkeit beschränkt und damit die Zu griffszeit auf die Daten-Spuren des magnetischen Speicherme diums und folglich die Datenzugriffszeit erhöht. Zweitens vergrößern die TO-Komponenten des Halbleiter- Laserchips und der Detektoren die Abmessungen des Gesamtauf baus des entsprechenden Speicher-Laufwerks derart, daß die Standard-Gehäusehöhe von 1 Zoll nicht mehr erreicht werden kann. Ein entsprechend dieser Technik aufgebautes opto magnetisches Floppydisk-Laufwerk kann daher die bisher ver wendeten magnetischen Floppydisk-Laufwerke nicht unmittelbar ersetzen, da es in die standardmäßigen Einbauschächte von Personal-Computern und noch weniger von Laptops nicht einge baut werden kann.
Erstens wird durch die größere träge Masse des Armes, die hö here Beschleunigungskräfte zur Bewegung des Armes notwendig macht, dessen Beweglichkeit beschränkt und damit die Zu griffszeit auf die Daten-Spuren des magnetischen Speicherme diums und folglich die Datenzugriffszeit erhöht. Zweitens vergrößern die TO-Komponenten des Halbleiter- Laserchips und der Detektoren die Abmessungen des Gesamtauf baus des entsprechenden Speicher-Laufwerks derart, daß die Standard-Gehäusehöhe von 1 Zoll nicht mehr erreicht werden kann. Ein entsprechend dieser Technik aufgebautes opto magnetisches Floppydisk-Laufwerk kann daher die bisher ver wendeten magnetischen Floppydisk-Laufwerke nicht unmittelbar ersetzen, da es in die standardmäßigen Einbauschächte von Personal-Computern und noch weniger von Laptops nicht einge baut werden kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,
ein optoelektronisches Sensormodul zu entwickeln, das eine
geringe Masse, einen geringen Platzbedarf und eine verringer
te Störanfälligkeit aufgrund gestreuter Laserstrahlung auf
weist. Weiterhin soll ein technisch einfaches Herstellungs
verfahren für ein derartiges optoelektronisches Sensormodul
angegeben werden, das eine wirtschaftliche Massenproduktion
ermöglicht. Das Sensormodul soll mit herkömmlichen Bestückungs
anlagen montierbar sein.
Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Sensormodul
mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Vorteilhafte
Weiterbildungen des optoelektronischen Sensormoduls sind Ge
genstand der Unteransprüche 2 bis 7.
Erfindungsgemäß ist ein optoelektronisches Sensormodul zur
Erkennung von Reflexionsmustern auf einem magnetischen Daten
träger vorgesehen, bei dem auf einer ersten Hauptfläche eines
Kühlelements ein Laser-Emitterbauelement mit einer Laser-
Abstrahlachse befestigt ist. In dem Kühlelement ist seitlich
versetzt zur Laser-Abstrahlachse neben dem Laser-
Emitterbauelement mindestens ein erster Sensor-Photodetektor
zum Auslesen der Spurdaten ausgebildet. An der ersten
Haupt fläche des Kühlelements sind elektrisch leitende An
schlußflächen (Bondpads) ausgebildet oder aufgebracht, die
mittels an der ersten Haupt fläche ausgebildeten oder aufge
brachten voneinander elektrisch isolierten elektrischen Lei
terbahnen mit elektrischen Anschlüssen des Laser-
Emitterbauelements bzw. des Sensor-Photodetektors verbunden
sind. An der dem Kühlelement gegenüberliegenden Seite des La
ser-Emitterbauelements ist eine Linsenanordnung vorgesehen,
die mittels wenigsten eines Stützsteges auf dem Kühlelement
befestigt ist. Das Laser-Emitterbauelement ist derart ange
ordnet, daß im Betrieb wenigstens ein erster Teil einer von
diesem ausgesandten Laserstrahlung direkt oder nach einer Um
lenkung mit einem Reflexionselement durch die Linsenanordnung
hindurch aus dem Sensormodul ausgekoppelt wird. Die ausgekop
pelte Laserstrahlung wird wenigstens zum Teil von den Refle
xionsmustern auf dem außerhalb des Sensormoduls angeordneten
magnetischen Datenträger zum Sensor-Photodetektor hin modu
liert zurückreflektiert und von diesem empfangen.
Das erfindungsgemäße optoelektronische Sensormodul löst die
weiter oben beschriebenen Probleme der zu großen Masse und
der zu großen Bauhöhe dadurch, daß der Sensor-Fotodetektor,
das Laser-Emitterbauelement, die Leiterbahnen für diese elek
tronischen Bauelemente, die Anschlußflächen (Bondpads) und
der Stützsteg für die Linsenanordnung auf einem einzigen Küh
lelement integriert ausgebildet (Sensor-Photodetektor) bzw.
angeordnet und somit auf engstem Raum vereinigt sind.
Störende Laserstreustrahlung wird dadurch verringert, daß der
Sensor-Photodetektor nicht auf der Abstrahlachse des Laser-
Emitterbauelements liegt, sondern neben dieser positioniert
ist.
Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung des optoelek
tronischen Sensorbauelments ist das Kühlelement eine im We
sentlichen Silizium aufweisende Trägerplatte, in der die Sen
sorphotodiode integriert ausgebildet ist. Auf der Trägerplat
te ist eine Isolationsschicht aufgebracht, auf der die An
schlußflächen (Bondpads) sowie die elektrischen Leiterbahnen
aufgebracht sind.
Silizium ist ein sehr guter Wärmeleiter und von daher als Ma
terial für das Kühlelement besonders geeignet. Vorteilhafter
weise lassen sich in Silizium auf einfache Weise Photodetek
toren, wie Photodioden und Phototransistoren, herstellen. Die
zugehörige Technologie an sich ist bekannt und wird von daher
an dieser Stelle nicht näher erläutert.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des zuletzt
beschriebenen optoelektronischen Sensorbauelments ist das La
ser-Emitterbauelement zwischen einem ersten und einem zweiten
Stützsteg angeordnet, die im Wesentlichen aus Glas bestehen.
Zwischen den Stützstegen und der Siliziumplatte ist jeweils
eine Bond-Schicht, im Wesentlichen bestehend aus amorphem Si
lizium, angeordnet und die beiden Stützstege sind mittels an
odischem Bonden auf der entsprechenden Bond-Schicht befe
stigt. Diese Bauweise ermöglicht vorteilhafterweise eine ra
tionelle Massenfertigung des optoelektronischen Sensormoduls.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen des erfin
dungsgemäßen optoelektronischen Sensors ergeben sich aus dem
im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiel in Verbindung
mit den Fig. 1 bis 4. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Schnittes durch
das Ausführungsbeispiel,
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Draufsicht auf
das Kühlelement des Ausführungsbeispieles,
Fig. 3 eine schematische Darstellung einer perspektivischen
Ansicht des in seine Einzelteile zerlegten Ausführungsbei
spieles und
Fig. 4 eine schematische Darstellung einer perspektivischen
Ansicht des Ausführungsbeispieles, montiert auf ein Leadfra
me.
Bei dem in der Fig. 1 im Schnitt dargestellten Ausführungs
beispiel ist auf einer ersten Hauptfläche 2 eines Silizium-
Submounts (Silizium-Substrat) 3, das hier das Kühlelement 3
darstellt, ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip 8 be
festigt. Eine Strahlachse 19 eines von dem Halbleiterlaser
chip 8 im Betrieb des Sensors ausgesandten Laserstrahls 7
verläuft im Wesentlichen parallel zur ersten Hauptfläche 2
des Silizium-Submounts 3. Auf einander gegenüberliegenden
Seiten des Halbleiterlaserchips 8 sind ein erster 29 und ein
zweiter Stützsteg 30, beispielsweise in Form von Glasstrei
fen, auf dem Silizium-Submount 3 befestigt, wobei die
Strahlachse 19 im Wesentlichen senkrecht zur Längserstreckungs
richtung der Stützstege 29, 30 steht, zumindest aber ei
nen 29 der beiden Stützstege 29, 30 schneidet. Der Stützsteg
29 weist zumindest in einem Bereich, in dem der Laserstrahl 7
auf ihn auftrifft, eine als Spiegelfläche 17 ausgebildete
Seitenfläche 15 auf, die mit der ersten Hauptfläche 2 des Si
lizium-Submounts 3 einen Winkel α von im wesentlichen 45°
einschließt und von dieser abgewandt ist, so daß der Laser
strahl 7 um 90° vom Silizium-Submount 3 weg umgelenkt wird.
Die Spiegelfläche 17 ist teildurchlässig ausgebildet, so daß
nicht die gesamte von dem Halbleiterlaserchip 8 ausgesandte
Laserstrahlung 7, sondern nur ein erster Teil 12 von dieser
reflektiert wird, und ein zweiter Teil 13 an der Spiegelflä
che 17 zum Silizium-Submount 3 hin gebrochen wird.
Unterhalb des ersten Stützsteges 29 ist im Silizium-Submount
3 eine Monitor-Photodiode 11 zur Überwachung der Leistung der
von dem Halbleiterlaserchip 8 ausgesandten Laserstrahlung 7
integriert ausgebildet. Diese empfängt zumindest einen Teil
des an der Spiegelfläche 17 gebrochenen zweiten Teiles der
Laserstrahlung 7. Der Aufbau und die Herstellung von derarti
gen Photodioden 11 in Siliziumscheiben ist in der Halbleiter
technik bekannt und wird von an dieser Stelle nicht näher er
läutert.
Nahezu auf der gesamten ersten Hauptfläche 2 des Silizium-
Submounts 3 ist eine Isolationsschicht 31, bevorzugt eine Si
liziumnitridschicht, aufgebracht, auf der zwischen den beiden
Stützstegen 29, 30 Leiterbahnen 33 und elektrisch leitende An
schlußflächen (Bondpads) 20-28 für Bonddrähte 34 und den
Halbleiterlaserchip 8 aufgebracht sind. Die Leiterbahnen 33,
die bevorzugt aus Metallisierungsschichten (z. b. Ti-Pt-Au)
bestehen, verbinden im Wesentlichen die elektrischen An
schlüsse der auf dem Submount 3 ausgebildeten bzw. aufge
brachten elektronischen Bauelemente mit den Anschlußflächen
20-28.
Seitlich neben dem Halbleiterlaserchip 8, ebenfalls zwischen
den beiden Stützstegen 29, 30, sind drei nebeneinander ange
ordnete, bevorzugt zueinander parallel verlaufende langge
streckte Sensor-Photodioden 4, 5, 6 in den Silizium-Submount 3
integriert, deren elektrische Anschlüsse mittels Leiterbahnen
33 mit den Anschlußflächen 20-23 elektrisch leitend verbun
den sind. Die Längserstreckungsrichtung der Sensor-
Photodioden 4, 5, 6 verläuft parallel zur Strahlachse 19 der
ausgesandten Laserstrahlung 19.
Sämtliche Anschlußflächen 20-26 für Bonddrähte zum externen
Anschließen des Sensormoduls liegen zwischen den beiden
Stützstegen 29, 30 im Randbereich des Silizium-Submounts 3.
Die drei Sensor-Photodioden 4, 5, 6 sind bevorzugt in eine
kurzgeschlossene Photodiode 35 eingebettet.
Zwischen den Stützstegen 29, 30 und dem Silizium-Submount 3
ist jeweils eine Bondschicht 32, bestehend aus amorphem Sili
zium, angeordnet. Diese Bondschichten 32 dienen als
"Oberfläche" für ein anodisches Bonden der aus Glas bestehen
den Stützstege 29, 30. Hierdurch ist es möglich, unter den an
odisch gebondeten Stützstegen elektrisch aktive Bauelemente
zu plazieren. In diesem Fall ist dies die Monitordiode 11.
Auf den Stützstegen 29, 30 befindet sich eine Linsenanordnung,
bestehend aus einem holographischen optischen Element 9 und
einem refractiven optischen Element 10. Diese Linsenanordnung
splittet die um 90° umgelenkte Laserstrahlung 12, bevor sie
auf das magnetische Speichermedium 14 (z. B. eine magnetische
Disk) trifft in mehrere Teilstrahlen auf. Die Teilstrahlen
treffen auf ein auf dem Speichermedium angeordnetes Refle
xionsmuster, z. B. ein periodisches Strichmuster, und werden
von diesem entsprechend dem Reflexionsmuster moduliert zu den
Sensor-Photodioden 4, 5, 6 hin reflektiert. Das somit erhaltene
modulierte Signal enthält die Information über die Position
des Lese-/Schreibkopfes über dem Speichermedium 14.
Das entsprechend dem Ausführungsbeispiel ausgebildete Sensor
modul ist vorzugsweise auf einem Leadframe 36 befestigt
(Fig. 4) mittels dem es auf einfache Weise an einem Arm ei
nes Schreib-/Lesekopf befestigbar ist.
An Stelle des kantenemittierenden Halbleiterlaserchips 8 kann
auch ein oberflächenemittierender Laser (Vertical Cavity Sur
face Emitting Laser (VCSEL)) verwendet sein. Dann kann die
Spiegelfläche 17 entfallen, da dieser Laser bei üblicher Mon
tage bereits in die gewünschte Richtung abstrahlt.
Der oberflächenemittierende Laser kann auch so gestaltet
sein, daß er nicht nur einen emittierten Leuchtfleck, sondern
entsprechend der gewünschten Zahl von Teilstrahlen zwei, drei
oder noch mehr Leuchtflecke aufweist. Dadurch kann eine gün
stigere Energieverteilung in den Teilstrahlen erreicht und
eine technisch einfachere Linsenanordnung verwendet werden.
Claims (7)
1. Optoelektronisches Sensormodul (1) zur Erkennung von Re
flexionsmustern auf einem magnetischen Datenträger (14), bei
dem
auf einer ersten Hauptfläche (2) eines Kühlelements (3) ein Laser-Emitterbauelement (8) mit einer Laser-Abstrahlachse (19) befestigt ist,
in dem Kühlelement (3) seitlich versetzt zur Laser- Abstrahlachse (19) neben dem Laser-Emitterbauelement (8) min destens ein erster Sensor-Photodetektor (4, 5, 6) ausgebildet ist,
an der ersten Hauptfläche (2) des Kühlelements (3) elektrisch leitende Anschlußflächen (Bondpads) (20-25) ausgebildet oder aufgebracht sind, die mittels an der ersten Hauptfläche (2) ausgebildeten oder aufgebrachten voneinander elektrisch isolierten elektrischen Leiterbahnen (33) mit elektrischen Anschlüssen des Laser-Emitterbauelements (3) bzw. des Sensor- Photodetektors (4, 5, 6) verbunden sind,
an der dem Kühlelement (3) gegenüberliegenden Seite des La ser-Emitterbauelements (8) eine Linsenanordnung (9, 10) vorge sehen ist, die mittels wenigstens einem Stützsteg (29, 30) auf dem Kühlelement (3) befestigt ist,
und bei dem das Laser-Emitterbauelement (8) derart angeordnet ist, daß im Betrieb wenigstens ein erster Teil (12) einer von dem Laser-Emitterbauelement (8) ausgesandten Laserstrahlung (7) direkt oder nach einer Umlenkung mit einem Reflexionsele ment (17) durch die Linsenanordnung (9, 10) hindurch aus dem Sensormodul (1) ausgekoppelt und von den Reflexionsmustern auf dem außerhalb des Sensormoduls (1) angeordneten magneti schen Datenträger (14) zumindest teilweise zum Sensor- Photodetektor (4, 5, 6) hin zurückreflektiert und von diesem empfangen wird.
auf einer ersten Hauptfläche (2) eines Kühlelements (3) ein Laser-Emitterbauelement (8) mit einer Laser-Abstrahlachse (19) befestigt ist,
in dem Kühlelement (3) seitlich versetzt zur Laser- Abstrahlachse (19) neben dem Laser-Emitterbauelement (8) min destens ein erster Sensor-Photodetektor (4, 5, 6) ausgebildet ist,
an der ersten Hauptfläche (2) des Kühlelements (3) elektrisch leitende Anschlußflächen (Bondpads) (20-25) ausgebildet oder aufgebracht sind, die mittels an der ersten Hauptfläche (2) ausgebildeten oder aufgebrachten voneinander elektrisch isolierten elektrischen Leiterbahnen (33) mit elektrischen Anschlüssen des Laser-Emitterbauelements (3) bzw. des Sensor- Photodetektors (4, 5, 6) verbunden sind,
an der dem Kühlelement (3) gegenüberliegenden Seite des La ser-Emitterbauelements (8) eine Linsenanordnung (9, 10) vorge sehen ist, die mittels wenigstens einem Stützsteg (29, 30) auf dem Kühlelement (3) befestigt ist,
und bei dem das Laser-Emitterbauelement (8) derart angeordnet ist, daß im Betrieb wenigstens ein erster Teil (12) einer von dem Laser-Emitterbauelement (8) ausgesandten Laserstrahlung (7) direkt oder nach einer Umlenkung mit einem Reflexionsele ment (17) durch die Linsenanordnung (9, 10) hindurch aus dem Sensormodul (1) ausgekoppelt und von den Reflexionsmustern auf dem außerhalb des Sensormoduls (1) angeordneten magneti schen Datenträger (14) zumindest teilweise zum Sensor- Photodetektor (4, 5, 6) hin zurückreflektiert und von diesem empfangen wird.
2. Optoelektronisches Sensormodul nach Anspruch 1, bei dem
das Kühlelement (3) eine Siliziumplatte ist, in der der Sen
sor-Photodetektor (4, 5, 6) integriert ausgebildet ist, und bei
dem zwischen der Siliziumplatte und den Anschlußflächen
(Bondpads) (20-25) sowie zwischen der Siliziumplatte und
den elektrischen Leiterbahnen (33) eine Isolationsschicht
(31) aufgebracht ist.
3. Optoelektroniches Sensormodul nach Anspruch 2, bei dem das
Laser-Emitterbauelement (8) zwischen einem ersten (29) und
einem zweiten Stützsteg (30), im Wesentlichen bestehend aus
Glas, angeordnet ist,
zwischen den Stützstegen (29, 30) und der Siliziumplatte je
weils eine Bond-Schicht (32), im Wesentlichen bestehend aus
amorphem Silizium, angeordnet ist und bei dem
die beiden Stützstege (29, 30) mittels anodischem Bonden auf
der Bond-Schicht (32) befestigt sind.
4. Optoelektronisches Sensormodul nach einem der Ansprüche 1
bis 3, bei dem im Kühlelement (3) ein Monitor-Photodetektor
(11) ausgebildet ist, in den wenigstens ein zweiter Teil (13)
der von dem Laser-Emitterbauelement (8) ausgesandten Laser
strahlung (7) eingekoppelt wird.
5. Optoelektronisches Sensormodul nach einem der Ansprüche 1
bis 4, bei dem
das Laser-Emitterbauelement (8) ein Kantenemitter ist, dessen
Laser-Abstrahlachse (19) im Wesentlichen parallel zur ersten
Hauptfläche (2) des Kühlelements (3) verläuft, und
dem Laser-Emitterbauelement (8) in dessen Abstrahlrichtung
gesehen, eine dem Laser-Emitterbauelement (8) zugewandte und
von der ersten Hauptfläche (2) abgewandte, die Abstrahlachse
(19) mit einem Winkel von etwa 45° schneidene Spiegelfläche
(17) nachgeordnet ist, die im Betrieb den ersten Teil (12)
der Laserstrahlung (7) in eine im Wesentlichen senkrecht zur
ersten Hauptfläche (2) stehenden Richtung umlenkt.
6. Optoelektronisches Sensormodul nach Anspruch 3 und 5 oder
nach Anspruch 3, 4 und 5, bei dem die Abstrahlrichtung des
Laser-Emitterbauelements (8) auf den ersten Stützsteg (29)
gerichtet ist,
und derjenige Teil einer dem Laser-Emitterbauelement (8) zu
gewandten Seitenfläche (15) des ersten Stützsteges (29), auf
welchen die Laserstrahlung (7) auftrifft, gegenüber der Ab
strahlachse (15) mit einem Winkel von etwa 45° abgeschrägt
ist und die Spiegelfläche (17) darstellt.
7. Optoelektronisches Sensormodul nach Anspruch 6, bei dem
die Spiegelfläche (17) teildurchlässig ist und bei dem der
Monitor-Photodetektor (11) unterhalb des zweiten Stützsteges
und unterhalb der Laser-Abstrahlachse (19) derart angeordnet
ist, daß der erste Teil (12) der Laserstrahlung (7) von der
Spiegelfläche (17) zu der Linsenanordnung (9, 10) hin reflek
tiert und der zweite Teil (13) der Laserstrahlung (7) an der
Spiegelfläche (17) zum Monitor-Photodetektor (11) hin gebro
chen wird.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19748324A DE19748324C2 (de) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | Optoelektronisches Sensormodul |
TW087117590A TW380251B (en) | 1997-10-31 | 1998-10-23 | Opto-electronic sensor-module |
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