DE19703639A1 - Verfahren zur Herstellung von Bonddrahtverbindungen - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von
Bonddrahtverbindungen mit den im Oberbegriff des Anspruchs 1
angegebenen Merkmalen.
Derartige Verfahren werden eingesetzt, um die elektrischen
Anschlüsse eines auf einem Baugruppenträger plazierten elek
tronischen Bauelements, zum Beispiel eines Halbleiter-Chips,
mit dem Leiterbahnmuster des Baugruppenträgers elektrisch zu
verbinden. Dabei werden die Anschlusse des Chips über Bond
drähte im sogenannten Ball-Wedge-Bondverfahren mit Anschluß
flächen (Bondlands), welche den Leiterbahnen zugeordneten
sind, verbunden. Beim Ball-Wedge-Bonden wird der Draht in
einer Kapillare des Bondkopfes geführt. Ein von der Kapilla
re abstehendes erstes Ende des Drahtes wird z. B. durch eine
Funkenentladung geschmolzen und bildet bedingt durch die
Oberflächenspannung des geschmolzenen Lotes eine Kugel
(Ball). Beim sogenannten Thermosonicschweißen wird beim Ab
senken der Kapillare auf einen Bauelementanschluß unter
Druck-, Wärme und Ultraschalleinwirkung eine Schweißverbin
dung zwischen dem Bauelementanschluß und dem ersten Ende des
Drahtes hergestellt. Anschließend wird die Kapillare zur An
schlußfläche (Bondland) einer Leiterbahn geführt, wobei der
Draht aus der Kapillare herausgezogen wird. Beim Absenken
der Kapillare wird das zweite Ende des Bonddrahtes durch den
Kapillarenrand (Wedge) auf dem Bondland breitgequetscht und
ebenfalls unter Druck-, Wärme und Ultraschalleinwirktung
verschweißt und gleichzeitig von dem in der Kapillare ge
führten Draht abgetrennt. Nachteilig bei diesem Stand der
Technik ist, daß die Herstellung der zweiten Schweißverbin
dung durch das Breitquetschen des Drahtes auf den Anschluß
flächen sehr viel mehr Platz beansprucht als die Herstellung
der Schweißverbindung zwischen den als Kugel ausgebildeten
ersten Enden der Bonddrähte und den Bauelementanschlüssen.
Der Abstand zwischen benachbarten Bauelementanschlüssen kann
z. B. auf dem Chip bloß 80 µm betragen, während die Breite
der Anschlußflächen (Bondlands) auf dem Baugruppenträger um
ein vielfaches größer gewählt werden muß, damit das Bond
werkzeug auf die Anschlußfläche abgesenkt werden kann. Aus
diesem Grund ist das Raster der den Leiterbahnen zugeordne
ten Anschlußflächen sehr viel größer als das Raster der Bau
elementanschlüsse und beansprucht sehr viel mehr Platz auf
dem Baugruppenträger. Weiterhin nachteilig ist, daß der Raum
zwischen den Anschlußflächen der Leiterbahnen und dem Bau
element durch die Bonddrähte nur überspannt wird und deshalb
ungenutzt bleibt.
Das erfindungsgemäße Verfahren mit dem Kennzeichen des An
spruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß die für die Her
stellung der elektrischen Verbindung zwischen den Anschlüs
sen eines Bauelements und den Leiterbahnen beim Ball-Wedge-Bon
den benötigte Verdrahtungsfläche auf dem Baugruppenträger
erheblich reduziert werden kann, indem die Anschlußflächen
für die zweiten Enden der Bonddrähte räumlich getrennt von
den Leiterbahnen zwischen dem Raster der Leiterbahnen und
dem Bauelement angeordnet werden und erst über zweite Bond
drähte mit den Leiterbahnen verbunden werden. Vorteilhaft
können nun die in Kugelform (Ball) ausgebildeten ersten En
den der Bonddrähte sowohl mit den Bauelementanschlüssen als
auch mit den Leiterbahnen verbunden werden. Da das Bondwerk
zeug hierfür nicht viel Platz benötigt, kann das Abstandsra
ster der Leiterbahnen ebenso eng ausgelegt werden, wie das
Raster der Bauelementanschlüsse, also z. B. im 80 µm Raster.
Gleichzeitig können die Leiterbahnen enger an das Bauelement
herangeführt werden und die Bonddrahtlängen verkürzt werden.
Die zweiten Enden des jeweils ersten und zweiten Bonddrahtes
werden mit einer Anschlußfläche verschweißt, welche sich ge
trennt von den Leiterbahnen und den Bauelementanschlüssen
auf dem Baugruppenträger befindet. Auf diese Weise wird auch
der Raum zwischen dem Bauelement und dem Leiterbahnraster
vorteilhaft genutzt.
Weiterhin ist vorteilhaft, daß mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren aufgrund der kurzen Bondwege weniger Drahtmaterial
benötigt wird, was beim Golddrahtbonden die Herstellungsko
sten erheblich reduziert. Darüber hinaus werden die zur Her
stellung von Bonddrähten ungenutzten Verfahrwege des Bond
kopfes deutlich reduziert. Da bei dem erfindungsgemäßen Ver
fahren statt eines Bonddrahtes zwei verwandt werden, um die
Verbindung von den Leiterbahnen zum Bauelement herzustellen,
ist die Drahtführung der Bonddrähte insgesamt flacher, wo
durch die mechanische Stabilität der Bondverbindungen erhöht
wird.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen werden durch die in den
Unteransprüchen beschriebenen Merkmale ermöglicht. Falls der
Platzbedarf für das Leiterbahnraster auf dem Baugruppenträ
ger nicht unbedingt so klein wie möglich ausgelegt werden
muß und statt dessen die Verfahrwege des Bondwerkzeugs mög
lichst klein gewählt werden sollen, ist es vorteilhaft, wenn
nur jeder übernächste Bauelementanschluß über zwei Bonddräh
te mit einer zugeordneten Leiterbahn verbunden wird und die
übrigen Bauelementanschlüsse mit einer Anschlußfläche ver
bunden werden, die unmittelbar an die zugeordnete Leiterbahn
angebunden ist.
Vorteilhaft kann die Breite einer Anschlußfläche größer aus
gebildet werden als die Summe aus der Breite der zugeordne
ten Leiterbahn und den Abständen dieser Leiterbahn zu den
auf dem Baugruppenträger direkt benachbarten Leiterbahnen.
Besonders vorteilhaft ist es, die Anschlußflächen im Raum
zwischen dem Bauelement und den Enden der Leiterbahnen in
mehreren Reihen versetzt zueinander anzuordnen, da auf diese
Weise der zur Verfügung stehende ungenutzte Raum zwischen
dem Bauelement und dem Leiterbahnraster besonders effizient
genutzt wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung
dargestellt und wird in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Es zeigt
Fig. 1a eine Aufsicht auf einen Ausschnitt eines Baugruppen
träger nach dem Stand der Technik,
Fig. 1b einen schematischen Querschnitt durch eine Bondver
bindung der Fig. 1a,
Fig. 2a eine Aufsicht auf einen Ausschnitt eines Baugruppen
trägers, welcher nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herge
stellt wurde und
Fig. 2b einen schematischen Querschnitt durch eine Bond
drahtverbindung zwischen einer Leiterbahn und einem Bauele
mentanschluß der Fig. 2a.
Die Fig. 1a und 1b zeigen einen Baugruppenträger 1, der
dem bisher bekannten Stand der Technik entspricht. Ein sol
cher Baugruppenträger kann z. B. eine Leiterplatte oder ein
Hybrid sein. Auf einer Hauptoberfläche des Baugruppenträgers
befindet sich wenigstens ein Bauelement 2, das z. B. ein IC
sein kann. Das Bauelement 2 ist auf den Baugruppenträger
aufgeklebt oder in sonstiger Weise befestigt. An der von der
Hauptoberfläche abgewandten Oberseite des IC's befinden sich
zahlreiche Anschlüsse 5, von denen nur einige in Fig. 1a ge
zeigt sind. Die Anschlüsse sind auf dem IC mit einem engen
Raster in einem Abstand a von nur 80 µm angeordnet. Weiter
hin befindet sich ein Raster von Leiterbahnen 3 auf dieser
Hauptoberfläche des Baugruppenträgers 1, an deren Enden An
schlußflächen 4 vorgesehen sind, die mit den Anschlüssen 5
des Bauelementes 2 über Bonddrähte im Ball-Wedge-Bondverfah
ren verbunden werden. Bei der Herstellung der Bonddrahtver
bindung wird ein Bondwerkzeug benutzt, bei dem der Draht in
einer Kapillare geführt wird, deren Durchmesser an den Draht
angepaßt ist. Als Bonddraht wird meist Golddraht verwandt.
Das Ende 6a des Drahtes unterhalb der Kapillare wird z. B.
durch die Energie einer Funkenentladung geschmolzen, wobei
die Schmelze bedingt durch die Oberflächenspannung eine Ku
gel (Ball) bildet. Beim Absenken der Kapillare auf den Bau
elementanschluß 2 wird an dem Ende 6a des Bonddrahtes 6 eine
Schweißverbindung durch Druck-, Wärme- und Ultraschallein
wirkung hergestellt. Anschließend wird das Bondwerkzeug zu
einer Anschlußfläche 4 geführt, wobei der Draht aus der Ka
pillare herausgezogen wird. Beim erneuten Absenken der Ka
pillare auf der Anschlußfläche 4 bildet der Draht eine
Schlaufenform. Die Kapillare wird nun ganz auf die Anschluß
fläche abgesenkt und der Draht unter Druck-, Wärme und Ul
traschalleinwirkung (Thermosonicschweißen) mit der Anschluß
fläche 4 verschweißt. Dabei bildet der Kapillarenrand ein
keilförmiges Schweißwerkzeug mit dem das Ende 6b des Bond
drahtes auf der Anschlußfläche breitgequetscht, verscheißt
und gleichzeitig vom Draht in der Kapillare abgetrennt wird.
Bei diesem Verfahrensschritt benötigt das Bondwerkzeug einen
gewissen Platz auf der Anschlußfläche, so daß die Anschluß
flächen nicht beliebig klein ausgelegt sein können. Die An
schlußflächen 4 sind in den Leiterbahnen 3 integriert, so
daß nun ein Anschluß 5 des Bauelementes 2 mit einer Leiter
bahn 3 über den Bonddraht 6 elektrisch verbunden ist. Wie
besonders gut in Fig. 1a zu erkennen ist, muß das Raster der
Anschlußflächen 4 mit den Leiterbahnen 3 (Abstandsmaß b)
sehr viel breiter ausgeführt werden als das Raster der Bau
elementanschlüsse (Abstandsmaß a). Insbesondere ist es nicht
möglich die Breite der Anschlußflächen 4 größer auszugestal
ten als die Summe aus der Breite der jeweils zugeordneten
Leiterbahn und den beiden Abständen dieser Leiterbahn zu den
auf dem Baugruppenträger direkt benachbarten Leiterbahnen.
In den Fig. 2a und 2b ist ein Baugruppenträger 1 gezeigt
der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurde.
Die Figuren sollen nur den wesentlichen Inhalt der Erfindung
deutlich machen und sind daher, was die Größenordnungen und
z. B. die Länge der Bonddrähte anbelangt stark vereinfacht.
Das dargestellte Leiterbahnmuster bildet wie bei der in Fig.
Ia dargestellten bekannten Lösung ein Raster mit zueinander
parallel verlaufenden Leiterbahnenden. Die Leiterbahnenden 3
können aber im Vergleich zu Fig. 1a sehr viel dichter an das
Bauelement 2 herangeführt sein. In dem hier gezeigten Bei
spiel wird jeder Bauelementanschluß 5 über zwei Bonddrähte 6
und 7 mit einer Leiterbahn 3 verbunden. Dabei wird so ver
fahren, daß das in Kugelform (Ball) ausgestaltete erste Ende
6a eines Bonddrahtes 6 mit einem Anschluß 5 des Bauelementes
2 verscheißt wird. Anschließend wird das zweite Ende 6b des
Bonddrahtes 6 auf der Anschlußfläche 4 verschweißt. Die An
schlußfläche 4 ist aber nicht in eine Leiterbahn 3 inte
griert, sondern befindet sich räumlich getrennt von den
Leiterbahnen 3 auf dem Flächenstück zwischen dem Bauelement
2 und dem Raster der Leiterbahnen. Nach dem Breitquetschen
und Verschweißen des Endes 6b des Bonddrahtes 6a wird nun
der Bondkopf zu einer Leiterbahn 3 gefahren, die mit dieser
Anschlußfläche 4 verbunden werden soll. Die Leiterbahnen 3
befinden sich in einem engen Raster auf dem Baugruppenträger
in einem Abstand b voneinander, welcher etwa dem Abstand a
der Bauelementanschlüsse entspricht. Dies ist möglich, da
bei dem in Fig. 2a gezeigten Baugruppenträger 1 die Breite
einer Anschlußfläche 4 gleich oder größer als die Summe aus
der Breite der zugeordneten Leiterbahn und den beiden Ab
ständen dieser Leiterbahn zu den jeweils direkt benachbarten
Leiterbahnen sein kann, ohne daß die Anschlußflächen die
Leiterbahnen überlappen. Es sind aber auch größere Abstände
b denkbar. Das Kugel- oder Ballförmige Ende 7a eines zweiten
Bonddrahtes 7 wird nun zunächst mit der Leiterbahn 3 ver
schweißt. Dies ist leicht möglich, da für die Herstellung
dieser Scheißverbindung nicht so viel Platz auf den Leiter
bahnen beansprucht wird, wie für die Herstellung der zweiten
Schweißverbindung 7b. Die Verbindung kann also auch auf sehr
schmalen Leiterbahnen hergestellt werden. Anschließend wird
das Bondwerkzeug zu der Anschlußfläche 4 zurückgeführt und
es wird das zweite Ende 7b des Bonddrahtes 7 mit der An
schlußfläche 4 verschweißt, wobei dieses Ende nun erneut
durch das Bondwerkzeug auf der Anschlußfläche 4 breitge
drückt werden kann (Wedge-Bonden). Die übrigen Anschlüsse 5
werden in gleicher Weise mit den Leiterbahnen 3 verbunden,
so daß jeder Leiterbahn 3 über eine zugeordnete Anschlußflä
che 4 mit einem Bauelementanschluß 5 über zwei Bonddrähte
6,7 verbunden ist. Die Bonddrähte 6 und 7 können dabei auch
so geführt sein, daß sie über die Anschlußflächen benachbar
ter Bonddrähte hinweggeführt sind. Vorteilhaft sind die An
schlußflächen 4 in dem hiergezeigten Beispiel in drei Reihen
zwischen dem Bauelement 2 und dem Raster der Leiterbahnen 3
angeordnet. So wird der zur Verfügung stehende Platz optimal
genutzt.
Abweichend zu dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel ist es
auch möglich, nur jeden übernächsten Bauelementanschluß 5
über zwei Bonddrähte mit einer Leiterbahn zu verbinden und
die übrigen Bonddrähte, wie im Stand der Technik bekannt,
mit nur einem Bonddraht mit einer Anschlußfläche zu ver
schweißen, die unmittelbar in eine Leiterbahn integriert
ist. Bei diesem Verfahren sind die ungenutzten Verfahrwege
des Bondwerkzeuges noch geringer, obwohl nun das Raster der
Leiterbahnen 3 nicht ganz so eng gewählt werden kann, wie in
dem ersten Ausführungsbeispiel.
Claims (5)
1. Verfahren zur Herstellung von Bonddrahtverbindungen zwi
schen den Anschlüssen (5) wenigstens eines auf einem Baugrup
penträger (1) angeordneten elektrischen oder elektronischen
Bauelements (2) und auf dem Baugruppenträger (1) angeordneten
Leiterbahnen (3) durch Ball-Wedge-Bonden, wobei erste Enden
der Bonddrähte durch das Bondwerkzeug zunächst kugelartig ge
formt und anschließend mit den Bauelementanschlüssen ver
schweißt werden und wobei zweite Enden der Bonddrähte mit dem
Bondwerkzeug auf den Leiterbahnen zugeordneten Anschlußflä
chen breitgequetscht und festgeschweißt werden, dadurch ge
kennzeichnet, daß die den Leiterbahnen (3) zugeordneten An
schlußflächen (4) zwischen dem Bauelement (2) und den Leiter
bahnen (3) und räumlich getrennt von den Leiterbahnen (3) an
geordnet sind und daß die Anschlußflächen (4) mit wenigstens
einem Teil der Bauelementanschlüsse (5) über erste Bonddrähte
(6) und mit den Leiterbahnen (3) über zweite Bonddrähte (7)
verbunden werden, wobei jeweils das erste Ende (6a) des er
sten Bonddrahtes (6) mit einem Bauelementanschluß (5) und das
erste Ende (7a) des zweiten Bonddrahtes (7) mit einer Leiter
bahn (3) verbunden wird und das zweite Ende (6b) des ersten
Bonddrahtes (6) und das zweiten Ende (7b) des zweiten Bond
drahtes (7) mit der dieser Leiterbahn zugeordneten Anschluß
fläche (4) verbunden wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
jeder zweite Bauelementanschluß (5) mit einer Anschlußfläche
(4) verbunden wird, die mit einer Leiterbahn (3) unmittelbar
verbunden ist.
3. Baugruppenträger zur Durchführung des Verfahrens nach An
spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die den Leiterbahnen
(3) zugeordneten Anschlußflächen (4) zwischen dem Bauelement
(2) und den Enden der Leiterbahnen (3) und räumlich getrennt
von den Enden der Leiterbahnen (3) angeordnet sind und daß
die Anschlußflächen (4) mit wenigstens einem Teil der Bau
elementanschlüsse (5) über erste Bonddrähte (6) und mit den
Leiterbahnen (3) über zweite Bonddrähte (7) verbindbar sind,
wobei die mit den Bauelementanschlüssen (5) verbindbaren En
den (6a) der ersten Bonddrähte (6) und die mit den Leiter
bahnen (3) verbindbaren Enden (7a) der zweiten Bonddrähte
(7) eine in der Breite kleinere Anbindungsfläche aufweisen
als die mit den Anschlußflächen (4) verbindbaren zweiten En
den (6b) der ersten Drähte (6) und zweiten Enden (7b) der
zweiten Drähte (7).
4. Baugruppenträger nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet,
daß die Breite einer Anschlußfläche (4) größer ist als die
Summe aus der Breite der zugeordneten Leiterbahn (3) und den
beiden Abständen dieser Leiterbahn (3) zu den auf dem Bau
gruppenträger (1) direkt benachbarten Leiterbahnen.
5. Baugruppenträger nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Anschlußflächen (4) im Raum zwischen dem
wenigstens einem Bauelement (2) und den Enden der Leiterbah
nen (3) in mehreren Reihen versetzt zueinander angeordnet
sind.
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