DE19738712A1 - Nichtflüchtiger Speicher mit zu Subblöcken zusammengefaßten Speicherzellen und Verfahren zu seiner Konfigurierung - Google Patents
Nichtflüchtiger Speicher mit zu Subblöcken zusammengefaßten Speicherzellen und Verfahren zu seiner KonfigurierungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft einen nichtflüchtigen Speicher, dessen
Speicherzellen zu Subblöcken zusammengefaßt sind, und ein
Verfahren zu seiner Konfigurierung.
Flashspeicher sind integrierte Speicher, bei denen die Spei
cherzellen zwar einzeln bzw. byteweise beschreibbar sind, je
doch nur blockweise gelöscht werden können. Es sind unsegmen
tierte Flashspeicher bekannt, bei denen der gesamte Speicher
aufgrund eines einzelnen Löschbefehls gelöscht wird. Ein Lö
schen einzelner Abschnitte des Speichers ist bei diesen un
segmentierten Speichern nicht möglich. Daneben sind auch seg
mentierte Flashspeicher bekannt, deren Speicherzellen zu meh
reren Segmenten zusammengefaßt sind, wobei diese Segmente
über eine festverdrahtete Logik jeweils für sich gelöscht
werden können. Bei diesen Segmenten handelt es sich bei
spielsweise um einen sogenannten "Bootblock" zur Aufnahme ei
nes kurzen Urladers, der sich am unteren oder oberen Ende des
logischen Adreßraumes befindet, einen "Parameterblock", der
beispielsweise einige Kilobyte groß ist und zur Aufnahme von
Betriebsdaten oder sonstigen Parametern dient, und einen
"Mainblock", der zum Speichern der eigentlichen Soft- oder
Firmware dient. Es sind auch Flashspeicher mit mehreren Main
blöcken bekannt.
Die geschilderten segmentierten Flashspeicher weisen den
Nachteil auf, daß ihre Segmente eine festgelegte Anzahl und
eine festgelegte Speichergröße aufweisen. Andererseits be
steht seitens der Anwender derartiger segmentierter Flash
speicher ein unterschiedlicher Bedarf hinsichtlich der Größe
der verschiedenen Segmente, so daß in vielen Fällen der vor
handene Speicher nicht optimal ausgenutzt werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen segmentierten
nichtflüchtigen Speicher und ein entsprechendes Verfahren an
zugeben, bei dem eine hohe Flexibilität seines Einsatzes für
verschiedenste Anwendungen gewährleistet ist.
Diese Aufgabe wird mit einem Speicher gemäß Anspruch 1 sowie
einem Verfahren gemäß Anspruch 9 gelöst. Weiterbildungen und
Ausführungen der Erfindung sind in abhängigen Ansprüchen ge
kennzeichnet.
Der erfindungsgemäße Speicher weist Subblöcke fester Größe
auf, zu denen seine Speicherzellen zusammengefaßt sind. Wei
terhin sind seine Subblöcke zu Blöcken zusammengefaßt, wobei
durch eine Steuereinheit des Speichers aufgrund eines einzi
gen Blocklöschbefehls alle Subblöcke wenigstens eines der
Blöcke gelöscht werden. Zu diesem Zweck weist der Speicher
eine Speichereinheit zum Speichern von Adressen der Subblöcke
des entsprechenden Blockes auf. Zur Durchführung des Löschens
liest die Steuereinheit aus der Speichereinheit die dort ge
speicherten Adressen der Subblöcke des jeweils zu löschenden
Blockes aus.
Bei der Erfindung ist also die Zugehörigkeit zu den Blöcken
abhängig vom Inhalt der Speichereinheit, in der die Adressen
der Subblöcke, den Blöcken zugeordnet, gespeichert sind. Die
se Zuordnung ist also nicht durch eine festverdrahtete Logik
bewirkt, wie dies in der Beschreibungseinleitung geschildert
wurde.
Bei einer ersten Ausführungsform der Erfindung handelt es
sich bei der Speichereinheit um einen nichtlöschbaren Spei
cher (ROM). Sein Speicherinhalt wird bereits durch den Her
steller des Speichers, beispielsweise durch die Programmie
rung von Laserfuses oder durch Maskenprogrammierung, einge
stellt. Für den Hersteller ergibt sich der Vorteil, daß er
zur Erzeugung unterschiedlicher Varianten des Speichers mit
Blöcken unterschiedlicher Anzahl und/oder unterschiedlicher
Speichergröße lediglich die Adressen der Subblöcke in der
entsprechenden Zuordnung zu den Blöcken in der Speicherein
heit speichern muß. Eine Veränderung der Verschaltung bzw.
des Designs des Speichers ist hierfür nicht erforderlich.
Eine zweite besonders vorteilhafte Ausführungsform der Erfin
dung sieht vor, daß die Anzahl der Subblöcke je Block durch
eine Programmierung der Speichereinheit einstellbar ist. Bei
einer solchen programmierbaren Speichereinheit kann es sich
beispielsweise um ein EEPROM oder ein OTP (One Time Program
able) handeln. Der Vorteil eines solchen Speichers mit pro
grammierbarer Speichereinheit besteht darin, daß auch nach
der Fertigstellung des Speichers die Größe der Speicherblöcke
an den jeweiligen Bedarf angepaßt werden kann. Dies kann also
beispielsweise direkt durch den Anwender des Speichers ge
schehen, so daß die Speicheraufteilung für den jeweiligen An
wendungsfall optimiert werden kann.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß der Speicher
eine Löschschutzeinheit aufweist zum Speichern einer Lösch
schutzinformation für wenigstens einen der Blöcke, die ein
Löschen seiner Speicherzellen über den Blocklöschbefehl ver
hindert. Auf diese Weise wird ein unbeabsichtigtes Löschen
des entsprechenden Blockes verhindert. Die Löscheinheit kann
Bestandteil der Speichereinheit sein, so daß die Zuordnung
der Löschschutzinformation zum jeweiligen Block, ebenso wie
diejenige der Adressen der zugehörigen Subblöcke, auf einfa
che Weise zu bewerkstelligen ist.
Eine Weiterbildung der Erfindung sieht vor, daß die in der
Speichereinheit gespeicherten Adressen der Subblöcke wenig
stens eines der Blöcke in komprimierter Form gespeichert wer
den. Das heißt, daß beispielsweise für einen Block, der
adreßmäßig zusammenhängende Subblöcke aufweist, nicht die
Adressen sämtlicher Blöcke in der Speichereinheit gespeichert
werden, sondern beispielsweise nur die niedrigste und die
höchste Adresse. Auf diese Weise wird der Speicherbedarf der
Speichereinheit auf ein Minimum reduziert.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren, die Aus
führungsbeispiele der Erfindung zeigen, näher erläutert.
Fig. 1 zeigt eine Darstellung des Prinzips der Er
findung.
Fig. 2 bis 4 zeigen drei Ausführungsbeispiele des erfin
dungsgemäßen Speichers.
Fig. 1 zeigt einige Elemente eines erfindungsgemäßen nicht
flüchtigen Speichers. Bei den in den Ausführungsbeispielen
behandelten Speichern handelt es sich um Flashspeicher. Die
wie üblich über (nicht dargestellte) Wort- und Bitleitungen
selektierbaren Speicherzellen des Speichers sind zu Subblöc
ken 3 zusammengefaßt, denen Adressen zugeordnet sind, die in
Fig. 1 in Anführungszeichen in die Subblöcke 3 eingetragen
wurden. Bei den Subblöcken 3 handelt es sich um Segmente des
Speichers von relativ kleiner Speichergröße, beispielsweise
jeweils 4 Kilobit. Jeder der Subblöcke 3 weist einen Lösch
eingang 4 auf, über den alle seine Speicherzellen mittels ei
nes einzigen Löschsignals gelöscht werden können. Die Sub
blöcke 3 sind zu Blöcken 5 zusammengefaßt, auf die im folgen
den eingegangen wird.
Zur Durchführung des Löschens der Subblöcke 3 weist der Spei
cher in Fig. 1 eine Steuereinheit 9 auf, die beispielsweise
ein Schreibcontroller sein kann, der beispielsweise aufgrund
eines vorzunehmenden Schreibvorgangs und eines damit zusam
menhängenden Löschbefehls vor dem Schreiben zunächst ein Lö
schen einzelner der Blöcke 5 des Speichers vornehmen muß. Im
vorliegenden Fall wird der Steuereinheit ein Blocklöschbefehl
EB2 zugeführt, auf den weiter unten noch eingegangen wird.
Der Speicher weist außerdem eine Speichereinheit 7A; 7B auf,
für die in Fig. 1 gleich zwei äquivalente, alternative Aus
führungsbeispiele eingezeichnet wurden. Die Speichereinheit
7A; 7B dient für jeden der Blöcke 5 zum Speichern der Adres
sen der ihm zugehörigen Subblöcke 3. Im vorliegenden Fall
sind vier Blöcke 5 mit der Bezeichnung B1 bis B4 vorhanden.
Dabei sind in der Speichereinheit 7A; 7B dem ersten Block B1
die Subblöcke 3 mit den Adressen 0 bis 3, dem zweiten Block
B2 die Subblöcke 3 mit den Adressen 4 bis 6, dem dritten
Block B3 die Subblöcke mit den Adressen 7 bis 10 und dem
vierten Block B4 die Subblöcke mit den Adressen 11 bis 14 zu
geordnet. In der linken Speichereinheit 7B in Fig. 1 sind
die Adressen aller den Blöcken 5 jeweils zugehörigen Subblöc
ke 3 einzeln gespeichert. Ein Ausführungsbeispiel der Erfin
dung, bei dem eine derartige Speichereinheit 7B zum Einsatz
kommt, wird weiter unter anhand der Fig. 3 erläutert. Die
rechte Speichereinheit 7A in Fig. 1 enthält nicht sämtliche
Adressen der den Blöcken 5 zugeordneten Subblöcke 3, sondern
nur jeweils die obere Adreßgrenze. Hierdurch sind die zu
speichernden Adressen komprimiert und die rechte Speicherein
heit 7A hat für das Speichern derselben Information einen ge
ringeren Speicherbedarf als die linke Speichereinheit 7B. Die
rechte Speichereinheit 7A eignet sich zum Einsatz beim Aus
führungsbeispiel gemäß Fig. 2.
Die rechte Speichereinheit 7A in Fig. 1 weist eine Lösch
schutzeinheit 8 auf, in der für jeden Block 5 gespeichert
ist, ob er gelöscht werden darf oder nicht. Im vorliegenden
Fall bedeutet der Eintrag einer "1", daß der erste Block B1
löschgeschützt ist, während der Eintrag einer "0" bedeutet,
daß die Blöcke B2 bis B4 gelöscht werden können.
Die Steuereinheit 9 nimmt aufgrund des anliegenden Block
löschbefehls EB2 ein Löschen aller dem zweiten Block B2 zuge
ordneten Subblöcke 3 vor, wobei sie sich der in der Speicher
einheit 7A; 7B gespeicherten Informationen bedient. Anhand
der Fig. 2 und 3 werden nun, ausgehend von den in Fig. 1
dargestellten, grundlegenden Komponenten der Erfindung, de
tailliertere Ausführungsbeispiele der Erfindung erläutert.
Fig. 2 zeigt ein erstes konkretes Ausführungsbeispiel des
erfindungsgemäßen Speichers. Von den Subblöcken 3 aus Fig. 1
sind jedoch nur diejenigen des zweiten Blockes B2 mit den
Adressen "4" bis "6" dargestellt. Die Speichereinheit 7A
weist dieselben Einträge auf, wie die rechte Speichereinheit
7A aus Fig. 1. Der erfindungsgemäße Speicher weist eine
Steuereinheit 9 auf, die beispielsweise ein Microcontroller
sein kann. Der Steuereinheit 9 ist ein Löschbefehl EB2 zu
führbar. Dieser Blocklöschbefehl EB2 bewirkt ein Löschen des
zweiten Blockes B2 des Speichers, wie im folgenden noch er
läutert wird. Die Steuereinheit 9 ist mit der Speichereinheit
7A über einen Datenbus 14 und eine Lese-/Schreibsteuerleitung
15 verbunden, über welche sie Daten in der Speichereinheit 7A
speichern oder aus dieser auslesen kann. Die Speichereinheit
7A ist also programmierbar, in diesem Fall ist sie ein
EEPROM. Weiterhin ist die Steuereinheit 9 mit der Spei
chereinheit 7A über einen Adreßdecoder ADEC verbunden, der
eine Selektion der den Blöcken 5 zugeordneten Einträge inner
halb der Speichereinheit 7A ermöglicht. Der Adreßdecoder ADEC
ist eingangsseitig über einen Adreßbus 13 mit der Steu
ereinheit 9 verbunden.
Der Speicher in Fig. 2 weist ferner zwei Latches L1, L2 auf,
die über entsprechende Steuerleitungen 17 durch die Steuer
einheit 9 so ansteuerbar sind, daß auf dem Datenbus 14 be
findliche Daten aus der Speichereinheit 7 in die Latches L1,
L2 übernommen werden. Die Latches L1, L2 sind mit je einem
Decoder DEC1, DEC2 verbunden, von denen jeder so viele Aus
gänge aufweist, wie Subblöcke 3 des Speichers vorhanden sind.
Die Funktion der Decoder DEC1, DEC2 wird weiter unten noch
erläutert. Jeweils die demselben Subblock 3 zugeordneten Aus
gänge der beiden Decoder DEC1, DEC2 sind mit Eingängen je ei
nes XOR-Gatters XOR (= exklusives ODER) verbunden, wobei in
Fig. 2 nur eines dieser XOR-Gatter XOR dargestellt wurde (in
Wirklichkeit ist also jedem Subblock 3 je ein XOR-Gatter zu
geordnet).
Die Subblöcke 3 weisen je einen Löscheingang 4 auf, über den
alle ihre Speicherzellen löschbar sind. Zum Löschen der Zel
len eines Flashspeichers sind dem Fachmann verschiedene Mög
lichkeiten bekannt, die u. a. von der Art der Speicherzellen
abhängen. Hier haben die einzelnen Speicherzellen die Form
von Speichertransistoren mit einem Floating Gate (nicht dar
gestellt), was einer üblichen Realisierungsform von Flash
speichern entspricht. Dann kann der Löscheingang 4 beispiels
weise mit den Drains sämtlicher Speicherzellentransistoren
des entsprechenden Subblockes 3 verbunden sein. Ein Löschen
dieser Speicherzellen erfolgt mittels eines durch eine Ein
heit 18 erzeugten Löschsignals 11 eines erhöhten Pegels. Der
Ausgang der Einheit 18 zur Erzeugung des Löschsignals 11 ist
über einen Schalttransistor 19 sowie Transistoren T mit je
einem der Löscheingänge 4 der Subblöcke 3 verbunden. Die Aus
gänge der XOR-Gatter sind mit je einer Steuerelektrode desje
nigen Transistors T verbunden, der mit dem Löscheingang 4 des
dem XOR-Gatter zugeordneten Subblocks 3 verbunden ist. Somit
wird das Löschsignal 11 in Abhängigkeit vom Ausgangssignal
der XOR-Gatter an die Löscheingänge 4 durchgeschaltet. Der
Transistor 19 ist über eine Aktivierungsleitung 12 mit der
Steuereinheit 9 verbunden, durch die er erst nach erfolgter
Decodierung durch die Decoder DEC1, DEC2 aktivierbar ist. So
mit wird durch den Transistor 19 das Löschsignal 11 erst zu
den Transistoren T durchgeschaltet, wenn diese entsprechend
den Ausgangssignalen der XOR-Gatter sicher geöffnet oder ge
sperrt sind.
Im folgenden wird nun die Funktion des in Fig. 2 dargestell
ten Speichers näher geschildert. Beim Anlegen des Blocklösch
befehls EB2 an die Steuereinheit 9 liest diese über den
Adreßdecoder ADEC die oberste und die untere Adreßgrenze des
zu löschenden zweiten Blockes B2 aus der Speichereinheit 7.
Die untere Adreßgrenze des zweiten Blockes B2 ist bei diesem
Ausführungsbeispiel identisch mit der oberen Adreßgrenze des
ersten Blockes B1, nämlich die Adresse "3". Die obere Adreß
grenze des zweiten Blockes B2 ist die Adresse "6". Die untere
Adreßgrenze wird nun von der Steuereinheit 9 in das erste
Latch L1 geladen und die obere Adreßgrenze in das zweite
Latch L2. Die beiden Adreßgrenzen werden nun durch die beiden
Decoder DEC1, DEC2 jeweils nach folgendem Schema decodiert,
wobei als Beispiel eine Bitbreite der Adressen von lediglich
4 Bit angenommen wurde. Es ergibt sich ein sogenannter Ther
mometercode.
Das Schema wurde nur beispielhaft für vier der Eingänge der
Decoder DEC1, DEC2 und elf ihrer Ausgänge angegeben. Wie be
reits erwähnt, verfügen die Decoder DEC1, DEC2 jeweils über
ebenso viele Ausgänge, wie Subblöcke 3 vorhanden sind. Gemäß
vorstehendem Schema erfolgt eine Decodierung dergestalt, daß
am jeweiligen Decoder DEC1, DEC2 alle Ausgänge bis ein
schließlich der zu decodierenden Adreßgrenze einen Highpegel
annehmen, während die übrigen Ausgänge einen Lowpegel anneh
men. Da dies sowohl für die untere Adreßgrenze über den er
sten Decoder DEC1 als auch für die obere Adreßgrenze über den
zweiten Decoder DEC2 erfolgt und deren jeweils demselben Sub
block 3 zugeordneten Ausgänge mit Eingängen des selben
XOR-Gatters verbunden sind, ergibt sich am Ausgang der XOR-Gatter
nur für diejenigen Subblöcke 3 ein Highpegel, die nicht so
wohl unterhalb der unteren als auch der oberen Adreßgrenze
angeordnet sind. Mithin werden nur diejenigen n-Kanal-Transi
storen T durchgeschaltet, die denjenigen Subblöcken 3 zuge
ordnet sind, die zum jeweils zu löschenden Block 5 gehören.
Das Löschen eines anderen der Blöcke 5 erfolgt auf analoge
Weise. Die gemäß Fig. 1 optional in der Löschschutzeinheit 8
der Speichereinheit 7A gespeicherte Löschschutzinformation
verhindert bei Anlegen eines entsprechenden Blocklöschbefehls
an die Steuereinheit 9 ein Löschen des ersten Blockes B1, da
diese Löschschutzinformation (siehe Fig. 1) durch die Steu
ereinheit 9 vor der Durchführung des Löschvorganges auslesbar
ist und bei Vorliegen eines Highpegels bzw. einer logischen
"1" als Löschschutzinformation für den entsprechenden Block 5
der Löschvorgang von der Steuereinheit 9 abgebrochen wird.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 handelt es sich bei
der Speichereinheit 7 um einen wiederbeschreibbaren Speicher,
nämlich ein EEPROM. Dies hat zur Folge, daß die gespeicherten
oberen bzw. unteren Adreßgrenzen der Blöcke 5 geändert werden
können, so daß je nach Bedarf des Anwenders unterschiedliche
Blockgrößen einstellbar sind. Der Fig. 2 ist auch entnehm
bar, daß ein oberster Speicherplatz in der Speichereinheit 7
bei der derzeitigen Aufteilung der Subblöcke 3 auf die Blöcke
5 nicht benötigt wird. Bei einer erneuten Programmierung der
Speichereinheit 7 kann also zusätzlich noch ein fünfter Block
5 vorgesehen sein. Das heißt, nicht nur die Anzahl der Sub
blöcke 3 je Block 5, sondern auch die Anzahl der Blöcke 5
kann auf die erfindungsgemäße Weise frei gewählt werden.
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt eines zweiten Ausführungsbei
spiels des erfindungsgemäßen Speichers. Es wurden nur die vom
Ausführungsbeispiel aus Fig. 2 abweichenden Komponenten des
Speichers dargestellt. Zu erkennen sind im rechten Teil der
Fig. 3 wiederum die Transistoren T, die mit den Löscheingän
gen 4 der Subblöcke 3 verbunden sind. Die Speichereinheit 7B
enthält diesmal keine komprimierte Adreßinformation wie beim
Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2, sondern die vollständigen
Adressen aller Subblöcke 3 der jeweiligen Blöcke 5, wie bei
der linken Speichereinheit 7B in Fig. 1 dargestellt. Der
Speicher in Fig. 3 weist einen Adreßdecoder 10 auf, dessen
Ausgänge mit einer Steuerelektrode je eines der Transistoren
T verbunden sind. Eingänge des Adreßdecoders 10 sind mit
Adreßausgängen der Steuereinheit 9 verbunden. Diese liest
nacheinander aufgrund des anliegenden Blocklöschbefehls EB2
zum Löschen des zweiten Blockes B2 die Adressen der dem zwei
ten Block B2 zugeordneten Subblöcke 3 aus der Speichereinheit
7B und gibt diese nacheinander an den Adreßdecoder 10 weiter.
Alternativ kann die Steuereinheit 9 auch die Speichereinheit
7 zu einer direkten Übermittlung der Adressen an den Adreßde
coder 10 veranlassen (gestrichelte Linie in Fig. 3). Bei dem
Ausführungsbeispiel in Fig. 3 werden die einzelnen Subblöcke
3 des zu löschenden Blockes 5 aufgrund eines einzigen Block
löschbefehls EB2 also zeitlich nacheinander, nämlich abhängig
von der Decodierung des Adreßdecoders 10, der ein 1 aus
n-Decoder ist, durchgeführt.
Fig. 4 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel des Speichers,
das sich von demjenigen in Fig. 3 darin unterscheidet, daß
Ausgänge der Speichereinheit 7B direkt mit den Transistoren T
verbunden sind, so daß der Adreßdecoder 10 entfällt. In der
Speichereinheit 7B ist für jeden der Blöcke B1 bis B4 gespei
chert, welcher der fünfzehn Subblöcke mit den Adressen 0 bis
14 ihm zugeordnet sind (nur für diese weist jeder Block eine
in der Speichereinheit 7B gespeicherte "Eins" auf, für die
übrigen eine gespeicherte "Null"). Wird eine Zeile der in Fig.
4 dargestellten Speichereinheit 7B durch die Steuerein
heit 9 adressiert, werden die zugehörigen fünfzehn Bits an
deren Ausgänge gegeben. Aufgrund dessen werden alle Transi
storen T leitend geschaltet, für die in der Speichereinheit
7B eine "Eins" (hohes Potential) gespeichert ist. Beim Gegen
stand von Fig. 4 handelt es sich um eine schaltungstechnisch
sehr einfache Ausführung der Erfindung, die mit nur wenigen
Komponenten realisierbar ist.
Bei der Erfindung stellen die Subblöcke 3 die kleinste ein
stellbare Auflösung der Blöcke 5 dar. Die Größe und die An
zahl der Blöcke 5 kann frei gewählt werden.
Claims (9)
1. Nichtflüchtiger Speicher
- - mit Speicherzellen, die zu Subblöcken (3) zusammengefaßt sind,
- - mit Blöcken (5), zu denen die Subblöcke (3) zusammengefaßt sind,
- - mit einer Speichereinheit (7A; 7B) zum Speichern von Adres sen der Subblöcke (3) wenigstens eines der Blöcke (5),
- - und mit einer Steuereinheit (9) zum Löschen aller Subblöcke (3) wenigstens eines der Blöcke (5) aufgrund eines gemein samen Blocklöschbefehls (EB2), wobei die Steuereinheit (9) mit der Speichereinheit (7A; 7B) verbunden ist zum Auslesen der entsprechenden Adressen der zu löschenden Subblöcke (3).
2. Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 1,
bei dem die Anzahl der Subblöcke (3) je Block (5) durch eine
Programmierung der Speichereinheit (7A; 7B) einstellbar ist.
3. Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 1 oder 2,
der eine Löschschutzeinheit (8) aufweist zum Speichern einer
Löschschutzinformation für wenigstens einen der Blöcke (5),
die ein Löschen seiner Speicherzellen über den Blocklöschbe
fehl (EB2) verhindert.
4. Nichtflüchtiger Speicher nach einem der vorstehenden An
sprüche,
mit einem Adreßdecoder (10), wobei Eingänge des Adreßdecoders
(10) mit Adreßausgängen der Steuereinheit (9) oder der Spei
chereinheit (7A; 7B) und Ausgänge des Adreßdecoders (10) mit
je einem der Subblöcke (3) verbunden sind.
5. Nichtflüchtiger Speicher nach einem der vorstehenden An
sprüche,
bei dem die in der Speichereinheit (7A, 7B) zu speichernden
Adressen der Subblöcke (3) für wenigstens einen der Blöcke
(5) komprimiert sind.
6. Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 5,
- - bei dem die Subblöcke (3) adressenmäßig aufeinander folgend angeordnet sind,
- - und bei dem die in der Speichereinheit (7A; 7B) zu spei chernden Adressen für wenigstens einen der Blöcke (5) le diglich eine untere und eine obere Adreßgrenze umfassen.
7. Nichtflüchtiger Speicher nach Anspruch 6,
- - mit XOR-Gattern (XOR) mit je einem Ausgang, der mit je ei nem der Subblöcke (3) verbunden ist,
- - der einen ersten (DEC1) und einen zweiten (DEC2) Decoder
aufweist zum Decodieren der in der Speichereinheit (7A; 7B)
gespeicherten unteren und der oberen Adreßgrenze des je
weils zu löschenden Blockes (5),
- - wobei je ein Ausgang jedes der beiden Decoder (DEC1, DEC2) je einem der Subblöcke (3) zugeordnet ist,
- - wobei jeweils diejenigen Ausgänge der beiden Decoder (DEC1, DEC2), die demselben Subblock (3) zugeordnet sind, mit Eingängen des mit diesem Subblock (3) verbun denen XOR-Gatters (XOR) verbunden sind,
- - und wobei nach Durchführung der Decodierung für alle Subblöcke (3), deren Adresse kleiner oder gleich der je weils zu decodierenden Adreßgrenze sind, der entspre chende Ausgang des Decoders (DEC1, DEC2) einen Pegel aufweist, der zu demjenigen an den übrigen Ausgängen der Decoder (DEC1, DEC2) komplementär ist.
8. Nichtflüchtiger Speicher nach einem der vorstehenden An
sprüche,
- - bei dem jeder Subblock (3) einen Löscheingang (4) aufweist zum Anlegen eines Löschsignals (11), durch das alle seine Speicherzellen gelöscht werden,
- - und bei dem Ausgänge der Speichereinheit (7B) bzw. die Aus gänge des Adreßdecoders (10) bzw. die Ausgänge der XOR-Gatter (XOR) mit einem Steuereingang je eines Schaltelementes (T) verbunden sind, das zum Schalten des Löschsignals (11) an den Löscheingang (4) des entsprechenden Subblocks (3) dient.
9. Verfahren zum Konfigurieren eines nichtflüchtigen Spei
chers mit zu Subblöcken (3) zusammengefaßten Speicherzellen,
wobei die Subblöcke (3) zu Blöcken (5) zusammengefaßt sind,
deren Speicherzellen aufgrund eines gemeinsamen Blocklöschbe
fehls (EB2) gelöscht werden können,
bei dem die Anzahl der Subblöcke (3) je Block (5) durch eine
Programmierung eingestellt wird.
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DE1997138712 DE19738712C2 (de) | 1997-09-04 | 1997-09-04 | Nichtflüchtiger Speicher mit zu Subblöcken zusammengefaßten Speicherzellen |
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- 1997-09-04 DE DE1997138712 patent/DE19738712C2/de not_active Expired - Fee Related
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1998
- 1998-08-07 WO PCT/DE1998/002275 patent/WO1999012169A1/de active Application Filing
Patent Citations (2)
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