DE69419550T2 - Optischer Kopf - Google Patents

Optischer Kopf

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DE69419550T2
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laser chip
beams
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Hideyuki Nakanishi
Akira Ueno
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Description

    GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen optischen Kopf für optischen Aufzeichnungs- und Reproduktionsgeräte.
    • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Bekannt ist ein optischer Kopf mit einer Lichtquelle und Fotodetektoren. Ein Beispiel hierfür ist der optische Kopf, der in der japanischen Veröffentlichungsschrift JP-A-01.035.737 beschrieben wird. Fig. 13 zeigt eine perspektivische Darstellung dieses optischen Kopfes und Fig. 14 eine schematische Darstellung seines optischen Systems. Ein optischer Kopfchip 1a hat einen ersten und einen zweiten Fotodetektor 9 und 10 mit jeweils fünf Bereichen auf einem ersten und zweiten Träger 2 und 8. Der zweite Träger 8 ist auf dem ersten Träger 2 befestigt. Auf dem zweiten Träger 8 ist ein Halbleiterlaserchip 5 befestigt und ein Überwachungs-Fotodetektor 4 angeordnet.
  • Auf dem ersten Träger 2 ist ein Prisma 11 angeordnet. Das Prisma 11 hat einen Trapezoid-Abschnitt, dessen geneigte Ebene 11a als Spiegel dient und dessen vertikale Ebene 11b einem Ausgang des Halbleiterlaserchips 5 gegenüberliegt. Auf der oberen Ebene 11c des Prismas 11 ist ein erstes Beugungsgitter 12 ausgebildet. Über dem ersten Beugungsgitter 12 ist ein zweites Beugungsgitter 13 angeordnet.
  • Die Funktionsweise dieses optischen Kopfes läßt sich folgendermaßen zusammenfassen: Ein vom Halbleiterlaserchip 5 emittierter Strahl wird von der geneigten Ebene 11a des Prismas 11 reflektiert und trifft auf dem ersten Beugungsgitter 12 auf. Das erste Beugungsgitter 12 teilt den Strahl in drei Strahlen, und zwar einen Strahl nullter Ordnung zum Lesen von Informationen und einen Plus- und Minusstrahl erster Ordnung zum Erkennen eines Nachführungsfehlers. Die drei Strahlen gehen durch das zweite Beugungsgitter 13 und werden von einer Objektivlinse 18 auf einer Scheibe 19 fokussiert. Die drei auf der Scheibe 19 fokussierten Strahlen werden von der Scheibe 19 reflektiert und treffen nach Durchgang durch die Objektivlinse 18 auf dem zweiten Beugungsgitter 13 auf. Die einfallenden Strahlen werden vom zweiten Beugungsgitter 13 in Plus- und Minusstrahlen erster Ordnung geteilt und zum ersten und zweiten Fotodetektor 9 und 10 durchgelassen.
  • Da der erste und der zweite Fotodetektor 9 und 10, wie in Fig. 15 gezeigt, vor bzw. hinter dem genauen Brennpunkt angeordnet sind, bewirken die auf den Fotodetektoren 9 und 10 abgebildeten Lichtpunkte in Verbindung mit der Änderung des Brennpunktes auf der Scheibe 19, daß die Fotodetektoren zueinander umgekehrt werden. Der Fokussierungsfehler wird nach der Strahlengrößenmethode unter Nutzung dieser Erscheinung ermittelt. Der Nachführungsfehler wird mit dem Dreistrahlenverfahren bestimmt, das die Plus- und Minusstrahlen erster Ordnung für die durch das erste Beugungsgitter 12 entstehende Nachführung verwendet.
  • Wenn der Halbleiterlaserchip 5 in unmittelbarer Nähe des Prismas 11 angeordnet wird, um den integrierten optischen Kopf weiter zu miniaturisieren, hat das zur Folge, daß einer der beiden von der Scheibe 19 reflektierten Strahlen erster Ordnung zum Erkennen des Nachführungsfehlers durch das zweite Beugungsgitter 13 hindurchgeht und von einer Fläche, die dem zweiten Beugungsgitter 13 auf dem Halbleiterlaserchip 5 gegenüberliegt, reflektiert wird und wieder zur Scheibe 19 zurückkehrt. Die Tatsache, daß der zurückgeworfene Strahl mit den beiden Strahlen erster Ordnung zum Erkennen des Nachführungsfehlersignals interferiert und das Nachführungsfehlersignal eine Versetzung bewirkt, wurde in der JP-A-61.024.031, die EP- A-0.171.929 entspricht, beschrieben. Zur Vermeidung dieser Interferenz wurde in JP-A-61.024.031 ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem eine optische Abschirmung erzeugt wird, die das Licht am Ausgang des Halbleiterlasers streut oder absorbiert.
  • Da jedoch bei dem vorgenannten optischen Miniaturkopf, in dem Lichtquelle und der Fotodetektor integriert sind, einer der beiden von der Scheibe 19 reflektierten Strahlen erster Ordnung zum Erkennen des Nachführungsfehlers auf der Fläche, die dem zweiten Beugungsgitter 13 auf dem Halbleiterlaserchip 5 gegenüberliegt, oder auf der Fläche auftrifft, die dem Halbleiterlaserchip 5 in Bezug auf die geneigte Ebene 11a gegenüberliegt, die als Spiegel dient und dem zweiten Beugungsgitter 13 gegenüberliegt, kann das in JP-A- 61.024.031 beschriebene Verfahren die Interferenz nicht vermeiden. JP-A-61-024.031 wird in der Präambel von Anspruch 1 gewürdigt.
    • KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, einen optischen Kopf für optische Aufzeichnungs- und Reproduktionsgeräte zur Verfügung zu stellen, in den eine Lichtquelle und Fotodetektoren integriert sind und der ein stabiles Nachführungsfehlersignal erzeugen kann.
  • Eine bevorzugte Ausführungsform umfaßt
  • einen Halbleiterlaserchip,
  • einen Träger, auf dem der Halbleiterlaserchip befestigt ist,
  • einen Spiegel, der einen vom Halbleiterlaserchip emittierten Lichtstrahl so reflektiert, daß er abgelenkt wird,
  • ein Beugungsgitter zum Teilen des vom Spiegel reflektierten Lichtstrahls in drei Strahlen, und zwar einen Strahl nullter Ordnung und einen Plus- und Minusstrahl erster Ordnung,
  • ein holografisches Beugungsgitter, das an einem Strahlengang der drei vom Beugungsgitter geteilten Strahlen angeordnet ist,
  • eine Objektivlinse zum Fokussieren der drei Strahlen auf einem optischen Aufzeichnungsmedium,
  • einen Fotodetektor zum Erkennen eines Nachführungsfehlersignals durch Empfangen der drei vom holografischen Beugungsgitter gebeugten Strahlen,
  • einen der beiden vom optischen Aufzeichnungsmedium reflektierten Strahlen erster Ordnung, der einen Strahleneinfallsbereich auf einer Fläche des Halbleiterlaserchips, die dem Beugungsgitter gegenüberliegt, beleuchtet, wobei dieser Bereich so angeordnet ist, daß der einfallende Strahl gestreut, zerstreut oder reflektiert wird,
  • wobei der Draht, der den Halbleiterlaserchip mit elektrischem Strom versorgt, im Strahleneinfallsbereich so gebondet ist, daß die einfallenden zwei Strahlen erster Ordnung, die vom optischen Aufzeichnungsmedium reflektiert werden, zumindest gestreut, absorbiert, zerstreut oder abgelenkt werden.
  • Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung beleuchtet einer der beiden vom optischen Aufzeichnungsmedium reflektierten Strahlen erster Ordnung einen zweiten Strahleneinfallsbereich auf einer Fläche des Trägers, die dem Halbleiterlaserchip in Bezug auf den Spiegel und dem Beugungsgitter gegenüberliegt, und es sind Mittel, die die beiden Strahlen erster Ordnung absorbieren, streuen, beugen oder in eine unbeeinflußte Richtung reflektieren, im zweiten Strahleneinfallsbereich angeordnet.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein nichtreflektierendes Material auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich aufgetragen.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein gewölbter Überstand auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich ausgebildet.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der gewölbte Überstand ein Harz oder ein Draht.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein prismenförmiger Überstand auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich angebracht.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist eine gitterähnliche Unebenheit auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich ausgebildet.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist der zweite Strahleneinfallsbereich zur Trägeroberfläche geneigt.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist eine gerauhte Fläche auf dem Strahleneinfallsbereich ausgebildet.
  • Ein besseres Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Ziele und Vorzüge wird durch die folgende detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen erzielt.
    • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Fig. 1 ist ein Aufriß einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Kopfes.
  • Fig. 2 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterlaserchips, der auf einem in Fig. 1 gezeigten Träger befestigt ist.
  • Fig. 3 ist eine schematische Darstellung des optischen Systems der in Fig. 1 gezeigten Ausführungsform.
  • Fig. 4 zeigt schematische Darstellungen eines Beugungsgitters und eines holografischen Beugungsgitters einer Ausführungsform der Erfindung.
  • Fig. 5 ist ein Aufriß einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Kopfes.
  • Fig. 6 ist eine Schnittansicht eines Halbleiterlaserchips, der auf einem in Fig. 5 gezeigten Träger befestigt ist.
  • Fig. 7 bis 12 sind schematische Darstellungen des Halbleiterlaserchips und seiner Umgebung entsprechend der Erfindung.
  • Fig. 13 ist eine perspektivische Darstellung eines herkömmlichen optischen Kopfes.
  • Fig. 14 ist eine schematische Darstellung des optischen Systems des herkömmlichen optischen Kopfes.
  • Fig. 15 ist eine Schnittansicht des herkömmlichen optischen Kopfes.
    • BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Fig. 1 zeigt einen Aufriß einer Ausführungsform des erfindungsgemässen optischen Kopfes, und Fig. 2 zeigt eine Schnittansicht eines Halbleiterlaserchips, der auf einem in Fig. 2 dargestellten Träger befestigt ist.
  • Auf einem Träger 31 sind aus fünf Abschnitten bestehende Fotodetektoren 33 und 34 und ein durch anisotropes Ätzen hergestellter Spiegel 35 ausgebildet. Ein Halbleiterlaserchip 32 ist gegenüber dem Spiegel 35 angeordnet.
  • Ein Merkmal dieser Ausführungsform besteht darin, daß ein Drahtbondabschnitt 41, der einen Draht 39 mit einer Elektrodenfläche 40 verbindet, auf der Elektrodenfläche 40 des Halbleiterlaserchips 32 ausgebildet ist.
  • Unter Bezugnahme auf Fig. 1, 2 und 3, die schematische Darstellungen des optischen Systems der Ausführungsform zeigen, und auf Fig. 4, die ein Beugungsgitter und ein holografisches Beugungsgitter der Ausführungsform als schematische Darstellungen zeigt, wird die Funktionsweise des optischen Kopfes in den folgenden Abschnitten erläutert.
  • Ein vom Halbleiterlaserchip 32 emittierter Strahl wird vom Spiegel 35 reflektiert, wie es durch den Pfeil dargestellt ist, und trifft auf einem Beugungsgitter 36a auf, das an der Unterseite eines lichtdurchlässigen optischen Elements 36 ausgebildet ist. Das Beugungsgitter 36a teilt den einfallenden Strahl in drei Strahlen, und zwar einen Strahl nullter Ordnung zum Lesen von Informationen und Plus- und Minusteilstrahlen erster Ordnung zum Erkennen eines Nachfüh rungsfehlers. Die Strahlen gehen durch ein holografisches Beugungsgitter 36b, das an der Oberseite des lichtdurchlässigen optischen Elements 36 ausgebildet ist, und werden mit einer Objektivlinse 37 auf einer Scheibe 38 fokussiert. Der fokussierte Strahl wird von der Scheibe 38 reflektiert und trifft nach Durchgang durch die Objektivlinse 37 auf dem holografischen Beugungsgitter 36b auf. Das holografische Beugungsgitter 36b teilt den einfallenden Strahl in Plus- und Minusstrahlen erster Ordnung. Die geteilten Strahlen werden auf den Fotodetektoren 33 und 34 abgebildet.
  • Das Nachführungsfehlersignal wird mit einer Dreistrahlen- Nachführungsmethode erzeugt, bei der der Intensitätsunterschied zwischen den von der Scheibe 38 reflektierten Strahlen mit den Fotodetektoren 33a, 33c, 34a und 34c ermittelt wird. Das Nachführungsfehlersignal TE wird somit wie folgt angegeben:
  • TE = (G + I) - (H + J),
  • wobei G, H, I und J Ausgangssignale der Fotodetektoren 33a, 33c, 34a und 34c sind.
  • In Fig. 1 bis 3 trifft der andere Teilstrahl 42a, der von der Scheibe 38 reflektiert wird, auf der Elektrodenfläche 40 auf, die dem Beugungsgitter 36a gegenüberliegt. Die Elektrodenfläche 40 ist eine P- oder N-Elektrode des Halbleiterlaserchips 32. Im Strahleneinfallsbereich der Elektrodenfläche 40 ist der Draht 39 so gebondet, daß er den Halbleiterlaserchip 32 mit elektrischem Strom versorgt. Wenn der Draht nur elektrischen Strom liefern soll, kann er an einer beliebigen Stelle gebondet werden, normalerweise an der Elektrodenfläche 40 in der Nähe des Mittelpunkts. Da der Draht in diesem Ausführungsbeispiel jedoch im Drahtbondabschnitt 41 im Einfallsbereich des Strahls 42a angeordnet ist, wird der einfallende Strahl 42a von einer Wölbung des Drahtbondabschnitts 41 reflektiert und wird zu gestreutem Licht 43.
  • Da das gestreute Licht 43 im Vergleich zum einfallenden Strahl 42a einen sehr großen Streuwinkel hat, wird die Menge des gestreuten Lichts, das über die Objektivlinse 37 wieder zur Scheibe 38 zurückkehrt, erheblich verringert. Da das von der Elektrodenfläche 40 reflektierte Licht zur Scheibe 38 zurückkehrt, ist es möglich, eine Interferenz über den Strahl zum Erkennen des Nachführungsfehlersignals zu minimieren.
  • Bei dem vorstehenden optischen Kopf wird der Fokussierungsfehler wie folgt ermittelt:
  • Das holografische Beugungsgitter 36b ist so ausgebildet, daß die beiden Beugungsstrahlen erster Ordnung auf den Vorder- und Rückseiten der Fotodetektoren 33 und 34 abgebildet werden. Da die Lichtpunkte auf den Fotodetektoren eine Umkehrung zueinander bewirken, wenn der Strahl auf der Scheibe 38 defokussiert wird, kann der Fokussierungsfehler ermittelt werden. Das Fokussierungsfehlersignal FE wird angegeben durch
  • FE = (A + C + E) - (B + D + F),
  • wobei A, B, C, D, E und F Ausgangssignale der Fotodetektoren 33d, 33e, 33f, 34d, 34e und 34f sind.
  • Bei dem vorgenannten Ausführungsbeispiel wird der die Interferenz verursachende Teilstrahl durch den Drahtbondabschnitt 41 gestreut. Es werden folgende Methoden angewendet, die alle den gleichen Effekt haben:
  • Eine Methode besteht darin, die Reflexion des einfallenden Strahls zu unterbinden, durch Beschichten des Strahleneinfallsbereichs des Halbleiterlaserchips 32 mit einer nichtreflektierenden Schicht 101, wie es in Fig. 7 gezeigt wird.
  • Eine andere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Ausbildung eines gewölbten Überstands 102 im Strahleneinfallsbereich des Halbleiterlaserchips 32 zu streuen oder zu absorbieren, wie es in Fig. 8 gezeigt wird. Der gewölbte Überstand 102 kann durch Bonden eines Harzes oder des Drahtes hergestellt werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl zu streuen oder in eine unbeeinflußte Richtung zu reflektieren oder durch Anbringen eines prismenförmigen Überstands 103 im Strahleneinfallsbereich des Halbleiterlaserchips 32 zu absorbieren, wie es in Fig. 9 gezeigt wird. Der prismenförmige Überstand 103 kann durch Bonden eines mikroskopischen Prismas oder durch Ätzen des Halbleiterlaserchips 32 hergestellt werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Ausbilden einer gitterförmigen Unebenheit 104 im Strahleneinfallsbereich des Halbleiterlaserchips 32 zu beugen und zu streuen, wie es in Fig. 10 gezeigt wird. Die gitterförmige Unebenheit 104 kann durch Anbringen einer in Form einer gitterförmigen Unebenheit gefertigten Platte auf dem Halbleiterlaserchip 32 oder durch Ätzen des Halbleiterlaserchips 32 in Gitterform hergestellt werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Neigen des Halbleiterlaserchips 32 in einer unbeeinflußten Richtung abzulenken, wie es in Fig. 11 gezeigt wird. Die geneigte Stellung kann durch entsprechendes Löten des Halbleiterlaserchips 32 oder durch Befestigen des Halbleiterlaserchips 32 mit Hilfe eines keilförmigen Abstandshalters erreicht werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Ausbildung einer mattglasartig gerauhten Fläche 107 im Strahleneinfallsbereich des Halbleiterlaserchips 32 zu streuen, wie es in Fig. 12 gezeigt wird. Diese Fläche kann durch Anbringen einer Platte mit einer gerauhten Oberfläche oder durch Auftragen einer rauhen Schicht auf den Halbleiterlaserchip 32 oder durch Ätzen des Halbleiterlaserchips 32 (die rauhe Fläche kann beispielsweise durch Ätzen einer dünnen Goldschicht mit Iodflüssigkeit gebildet werden) hergestellt werden.
  • Fig. 5 zeigt einen Aufriß einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen optischen Kopfes und Fig. 6 eine Schnittansicht des in Fig. 5 dargestellten Halbleiterlaserchips und Trägers.
  • Ein Merkmal dieser Ausführungsform besteht darin, daß der Träger 31 mit einer nichtreflektierenden Schicht 51 beschichtet wird, wie es in Fig. 5 und 6 gezeigt wird. Die nichtreflektierende Schicht 51 wird in einem Bereich gegenüber dem Halbleiterlaserchip 32 in Bezug auf den Spiegel 35 aufgebracht. Der Spiegel 35 und die Fotodetektoren 33 und 34 sind die gleichen wie bei dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel.
  • Das Nachführungsfehlersignal TE dieses Ausführungsbeispiels wird in der gleichen Weise wie bei dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel erzeugt.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel trifft der andere Teilstrahl 42b (der dem Teilstrahl 42a von Fig. 2 gegenüberliegende Teilstrahl), der von der Scheibe 38 reflektiert wird, auf einer Fläche 50 auf, die mit der nichtreflektierenden Schicht 51 versehen ist. Die nichtreflektierende Schicht 51 im Strahleneinfallsbereich bewirkt, daß fast der gesamte einfallende Strahl 42b im Träger 31 absorbiert wird. Daher wird die Menge des Lichts, das über die Objektivlinse 37 wieder zur Scheibe 38 zurückkehrt, annähernd Null. Das heißt, daß aufgrund dessen, daß der von der Fläche 50 reflektierte Lichtstrahl zur Scheibe 38 zurückkehrt, die Interferenz über den Strahl zum Erkennen des Nachführungsfehlersignals minimiert werden kann.
  • Das Fokussierungsfehlersignal FE dieses Ausführungsbeispiels wird in der gleichen Weise wie bei dem in Fig. 1 gezeigten Ausführungsbeispiel erzeugt.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel wird der die Interferenz verursachende Teilstrahl von der nichtreflektierenden Schicht 51 absorbiert. Es werden folgende Methoden angewendet, die alle den gleichen Effekt haben:
  • Eine Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Ausbildung eines gewölbten Überstands 102 im Strahleneinfallsbereich des Trägers 31 zu streuen oder zu absorbieren, wie es in Fig. 8 gezeigt wird. Der gewölbte Überstand 102 kann durch Bonden eines Harzes oder des Drahtes hergestellt werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl zu streuen oder in eine unbeeinflußte Richtung zu reflektieren oder durch Anbringen eines prismenförmigen Überstands 103 im Strahleneinfallsbereich des Trägers 31 zu absorbieren, wie es in Fig. 9 gezeigt wird. Der prismenförmige Überstand 103 kann durch Bonden eines mikroskopischen Prismas oder durch Ätzen des Trägers 31 hergestellt werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Ausbilden einer gitterförmigen Unebenheit 104 im Strahleneinfallsbereich des Trägers 31 zu beugen und zu streuen, wie es in Fig. 10 gezeigt wird. Die gitterförmige Unebenheit 104 kann durch Anbringen einer in Form einer gitterförmigen Unebenheit gefertigten Platte auf dem Träger 31 oder durch Ätzen des Trägers 31 in Gitterform hergestellt werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Neigen des Strahleneinfallsbereichs auf dem Träger 31 in einer unbeeinflußten Richtung abzulenken, wie es in Fig. 11 gezeigt wird. Die geneigte Lage kann durch schräges Ätzen des Trägers 31 erreicht werden.
  • Eine weitere Methode besteht darin, den einfallenden Strahl durch Ausbildung einer mattglasartig gerauhten Fläche 107 im Strahleneinfallsbereich des Trägers 31 zu streuen, wie es in Fig. 12 gezeigt wird. Diese Fläche kann durch Anbringen einer Platte mit einer gerauhten Oberfläche oder durch Auftragen einer rauhen Schicht auf den Träger 31 oder durch Ätzen des Trägers 31 (die rauhe Fläche kann beispielsweise durch Ätzen einer dünnen Goldschicht mit Iodflüssigkeit gebildet werden) hergestellt werden.
  • In diesen Ausführungsbeispielen wird der Spiegel durch Ätzen des Trägers hergestellt. Es kann jedoch der gleiche Effekt erzielt werden, wenn der Spiegel aus anderen Materialen (Glas, Metall, Keramik usw.) besteht.
  • Wie bereits erwähnt wurde, kann der erfindungsgemäße optische Kopf, der durch Integrieren der Lichtquelle und der Fotodetektoren miniaturisiert wird, die beim herkömmlichen optischen Kopf vorhandene Interferenz dadurch vermeiden, daß der Strahleneinfallsbereich so ausgebildet wird, daß
  • 1) der vom Beugungsgitter erzeugte Teilstrahl, der von der Scheibe reflektiert wird, durch die Objektivlinse, das holografische Beugungsgitter und das Beugungsgitter hindurchgeht und auf der Fläche des Halbleiterlaserchips auftrifft, die dem Beugungsgitter gegenüberliegt, und
  • 2) der andere vom Beugungsgitter erzeugte Teilstrahl, der von der Scheibe reflektiert wird, durch die Objektivlinse, das holografische Beugungsgitter und das Beugungsgitter hindurchgeht und auf der Flä che gegenüber dem Halbleiterlaserchip in Bezug auf den Spiegel auf dem dem Beugungsgitter gegenüberliegenden Träger auftrifft, gestreut oder absorbiert werden.
  • Da aufgrund der tangentialen Schrägstellung der Scheibe keine Abweichungen im Nachführungsfehlersignal entstehen, kann ein stabiles Nachführungsfehlersignal erhalten werden.

Claims (9)

1. Optischer Kopf mit
einem Halbleiterlaserchip (32),
einem Träger (31), auf dem der Halbleiterlaserchip (32) angebracht ist,
einem Spiegel (35), der einen vom Halbleiterlaserchip (32) emittierten Lichtstrahl so reflektiert, daß er abgelenkt wird,
einem Beugungsgitter (36a) zum Teilen des vom Spiegel (35) reflektierten Lichtstrahls in drei Strahlen, und zwar einen Strahl nullter Ordnung und einen Plus- und Minusstrahl erster Ordnung,
einem holografischen Beugungsgitter (36b), das an einem Strahlengang der drei vom Beugungsgitter (36a) geteilten Strahlen angeordnet ist,
einer Objektivlinse (37) zum Fokussieren der drei Strahlen auf einem optischen Aufzeichnungsmedium (38),
ein Fotodetektor (33, 34) zum Erkennen eines Nachführungsfehlersignals durch Empfangen der drei vom holografischen Beugungsgitter (36b) gebeugten Strahlen,
einem der beiden vom optischen Aufzeichnungsmedium (38) reflektierten Strahlen erster Ordnung (42a), der einen Strahleneinfallsbereich auf einer Fläche des Halbleiterlaserchips (32), die dem Beugungsgitter (36a) gegenüberliegt, beleuchtet, wobei dieser Bereich so angeordnet ist, daß der einfallende Strahl gestreut, zerstreut oder reflektiert wird,
dadurch gekennzeichnet, daß
der Draht (39), der den Halbleiterlaserchip (32) mit elektrischem Strom versorgt, im Strahleneinfallsbereich (40) so gebondet ist, daß die einfallenden zwei Strahlen erster Ordnung (42a), die vom optischen Aufzeichnungsmedium (38) reflektiert werden, zumindest gestreut, absorbiert, zerstreut oder abgelenkt werden.
2. Optischer Kopf nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß einer der beiden vom optischen Aufzeichnungsmedium (38) reflektierten Strahlen erster Ordnung (42b) einen zweiten Strahleneinfallsbereich (50) auf einer Fläche des Trägers (31), die dem Halbleiterlaserchip (32) in Bezug auf den Spiegel (35) und dem Beugungsgitter (36a) gegenüberliegt, beleuchtet und daß Mittel, die die zwei Strahlen erster Ordnung (42b) absorbieren, streuen, beugen oder in eine unbeeinflußte Richtung reflektieren, im zweiten Strahleneinfallsbereich angeordnet sind.
3. Optischer Kopf nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein nichtreflektierendes Material (51) auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich (50) aufgetragen ist.
4. Optischer Kopf nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein gewölbter Überstand (102) auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich (50) ausgebildet ist.
5. Optischer Kopf nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der gewölbte Überstand (102) ein Harz oder ein Draht ist.
6. Optischer Kopf nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein prismenförmiger Überstand (103) auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich (50) angebracht ist.
7. Optischer Kopf nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine gitterähnliche Unebenheit (104) auf dem zweiten Strahleneinfallsbereich (50) ausgebildet ist.
8. Optischer Kopf nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Strahleneinfallsbereich (50) zur Oberfläche des Trägers (31) geneigt ist.
9. Optischer Kopf nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine gerauhte Fläche (107) im Strahleneinfallsbereich (50) ausgebildet ist.
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