DE19715974A1 - Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung - Google Patents
Versorgungssystem für Chemikalien und dessen VerwendungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Versorgungssystem für
Chemikalien, das die Herstellung von feststoffhaltigen Suspensionen,
welche u. a. zum Polieren von Wafern oder in der Halbleiterfertigung
benötigt werden, direkt am Ort der Verwendung ermöglicht.
Typische Halbleiterschaltungen sind üblicherweise aufgebaut, indem
als Substrat Silizium oder Galliumarsenid verwendet wird, worauf
eine Vielzahl von integrierten Schaltungen aufgebracht sind. Die
verschiedenen Schichten, aus denen diese integrierten Schaltungen
aufgebaut sind, sind entweder leitend, isolierend oder besitzen
Halbleitereigenschaften. Um solch eine Halbleiterstruktur
aufzubauen, ist es unerläßlich, daß der verwendete Wafer eine
absolut ebene Oberfläche aufweist. Daher ist es häufig notwendig,
die Oberfläche oder einen Teil der Oberfläche eines Wafers zu
polieren.
Weiterentwicklungen in der Halbleitertechnologie haben zu immer
größeren Integrationstiefen und einer fortschreitenden
Miniaturisierung, verbunden mit immer kleiner werdenden
Halbleiterstrukturen, geführt, wodurch immer höhere Anforderungen
an die Fertigungsmethoden gestellt werden. Beispielsweise ist es
notwendig bei solchen Halbleiterelementen, dünne Leiterbahnen oder
ähnliche Strukturen auf vorab gebildeten Strukturen zu bilden.
Probleme bereitet dabei, daß die Oberfläche der vorher gebildeten
Strukturen häufig unregelmäßig ist. Um in der folgenden
photolithographischen Behandlung ein zufriedenstellendes Ergebnis
erzielen zu können, ist daher eine Planarisierung der Oberfläche
notwendig.
Daher sind die Methoden und Mittel, mit denen die wiederholt
notwendige Planarisierung durchgeführt wird, ein zentrales Thema in
der Halbleiterherstellung. In der Fachsprache wird dieser Vorgang
unter dem Begriff des chemisch-mechanischen Polierens verstanden.
Demgemäß sind daher bei diesem Verfahrensschritt sowohl die
eingesetzten technischen Vorrichtungen als auch die verwendeten
chemischen Komponenten, woraus die Formulierungen der
eingesetzten Poliersuspensionen zusammengesetzt sind, aber auch
die Versorgungssysteme, mit deren Hilfe letztere während des
Polierens zur Verfügung gestellt werden, von großem Interesse.
Im allgemeinen erfolgt das chemisch-mechanische Polieren (CMP),
indem der Wafer unter gleichmäßigem Druck unter Drehen mit einem
Polierkissen, welches gleichmäßig mit einer Poliersuspension
getränkt ist.
Im Rahmen der Halbleiterherstellung werden ebenfalls in
zunehmendem Maße chemisch-mechanische Polierschritte
eingesetzt. Sie dienen dazu, Siliziumdioxid-Schichten
Metallisierungsbahnen oder andere Oberflächenstrukturen auf
Wafern zu planarisieren. In diesem Zusammenhang werden spezielle
CMP-Slurries, das heißt abrasive, flüssige Medien, eingesetzt. Diese
Medien müssen mit Versorgungssystemen für Chemikalien
zusammengeführt werden. Besonders wichtig ist, daß durch diese
Versorgungssysteme am "point of use" kontinuierlich Suspensionen
mit immer gleichbleibenden Eigenschaften zur Verfügung gestellt
werden können, d. h. insbesondere auch mit einer immer
gleichbleibenden Konzentration an Feststoffteilchen und einer
gleichbleibenden durchschnittlichen Verteilung der
Partikeldurchmesser. Letzteres ist von besonderer Bedeutung, da
hiervon gleichmäßige Polierergebnisse abhängig sind.
Entsprechende bisher dem Fachmann bekannte Systeme erfüllen die
technischen Anforderungen nicht oder nur in begrenztem Maße.
Ein besonderes Problem stellt sich durch die starke Sedimentation in
den feststoffhaltigen Suspensionen gegebenenfalls während der
Lagerung, insbesondere aber auch in den Rohrleitungen, welche an
den Ort des Verbrauchs führen, so daß sich erhebliche Probleme für
den Transport, Einsatz von Rohstoffen und der fertigen Suspensionen
im Versorgungssystem ergeben können.
Bei der Auslegung bekannter Systeme wurde außerdem die
Handhabung von Störfällen nicht, oder nur unzureichend
berücksichtigt, so daß Leitungen aufgrund der Sedimentation leicht
verstopfen können, nach einem Störfall Arbeitsprozesse nicht
beendet werden können oder das System nur sehr schwer wieder in
Betrieb genommen werden kann. Dieses bedeutete daß in bekannten
Systemen die Wiederverfügbarkeit nach Betriebsstörungen nicht, zu
wenig oder nur in unzureichendem Maße vorhanden ist.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, mit
einfachen Mitteln ein Versorgungssystem für Chemikalien während
des chemisch mechanischen Polierens zur Verfügung zu stellen,
welches einerseits Probleme, welche sich durch die Sedimentation
von Feststoffen ergeben können, durch einfache Maßnahmen
beseitigt, andererseits aber auch bei auftretenden Störfällen aufgrund
von Vorkehrungen eine Betriebsweise erlaubt, welche eine
Beendigung eines begonnenen Arbeitsprozesses ermöglichen und
daher eine einfache Wiederaufnahme des Betriebs ermöglichen.
Die Lösung der vorliegenden Aufgabe erfolgt durch ein
Versorgungssystem für Chemikalien während des chemisch
mechanischen Polierens, bestehend aus einem System von
- a) miteinander redundant verbundenen Vorrats- und Arbeitstanks, welche gegebenenfalls mit Rührern oder anderen Vorrichtungen zur homogenen Vermischung versehen sind und bei Bedarf mit Druck beaufschlagt werden können,
- b) mit Ventilen versehenen Rohrleitungen, welche fallend verlegt sind und gegebenenfalls mit Druck beaufschlagt werden können,
- c) gegebenenfalls einer Druckluftversorgung, geeignet für hochreine
Chemikalien,
sowie - d) gegebenenfalls einem System zur Versorgung mit hochreinem Wasser.
Rohrleitungen dieses Versorgungssystems, in denen feststoffhaltige
Medien gefördert werden, sind bei Bedarf mit statischen Mischern
versehen.
Die fallende Verlegung der Rohrleitungen erlaubt es, im Fall von
Störungen, wie beispielsweise bei Stromausfällen oder mangelnder
Fließgeschwindigkeit in den Rohrleitungen, Chemikalien oder deren
Gemische durch Wirkung der Schwerkraft in Vorratstanks zurück zu
befördern. Gegebenenfalls können die Chemikalien oder deren
Gemische durch Druckluftbeaufschlagung in Vorratstanks zurück
befördert werden können.
Zur Vermeidung von Kontaminationen während des Arbeitsprozesses
kann das System mit Druck beaufschlagt werden, insbesondere mit
einem leichten Überdruck von etwa 0,3 bis 5 bar arbeitet.
Erfindungsgemäß sind alle mit den verwendeten Chemikalien in
Berührung kommenden Komponenten des Systems aus Materialien
hergestellt, die gegenüber sowohl stark sauren als auch stark
basischen oxidierenden Medien inert sind. Vorzugsweise sind diese
Komponenten aus chemikalienresistenten Materialien, ausgewählt
aus der Gruppe der vollständig, teilweise oder nicht fluorierten
polymeren Kohlenwasserstoffe hergestellt. Die Auswahl der
verwendeten Materialien erfolgt mit der Bedingung, daß verwendete
hochreine Chemikalien keinen Qualitätseinbußen durch Abrieb oder
Ablösung von unerwünschten Partikeln erleiden dürfen.
Insbesondere kann dieses Versorgungssystems zur Herstellung von
Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren verwendet
werden.
In einer erfindungsgemäßen Ausgestaltung ist es insbesondere zur
direkten Versorgung mit Suspensionen für chemisch-mechanisches
Polieren am Ort der Verwendung geeignet, vorzugsweise zur
Herstellung von Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren,
welche zur Herstellung von Wafern oder von Halbleiterschaltungen
benötigt werden.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch ein Verfahren zum
Betrieb des Versorgungssystems wonach,
- a) eine oder mehrere dosierte Feststoffmengen in einem oder mehreren Zwischenbehältern vorgelegt werden, welche
- b) unter Vermischung durch Zugabe einer oder mehrerer
Flüssigkeiten in eine pastöse oder flüssige Form überführt werden,
und - c) in einen oder mehrere Vorrats- oder Arbeitstanks gegeben werden, in dem oder in denen gegebenenfalls bereits weitere im Arbeitsprozeß notwendige Chemikalien vorgelegt sind.
Claims (12)
1. Versorgungssystem für Chemikalien während des chemisch
mechanischen Polierens, gekennzeichnet durch ein System,
bestehend aus
- a) miteinander verbundenen Vorrats- und Arbeitstanks, welche gegebenenfalls mit Rührern oder anderen Vorrichtungen zur homogenen Vermischung versehen sind und bei Bedarf mit Druck beaufschlagt werden können,
- b) mit Ventilen versehenen Rohrleitungen, welche fallend verlegt sind und gegebenenfalls mit Druck beaufschlagt werden können,
- c) gegebenenfalls einer Druckluftversorgung, geeignet für
hochreine Chemikalien,
sowie - d) gegebenenfalls einem System zur Versorgung mit hochreinem Wasser.
2. Versorgungssystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß Rohrleitungen in denen feststoffhaltige Medien gefördert
werden, mit statischen Mischern versehen sind.
3. Versorgungssystem gemäß einem oder beiden der vorherigen
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die fallende Verlegung
der Rohrleitungen es erlaubt, Chemikalien oder deren Gemische
durch Wirkung der Schwerkraft in Vorratstanks zurück zu
befördern.
4. Versorgungssystem gemäß einem oder mehreren der vorherigen
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Chemikalien oder
deren Gemische durch Druckluftbeaufschlagung in Vorratstanks
zurück befördert werden können.
5. Versorgungssystem gemäß den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß es während des Arbeitsprozesses zur
Vermeidung von Kontaminationen mit Druck beaufschlagt werden
kann.
6. Versorgungssystem gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß es bei einem leichten Überdruck von 0,3 bis 5 bar arbeitet.
7. Versorgungssystem gemäß einem oder mehreren der vorherigen
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß alle mit den
verwendeten Chemikalien in Berührung kommenden
Komponenten des Systems aus Materialien hergestellt sind, die
gegenüber sowohl stark sauren als auch stark basischen
oxidierenden Medien inert sind, so daß Verunreinigungen der
Chemikalien durch Abrasion oder Ablösung von Partikeln
vermieden werden.
8. Versorgungssystem gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet,
daß alle mit den verwendeten Chemikalien in Berührung
kommenden Komponenten des Systems aus
chemikalienresistenten Materialien ausgewählt aus der Gruppe
der vollständig, teilweise oder nicht fluorierten polymeren
Kohlenwasserstoffe hergestellt sind.
9. Verwendung des Versorgungssystems gemäß einem oder
mehreren der vorherigen Ansprüche zur Herstellung von
Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren.
10. Verwendung des Versorgungssystems gemäß einem oder
mehreren der Ansprüche 1 bis 8 zur direkten Versorgung mit
Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren am Ort der
Verwendung.
11. Verwendung des Versorgungssystems gemäß einem oder
mehreren der Ansprüche 1 bis 8 zur Herstellung von
Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren, welche zur
Herstellung von Wafern oder von Halbleiterschaltungen benötigt
werden.
12. Verfahren zum Betrieb eines Versorgungssystems gemäß einem
oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet,
daß
- a) eine oder mehrere dosierte Feststoffmengen in einem oder mehreren Zwischenbehälter vorgelegt werden, welche
- b) unter Vermischung durch Zugabe einer oder mehrerer
Flüssigkeiten in eine pastöse oder flüssige Form überführt
werden,
und - c) in einen oder mehrere Vorrats- oder Arbeitstanks gegeben werden, in dem oder in denen gegebenenfalls bereits weitere im Arbeitsprozeß notwendige Chemikalien vorgelegt sind.
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10060697A1 (de) * | 2000-12-07 | 2002-06-27 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US7177716B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for material control system interface |
US7218983B2 (en) | 2003-11-06 | 2007-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities |
US7221993B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools |
US7274971B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for electronic device manufacturing system monitoring and control |
US7413069B2 (en) | 2004-02-28 | 2008-08-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility |
US7720557B2 (en) | 2003-11-06 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers |
US7778721B2 (en) | 2003-01-27 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | Small lot size lithography bays |
DE102009058436A1 (de) | 2009-12-16 | 2011-01-20 | Siltronic Ag | Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6241586B1 (en) | 1998-10-06 | 2001-06-05 | Rodel Holdings Inc. | CMP polishing slurry dewatering and reconstitution |
US6447375B2 (en) * | 2000-04-19 | 2002-09-10 | Rodel Holdings Inc. | Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2082255A5 (de) * | 1970-03-09 | 1971-12-10 | Barragan Jacques | |
DE2336735A1 (de) * | 1973-07-19 | 1975-02-06 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines poliermittels fuer halbleiteroberflaechen |
US4678119A (en) * | 1982-10-12 | 1987-07-07 | Buehler Ltd. | Abrasive slurry supply system for use in metallographic sample preparation |
KR930008856B1 (ko) * | 1991-05-15 | 1993-09-16 | 금성일렉트론 주식회사 | 혼합용액의 일정비율 혼합장치 |
TW402542B (en) * | 1994-10-24 | 2000-08-21 | Motorola Inc | Improvements in timing and location for mixing polishing fluid in a process of polishing a semiconductor substrate |
-
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6645862B2 (en) | 2000-12-07 | 2003-11-11 | Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag | Double-side polishing process with reduced scratch rate and device for carrying out the process |
DE10060697B4 (de) * | 2000-12-07 | 2005-10-06 | Siltronic Ag | Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE10060697A1 (de) * | 2000-12-07 | 2002-06-27 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US7711445B2 (en) | 2003-01-27 | 2010-05-04 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools |
US7221993B2 (en) | 2003-01-27 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools |
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US7218983B2 (en) | 2003-11-06 | 2007-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities |
US8204617B2 (en) | 2003-11-06 | 2012-06-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers |
US7720557B2 (en) | 2003-11-06 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers |
US7177716B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-02-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for material control system interface |
US7603196B2 (en) | 2004-02-28 | 2009-10-13 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for material control system interface |
US7413069B2 (en) | 2004-02-28 | 2008-08-19 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility |
US8024065B2 (en) | 2004-02-28 | 2011-09-20 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility |
US7274971B2 (en) | 2004-02-28 | 2007-09-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for electronic device manufacturing system monitoring and control |
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