DE19721313A1 - Proben-KD-Messsystem - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein KD-Meßsystem (System zum Messen einer kritischen Dimension eines Objekts) und spezieller betrifft sie ein Proben-KD-Meßsystem, das zur KD-Messung eines Bauteilmusters bei der Herstellung eines Halbleiter­ bauteils, eines magnetischen Speicherbauteils, eines Bild­ aufnehmerbauteils, einer Anzeigevorrichtung oder dergleichen ausgebildet ist.

Zu Hauptbeispielen von Proben-KD-Meßsystemen, wie sie Ge­ genstand der Erfindung sind, gehören Rasterelektronenmikros­ kope (REM, insbesondere KD-Meß-REM), Lasermikroskope, i-Strahlungsmikroskope, Rasterkraftmikroskope usw. Im folgen­ den wird die Herstellung von Halbleitern als Beispiel für ein typisches Anwendungsfeld eines Proben-KD-Meßsystems beschrieben. Bei der Herstellung von Halbleitern werden KD-Meß-REMs (KD-REMs) in weitem Umfang zur KD-Messung einem Musters verwendet. Nachfolgend wird ein Beispiel eines KD-REM beschrieben.

Fig. 1 veranschaulicht die Grundtheorie und den Aufbau eines KD-REM. Ein von einer Elektronenstrahlquelle 1 emittierter Elektronenstrahl 2 wird durch eine Kondensorlinse 3 verengt und durch eine Objektivlinse 4 in fokussierter Weise auf die Oberfläche eines Wafers 5 gestrahlt, der eine Probe bildet. Gleichzeitig wird die Bahn des Elektronenstrahls 2 durch einen Ablenker 6 so abgelenkt, daß der Elektronenstrahl 2 die Oberfläche des Wafers 5 zweidimensional abrastert. Ande­ rerseits werden vom dem Elektronenstrahl 2 ausgesetzten Wa­ ferabschnitt Sekundärelektronen 7 emittiert. Diese Sekundär­ elektronen werden durch einen Sekundärelektronendetektor 8 erfaßt und in ein elektrisches Signal umgewandelt. Das elektrische Signal wird durch einen A/D-Umsetzer in ein di­ gitales Signal umgesetzt, das dann in einen Bildspeicher 10 eingespeichert wird. Das im Bildspeicher 10 eingespeicherte Signal wird durch einen Bildprozessor 11 verarbeitet, um zur Helligkeitsmodulation einer Anzeige 12 verwendet zu werden. Die Anzeige 12 wird gleichzeitig mit dem Durchrastern des Elektronenstrahls 2 auf der Oberfläche des Wafers durchge­ rastert, so daß auf der Anzeige ein Probenbild (REM-Bild) erzeugt wird.

Eine Musterform wird mit diesem KD-REM z. B. gemäß dem fol­ genden Ablauf untersucht.

Ein einzelner Testwafer 5, der einer Waferkassette 13 ent­ nommen wurde, wird mittels einer geraden Ausrichtungskante, einer Kerbe oder dergleichen vorausgerichtet. Nach der Vor­ ausrichtung wird der Wafer 5 auf einen XY-Tisch 15 in einer evakuierten Probenkammer 14 transportiert und auf diesen aufgesetzt. Der auf den XY-Tisch 15 aufgesetzte Wafer 5 wird unter Verwendung eines Lichtmikroskops 16 ausgerichtet, das im oberen Teil der Probenkammer 14 angeordnet ist. Genauer gesagt, wird das vom Lichtmikroskop 16 erzeugte Bild durch eine Bildaufnahmevorrichtung wie ein CCD oder dergleichen in ein elektrisches Signal umgewandelt. Das elektrische Signal wird durch einen A/D-Umsetzer 17 in ein digitales Signal umgesetzt, das in einen Bildspeicher 10 eingespeichert wird. Dieses in den Bildspeicher 10 eingespeicherte Bild wird über einen Bildprozessor 11 auf eine Anzeige 12 gegeben, damit das vom Lichtmikroskop erzeugte Bild auf der Anzeige 12 an­ gezeigt wird. Zur Waferausrichtung wird ein auf dem Wafer 5 ausgebildetes Ausrichtungsmuster verwendet. Das Gesichtsfeld betreffend das vom Lichtmikroskop erzeugte Bild für das Aus­ richtungsmuster, wie mit einem mehrhundertfachen Vergröße­ rungsfaktor vergrößert, wird mit dem Gesichtsfeld eines Be­ zugsbilds eines zuvor aufgezeichneten Ausrichtungsmusters verglichen, damit die Koordinaten der Tischposition so kor­ rigiert werden, daß die Gesichtsfelder in den zwei Bildern miteinander übereinstimmen. Nach der Ausrichtung wird der Wafer auf dem Tisch an einen gewünschten Meßort verstellt. Danach wird ein abrasternder Elektronenstrahl auf den Wafer gestrahlt, um ein REM-Bild des Meßabschnitts zu erzeugen. Dieses REM-Bild wird so verarbeitet, daß die KD eines Mus­ ters in einem spezifizierten Abschnitt auf Grundlage des Bildintensitätsprofils im Meßabschnitt erhalten wird.

Übrigens werden die Speicherung/das Lesen des Bildsignals, die Verarbeitung desselben usw. durch eine Computer/Steue­ rung-Einheit 18 gesteuert.

Wenn ein Muster feiner und dichter wird, wird es zunehmend erforderlich, nicht nur die KD eines Linienmusters oder eines Kreislochmusters zu messen, sondern auch die KD eines unregelmäßig gekrümmten Musters. Dies erschwert nicht nur eine genaue Positionierung des spezifizierten Meßpunkts, sondern erfordert es auch, eine schräge Form in schräger Richtung zu messen, wie beispielhaft durch den in Fig. 4 spezifizierten Meßort 1 repräsentiert.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Proben-KD-Meßsystem zu schaffen, das so ausgebildet ist, daß es die KD eines Meßabschnitts selbst dann genau mißt, wenn die Form des Meßabschnitts und die Meßrichtung beliebig sind.

Diese Aufgabe ist durch das Proben-KD-Meßsystem gemäß dem beigefügten Anspruch 1 gelöst.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher beschrieben.

Fig. 1 ist eine schematische Ansicht eines KD-REM zum Erläu­ tern der Erfindung und des Stands der Technik;

Fig. 2 ist ein Flußdiagramm einer KD-Messung als Beispiel für einen Meßvorgang in einem erfindungsgemäßen Proben-KD-Meßsystems;

Fig. 3A, 3B und 3C sind schematische Ansichten, die Meßorte auf einem Wafer auf Grundlage des KD-Meßablaufs gemäß Fig. 2 zeigen;

Fig. 4 ist eine erläuternde Ansicht, die einen Fall zeigt, bei dem eine Messung an zwei Orten so spezifiziert ist, daß zwei Meßbezugsbilder einem REM-Bild entsprechen;

Fig. 5 ist eine schematische Ansicht, die einen Fall zeigt, in dem die Form eines tatsächlich gemessenen REM-Bilds mit der Form eines Bezugs-REM-Bilds verglichen wird;

Fig. 6 ist eine schematische Ansicht, die den Fall veran­ schaulicht, daß der Umfang eines Meßabschnitts abgesucht wird, wenn der Meßabschnitt nicht aufgefunden werden kann; und

Fig. 7 ist eine schematische Ansicht, die ein Ausführungs­ beispiel zeigt, bei dem anstelle eines abgerasterten Bilds ein optisch erzeugtes Bild verwendet wird.

Der Hardwareaufbau eines erfindungsgemäßen Proben-KD-Meß­ systems ist derselbe wie der in Fig. 1 dargestellte, und die zugehörige Beschreibung wird hier nicht wiederholt.

In Fig. 2 ist ein Beispiel für einen erfindungsgemäßen Be­ triebsablauf in Schritten S1 bis S13 dargestellt. Ein ein­ zelner, der Waferkassette 13 entnommener Wafer 5 wird unter Bezugnahme auf eine gerade Ausrichtungskante, eine Kerbe oder dergleichen, wie am Wafer ausgebildet, vorausgerichtet (S 1). Nach der Vorausrichtung wird eine auf dem Wafer er­ zeugte Wafernummer durch einen Wafernummernleser (nicht dar­ gestellt) gelesen (S2). Die Wafernummer ist für den Wafer eindeutig. Jobspezifizierungsinformation (Vorgehensweise), wie sie in der Computer/Steuerung-Einheit 18 vorab dem Wafer entsprechend gespeichert wurde, wird unter Bezugnahme auf die gelesene Wafernummer gelesen (S2). In der Vorgehensweise sind ein Ablauf und Bedingungen zum Messen des Wafers defi­ niert. Der anschließende Vorgang wird abhängig von der Vor­ gehensweise automatisch oder halbautomatisch ausgeführt.

Nachdem die Vorgehensweise gelesen wurde, wird der Wafer 5 zum XY-Tisch 15 in der evakuierten Kammer 14 transportiert und auf dieser angebracht (S3). Anschließend wird er unter Verwendung des Lichtmikroskops 16 ausgerichtet, das an der Oberseite der Probenkammer 14 angebracht ist (S4). Die Wa­ ferausrichtung erfolgt unter Verwendung eines auf dem Wafer 5 ausgebildeten Ausrichtungsmusters, um das Koordinatensys­ tem der Position eines Musters auf dem Wafer relativ zum Koordinatensystem der Position des XY-Tischs zu korrigieren. Das vom Lichtmikroskop erzeugte Bild des Ausrichtungsmus­ ters, das mehrhundertfach vergrößert wurde, wird mit einem Waferausrichtungs-Bezugsmuster verglichen, das in der Compu­ ter/Steuerung-Einheit 18 und in einem Bildspeicher 10 vorab so abgespeichert wurde, daß es der Vorgehensweise zugeord­ net ist. Die Koordinaten der Position des Tischs werden auf Grundlage des Vergleichs so korrigiert, daß das Gesichts­ feld des Bilds vom Lichtmikroskop mit dem Gesichtsfeld im Waferausrichtungs-Bezugsbild übereinstimmt.

Nach der Waferausrichtung wird eine dem Wafer zugeordnete Waferkarte aus der Computer/Steuerung-Einheit 18 ausgelesen und auf der Anzeige angezeigt (S5). In der Waferkarte ist der Werdegang des Wafers aufgezeichnet, wie erforderliche Meßorte, Verarbeitungssituationen, Prozess-QC (PQC = Pro­ zessqualitätskontrolle)-Ergebnisse usw. Eine Bedienperson spezifiziert einen zu messenden Ort unter Meßorten, wie sie in der Waferkarte dargestellt sind (S6). Die Koordinaten des spezifizierten Meßorts werden in der Computer/Steuerung-Einheit 18 so abgespeichert, daß sie der Vorgehensweise zu­ geordnet sind. Die registrierten Koordinaten des Meßorts werden gelesen, und der Wafer 5 wird durch die Verstellung des Tischs so verstellt, daß der Meßabschnitt genau unter den Elektronenstrahl gelangt (S7). Nach der Verstellung wird der abrasternde Elektronenstrahl auf den Meßabschnitt ge­ strahlt, damit ein REM-Bild mit relativ kleiner Vergrößerung erzeugt wird. Das REM-Bild mit kleiner Vergrößerung wird zum Positionieren des Meßmusters auf dieselbe Weise wie beim beschriebenen Ausrichtungsvorgang verwendet. Das REM-Bild mit kleiner Vergrößerung wird mit einem Bezugs-REM-Bild zur Meßmusterpositionierung verglichen, das vorab im Bildspei­ cher 10 dem Meßabschnitt entsprechend so abgespeichert wur­ de, daß es zur Vorgehensweise gehört. Der Abrasterbereich des Elektronenstrahls wird so feineingestellt, daß das Ge­ sichtsfeld im REM-Bild mit dem Gesichtsfeld im zur Positio­ nierung verwendeten Bezugs-REM-Bild übereinstimmt (S8). Beim positionierten Wafer liegt das im Meßabschnitt befindliche Meßmuster im wesentlichen im Zentrum des Anzeigeschirms, d. h. genau unter dem Elektronenstrahl.

In diesem Zustand wird ein stark vergrößertes REM-Bild des Meßmusters erzeugt (S9). Nachdem dieses stark vergrößerte REM-Bild erzeugt ist, wird ein Meßbezugs-REM-Bild, das in der Computer/Steuerung-Einheit 18 zum Meßmuster gehörig so abgespeichert wurde, daß es zur Vorgehensweise gehört, ge­ lesen (S9). Dann werden ein Formvergleich zwischen dem Meß­ muster-REM-Bild und dem Meßbezugs-REM-Bild und eine Erfas­ sung der Formdifferenz zwischen den Bildern ausgeführt (S10).

Die Fig. 3A, 3B und 3C zeigen Beispiele für die Waferkarte, wie sie in den Schritten S5, S6 und S12 in Fig. 2 darge­ stellt wird. Fig. 3A zeigt eine Waferform mit einer geraden Ausrichtungskante an seiner Unterseite. In Fig. 3A geben Punkte erforderliche Meßorte wieder, und es ist angegeben, daß der Datenwert an dem durch die Bezugszahl 1 spezifi­ zierten Punkt den Wert 141,5 nm hat (Schritt S5). Fig. 3B zeigt einen Zustand (Schritt S6), bei dem gemäß der Markie­ rung X ein beliebiger Punkt unter den durch die Punktmarkie­ rungen wiedergegebenen erforderlichen Meßorten ausgewählt wurde. In Fig. 3C ist das am durch die Markierung X ausge­ wählten Meßpunkt gemessene Ergebnis 139,5 nm an einer Posi­ tion angegeben, die durch die Bezugszahl 2 in der Waferkarte spezifiziert ist (Schritt S13).

Die hier verwendete Form wird durch das folgende Verfahren bestimmt.

Der Formvergleich wird durch ein Musterübereinstimmungs-Prüfverfahren erzielt, bei dem ein tatsächlich gemessenes Meßmuster-REM-Bild und ein Meßbezugs-REM-Bild miteinander so in Übereinstimmung gebracht werden, daß die Formen der zwei Bilder am besten miteinander übereinstimmen.

Die KD eines Musters wird am spezifizierten Punkt im Meß­ muster auf Grundlage des Verschiebeausmaßes zwischen den zwei zur Übereinstimmung gebrachten Bildern gemessen, d. h. gemäß der Formdifferenz zwischen den beiden zur Übereinstim­ mung gebrachten Bildern (S11). Als Ergebnis wird die KD-Mes­ sung mit einem Beurteilungskriterium verglichen, das vorab in der Computer/Steuerung-Einheit 18 abgespeichert wurde. Auf Grundlage des Vergleichs erfolgt eine Beurteilung dahin­ gehend, ob das Ergebnis der KD-Messung anomal ist oder nicht (S12). Nach der Beurteilung wird die Waferkarte erneut auf der Anzeige dargestellt. Dann wird das Ergebnis der Anomali­ tätsbeurteilung am spezifizierten Meßort in der Waferkarte angezeigt, damit eine Registrierung des Meßergebnisses in einer Datenbank erfolgt, und, falls erforderlich, wird das Meßmuster-REM-Bild in eine Bilddatei eingespeichert (S13).

Auf diese Weise wird ein Ablauf betreffend einen Meßort ab­ geschlossen. Wenn noch ein zu messender Ort verblieben ist, wird ein neuer Meßort auf der Waferkarte spezifiziert, und der Ablauf nach dem Schritt S6 in Fig. 2 wird wiederholt.

Auf diese Weise wird der Meßablauf für einen einzelnen Wa­ fer abgeschlossen. Wenn noch mehrere zu messende Wafer in der Waferkassette vorhanden sind, wird dieser der nächste Wafer entnommen, und dann wird derselbe Vorgang entsprechend der Vorgehensweise von Fig. 2 wiederholt.

Ein REM-Bild wird durch die Helligkeitsänderung an jedem Pi­ xel wiedergegeben. Wenn die Helligkeit digitalisiert wird, um in Graustufen wiedergegeben zu werden, kann das Muster als Berg auf einer Konturkarte simuliert werden. Während dies beachtet wird, wird z. B. die Form eines Musters wie folgt bestimmt:

• 1) Die Form wird durch eine Konturlinie definiert, wie sie durch den höchsten oder tiefsten Graupegel erzeugt wird.
• 2) Es wird ein spezieller Graupegel so spezifiziert, daß die Form durch eine Konturlinie definiert ist, die auf Grundlage dieses Pegels bestimmt wurde.
• 3) Die Graupegeländerung wird durch eine Linie maximaler Steigung, eine Annäherungslinie oder dergleichen wiedergege­ ben, damit die Form durch eine Schnittkurve zwischen dieser Linie und dem Grundpegel definiert ist.
• 4) Das Profil der Graupegeländerung des Meßmusters wird mit dem des Meßbezugs-REM-Bilds verglichen, damit eine Ver­ gleichskurve für die Form gebildet ist, wenn die Formen der zwei Profile am besten zusammenfallen. Hinsichtlich der di­ gitalisierten Helligkeit wird der Bildprozessor 11 durch die Computer/Steuerung-Einheit 18 so gesteuert, daß Bildparame­ ter wie die Helligkeit, der Kontrast usw. unabhängig hin­ sichtlich des REM-Bilds des Meßabschnitts und des Meßbe­ zugsbilds geändert werden können.

Es kann dafür gesorgt werden, daß mehrere Meßbezugsbilder einem REM-Bild entsprechen. Die Verwendung zweier Meßbe­ zugsbilder ermöglicht es, eine Ober- und eine Untergrenze für die Form zu spezifizieren, wie es durch Fig. 4 veran­ schaulicht ist.

Die Erkennung einer Formdifferenz, d. h. die Messung der KD des Musters wird z. B. so ausgeführt, wie es in Fig. 5 dar­ gestellt ist. Nachdem die Form des REM-Bilds mit der Form des Bezugs-REM-Bilds verglichen wurde, wird das REM-Bild in der durch die spezifizierte Position gekennzeichneten Rich­ tung verschoben, so daß die KD des spezifizierten Ab­ schnitts des REM-Bilds oder die KD-Differenz zwischen dem REM-Bild und dem Bezugs-REM-Bild auf Grundlage des Verstell­ wegs des REM-Bilds gemessen wird, gemäß dem die Form des REM-Bilds die Form des Meßbezugs-REM-Bilds berührt. Alter­ nativ kann, wie es durch Fig. 3 veranschaulicht ist, die Messung für mehrere Abschnitte entsprechend einem REM-Bild spezifiziert werden. Gemäß diesem Beispiel kann auf einfache Weise eine Beurteilung dahingehend erfolgen, ob die zwei Bilder übereinstimmen oder nicht.

Obwohl dieses Ausführungsbeispiel ein Verfahren veranschau­ lichte, bei dem eine Bedienperson eine gewünschte Position unter auf der Waferkarte angezeigten Meßorten spezifiziert, um die gewünschte Position von Hand zu vermessen, kann die Erfindung auch bei einem Verfahren angewandt werden, bei dem der Meßort an eine durch die Vorgehensweise spezifizierte Position verstellt wird, damit die Messung und die Beurtei­ lung automatisch wiederholt werden.

Das Kriterium zum Beurteilen von Anomalität kann vorab in der Computer/Steuerung-Einheit 18 eingespeichert werden, da­ mit die Anomalität des Ergebnisses der KD-Messung automa­ tisch auf Grundlage des Kriteriums beurteilt wird, um an die Bedienperson eine Warnung auszugeben, oder dergleichen.

Wenn die Meßdaten und das REM-Bild des anomalen Abschnitts zum Zeitpunkt der Warnmeldung gelesen werden, ist eine Klar­ stellung des Grunds erleichtert. Das Bezugsbild kann im Ver­ lauf der Messung neu abgespeichert oder aktualisiert werden. Obwohl dieses Ausführungsbeispiel einen Fall angibt, bei dem ein vor der Messung in der Computer/Steuerung-Einheit 18 ab­ gespeichertes Bild als Bezugsbild verwendet wird, kann die Einspeicherung eines Bilds für den Abschnitt ein- und des­ selben Musters in benachbarten Chips oder benachbarten Zel­ len im Verlauf der Messung als Meßbezugs-REM-Bild aktuali­ siert werden, wenn die Helligkeit und der Kontrast des vorab abgespeicherten Meßbezugs-REM-Biids stark von denen des Meßmuster-REM-Bilds verschieden sind.

Wenn ein Strahl geladener Teilchen wie ein Elektronenstrahl, ein Ionenstrahl oder dergleichen für eine schlecht leitende Probe verwendet wird, bei der eine große Zeit zur Sättigung der Aufladung erforderlich ist, wird der Strahl geladener Teilchen vorzugsweise für eine vorbestimmte Zeit einge­ strahlt, damit die Aufladung in Sättigung geht, bevor das zur Messung verwendete REM-Bild verwendet wird.

Übrigens bedeutet der Begriff "aufladen" einen Effekt, gemäß dem sich elektrische Ladungen an einer Oberfläche eines elektrisch isolierenden Material ansammeln, wenn ein Strahl geladener Teilchen auf dieses gestrahlt wird.

Obwohl bei diesem Ausführungsbeispiel ein Verfahren angege­ ben ist, gemäß dem die Ausrichtung auf Grundlage eines REM-Bilds mit kleiner Vergrößerung ausgeführt wird, bevor das Meßmuster auf Grundlage eines REM-Bilds mit großer Vergrö­ ßerung positioniert wird, kann die Erfindung auch bei einem Verfahren angewandt werden, bei dem der spezifizierte Meß­ punkt auf Grundlage eines REM-Bilds mit starker Vergrößerung ohne Ausrichtung aufgefunden wird, damit sich eine Funktion ergibt, gemäß der die Umgebung des Meßabschnitts abgesucht werden kann, wie es in Fig. 6 dargestellt ist, wenn der Meßabschnitt nicht aufgefunden werden kann.

Obwohl bei diesem Ausführungsbeispiel der Fall angegeben ist, daß ein XY-Tisch verwendet ist, kann eine KD-Messung in einem Zustand ausgeführt werden, in dem die Probe geneigt ist, wenn der XY-Tisch durch einen XYN(N gibt die Neigung wieder) -Tisch ersetzt wird.

Obwohl das Ausführungsbeispiel den Fall angibt, daß zum Er­ zeugen eines Bilds ein Elektronenstrahl verwendet wird, kann die Erfindung auf den Fall angewandt werden, daß der Elek­ tronenstrahl durch einen Ionenstrahl, einen Lichtstrahl, eine mechanische Sonde oder dergleichen ersetzt wird.

Obwohl im Ausführungsbeispiel der Fall angegeben ist, daß ein Pixel einem Abtastwert entspricht, kann die Erfindung auf ein Verfahren angewandt werden, bei dem ein Bild durch mehrere Abtastwerte oder mehrere Pixel gebildet wird.

Obwohl das Ausführungsbeispiel den Fall angibt, daß ein Ab­ rasterungsbild verwendet wird, kann sie auf den Fall ange­ wandt werden, daß ein solches Bild durch ein Projektions­ bild ersetzt wird, das durch ein bilderzeugendes optisches System erzeugt wird.

In diesem Fall wird das Bild z. B. so erzeugt, wie es in Fig. 7 dargestellt ist. Es wird nämlich einfallendes Licht auf ein Meßmuster auf einer Waferfläche gestrahlt, und es wird dafür gesorgt, daß das vom Meßmuster reflektierte Licht so durch ein optisches Projektionssystem fällt, daß ein Bild auf eine Bildaufnahmevorrichtung wie ein CCD oder dergleichen fokussiert wird. Das so fokussierte Bild des Meßmusters wird durch die Bildaufnahmevorrichtung in ein elektrisches Signal gewandelt. Der anschließende Ablauf ist derselbe wie im Fall eines REM-Bilds.

Obwohl beim Ausführungsbeispiel der Fall angegeben ist, daß ein Halbleiterwafer verwendet wird, kann statt dessen eine Bildaufnahmevorrichtung oder eine Anzeigevorrichtung oder eine andere Probe verwendet werden.

Aus der obigen Beschreibung ist es ersichtlich, daß die Meßposition auf Grundlage des Vergleichs mit der Musterform eines Bezugsbilds genau festgelegt werden kann. Ferner ist es ersichtlich, daß die KD eines Musters mit beliebiger Form und beliebiger Richtung leicht erhalten wird, da die KD auf Grundlage der Formdifferenz zwischen Mustern erhalten wird.

Wie oben beschrieben, ist gemäß dem Ausführungsbeispiel ein Proben-KD-Meßsystem geschaffen, das so ausgebildet ist, daß es die KD eines Meßabschnitts selbst dann genau mißt, wenn die Form des Meßabschnitts und die Meßrichtung belie­ big sind.

Claims (9)

1. Proben-KD-Meßsystem zum Erzeugen des Bilds eines Meß­ abschnitts einer Probe (5) zum Messen der KD (kritische Di­ mension) des Meßabschnitts der Probe (5) auf Grundlage die­ ses Bilds, dadurch gekennzeichnet, daß ein dem Meßab­ schnitt entsprechendes Meßbezugsbild vorab im Proben-KD-Meßsystem abgespeichert wird und das so abgespeicherte Meßbezugsbild ausgelesen und mit einem erzeugten Bild des Meßabschnitts verglichen wird, um die Formdifferenz zwi­ schen dem Bild des Meßabschnitts und dem Meßbezugsbild auf Grundlage des Vergleichsergebnisses zu erhalten, um dadurch die KD des Meßabschnitts auf Grundlage der Formdifferenz zu ermitteln.

2. System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Parameter betreffend das Bild des Meßabschnitts sowie Para­ meter betreffend das Meßbezugsbild unabhängig voneinander geändert werden können.

3. System nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Bilder zum Vergleich mit dem Bild des Meßabschnitts verwendet werden.

4. System nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Meßbezugsbild auf Grundlage des Bilds des Meßabschnitts im Verlauf der Messung der KD kor­ rigiert wird.

5. System nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl eine Probennummer vorab auf die Probe geschrieben wird, als auch Jobinformation zum Ausfüh­ ren eines Meßjobs entsprechend der Probe vorab in das KD-Meßsystem eingespeichert wird, damit die auf die Probe ge­ schriebene Probennummer beim Messen der Probe ausgelesen wird (S2), die Jobinformation unter Bezugnahme auf diese Probennummer gelesen wird und der Meßjob auf Grundlage der gelesenen Jobinformation ausgeführt wird.

6. System nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl die Probe vor der Messung der KD vorausgerichtet wird, als auch ein Bezugsbild zum Ausrichten der Proben vorab im KD-Meßsystem abgespeichert wird, damit ein dem Bezugsbild zur Ausrichtung der Probe (5) entspre­ chendes Ausrichtungsbild erzeugt wird und mit dem Ausrich­ tungsbezugsbild verglichen wird, um das Ausrichten der Probe dadurch auszuführen, daß die zwei Bilder zur Übereinstim­ mung gebracht werden.

7. System nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Meßabschnitt der Probe (5) so spe­ zifiziert wird, daß der spezifizierte Meßabschnitt an einen Meßort des KD-Meßsystems verstellt wird (S7); und ein Meßortpositionierungs-Bezugsbild, das dem Meßabschnitt entspricht, vorab in das KD-Meßsystem eingespeichert wird, wobei ein Bild mit kleinerer Vergrößerung, als es für das erzeugte Bild des Meßabschnitts gilt, erzeugt und mit dem Meßortpositionierungs-Bezugsbild verglichen wird, um da­ durch eine Positionierung des Meßabschnitts im Zentrum eines Gesichtsfelds auszuführen.

8. System nach eine der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß vorab ein Kriterium zum Beurteilen von Anomalität betreffend das Ergebnis der KD-Messung des Meß­ abschnitts der Probe im KD-Meßsystem abgespeichert wird, so daß eine Beurteilung auf Grundlage des Kriteriums dahinge­ hend ausgeführt wird, ob das Ergebnis der KD-Messung anomal ist oder nicht (S12), und eine Warnmeldung automatisch aus­ gegeben wird, wenn das Ergebnis der KD-Messung anomal ist.

9. System nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Bild des Meßabschnitts der Probe (5) ein REM-Bild ist, nachdem die Probe (5) für eine vorbe­ stimmte Zeit einem Strahl (2) geladener Teilchen ausgesetzt wurde.