DE19653272C1 - Verfahren zum präzisen Galvanisieren von Leiterplatten in Durchlaufanlagen - Google Patents
Verfahren zum präzisen Galvanisieren von Leiterplatten in DurchlaufanlagenInfo
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- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur präzisen elektrolytischen Abscheidung
von Metallen bis in den Randbereich von Leiterplatten und Leiterfolien in
Durchlaufanlagen. Das Verfahren verbessert die Qualität, vermindert den
Ausschuß und ermöglicht die bessere Ausnutzung des Leiterplattennutzens. Dies
hat zur Folge, daß bei der Herstellung von Leiterplatten Basismaterial eingespart
wird.
Durchlaufanlagen erlauben die Herstellung von Leiterplattennutzen. Unter
Leiterplattennutzen wird der Leiterplattenrohzuschnitt verstanden. Er hat eine
von der Anlagenbreite bestimmte maximale Breite quer zur Transportrichtung.
Die Stromzuführung zum Leiterplattenzuschnitt für das elektrolytische Auftragen
des Metalls erfolgt in der Regel durch mit dem Minuspol einer Gleichstromquelle
verbundene Kontaktklammern, die die Leiterplatten am Rand elektrisch leitend
erfassen. Den Gegenpol bilden lösliche oder unlösliche Anoden. Nach dem
Galvanisieren und den Nachbehandlungsschritten werden die Leiterplatten aus
dem Leiterplattennutzen herausgeschnitten. Aus einem Nutzen werden in
Abhängigkeit von der tatsächlichen Leiterplattengröße eine oder mehrere kleinere
Leiterplatten hergestellt. Aus wirtschaftlichen Gründen ist man bestrebt, den
Leiterplattennutzen möglichst optimal, das heißt bis nahe an die Ränder
auszunutzen.
Die Qualität der Leiterplatte wird u. a. von der Schichtdickenverteilung bestimmt.
Technologisch bedingt weicht die Schichtdicke an der Oberfläche und in
Bohrlöchern im Randbereich eines Nutzens von der Schichtdicke des übrigen
Oberflächenbereiches stärker ab. Die Dickenabweichungen können positive wie
auch negative Werte aufweisen. Einfluß hierauf haben u. a. die Anzahl der
Kontaktklammern, die Form und die Isolierung der Kontaktklammern, die
Qualität und die Beschaffenheit der Kontaktflächen, die Geometrie der Anoden
und der Abblendelemente sowie der Abstand von einem Nutzen zum
nachfolgenden in Transportrichtung der Durchlaufanlage.
Besonders kritisch ist die Schichtdickenverteilung im Bereich der elektrischen
Kontaktierung des Nutzens. Hier ist das Anbringen von Blenden aus
konstruktiven Gründen nicht im ausreichenden Maße möglich. Die
Kontaktelemente nehmen den erforderlichen Raum in Anspruch. In der
Patentschrift EP 0 254 030 wird eine horizontale Durchlaufanlage zum
elektrolytischen Auftrag von Metall auf plattenförmige Gegenstände wie
Leiterplatten beschrieben. Umlaufende Kontaktelemente in Form von Klammern
greifen die Nutzen. Die Klammern dienen zum Transport des Nutzens und
zugleich zur Zuführung des Galvanisierstromes auf den Nutzen. Die Klammern
und somit auch der Nutzen haben kathodisches Potential. Zur Vermeidung einer
Klammermetallisierung wird die elektrisch leitfähige Klammer in der Regel bis
auf eine kleine Kontaktfläche mit einer Isolierschicht versehen. Dies bewirkt
zugleich, daß die Klammer im Bereich des Leiterplattennutzens nicht als
Raubkathode wirkt. Die Klammern haben aus elektrischen und mechanischen
Gründen bestimmte Mindestabmessungen. Mehrere Klammern im Abstand von
üblicherweise 50-100 Millimeter greifen einen Leiterplattennutzen. Sie
bewirken neben den Funktionen Transport und Stromzuführung auch eine
unerwünschte Abblendung des elektrischen Feldes im Klammerbereich. Die
Folge davon sind große Schichtdickenunterschiede im jeweiligen
Klammerbereich. Weiter bestimmen die Beschaffenheit der Kontaktflächen, der
elektrische Übergangswiderstand bzw. Widerstand der Kontaktflächen und des
gesamten Stromleitweges von der Gleichstromquelle über Leitungen und
Verschraubungen, die Bildung der Schichtdicke. Unter einer Klammer wird
nahezu kein Metall abgeschieden. Dafür wird zwischen zwei Klammern
übermäßig viel Kupfer abgeschieden. Diese Unterschiede könnte auch eine
Randabblendung nicht verhindern. Die großen Schichtdickenunterschiede
nehmen in Richtung zur Nutzenmitte ab. Der Randbereich des
Leiterplattennutzens, insbesondere aus dem Klammerbereich ist für die
herauszuscheidenden Leiterplatten nicht nutzbar. Die Qualität der anschließenden
Bereiche ist schlechter als der Durchschnitt. Die Breite des Randbereiches ist
abhängig von den jeweils zulässigen Toleranzen der Galvanisierschichtdicke.
Besonders bei der Feinleitertechnik, die mehr und mehr Verbreitung findet, sind
diese Toleranzen klein. In der Praxis liegt die nicht nutzbare Randstreifenbreite
infolge der Klammereinflüsse zwischen 25 und 50 Millimeter. Trotz des
Abschneidens dieses Randbereiches kann beim ungünstigen Zusammentreffen
mehrerer Faktoren der Schichtdickenunterschied auf der verbleibenden Platte so
groß sein, daß Ausschuß entsteht. Zusätzlich entstehen durch das Abschneiden
der Randbereiche erhebliche Kosten. Bei einer Transportgeschwindigkeit von
zum Beispiel 1 Meter pro Minute und einer nicht nutzbaren Streifenbreite von 25
Millimeter beträgt der tägliche Verlust im Zweischichtbetrieb ca. 25
Quadratmeter.
In der Druckschrift DE 195 04 517 C1 wird ein Verfahren zum Galvanisieren
von plattenförmigem Behandlungsgut in horizontalen Durchlaufanlagen
beschrieben. Das Behandlungsgut, vorzugsweise Leiterplatten wird von
Klammern gegriffen. Die Klammern dienen zur Stromübertragung und zum
Transport der Leiterplatten.
Mit Hilfe von Sensoren, die das in die Galvanoanlage einlaufende
Behandlungsgut abtasten und unter Beachtung der Transportgeschwindigkeit
wird vorausschauend ermittelt, ob im Greifpunkt einer Klammer Behandlungsgut
vorhanden sein wird, oder ob eine Lücke zwischen dem aufeinanderfolgenden
Gut vorliegen wird. Im Falle einer ermittelten Lücke wird die Klammer so
gesteuert, daß sie nicht schließt. Eine zu Ausfällen führende Galvanisierung der
Klammerkontakte wird damit vermieden.
Das Ergreifen der Leiterplatte durch die Klammern erfolgt unsynchronisiert an
beliebigen Stellen im Randbereich der Platten. Einfluß auf eine gleichmäßige
Schichtdickenverteilung im Bereich der Klammergreifpunkte der Leiterplatte soll
durch diese Erfindung nicht genommen werden.
Die Druckschrift DE 42 05 660 C1 beschreibt ein Verfahren zur Verbesserung
der Schichtdickenverteilung im Randbereich von Werkstücken, die an
Kathodenschienen angeordnet, galvanisiert werden. Aufgrund von
Spannungsabfällen in der Kathodenschiene und/oder in Werkstückgestellen
treten zwischen benachbarten Werkstücken Spannungsunterschiede auf. Diese
Spannungsunterschiede verursachen im Randbereich benachbarter Werkstücke
Schichtdickenunterschiede. Vermieden werden diese Schichtdickenunterschiede
durch zeitweises Einspeisen der Kathodenschienen und/oder Gestelle von
entgegengesetzten Seiten. Damit stellen sich an den störenden Potentialen
umgekehrte Polaritäten ein. Diese Schichtdickenbeeinflussung erfolgt nicht im
Bereich der Klammergreifpunkte, sondern im Nachbarbereich der Werkstücke.
Übertragen auf Durchlaufanlagen entspricht dies dem Bereich quer zur
Transportrichtung zwischen zwei Leiterplatten.
Aufgabe der Erfindung ist es, die beim Galvanisieren auftretenden
Schichtdickenunterschiede auf den Leiterplattennutzen und insbesondere im
Bereich der Klammern wesentlich zu verringern und damit die verwertbare
Fläche des Nutzens bei hohen Qualitätsanforderungen an die Schichtdicken
verteilung, zu vergrößern, sowie die Ausschußquote, verursacht durch
Schichtdickenunterschiede im randnahen Bereich, deutlich zu verringern.
Gelöst wird die Aufgabe durch das im Patentanspruch 1 beschriebene Verfahren.
Die Erfindung wird nachfolgend an Hand der Fig. 1 bis 6 näher beschrieben.
Fig. 1 zeigt ein Beispiel für den Schichtdickenverlauf im Klammerbereich
nach dem Stand der Technik sowie den zugehörigen Ausschnitt des
Leiterplattennutzens in der Draufsicht.
Fig. 2 zeigt ein Beispiel für den Schichtdickenverlauf am Nutzenrand quer
zur Transportrichtung nach dem Stand der Technik.
Fig. 3 zeigt schematisch die umlaufenden Klammern von zwei
hintereinandergeschalteten Anlagenteilen, einschließlich der
Leiterplattennutzen.
Fig. 4 zeigt ein Beispiel für den Schichtdickenverlauf im Klammerbereich
mit erfindungsgemäß einfache versetzten Kontaktgreifpunkten und
den zugehörigen Nutzenausschnitt in der Draufsicht.
Fig. 5 zeigt ein Beispiel für den Schichtdickenverlauf im Klammerbereich
mit erfindungsgemäß zweifach versetzten Kontaktgreifpunkten und
den zugehörigen Nutzenausschnitt in der Draufsicht.
Fig. 6 zeigt die resultierenden Schichtdickenverteilungen der Fig. 4
und 5 auf dem Leiterplattennutzenrand quer zur Transportrichtung.
In den Fig. 1, 4 und 5 ist der Schichtdickenverlauf auf dem
Leiterplattennutzen im Klammerbereich in der Transportrichtung dargestellt. Als
Beispiel sind absolute Schichtdicken in µm und ein Toleranzfeld eingetragen.
Der Abstand der Kontaktgreifpunkte in einer Durchlaufanlage, das heißt der
Klammerabstand in Transportrichtung, wird als Teilung T bezeichnet.
Die Fig. 1 zeigt den Schichtdickenverlauf 1 nach dem Stand der Technik.
Nebeneinander liegende Kontaktgreifpunkte greifen an den Orten 2 und 3 den
Leiterplattennutzen. Die Lage der Kontaktgreifpunkte ist im Diagramm der Fig.
1 mit den gestrichelten Linien 4 und 5 dargestellt. In der Nähe der
Kontaktgreifpunkte ist die Schichtdicke infolge der Abschirmung der Klammern
ein Minimum und zwischen den Klammern ein Maximum. Das Toleranzfeld 6
wird weit unter- und überschritten.
Die Fig. 2 zeigt, den entsprechenden Schichtdickenverlauf 7 für das Maximum
8 und der Verlauf 9 für das Minimum 10 in die Leiterplatte 12 hinein. Der
schraffiert dargestellte Randstreifen der Leiterplatte 12 ist wegen möglicher
Toleranzverletzung bis zur Grenze 11 unbrauchbar, das heißt Abfall.
Die Fig. 3 zeigt schematisch die umlaufenden Klammern in einer zweigeteilten
Anlage und die durchlaufenden Leiterplattennutzen 18. In einer horizontalen
Durchlaufanlage ist dies die Draufsicht. Die Transportrichtung zeigt der Pfeil 13.
Die Kontaktgreifpunkte 14 des ersten Anlagenteils 15 sind als Kreis dargestellt.
Die Kontaktgreifpunkte 16 des zweiten Anlagenteils 17 sind als ausgefüllter
Kreis dargestellt. Der erfindungsgemäße Versatz der Punkte 14 und 16 auf dem
Leiterplattennutzen beträgt in diesem Beispiel definiert eine halbe Teilung T.
Allgemein beträgt der Versatz V = T dividiert durch die Anzahl der
hintereinandergeschalteten Anlagenteile. Das definierte Versetzen der
Kontaktgreifpunkte wird durch folgende Maßnahmen erreicht:
Alle Anlagenteile haben den gleichen Abstand der Kontaktgreifpunkte in Transportrichtung. Alle Anlagenteile produzieren mit der gleichen Transportgeschwindigkeit. Der Abstand von einem Anlagenteil zum nachfolgenden Anlagenteil bleibt konstant. Unter diesen Bedingungen müssen die individuellen Antriebe 19 und 20 der beiden Anlagenteile phasensynchron laufen. Der Abstand der Kontaktgreifpunkte 0,5 T entspricht einer Phasenverschiebung von 180°, die zwischen beiden Antrieben permanent einzuhalten ist. Sie wird durch Synchronisation der Antriebe 19 und 20 mit bekannten Mitteln und Methoden der Antriebstechnik sichergestellt. Mit gleichen Mitteln und Methoden werden die Phasenlagen elektrisch justiert.
Alle Anlagenteile haben den gleichen Abstand der Kontaktgreifpunkte in Transportrichtung. Alle Anlagenteile produzieren mit der gleichen Transportgeschwindigkeit. Der Abstand von einem Anlagenteil zum nachfolgenden Anlagenteil bleibt konstant. Unter diesen Bedingungen müssen die individuellen Antriebe 19 und 20 der beiden Anlagenteile phasensynchron laufen. Der Abstand der Kontaktgreifpunkte 0,5 T entspricht einer Phasenverschiebung von 180°, die zwischen beiden Antrieben permanent einzuhalten ist. Sie wird durch Synchronisation der Antriebe 19 und 20 mit bekannten Mitteln und Methoden der Antriebstechnik sichergestellt. Mit gleichen Mitteln und Methoden werden die Phasenlagen elektrisch justiert.
Die Fig. 4 zeigt, wie durch den definierten Versatz der Kontaktgreifpunkte 14
und 16 der Schichtdickenverlauf 21 eingeebnet wird. Das Schichtdicken
minimum 10 wird angehoben, das Maximum 8 wird abgesenkt. Das als Beispiel
dargestellte Toleranzfeld 6 wird aber noch überschritten.
In Fig. 5 ist der Schichtdickenverlauf 22 bei drei hintereinandergeschalteten
Durchlaufanlagenteilen dargestellt. Die Kontaktgreifpunkte des dritten
Anlagenteils sind mit 23 bezeichnet. In diesem Beispiel wird das Toleranzfeld
nicht über- und nicht unterschritten.
Die Fig. 6 zeigt die Schichtdickenverläufe quer zur Transportrichtung, so wie
sie sich bei Anlagenanordnungen entsprechend der Fig. 4 und 5 ergeben. Die
Darstellung ist maßstäblich mit der Fig. 2 zu vergleichen. Die Lage der
Kontaktgreifpunkte zur Leiterplatte 12 zeigt der Pfeil 24. Die
Schichtdickenverläufe 25, 26 gelten für das Maximum 8 und für das Minimum 10
bei zwei hintereinandergeschalteten Anlagenteilen. Die Verläufe 27 und 28
gelten entsprechend für drei Anlagenteile. Die zugehörigen Grenzen 29 und 30
für den nutzbaren Bereich des Leiterplattennutzens 12 sind in Fig. 6
eingezeichnet.
Die Synchronisation der Antriebe ist nicht auf die elektrische Synchronisation
beschränkt. Mit einem durchgehenden mechanischen Antrieb durch alle
hintereinandergeschalteten Anlagenteile läßt sich die Phasensynchronisation
ebenso realisieren. Bei der Inbetriebnahme der Anlagen werden die umlaufenden
Klammern je Anlagenteil in ihrer Phasenlage zueinander mechanisch justiert.
Entsprechende mechanische Justierpunkte, zum Beispiel in Form von
Stellschrauben, sind vorzusehen.
Bezugszeichenliste
1 Schichtdickenverlauf in Transportrichtung nach dem Stand der Technik
2 Ort eines ersten Kontaktgreifpunktes
3 Ort eines zweiten Kontaktgreifpunktes
4 Lage eines ersten Kontaktgreifpunktes
5 Lage eines zweiten Kontaktgreifpunktes
6 Toleranzfeld
7 Maximaler Schichtdickenverlauf quer zur Transportrichtung nach dem Stand der Technik
8 Schichtdickenmaximum
9 Minimaler Schichtdickenverlauf quer zur Transportrichtung nach dem Stand der Technik
10 Schichtdickenminimum
11 Grenze
12 Leiterplattennutzen
13 Transportrichtung
14 Kontaktgreifpunkte des ersten Anlagenteils
15 Erstes Anlagenteil
16 Kontaktgreifpunkte des zweiten Anlagenteils
17 Zweites Anlagenteil
18 Leiterplattennutzen
19 Antrieb des ersten Anlagenteils
20 Antrieb des zweiten Anlagenteils
21 Schichtdickenverlauf bei zwei Anlagenteilen
22 Schichtdickenverlauf bei drei Anlagenteilen
23 Kontaktgreifpunkte eines dritten Anlagenteils
24 Lage der Kontaktgreifpunkte
25 Schichtdickenverlauf max. für zwei Anlagenteile
26 Schichtdickenverlauf min. für zwei Anlagenteile
27 Schichtdickenverlauf max. für drei Anlagenteile
28 Schichtdickenverlauf min. für drei Anlagenteile
29 Grenze für den Nutzbereich für zwei Anlagenteile
30 Grenze für den Nutzbereich für drei Anlagenteile
2 Ort eines ersten Kontaktgreifpunktes
3 Ort eines zweiten Kontaktgreifpunktes
4 Lage eines ersten Kontaktgreifpunktes
5 Lage eines zweiten Kontaktgreifpunktes
6 Toleranzfeld
7 Maximaler Schichtdickenverlauf quer zur Transportrichtung nach dem Stand der Technik
8 Schichtdickenmaximum
9 Minimaler Schichtdickenverlauf quer zur Transportrichtung nach dem Stand der Technik
10 Schichtdickenminimum
11 Grenze
12 Leiterplattennutzen
13 Transportrichtung
14 Kontaktgreifpunkte des ersten Anlagenteils
15 Erstes Anlagenteil
16 Kontaktgreifpunkte des zweiten Anlagenteils
17 Zweites Anlagenteil
18 Leiterplattennutzen
19 Antrieb des ersten Anlagenteils
20 Antrieb des zweiten Anlagenteils
21 Schichtdickenverlauf bei zwei Anlagenteilen
22 Schichtdickenverlauf bei drei Anlagenteilen
23 Kontaktgreifpunkte eines dritten Anlagenteils
24 Lage der Kontaktgreifpunkte
25 Schichtdickenverlauf max. für zwei Anlagenteile
26 Schichtdickenverlauf min. für zwei Anlagenteile
27 Schichtdickenverlauf max. für drei Anlagenteile
28 Schichtdickenverlauf min. für drei Anlagenteile
29 Grenze für den Nutzbereich für zwei Anlagenteile
30 Grenze für den Nutzbereich für drei Anlagenteile
Claims (6)
1. Verfahren zur präzisen elektrolytischen Abscheidung von Metallen bis in den
Randbereich von Leiterplatten und Leiterfolien in einer Durchlaufanlage,
wobei die Leiterplattennutzen an einem oder zwei gegenüberliegenden
Rändern mittels mehrerer Kontaktelemente, die in Transportrichtung gleich
große Abstände voneinander aufweisen und die zugleich eine
Transportfunktion haben, gegriffen werden, dadurch gekennzeichnet, daß die
Anlage in mehrere Teilanlagen getrennt wird und daß die Kontaktgreifpunkte
auf dem Nutzen von Anlagenteil zu Anlagenteil in Transportrichtung definiert
so versetzt werden, daß die resultierenden Schichtdickenunterschiede in
diesem Randbereich minimal werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der definierte
Versatz V der Kontaktgreifpunkte auf dem Leiterplattennutzen so groß
gewählt wird wie die Klammerverteilung T dividiert durch die Anzahl der
hintereinandergeschalteten Anlagenteile.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
definierte Versatz der Kontaktgreifpunkte von Anlagenteil zu Anlagenteil
durch elektrische Synchronisation der Teilanlagenantriebe konstant gehalten
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenlage der
umlaufenden Klammern von einem Anlagenteil zum folgenden Anlagenteil
elektrisch justierbar ist.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der
definierte Versatz der Kontaktgreifpunkte von Anlagenteil zu Anlagenteil
durch mechanische Synchronisation mittels eines gemeinsamen Antriebes
konstant gehalten wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Phasenlage der
umlaufenden Klammern jedes Anlagenteils zum folgenden Anlagenteil
mechanisch justierbar ist.
Priority Applications (6)
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DE19653272A DE19653272C1 (de) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Verfahren zum präzisen Galvanisieren von Leiterplatten in Durchlaufanlagen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19653272C1 true DE19653272C1 (de) | 1998-02-12 |
Family
ID=7815516
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (6)
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EP (1) | EP0946794A1 (de) |
JP (1) | JP3891593B2 (de) |
CA (1) | CA2275261A1 (de) |
DE (1) | DE19653272C1 (de) |
WO (1) | WO1998028468A1 (de) |
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