DE19715974A1 - Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung - Google Patents

Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung

Info

Publication number
DE19715974A1
DE19715974A1 DE19715974A DE19715974A DE19715974A1 DE 19715974 A1 DE19715974 A1 DE 19715974A1 DE 19715974 A DE19715974 A DE 19715974A DE 19715974 A DE19715974 A DE 19715974A DE 19715974 A1 DE19715974 A1 DE 19715974A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
supply system
chemicals
necessary
mechanical polishing
chemical mechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19715974A
Other languages
English (en)
Inventor
Ulrich Dr Finkenzeller
Thomas Schwortschik
Claus Dr Dusemund
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merck Patent GmbH
Original Assignee
Merck Patent GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Merck Patent GmbH filed Critical Merck Patent GmbH
Priority to DE19715974A priority Critical patent/DE19715974A1/de
Priority to AT98922664T priority patent/ATE251969T1/de
Priority to EP98922664A priority patent/EP1009589B1/de
Priority to DE59809935T priority patent/DE59809935D1/de
Priority to JP54493098A priority patent/JP2001520589A/ja
Priority to PCT/EP1998/002035 priority patent/WO1998047661A1/de
Priority to TW087105568A priority patent/TW392248B/zh
Publication of DE19715974A1 publication Critical patent/DE19715974A1/de
Priority to US09/793,683 priority patent/US6679764B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Catching Or Destruction (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues Versorgungssystem für Chemikalien, das die Herstellung von feststoffhaltigen Suspensionen, welche u. a. zum Polieren von Wafern oder in der Halbleiterfertigung benötigt werden, direkt am Ort der Verwendung ermöglicht.
Typische Halbleiterschaltungen sind üblicherweise aufgebaut, indem als Substrat Silizium oder Galliumarsenid verwendet wird, worauf eine Vielzahl von integrierten Schaltungen aufgebracht sind. Die verschiedenen Schichten, aus denen diese integrierten Schaltungen aufgebaut sind, sind entweder leitend, isolierend oder besitzen Halbleitereigenschaften. Um solch eine Halbleiterstruktur aufzubauen, ist es unerläßlich, daß der verwendete Wafer eine absolut ebene Oberfläche aufweist. Daher ist es häufig notwendig, die Oberfläche oder einen Teil der Oberfläche eines Wafers zu polieren.
Weiterentwicklungen in der Halbleitertechnologie haben zu immer größeren Integrationstiefen und einer fortschreitenden Miniaturisierung, verbunden mit immer kleiner werdenden Halbleiterstrukturen, geführt, wodurch immer höhere Anforderungen an die Fertigungsmethoden gestellt werden. Beispielsweise ist es notwendig bei solchen Halbleiterelementen, dünne Leiterbahnen oder ähnliche Strukturen auf vorab gebildeten Strukturen zu bilden. Probleme bereitet dabei, daß die Oberfläche der vorher gebildeten Strukturen häufig unregelmäßig ist. Um in der folgenden photolithographischen Behandlung ein zufriedenstellendes Ergebnis erzielen zu können, ist daher eine Planarisierung der Oberfläche notwendig.
Daher sind die Methoden und Mittel, mit denen die wiederholt notwendige Planarisierung durchgeführt wird, ein zentrales Thema in der Halbleiterherstellung. In der Fachsprache wird dieser Vorgang unter dem Begriff des chemisch-mechanischen Polierens verstanden. Demgemäß sind daher bei diesem Verfahrensschritt sowohl die eingesetzten technischen Vorrichtungen als auch die verwendeten chemischen Komponenten, woraus die Formulierungen der eingesetzten Poliersuspensionen zusammengesetzt sind, aber auch die Versorgungssysteme, mit deren Hilfe letztere während des Polierens zur Verfügung gestellt werden, von großem Interesse.
Im allgemeinen erfolgt das chemisch-mechanische Polieren (CMP), indem der Wafer unter gleichmäßigem Druck unter Drehen mit einem Polierkissen, welches gleichmäßig mit einer Poliersuspension getränkt ist.
Im Rahmen der Halbleiterherstellung werden ebenfalls in zunehmendem Maße chemisch-mechanische Polierschritte eingesetzt. Sie dienen dazu, Siliziumdioxid-Schichten Metallisierungsbahnen oder andere Oberflächenstrukturen auf Wafern zu planarisieren. In diesem Zusammenhang werden spezielle CMP-Slurries, das heißt abrasive, flüssige Medien, eingesetzt. Diese Medien müssen mit Versorgungssystemen für Chemikalien zusammengeführt werden. Besonders wichtig ist, daß durch diese Versorgungssysteme am "point of use" kontinuierlich Suspensionen mit immer gleichbleibenden Eigenschaften zur Verfügung gestellt werden können, d. h. insbesondere auch mit einer immer gleichbleibenden Konzentration an Feststoffteilchen und einer gleichbleibenden durchschnittlichen Verteilung der Partikeldurchmesser. Letzteres ist von besonderer Bedeutung, da hiervon gleichmäßige Polierergebnisse abhängig sind.
Entsprechende bisher dem Fachmann bekannte Systeme erfüllen die technischen Anforderungen nicht oder nur in begrenztem Maße.
Ein besonderes Problem stellt sich durch die starke Sedimentation in den feststoffhaltigen Suspensionen gegebenenfalls während der Lagerung, insbesondere aber auch in den Rohrleitungen, welche an den Ort des Verbrauchs führen, so daß sich erhebliche Probleme für den Transport, Einsatz von Rohstoffen und der fertigen Suspensionen im Versorgungssystem ergeben können.
Bei der Auslegung bekannter Systeme wurde außerdem die Handhabung von Störfällen nicht, oder nur unzureichend berücksichtigt, so daß Leitungen aufgrund der Sedimentation leicht verstopfen können, nach einem Störfall Arbeitsprozesse nicht beendet werden können oder das System nur sehr schwer wieder in Betrieb genommen werden kann. Dieses bedeutete daß in bekannten Systemen die Wiederverfügbarkeit nach Betriebsstörungen nicht, zu wenig oder nur in unzureichendem Maße vorhanden ist.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, mit einfachen Mitteln ein Versorgungssystem für Chemikalien während des chemisch mechanischen Polierens zur Verfügung zu stellen, welches einerseits Probleme, welche sich durch die Sedimentation von Feststoffen ergeben können, durch einfache Maßnahmen beseitigt, andererseits aber auch bei auftretenden Störfällen aufgrund von Vorkehrungen eine Betriebsweise erlaubt, welche eine Beendigung eines begonnenen Arbeitsprozesses ermöglichen und daher eine einfache Wiederaufnahme des Betriebs ermöglichen.
Die Lösung der vorliegenden Aufgabe erfolgt durch ein Versorgungssystem für Chemikalien während des chemisch­ mechanischen Polierens, bestehend aus einem System von
  • a) miteinander redundant verbundenen Vorrats- und Arbeitstanks, welche gegebenenfalls mit Rührern oder anderen Vorrichtungen zur homogenen Vermischung versehen sind und bei Bedarf mit Druck beaufschlagt werden können,
  • b) mit Ventilen versehenen Rohrleitungen, welche fallend verlegt sind und gegebenenfalls mit Druck beaufschlagt werden können,
  • c) gegebenenfalls einer Druckluftversorgung, geeignet für hochreine Chemikalien,
    sowie
  • d) gegebenenfalls einem System zur Versorgung mit hochreinem Wasser.
Rohrleitungen dieses Versorgungssystems, in denen feststoffhaltige Medien gefördert werden, sind bei Bedarf mit statischen Mischern versehen.
Die fallende Verlegung der Rohrleitungen erlaubt es, im Fall von Störungen, wie beispielsweise bei Stromausfällen oder mangelnder Fließgeschwindigkeit in den Rohrleitungen, Chemikalien oder deren Gemische durch Wirkung der Schwerkraft in Vorratstanks zurück zu befördern. Gegebenenfalls können die Chemikalien oder deren Gemische durch Druckluftbeaufschlagung in Vorratstanks zurück befördert werden können.
Zur Vermeidung von Kontaminationen während des Arbeitsprozesses kann das System mit Druck beaufschlagt werden, insbesondere mit einem leichten Überdruck von etwa 0,3 bis 5 bar arbeitet.
Erfindungsgemäß sind alle mit den verwendeten Chemikalien in Berührung kommenden Komponenten des Systems aus Materialien hergestellt, die gegenüber sowohl stark sauren als auch stark basischen oxidierenden Medien inert sind. Vorzugsweise sind diese Komponenten aus chemikalienresistenten Materialien, ausgewählt aus der Gruppe der vollständig, teilweise oder nicht fluorierten polymeren Kohlenwasserstoffe hergestellt. Die Auswahl der verwendeten Materialien erfolgt mit der Bedingung, daß verwendete hochreine Chemikalien keinen Qualitätseinbußen durch Abrieb oder Ablösung von unerwünschten Partikeln erleiden dürfen.
Insbesondere kann dieses Versorgungssystems zur Herstellung von Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren verwendet werden.
In einer erfindungsgemäßen Ausgestaltung ist es insbesondere zur direkten Versorgung mit Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren am Ort der Verwendung geeignet, vorzugsweise zur Herstellung von Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren, welche zur Herstellung von Wafern oder von Halbleiterschaltungen benötigt werden.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist auch ein Verfahren zum Betrieb des Versorgungssystems wonach,
  • a) eine oder mehrere dosierte Feststoffmengen in einem oder mehreren Zwischenbehältern vorgelegt werden, welche
  • b) unter Vermischung durch Zugabe einer oder mehrerer Flüssigkeiten in eine pastöse oder flüssige Form überführt werden,
    und
  • c) in einen oder mehrere Vorrats- oder Arbeitstanks gegeben werden, in dem oder in denen gegebenenfalls bereits weitere im Arbeitsprozeß notwendige Chemikalien vorgelegt sind.

Claims (12)

1. Versorgungssystem für Chemikalien während des chemisch­ mechanischen Polierens, gekennzeichnet durch ein System, bestehend aus
  • a) miteinander verbundenen Vorrats- und Arbeitstanks, welche gegebenenfalls mit Rührern oder anderen Vorrichtungen zur homogenen Vermischung versehen sind und bei Bedarf mit Druck beaufschlagt werden können,
  • b) mit Ventilen versehenen Rohrleitungen, welche fallend verlegt sind und gegebenenfalls mit Druck beaufschlagt werden können,
  • c) gegebenenfalls einer Druckluftversorgung, geeignet für hochreine Chemikalien,
    sowie
  • d) gegebenenfalls einem System zur Versorgung mit hochreinem Wasser.
2. Versorgungssystem gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Rohrleitungen in denen feststoffhaltige Medien gefördert werden, mit statischen Mischern versehen sind.
3. Versorgungssystem gemäß einem oder beiden der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die fallende Verlegung der Rohrleitungen es erlaubt, Chemikalien oder deren Gemische durch Wirkung der Schwerkraft in Vorratstanks zurück zu befördern.
4. Versorgungssystem gemäß einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Chemikalien oder deren Gemische durch Druckluftbeaufschlagung in Vorratstanks zurück befördert werden können.
5. Versorgungssystem gemäß den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß es während des Arbeitsprozesses zur Vermeidung von Kontaminationen mit Druck beaufschlagt werden kann.
6. Versorgungssystem gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß es bei einem leichten Überdruck von 0,3 bis 5 bar arbeitet.
7. Versorgungssystem gemäß einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß alle mit den verwendeten Chemikalien in Berührung kommenden Komponenten des Systems aus Materialien hergestellt sind, die gegenüber sowohl stark sauren als auch stark basischen oxidierenden Medien inert sind, so daß Verunreinigungen der Chemikalien durch Abrasion oder Ablösung von Partikeln vermieden werden.
8. Versorgungssystem gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß alle mit den verwendeten Chemikalien in Berührung kommenden Komponenten des Systems aus chemikalienresistenten Materialien ausgewählt aus der Gruppe der vollständig, teilweise oder nicht fluorierten polymeren Kohlenwasserstoffe hergestellt sind.
9. Verwendung des Versorgungssystems gemäß einem oder mehreren der vorherigen Ansprüche zur Herstellung von Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren.
10. Verwendung des Versorgungssystems gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 zur direkten Versorgung mit Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren am Ort der Verwendung.
11. Verwendung des Versorgungssystems gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8 zur Herstellung von Suspensionen für chemisch-mechanisches Polieren, welche zur Herstellung von Wafern oder von Halbleiterschaltungen benötigt werden.
12. Verfahren zum Betrieb eines Versorgungssystems gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß
  • a) eine oder mehrere dosierte Feststoffmengen in einem oder mehreren Zwischenbehälter vorgelegt werden, welche
  • b) unter Vermischung durch Zugabe einer oder mehrerer Flüssigkeiten in eine pastöse oder flüssige Form überführt werden,
    und
  • c) in einen oder mehrere Vorrats- oder Arbeitstanks gegeben werden, in dem oder in denen gegebenenfalls bereits weitere im Arbeitsprozeß notwendige Chemikalien vorgelegt sind.
DE19715974A 1997-04-17 1997-04-17 Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung Withdrawn DE19715974A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19715974A DE19715974A1 (de) 1997-04-17 1997-04-17 Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung
AT98922664T ATE251969T1 (de) 1997-04-17 1998-04-08 Versorgungssystem für chemikalien und dessen verwendung
EP98922664A EP1009589B1 (de) 1997-04-17 1998-04-08 Versorgungssystem für chemikalien und dessen verwendung
DE59809935T DE59809935D1 (de) 1997-04-17 1998-04-08 Versorgungssystem für chemikalien und dessen verwendung
JP54493098A JP2001520589A (ja) 1997-04-17 1998-04-08 化学物質供給システムとその使用
PCT/EP1998/002035 WO1998047661A1 (de) 1997-04-17 1998-04-08 Versorgungssystem für chemikalien und dessen verwendung
TW087105568A TW392248B (en) 1997-04-17 1998-04-13 Supply system for chemicals and its use
US09/793,683 US6679764B2 (en) 1997-04-17 2001-02-27 Supply system for chemicals and its use

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19715974A DE19715974A1 (de) 1997-04-17 1997-04-17 Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19715974A1 true DE19715974A1 (de) 1998-10-22

Family

ID=7826736

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19715974A Withdrawn DE19715974A1 (de) 1997-04-17 1997-04-17 Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung
DE59809935T Expired - Fee Related DE59809935D1 (de) 1997-04-17 1998-04-08 Versorgungssystem für chemikalien und dessen verwendung

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE59809935T Expired - Fee Related DE59809935D1 (de) 1997-04-17 1998-04-08 Versorgungssystem für chemikalien und dessen verwendung

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP1009589B1 (de)
JP (1) JP2001520589A (de)
AT (1) ATE251969T1 (de)
DE (2) DE19715974A1 (de)
TW (1) TW392248B (de)
WO (1) WO1998047661A1 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10060697A1 (de) * 2000-12-07 2002-06-27 Wacker Siltronic Halbleitermat Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7177716B2 (en) 2004-02-28 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for material control system interface
US7218983B2 (en) 2003-11-06 2007-05-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities
US7221993B2 (en) 2003-01-27 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools
US7274971B2 (en) 2004-02-28 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for electronic device manufacturing system monitoring and control
US7413069B2 (en) 2004-02-28 2008-08-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility
US7720557B2 (en) 2003-11-06 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers
US7778721B2 (en) 2003-01-27 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Small lot size lithography bays
DE102009058436A1 (de) 2009-12-16 2011-01-20 Siltronic Ag Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6241586B1 (en) 1998-10-06 2001-06-05 Rodel Holdings Inc. CMP polishing slurry dewatering and reconstitution
US6447375B2 (en) * 2000-04-19 2002-09-10 Rodel Holdings Inc. Polishing method using a reconstituted dry particulate polishing composition

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2082255A5 (de) * 1970-03-09 1971-12-10 Barragan Jacques
DE2336735A1 (de) * 1973-07-19 1975-02-06 Licentia Gmbh Verfahren zum herstellen eines poliermittels fuer halbleiteroberflaechen
US4678119A (en) * 1982-10-12 1987-07-07 Buehler Ltd. Abrasive slurry supply system for use in metallographic sample preparation
KR930008856B1 (ko) * 1991-05-15 1993-09-16 금성일렉트론 주식회사 혼합용액의 일정비율 혼합장치
TW402542B (en) * 1994-10-24 2000-08-21 Motorola Inc Improvements in timing and location for mixing polishing fluid in a process of polishing a semiconductor substrate

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6645862B2 (en) 2000-12-07 2003-11-11 Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbleitermaterialien Ag Double-side polishing process with reduced scratch rate and device for carrying out the process
DE10060697B4 (de) * 2000-12-07 2005-10-06 Siltronic Ag Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE10060697A1 (de) * 2000-12-07 2002-06-27 Wacker Siltronic Halbleitermat Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7711445B2 (en) 2003-01-27 2010-05-04 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools
US7221993B2 (en) 2003-01-27 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods for transferring small lot size substrate carriers between processing tools
US7778721B2 (en) 2003-01-27 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Small lot size lithography bays
US7218983B2 (en) 2003-11-06 2007-05-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for integrating large and small lot electronic device fabrication facilities
US8204617B2 (en) 2003-11-06 2012-06-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers
US7720557B2 (en) 2003-11-06 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced operation of substrate carrier handlers
US7177716B2 (en) 2004-02-28 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for material control system interface
US7603196B2 (en) 2004-02-28 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for material control system interface
US7413069B2 (en) 2004-02-28 2008-08-19 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility
US8024065B2 (en) 2004-02-28 2011-09-20 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for transferring a substrate carrier within an electronic device manufacturing facility
US7274971B2 (en) 2004-02-28 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for electronic device manufacturing system monitoring and control
DE102009058436A1 (de) 2009-12-16 2011-01-20 Siltronic Ag Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe

Also Published As

Publication number Publication date
EP1009589A1 (de) 2000-06-21
ATE251969T1 (de) 2003-11-15
TW392248B (en) 2000-06-01
WO1998047661A1 (de) 1998-10-29
DE59809935D1 (de) 2003-11-20
EP1009589B1 (de) 2003-10-15
JP2001520589A (ja) 2001-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69839136T2 (de) Verfahren zum Polieren unterschiedlicher leitender Schichten in einer halbleitende Anordnung
DE19715974A1 (de) Versorgungssystem für Chemikalien und dessen Verwendung
DE69719225T2 (de) Polierkissen und verfahren zum herstellen von polierkissen mit langgestreckten mikrosäulen
DE60005270T2 (de) Trägervorrichtung für eine chemisch-mechanische poliervorrichtung, mit einem halterring und einer trägerplatte mit mehrzonaler drucksteuervorrichtung
EP3262211B1 (de) Verfahren zum herstellen eines kathodischen korrosionsschutzes zum schutz von bewehrungsstahl in einem stahlbetonbauwerk
DE112015005277T5 (de) Verfahren zum Polieren von Siliciumwafern
DE10208414B4 (de) Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren
DE112017007930T5 (de) Verfahren zum polieren eines siliziumwafers
DE29818289U1 (de) Durchlauf-Mischanlage
DE10195157B4 (de) Reinigungsvorrichtung zum Reinigen von für das Polieren von Halbleiterwafern verwendeten Poliertüchern
US6679764B2 (en) Supply system for chemicals and its use
DE102005007356A1 (de) Entfernen von eingebetteten Partikeln während eines chemisch-mechanischen Polierens
WO2001085619A1 (de) Verfahren zur reinigung von abwasser aus der chipproduktion
AT522560B1 (de) Anordnung zur Herstellung wenigstens eines dreidimensionalen Bauteils für die Bauindustrie
EP0085425B1 (de) Betonrecyclinganlage
DE19737854C2 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Polierpads, beispielsweise Poliertüchern, insbesondere für das Polieren von Wafern
EP1161929A3 (de) Hydrauliksystem für einen mehrere hydraulische Verbraucher aufweisenden Tisch oder dgl., insbesondere Operationstisch
CH618039A5 (en) Method for embedding radioactive waste in concrete
DE4429115C1 (de) Verfahren zur Herstellung von Terrazzoböden
DE19955387A1 (de) Verfahren zum Zuführen von Poliermitteln in eine Halbleiterscheibenpoliervorrichtung
DE10338819B3 (de) Verfahren zur Feinbearbeitung harter Oberflächen und Verwendung eines derartigen Verfahrens
DE19912298B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Aufbereitung eines körnigen Füllstoffes
DE10354717A1 (de) TEOS-unterstütztes Oxid-CMP-Verfahren
DE9207366U1 (de) Mobile Entsorgungsanlage
DE10205233B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Läppen einer Oberfläche

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee